專利名稱：布線結(jié)構(gòu)、利用該布線結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種布線結(jié)構(gòu)、利用該布線結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，將用于液晶顯示器(“LCD”)或電致發(fā)光(“EL”)顯示器的薄膜晶體管(“TFT”)陣列面板用作電路板用于獨立驅(qū)動相應(yīng)的像素。該薄膜晶體管陣列面板包括傳送掃描信號的掃描信號布線或柵極布線、傳送圖像信號的圖像信號線或數(shù)據(jù)布線、與柵極布線和數(shù)據(jù)布線連接的薄膜晶體管、與薄膜晶體管連接的像素電極、覆蓋用于絕緣的柵極布線絕緣的柵極絕緣層、以及覆蓋薄膜晶體管和用于絕緣的數(shù)據(jù)布線的鈍化層。薄膜晶體管包括柵極布線一部分的柵極、形成通道的半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)布線一部分的源極和漏極、柵極絕緣層、以及鈍化層。薄膜晶體管是一種用于根據(jù)來自柵極布線的掃描信號將來自數(shù)據(jù)布線的圖像信號傳送至像素電極的開關(guān)元件。
這種薄膜晶體管陣列面板已經(jīng)廣泛地用于液晶顯示器。隨著開發(fā)出大型化高分辨率的液晶顯示器，大大增加了柵極布線及數(shù)據(jù)布線的長度，但逐漸減小了寬度。因此，隨之出現(xiàn)了由布線電阻及各種寄生電容的增加導(dǎo)致的信號失真等嚴(yán)重問題。在這種連接中，與起傳統(tǒng)使用的鋁合金布線相比，具有低電阻率且具有與非晶硅層良好接觸特性的銀(Ag)布線開始引起人們關(guān)注。
然而，銀對于玻璃基片或硅層粘合性弱。在洗滌等后續(xù)工序中弱粘合性頻繁引起諸如銀薄膜的松散和脫落這樣的缺陷，其可導(dǎo)致布線斷開。此外，通過氮化硅絕緣層的干蝕刻銀可能易于損壞。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種低電阻率銀布線。
本發(fā)明的另一目的是提供一種薄膜晶體管陣列面板，具有低電阻率銀布線同時具有改良的可靠性。
這些和其它目的可以通過提供一種包括粘合層、含Ag層、及鈍化層的三層的布線實現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種薄膜晶體管陣列面板包括柵極布線，在絕緣基片上形成，并包含柵極線及與該柵極線連接的柵極；柵極絕緣層，覆蓋柵極布線；半導(dǎo)體圖案，在柵極絕緣層上形成；數(shù)據(jù)布線，包括形成于半導(dǎo)體圖案上、由相同層組成、且彼此分離的源極和漏極，以及與源極連接且與柵極線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；鈍化層，具有露出漏極的第一接觸孔；以及像素電極，在鈍化層上形成并通過第一接觸孔與漏極連接；其中柵極布線及數(shù)據(jù)布線中至少一個包括三層，即粘合層、含Ag層、及鈍化層，所述粘合層由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、和Ta合金中的至少一種組成，含Ag層由Ag或Ag合金組成，而鈍化層由IZO、Mo、Mo合金、Cr、和Cr合金中的一種組成。
數(shù)據(jù)布線還可以包括與柵極線或存儲電容器電極線重疊以形成存儲電容器的存儲電容器導(dǎo)體，存儲電容器電極線與柵極線基本上同一層形成。優(yōu)選地，存儲電容器導(dǎo)電體與漏極連接。優(yōu)選地，除了通道區(qū)域外的半導(dǎo)體圖案與數(shù)據(jù)布線具有基本相同的形態(tài)。薄膜晶體管陣列面板還包括分別在像素區(qū)域形成，由包括紅、綠、藍(lán)顏料的感光性材料組成，且被鈍化層覆蓋的紅、綠、藍(lán)濾色器。
優(yōu)選地，鈍化層覆蓋粘合層和含Ag層的側(cè)面。
根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在絕緣基片上形成柵極布線，該柵極布線包括柵極線、及與柵極線連接的柵極；形成覆蓋柵極布線的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案；在柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)布線，數(shù)據(jù)布線包括彼此分離并由基本同一層形成的源極及漏極和與源極連接的數(shù)據(jù)線；形成紅、綠、藍(lán)濾色器和露出漏極的第一開口部，濾色器由含有紅、綠、藍(lán)顏料的感光性材料組成且覆蓋數(shù)據(jù)布線；形成覆蓋紅、綠、藍(lán)濾色器的鈍化層；形成露出漏極的第一接觸孔；以及形成通過接觸孔與漏極連接的像素電極，其中柵極布線的形成和數(shù)據(jù)布線的形成包括以下工序連續(xù)沉積三層，即粘合層、含Ag層及鈍化層；以及對該三層制作布線圖案。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，連續(xù)沉積這三層并制作布線圖案包括以下工序連續(xù)沉積粘合層和含Ag層；將含Ag層和粘合層一起進行光學(xué)蝕刻；在含Ag層上沉積鈍化層；以及對鈍化層進行光學(xué)蝕刻?？蛇x地，連續(xù)沉積這三層并制作布線圖案包括以下工序連續(xù)沉積粘合層、含Ag層、及鈍化層；以及對所有的鈍化層、含Ag層、及粘合層一起進行光學(xué)蝕刻。
優(yōu)選地，數(shù)據(jù)布線及半導(dǎo)體層通過利用具有第一部分、比第一部分厚的第二部分、比第一厚度薄的第三部分的感光層圖案的光學(xué)蝕刻工序形成。在光學(xué)蝕刻工序中，優(yōu)選地，將第一部分設(shè)置在源極和漏極之間，而將第二部分設(shè)置在數(shù)據(jù)布線上。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板；圖2是沿著圖1所示的線II-II的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖3A、4A、5A、和6A按其工序示出了制造本發(fā)明第一實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的中間工序的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖3B是沿著圖3A所示的線IIIb-IIIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖4B是沿著圖4A所示的線IVb-IVb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖，是圖3B下一工序截面圖；圖5B是沿著圖5A所示的線Vb-Vb′的截面圖，是圖4B下一工序截面圖；圖6B是沿著圖6A所示的線VIb-VIb′的截面圖，是圖6下一工序截面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖8及圖9是分別沿著圖7所示的線VIII-VIII′及線IX-IX′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖10A是根據(jù)本發(fā)明第二實施例制造的第一工序中的如圖7所示的薄膜晶體管陣列面板布局圖；
圖10B及圖10C分別是沿著圖10A所示的線Xb-Xb′及線Xc-Xc′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖11A及圖11B分別是沿著圖10A所示的線Xb-Xb′及線Xc-Xc′的截面圖，是圖10B及圖10C下一工序截面圖；圖12A是圖11A及圖11B下一工序的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖12B及圖12C分別是沿著圖12A所示的線XIIb-XIIb′及線XIIc-XIIc′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖13A、14A、15A和圖13B、14B、15B分別是沿著圖12A所示的線XIIb-XIIb′及線XIIc-XIIc′的截面圖，是圖12B及圖12C下一工序截面圖；圖16A及圖16B是圖15A及圖15B下一工序的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖17A是圖16A及圖16B下一工序的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖17B及圖17C是分別沿著圖17A所示的線XVIIb-XVIIb′及線XVIIc-XVIIc′的截面圖；圖18A是進一步具體顯示適用于本發(fā)明實施例的薄膜晶體管陣列面板的布線結(jié)構(gòu)截面圖；圖18B是進一步具體顯示適用于本發(fā)明實施例的薄膜晶體管陣列面板的布線結(jié)構(gòu)另一截面圖；
圖19是根據(jù)MoW/Ag雙重層結(jié)構(gòu)熱處理的電阻率值變化曲線圖；圖20是根據(jù)MoW的厚度變化和熱處理溫度的劃痕測試照片；圖21是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖22是沿著圖21的線XXII-XXII′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖23A是根據(jù)本發(fā)明第三實施例制造的第一工序中的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖23B是沿著圖23A的線XXIIIb-XXIIIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖24A是根據(jù)本發(fā)明第三實施例制造的第二工序中的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖24B是沿著圖24A的線XXIVb-XXIVb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖25A是根據(jù)本發(fā)明第三實施例制造的第三工序中的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖25B是沿著圖25A的線XXVb-XXVb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖26A是根據(jù)本發(fā)明第三實施例制造的第四工序中的薄膜晶體管陣列面板布局圖；
圖26B是沿著圖26A所示的線XXVIb-XXVIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖27A是根據(jù)本發(fā)明第三實施例制造的第五工序中的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖27B是沿著圖27A所示的線XXVIIb-XXVIIb′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖28是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖29和圖30是沿著圖28所示的線XXIX-XXIX′及線XXX-XXX′線的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖31A是根據(jù)本發(fā)明實施例制造的第一工序中的薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖31B及圖31C是分別沿著圖31A的線XXXIb-XXXIb′及線XXXIc-XXXIc′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖32A及圖32B是分別沿著圖31A的線XXXIb-XXXIb′及線XXXIc-XXXIc′的薄膜晶體管陣列面板截面圖，是圖31A的下一工序截面圖；圖33A是圖32A和圖32B的下一工序薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖33B及圖33C是分別沿著圖33A的線XXXIIIb-XXXIIIb′及線XXXIIIc-XXXIIIc′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；
圖34A、35A、36A和圖34B、35B、36B是分別沿著圖33A的線XXXIIIb-XXXIIIb′及線XXXIIIc-XXXIIIc′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖37A是圖36A及圖36B的下一工序薄膜晶體管陣列面板布局圖；圖37B及圖37C是分別沿著圖37A的線XXXVIIb-XXXVIIb′及線XXXVIIc-XXXVIIc′的薄膜晶體管陣列面板截面圖；圖38A是圖37A-37C的下一工序薄膜晶體管陣列面板布局圖；以及圖38B和圖38C是分別沿著圖38A的線XXXVIIIb-XXXVIIIb′及線XXXVIIIc-XXXVIIIc′的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
具體實施例方式
那么，為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易實施本發(fā)明，參照附圖詳細(xì)說明適用本發(fā)明實施例的低電阻率布線結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。
首先，參照圖1及圖2詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板結(jié)構(gòu)。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板，而圖2是沿著圖1所示線II-II的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
在絕緣基片10上形成柵極布線22、24、和26。柵極布線22、24、和26包括三層，即第一柵極線布線層221、241、261，第二柵極布線層222、242、262，及第三柵極布線層223、243、263。優(yōu)選地，第一柵極布線層221、241、261由鉬、鎢化鉬等鉬合金、鉻、鉻合金、鈦、鈦合金、鉈、鉈合金中的一種組成。第二柵極布線層222、242、262由銀或銀合金組成，而第三柵極布線層223、243、263由氧化鋅錫(“IZO”)、鉬、或鉬合金等組成。在這里，優(yōu)選地，第一柵極布線層221、241、261用于提高與基片10的粘合力，具有500以下的厚度。第二柵極布線層222、242、262起到傳送電信號的最初作用，由電阻率低的銀或銀合金形成。第三柵極布線層223、243、263用于保護第二柵極布線層222、242、262，優(yōu)選地，在用于后續(xù)工序中由具有良好抗刻蝕劑耐用性材料形成。
柵極布線22、24、26包括橫向延伸的多條柵極線22、與柵極線22一個端部連接以將來自外部裝置的柵極信號向柵極線22傳送的多個柵極襯墊24、及與柵極線22連接的多個薄膜晶體管柵極26。
優(yōu)選地，在基片10上由氮化硅類組成的柵極絕緣層10覆蓋柵極布線22、24、26。
優(yōu)選地，在柵極24對面的柵極絕緣層30上形成由非晶硅等半導(dǎo)體組成的半導(dǎo)體層40。優(yōu)選地，在半導(dǎo)體層40上分別形成由重?fù)诫sn型雜質(zhì)的硅化物或n+氫化非晶硅組成的歐姆接觸層55、56。
在歐姆接觸層55、56及柵極絕緣層30上形成數(shù)據(jù)布線62、65、66、68。數(shù)據(jù)布線62、65、66、68包括三層，第一數(shù)據(jù)布線層621、651、661、681、第二數(shù)據(jù)布線層622、652、662、682、及第三數(shù)據(jù)布線層623、653、663、683。優(yōu)選地，第一數(shù)據(jù)布線層621、651、661、681由鉬、鎢化鉬等鉬合金、鉻、鉻合金、鈦、鈦合金、鉈、鉈合金中的一種組成。第二數(shù)據(jù)布線層622、652、662、682由銀或銀合金組成，而第三數(shù)據(jù)布線層623、653、663、683由IZO、鉬、鉬合金等組成。第一數(shù)據(jù)布線層621、651、661、681是為了提高與歐姆接觸層55、56及柵極絕緣層30粘合力而形成的層，優(yōu)選地，以500以下厚度形成。由低電阻率的銀或銀合金形成起到傳送信號的最初作用的第二數(shù)據(jù)布線層622、652、662、682。用對后續(xù)工序中使用的蝕刻劑具有良好耐用性的材料形成保護第二數(shù)據(jù)布線層622、652、662、682形成第三數(shù)據(jù)布線層623、653、663、683。
數(shù)據(jù)布線62、65、66、68包括多條數(shù)據(jù)線62，沿著縱向延伸且與柵極線22交叉以形成多個像素；多個源極65，從數(shù)據(jù)線62分枝且延伸到歐姆接觸層的一部分55；多個數(shù)據(jù)襯墊68，與數(shù)據(jù)線62的一個端部連接以接收來自外部裝置的圖像信號；多個漏極66，在歐姆接觸層的另一部分上形成，該部分以柵極26為中心位于源極65的對面且與源極65分離。
在數(shù)據(jù)布線62、65、66、68且未被數(shù)據(jù)布線62、65、66、68覆蓋的半導(dǎo)體層40上形成鈍化層70。優(yōu)選地，鈍化層70由氮化硅層、通過等離子增強化學(xué)淀積(“PECVD”)沉積的a-Si∶C∶O層或a-Si∶O∶F層(將其稱之為低電容率CVD層)、或丙烯酸系有機絕緣層等組成。通過PECVD沉積的a-Si∶C∶O層和a-Si∶O∶F層(低電容率CVD層)介電常數(shù)為4以下(介電常數(shù)為2-4之間)，其電容率是很低的。因此，即使其厚度薄也不發(fā)生寄生電容的問題。而且低電容率CVD層與另一層的粘合性能極佳且階梯覆蓋性良好。由于低電容率CVD層是無機絕緣CVD層，因此耐熱性比有機絕緣層優(yōu)秀。而且，通過PECVD沉積的a-Si∶C∶O層和a-Si∶O∶F層(低電容率CVD層)比氮化硅(SiNx)沉積速度或蝕刻速度快4-10倍。因此，工序時間方面也非常有利。
在鈍化層70上形成分別露出漏極66及數(shù)據(jù)襯墊68的接觸孔76、78，與柵極絕緣層30一起形成露出柵極襯墊24的接觸孔74。優(yōu)選地，露出襯墊24、68的接觸孔74、78可以由角狀或圓形等多種形態(tài)形成。優(yōu)選地，接觸孔74、78的面積等于或大于0.5mm×15μm，而不超過2mm×60μm。
多個像素電極82形成于鈍化層70上且位于像素區(qū)域。像素電極82通過接觸孔76與漏極66電連接。而且，在鈍化層70上形成通過接觸孔74、78分別與柵極襯墊24及數(shù)據(jù)襯墊68連接的輔助柵極襯墊86及輔助數(shù)據(jù)襯墊88。優(yōu)選地，像素電極82和輔助柵極襯墊86及輔助數(shù)據(jù)襯墊86由氧化銦錫(“ITO”)或氧化鋅錫(“IZO”)組成。
如圖1及圖2所示，像素電極82與柵極線22重疊以形成多個存儲電容器。當(dāng)存儲電容不足時，在與柵極布線22、24、26同一層可以追設(shè)存儲電容布線。
可以使像素電極82與數(shù)據(jù)線62重疊形成以使縱橫比最大。像這樣，為了最大化縱橫比，即使像素電極82與數(shù)據(jù)線62重疊形成，若用鈍化層70的低電容率CVD層等形成的話，則它們之間形成的寄生電容可以忽略而不足以構(gòu)成問題。
參照圖1及圖2和圖3A至圖7B詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器薄膜晶體管陣列面板制造方法。
首先，如圖3A及圖3B所示，在基片10上沉積第一柵極布線221、241、261、第二柵極布線層222、242、262及第三柵極布線層223、243、263，通過光學(xué)蝕刻形成包括柵極線22、柵極26及柵極襯墊24的橫向延伸的柵極布線22、24、26。在后面將參照圖18至圖20說明形成柵極布線22、24、26的工序。
如圖4A及圖4B所示，在基片10上連續(xù)沉積由氮化硅組成的柵極絕緣層30、由非晶硅組成的半導(dǎo)體層40、摻雜非晶硅層的三層膜。將摻雜非晶硅層和半導(dǎo)體層進行光學(xué)蝕刻以在與柵極24對面的柵極絕緣層上形成島狀摻雜非晶硅層圖案50和島狀半導(dǎo)體層圖案40。
接著，如圖5A至圖5B所示，沉積第一數(shù)據(jù)層621、651、661、681，并沉積第二數(shù)據(jù)層622、652、662、682及第三數(shù)據(jù)層623、653、663、683，光學(xué)蝕刻形成包括與柵極線22交叉的數(shù)據(jù)線62、與數(shù)據(jù)線62連接且延長到柵極26上的源極65、與數(shù)據(jù)線62一個端部連接的數(shù)據(jù)襯墊68及與源極64分離并以柵極26為中心與源極65面對的漏極66的數(shù)據(jù)布線62、65、66、68。將參照圖18至圖20在后面說明形成數(shù)據(jù)布線的工序。
接著，蝕刻未被數(shù)據(jù)布線62、65、66、68遮擋的摻雜非晶硅層圖案50，以柵極26為中心向兩側(cè)分離，同時露出兩側(cè)摻雜的非晶硅層55、56之間的半導(dǎo)體層圖案40。接著，為了穩(wěn)定露出的半導(dǎo)體層40表面優(yōu)選實施氧等離子處理。
如圖6A及圖6B所示，通過化學(xué)汽相沉積法使氮化硅層、a-Si∶C∶O層或a-Si∶O∶F層生長或涂布有機絕緣層形成鈍化層70。
用光學(xué)蝕刻工序與柵極絕緣層30一起對鈍化層70制作布線圖案，形成露出柵極襯墊24、漏極66及數(shù)據(jù)襯墊68的接觸孔74、76、78。在這里，接觸孔74、76、78以角狀或圓形形成，露出襯墊24、68的接觸孔74、78面積等于或大于0.5mm×15μm，而不超過2mm×60μm。
最后，如圖1及圖2所示，沉積并光學(xué)蝕刻ITO層或IZO層，形成通過第一接觸孔76與漏極66連接的像素電極82和通過第二及第三接觸孔74、78分別與柵極襯墊24及數(shù)據(jù)襯墊68連接的輔助柵極襯墊86及輔助數(shù)據(jù)襯墊88。優(yōu)選地，在沉積ITO層或IZO層之前的預(yù)熱工序中使用的氣體為氮氣。這是為了防止在通過接觸孔74、76、78露出的金屬層24、66、68上部形成金屬氧化層。
如上所述，用銀或銀合金形成柵極布線及數(shù)據(jù)布線，在其下部和上部分別形成提高粘合性的粘合層和在后續(xù)工序中保護銀或銀合金的鈍化層，以形成低電阻布線，同時確保布線可靠性。
本發(fā)明的第一實施例中柵極布線和數(shù)據(jù)布線都用三重層形成?？蛇x地，根據(jù)需要可以只在柵極布線和數(shù)據(jù)布線中的一個上適用三重層結(jié)構(gòu)。
這種方法如上所述，可以適用于用五枚掩膜的制造方法中。然而，也可以同樣適用于用四枚掩膜的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板制造方法中。對此參照圖詳細(xì)說明。
首先，參照圖7至圖9詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實施例的用四枚掩膜完成的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的單位像素結(jié)構(gòu)。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板布局圖，圖8及圖9是分別沿著圖7的線VII-VII′及線IX-IX′的截面圖。
在絕緣基片10上如同第一實施例形成由第一柵極線布線層221、241、261，第二柵極布線層222、242、262及第三柵極布線層223、243、263的三重層組成的柵極布線22、24、26。優(yōu)選地，第一柵極布線層221、241、261由鉬、鎢化鉬等鉬合金、鉻、鉻合金、鈦、鈦合金、鉈、鉈合金中的一種組成，第二柵極布線層222、242、262由銀或銀合金組成，而第三柵極布線層223、243、263由氧化鋅錫(“IZO”)、鉬、鉬合金等組成。在這里，優(yōu)選地，以500以下厚度形成提高與基片10粘合力的第一柵極布線層221、241、261。由電阻率低的銀或銀合金形成具有布線原來功能的電信號通道的第二柵極布線層222、242、262。用對后續(xù)工序中使用的蝕刻劑具有較強耐用性的材料形成第三柵極布線層223、243、263。柵極布線包括柵極線22、柵極襯墊24、及柵極26。
在基片10上形成與柵極線22平行的存儲電極線28。存儲電極線28也由第一柵極布線層281和第二柵極布線層282及第三柵極布線層283的三重層組成。存儲電極線28與將要后述的像素電極82連接的存儲電容器導(dǎo)電體圖案68重疊形成提高像素電荷保存能力的存儲電容器，當(dāng)將要后述的電極82和柵極線22重疊發(fā)生的存儲電容充分時，也可以不形成。通常向存儲電極線28施加與上部基片共同電極相同的電壓。
在柵極布線22、24、26及存儲電極線28上形成由氮化硅類組成的柵極絕緣層30，以覆蓋柵極布線22、24、26及存儲電極線28。
在柵極絕緣層30上形成由氫化非晶硅類半導(dǎo)體組成的半導(dǎo)體圖案48，在半導(dǎo)體圖案42、48上形成重?fù)诫s磷類n形雜質(zhì)的非晶硅類組成的歐姆接觸圖案或中間層圖案55、56、58。
在歐姆接觸圖案55、56、58及上形成由第一數(shù)據(jù)布線層621、651、661、681、第二數(shù)據(jù)布線層622、652、662、682及第三數(shù)據(jù)布線層623、643、653、663、683的三重層組成的數(shù)據(jù)布線62、65、66、68。第一數(shù)據(jù)布線層621、641、651、661、681由鉬、鎢化鉬等鉬合金、鉻、鉻合金、鈦、鈦合金、鉈、鉈合金中的一種組成，第二數(shù)據(jù)布線層622、642、652、662、682由銀或銀合金組成，第三數(shù)據(jù)布線層623、642、653、663、683由IZO、鉬、鉬合金等組成。在這里，第一數(shù)據(jù)布線層621、651、661、681是為了提高與歐姆接觸層55、56及柵極絕緣層30粘合力而形成的層，優(yōu)選地，以500以下厚度形成。由低電阻的銀或銀合金形成具有布線原來功能的電信號通道作用的第二數(shù)據(jù)布線層622、642、652、662、682。用對后續(xù)工序中使用的蝕刻劑具有較強耐用性的材料形成保護第二數(shù)據(jù)布線層622、642、652、662、682的第三數(shù)據(jù)布線層623、653、663、683。特別是，由對于在鈍化層70形成接觸孔74、76、78時使用的蝕刻劑或蝕刻方法具有較強耐用性的材料形成。數(shù)據(jù)布線包括縱向形成的數(shù)據(jù)線62、與數(shù)據(jù)線62的一個端部連接且接收來自外部裝置圖像信號的數(shù)據(jù)襯墊68、由數(shù)據(jù)62分枝的薄膜晶體管源極65組成的數(shù)據(jù)布線62、68、65。而且，還包括與數(shù)據(jù)布線62、68、65分離并對于柵極26及薄膜晶體管通道部C位于源極65對面的薄膜晶體管漏極66和位于存儲電極線28上的存儲電容器導(dǎo)電體圖案64。當(dāng)不形成存儲電極線28時也不形成存儲電容器導(dǎo)電體圖案64。
歐姆接觸圖案55、56、58具有降低其下部半導(dǎo)體圖案42、48和其上部數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68接觸電阻的作用，并具有與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68完全相同的形態(tài)。即，數(shù)據(jù)線部中間層圖案55與數(shù)據(jù)線部62、68、65相同，漏極中間層圖案56與漏極66相同，存儲電容器中間層圖案58與存儲電容器導(dǎo)電體圖案64相同。
另外，半導(dǎo)體圖案42、48除了薄膜晶體管通道部C，具有與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68及歐姆接觸層圖案55、56、58相同形態(tài)。具體地說，存儲電容器半導(dǎo)體圖案48和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64及存儲電容器歐姆接觸圖案58具有同一形態(tài)，但薄膜晶體管半導(dǎo)體圖案42與數(shù)據(jù)布線及歐姆接觸圖案的剩余部分稍微不同。即，在薄膜晶體管通道部C中數(shù)據(jù)布線62、68、65，特別是分離了源極65和漏極66，也分離了數(shù)據(jù)線部中間層55和漏極歐姆接觸圖案56，但薄膜晶體管半導(dǎo)體圖案42在此處并未斷開，而連接產(chǎn)生薄膜晶體管通道部。
在數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68上形成由氮化硅或PECVD方法沉積的a-Si∶C∶O層或a-Si∶O∶F層(低電容率CVD層)或有機絕緣材料組成的鈍化層70。鈍化層70具有露出漏極66、數(shù)據(jù)襯墊64、及存儲電容器導(dǎo)電體圖案68的接觸孔76、78、72，還具有與柵極絕緣層30一起露出柵極襯墊24的接觸孔74。
在鈍化層70上形成接收來自薄膜晶體管的圖像信號且與上板電極一起產(chǎn)生電場的像素電極82。像素電極82由ITO或IZO類透明導(dǎo)電材料組成，通過接觸孔76與漏極物理、電連接且接收圖像信號。像素電極82與相鄰的柵極線22及數(shù)據(jù)線62重疊提高縱橫比，但也可以不重疊。而且，像素電極82通過接觸孔72與存儲電容器導(dǎo)電體圖案64連接且接收來自導(dǎo)電體圖案64的圖像信號。另外，在柵極襯墊24及數(shù)據(jù)襯墊68上形成通過接觸孔74、78與它們連接的輔助柵極襯墊86及輔助數(shù)據(jù)襯墊88，它們具有補充襯墊24、68和外部電路裝置之間的粘合性并保護襯墊的作用，但并非必需，適用與否是有選擇性的。
參照圖8-10和圖10A-17C說明利用四枚掩膜制造具有圖7-9結(jié)構(gòu)的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板的方法。
首先，如圖10A-10C所示，如同第一實施例，沉積第一柵極布線層221、241、261、281、第二柵極布線層222、242、262、282及第三柵極布線層223、243、263，283，之后光學(xué)蝕刻形成包括柵極線22、柵極襯墊24、柵極26的柵極布線和存儲電極線28。
如圖11A及11B所示，用化學(xué)汽相沉積方法分別以1,500-5,000、500-2,000、300-600厚度連續(xù)沉積由氮化硅組成的柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40、中間層50。接著，用濺射等方法沉積形成數(shù)據(jù)布線的第一導(dǎo)電層601、第二導(dǎo)電層602、及第三導(dǎo)電層603且形成導(dǎo)電體層60，然后在其上面以1-2微米厚度涂布感光層110。
然后，通過掩膜向感光層110照射光后顯像，如圖12B及圖12C所示，形成感光層圖案112、114。使感光層圖案112、114中位于薄膜晶體管通道部C即位于源極65和漏極66之間的第一部分114的厚度比位于數(shù)據(jù)布線部A即位于將要形成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68的第二部分112厚度小，再除去其它部分B感光層。這時，剩余通道部C的感光層114厚度和剩余數(shù)據(jù)布線部A的感光層112厚度之比根據(jù)后述的蝕刻工序條件有所不同，優(yōu)選地，第一部分114厚度在第二部分112厚度的1/2以下，例如，在4,000以下。
像這樣，根據(jù)位置使感光層具有不同厚度的方法可以有多種，為了調(diào)節(jié)A區(qū)域光透射比。主要形成狹縫或晶格狀圖案或使用半透明層。
優(yōu)選地，位于狹縫之間的圖案的寬度或圖案之間距離即狹縫寬度應(yīng)比曝光時使用的曝光機分解能小。當(dāng)利用半透明層時，制造掩膜時為了調(diào)節(jié)透射比，可以利用具有不同透射比的薄膜或厚度不同的薄膜。
通過這種掩膜向感光層照射光，直接露于光的部分完全分解高分子，形成狹縫或半透明層部分的高分子因光照射量小，所以處于不完全分解狀態(tài)。由遮光層遮擋的部分幾乎完全不分解高分子。接著，顯像感光層，只剩下高分子未分解的部分，在光照射少的中央部分上可以剩下比完全未照射光的部分薄的感光層。這時，若延長曝光時間，所有分子都會被分解，所以應(yīng)防止發(fā)生這種現(xiàn)象。
這種薄厚度第一部分114利用可以回流的材料組成的感光層，并用分為完全透射光部分和不完全透射光部分的通常掩膜曝光后顯像并回流，使感光層一部分流經(jīng)感光層未殘留的部分形成。
接著，對感光層圖案114及其下部層，即導(dǎo)電體層60、中間層50及半導(dǎo)體層40進行蝕刻。這時在數(shù)據(jù)布線部A上原封不動地剩下數(shù)據(jù)布線及其下部層，在通道部C上應(yīng)只剩下半導(dǎo)體層，剩余部分B上應(yīng)全部除去上面三個層60、50、40，露出柵極絕緣層30。
首先，如圖13A及圖13B所示，除去其它部分B露出的導(dǎo)電體層60，露出其下部中間層50。在該過程中干蝕刻和濕蝕刻都可以使用，優(yōu)選地，在蝕刻導(dǎo)電體層60、幾乎不蝕刻感光層112、114的條件下進行。然而，干蝕刻時，很難找到只蝕刻導(dǎo)電體層60而不蝕刻感光層圖案112、114的條件，所以可以在同樣蝕刻感光層圖案112、114的條件下進行。此時，使第一部分114厚度比濕蝕刻厚度厚，以防止出現(xiàn)在該過程中除去第一部分114露出其下部導(dǎo)電體層60的現(xiàn)象。
結(jié)果，如圖13A及圖13B所示，剩下通道部C及數(shù)據(jù)布線部B導(dǎo)電體層，即只剩下源/漏極導(dǎo)電體圖案67和存儲電容器導(dǎo)電體圖案68，全部除去其它部分B的導(dǎo)電體層，以露出其下部中間層50。這時，剩余的導(dǎo)電體圖案67、64除了源極及漏極65、66未分離而連接的狀況之外，與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68具有相同形態(tài)。而且，當(dāng)使用干蝕刻時，感光層圖案112、114也有一定厚度的蝕刻。
接著，如圖14A及14B所示，用干蝕刻法同時除去其它部分B露出的中間層50及其下部半導(dǎo)體層40和感光層第一部分114。這時須在同時蝕刻感光層圖案112、114和中間層50及半導(dǎo)體層40(導(dǎo)體層和中間層幾乎無蝕刻選擇性)，而不蝕刻感光層絕緣層30的條件下進行，特別是，優(yōu)選地，在對感光層圖案112、114和半導(dǎo)體層40的蝕刻比幾乎相同的條件下進行蝕刻。例如，若使用SF6和HCl混合氣體或SF6和O2混合氣體，可以幾乎相同的厚度進行蝕刻。當(dāng)感光層圖案112、114和半導(dǎo)體層40的蝕刻比相同時，第一部分114厚度應(yīng)與半導(dǎo)體層40和中間層50厚度相加之和相等或比它小。
因此，如圖14A及14B所示，除去通道部C的第一部分114露出源/漏極導(dǎo)電體圖案67，除去其它部分B中間層50及半導(dǎo)體層40，露出其下部柵極絕緣層30。另外，數(shù)據(jù)布線部A的第二部分112也被蝕刻，其厚度變薄。而且，在該工序中完成半導(dǎo)體圖案42、48。附圖標(biāo)號57和58分別表示源/漏極導(dǎo)電體圖案67下部中間層圖案和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64下部的中間層圖案。
接著，通過拋光除去通道部C的源/漏極導(dǎo)電體層圖案67表面剩下的感光層殘渣。
接著，如圖15A及15B所示，蝕刻通道部C的源/漏極導(dǎo)電體圖案67及其下部源/漏極中間層圖案57，并除去。這時，可以對所有源/漏極導(dǎo)電體圖案67和中間層圖案57只用干蝕刻，也可以對源/漏極導(dǎo)電體圖案67用濕蝕刻、對中間層圖案57用干蝕刻。屬于前者時，優(yōu)選地，在源/漏極導(dǎo)電體圖案67和中間層圖案57的蝕刻選擇比大的條件下進行蝕刻，這是因為當(dāng)蝕刻選擇比不大時很難找蝕刻終點，不易調(diào)節(jié)通道部C上剩余的半導(dǎo)體圖案42的厚度。當(dāng)依次進行干蝕刻和濕蝕刻的后者時，濕蝕刻只蝕刻源/漏極導(dǎo)電體圖案67側(cè)面，但干蝕刻的中間層圖案57幾乎不被蝕刻，所以形成階梯。蝕刻中間層圖案57及半導(dǎo)體圖案42時使用的蝕刻氣體，可以舉例的有CF4和HCl的混合氣體或CF4和O2的混合氣體，若使用CF4和O2，可以剩下均勻厚度的半導(dǎo)體圖案42。這時，如圖15B所示，半導(dǎo)體圖案42的一部分可能被除去，厚度變小，感光層圖案的第二部分112也有一定程度的蝕刻。優(yōu)選地，這時的蝕刻應(yīng)在不蝕刻柵極絕緣層30的蝕刻條件下進行，且使感光層具有足夠厚度，以防止發(fā)生蝕刻第二部分112露出其下部數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68的現(xiàn)象。
因此，分離源極65和漏極66的同時完成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68和其下部歐姆接觸層55、56、58。
最后，除去數(shù)據(jù)布線A上剩余的感光層第二部分112。可選地，第二部分的除去可以在除去通道部C源/漏極導(dǎo)電體圖案67之后，在除去其下面中間層圖案57之前進行。
如上所述，可以交替進行干蝕刻和濕蝕刻或只使用干蝕刻。屬于后者時使用一種蝕刻，所以工序比較簡單，但很難找蝕刻條件。相反屬于前者時，比較容易找蝕刻條件，但工序比后者復(fù)雜。
如圖16A及圖16B所示，通過化學(xué)汽相沉積CVD方法使氮化硅或a-Si∶C∶O層或a-Si∶O∶F層生長或涂布有機絕緣層形成鈍化層70。
如圖17A至圖17C所示，對鈍化層70與柵極絕緣層30一起進行光學(xué)蝕刻，形成分別露出漏極66、柵極襯墊24、數(shù)據(jù)襯墊68及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔76、74、78、72。這時，露出襯墊24、68的接觸孔74、78面積等于或大于0.5mm×15μm，而不超過2mm×60μm。
最后，如圖8至圖10所示，沉積400-500厚度的ITO層或IZO，并進行光學(xué)蝕刻，形成與漏極66及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64連接的像素電極82、與柵極襯墊24連接的輔助柵極襯墊68及與數(shù)據(jù)襯墊68連接的輔助數(shù)據(jù)襯墊88。
另外，沉積ITO或IZO之前的預(yù)熱工序中使用的氣體優(yōu)選使用氮，這是為了防止通過接觸孔72、74、76、78露出的金屬層24、64、66、68上形成金屬氧化層。
本發(fā)明的第二實施例中不僅具有根據(jù)第一實施例的效果，還可以通過用一個掩膜形成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68和其下部歐姆接觸層圖案55、56、58及半導(dǎo)體圖案42、48，并在其工序中分離源極65和漏極66，以簡化制造工序。
本發(fā)明的第二實施例中柵極布線和數(shù)據(jù)布線均用三重層形成。可選地，根據(jù)需要可以用三重層只形成柵極布線和數(shù)據(jù)布線中的一個。
圖18A是進一步具體顯示適用于本發(fā)明實施例的薄膜晶體管陣列面板的布線結(jié)構(gòu)截面圖。
在含玻璃或硅的底層100上順次形成粘合層1、含Ag層2及鈍化層3。粘合層1相當(dāng)于第一柵極布線層和第一數(shù)據(jù)布線層，含Ag層2相當(dāng)于第二布線層和第二數(shù)據(jù)布線層，鈍化層3相當(dāng)于第三柵極布線層和第三數(shù)據(jù)布線層。粘合層1由鉬、鎢化鉬等鉬合金、鉻、鉻合金、鈦、鈦合金、鉈、鉈合金等物理、化學(xué)特性，特別是與底層100粘合性良好的材料組成，含Ag層由電阻率低的銀或銀合金組成。第三柵極布線層223、243、263由IZO、鉬、鉬合金等組成。鈍化層3由IZO、鉬、鉬合金等化學(xué)穩(wěn)定性高的材料組成且在后續(xù)工序中保護位于下部的含Ag層2。在這里，優(yōu)選地，粘合層1以500以下厚度形成，以提高與基片10粘合力。優(yōu)選地，鈍化層3以100以下形成。
形成這種結(jié)構(gòu)布線的方式有以下兩種。
在第一種方式中，連續(xù)沉積粘合層1、含Ag層及鈍化層3，在其上形成感光層圖案之后，使用乙酸、磷酸、硝酸混合物組成的蝕刻劑同時蝕刻全部三個層1、2、3。
在第二種方式中，適用Ag專用蝕刻劑一起蝕刻鈍化層3和含Ag層2，粘合層1與底層100一起蝕刻。這種方法可以在形成數(shù)據(jù)布線時使用。優(yōu)選地，用IZO形成鈍化層3，其厚度為100以下，用MoW形成鈍化層1。底層100成為n+非晶硅層，即歐姆接觸層。因為MoW可以干蝕刻，所以在蝕刻n+非晶硅層工序中，首先蝕刻MoW，接著蝕刻n+非晶硅層。這時，使用的蝕刻氣體為SF6+O2或CF4+O2等。
上述兩種方法都不需要為了形成三重層結(jié)構(gòu)布線而單獨追設(shè)工序。
圖18B是進一步具體顯示適用于本發(fā)明實施例的薄膜晶體管陣列面板的布線結(jié)構(gòu)另一截面圖。
圖18B中顯示的布線結(jié)構(gòu)是鈍化層3覆蓋粘合層1和含Ag層2側(cè)面的結(jié)構(gòu)。因此可以說是比圖18A結(jié)構(gòu)更具有穩(wěn)定性的布線結(jié)構(gòu)。然而，對粘合層1和含Ag層2進行光學(xué)蝕刻之后才能沉積鈍化層3，進行光學(xué)蝕刻，所以多增加了一次光學(xué)蝕刻工序。
圖19是根據(jù)MoW/Ag雙重層結(jié)構(gòu)熱處理的電阻率值變化曲線圖。即將MoW作為粘合層時測定的電阻率值。
在MoW和純Ag雙重層結(jié)構(gòu)中，當(dāng)MoW為200、500時，沉積當(dāng)時的電阻率分別為2.64μΩ/cm、2.67μΩ/cm，與純Ag單一層電阻率幾乎沒有差別，即使下部層厚度從200增加到500，也顯示出對電阻率沒有大的影響。而且，通過熱處理，顯示電阻率減少到2.02μΩ/cm。由此可知，雖然在下部適用500以下粘合層，也不會增加布線電阻率。
圖20是根據(jù)MoW的厚度變化和熱處理溫度的劃痕測試照片。
該圖片示出了，隨著下部粘合層MoW厚度從200增加到500，其粘合力也大為提高。然而，沒有顯示出隨著熱處理有粘合力的增加。當(dāng)MoW厚度為200時也比純Ag層時(如圖20所示的最下面照片)提高了相當(dāng)大的粘合力。
下面，說明利用這種布線結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列面板另一實施例。
首先，參照圖21至圖22詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明第三實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板結(jié)構(gòu)。
圖21是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板布局圖，圖22是沿著圖21的線XXII-XXII′的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
首先，在基片10上形成由粘合層、含Ag層及鈍化層的三重層組成的柵極布線形成。柵極布線包括橫向延伸的掃描線或柵極線22、與柵極線22末端連接并從外部信號線接收掃描信號且向柵極線22傳送的柵極襯墊24及柵極線22一部分的薄膜晶體管柵極26。柵極線22突起部與將要描述的像素電極82連接的存儲電容器導(dǎo)電體圖案64重疊，形成提高像素電荷保持能力的存儲電容器。
柵極布線22、24、26及基片10上形成由氮化硅類組成的柵極絕緣層30，柵極24被柵極絕緣層30覆蓋。
優(yōu)選地，在柵極絕緣層圖案30上形成由氫化非晶硅類半導(dǎo)體組成的半導(dǎo)體圖案40，在半導(dǎo)體圖案40上形成由重?fù)诫s磷類n型雜質(zhì)的非晶硅類組成的歐姆接觸層55、56。
歐姆接觸層55、56上分別形成粘合層、含Ag層、及鈍化層三重層組成的數(shù)據(jù)布線一部分的薄膜晶體管源極65和漏極66。數(shù)據(jù)布線包括橫向形成并與源極65連接的數(shù)據(jù)線62、與數(shù)據(jù)線62一末端連接且接收來自外部的圖像信號的數(shù)據(jù)襯墊68及與柵極線22突起部重疊的存儲電容器導(dǎo)電體圖案64。
歐姆接觸層55、56具有降低其下部半導(dǎo)體圖案40和其上數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68接觸電阻的作用。
雖然在圖中未示出，在數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68和未被數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68遮擋的半導(dǎo)體圖案40上可以形成由氧化硅或氮化硅等絕緣材料組成的層間絕緣層。
在柵極絕緣層30上像素區(qū)域上縱向形成露出漏極65和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的開口部C1、C2的紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B。在這里，可以看出，紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B邊界數(shù)據(jù)線62上部相一致，但也可以具有在數(shù)據(jù)線62上部相互重疊、遮擋像素區(qū)域之間泄露光的功能，在形成柵極及數(shù)據(jù)襯墊24、68的襯墊部上未形成。
在紅、綠、藍(lán)濾色器81、82、83上形成平坦化特性優(yōu)秀并低電容率的丙烯酸系有機絕緣材料或如同SiOC或SiOF等用化學(xué)汽相沉積形成的、具有4.0以下電容率的低電容率絕緣材料組成的鈍化層70。這種鈍化層90具有與柵極絕緣層30一起露出柵極襯墊24、數(shù)據(jù)襯墊68、漏極66及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔74、78、76、72。這時，露出漏極66及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔76、72位于濾色器R、G、B開口部C1、C2內(nèi)側(cè)，如上所述在濾色器R、G、B下部追設(shè)層間絕緣層時，與層間絕緣層具有同一圖案。
在鈍化層70上形成從薄膜晶體管接收圖像信號且與上板電極一起產(chǎn)生電場的像素電極82。優(yōu)選地，像素電極82由ITO或IZO等透明導(dǎo)電材料組成，通過接觸孔76與漏極物理、電連接且接收圖像信號。像素電極82與柵極線22及數(shù)據(jù)線62重疊提高縱橫比，但也可以不重疊。而且，像素電極通過接觸孔72與存儲電容器導(dǎo)電體圖案64連接并向?qū)щ婓w圖案64傳送圖像信號。
另外，柵極襯墊24及數(shù)據(jù)襯墊68上形成通過接觸孔74、78分別與它們連接的輔助柵極襯墊84及輔助數(shù)據(jù)襯墊88，它們起到補充襯墊24、68和外部電路裝置的粘合力并保護襯墊的作用，但它并非必需，是否適用它具有選擇性。
參照圖23A至圖27B和前面的圖21及圖22詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明第三實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板制造方法。
首先，如圖23A至圖23B所示，優(yōu)選地，沉積三個導(dǎo)電層并用掩膜的第一光學(xué)蝕刻工序進行干蝕刻或濕蝕刻，在基片10上形成包括柵極線22、柵極襯墊24及柵極26的柵極布線。
如圖24A及24B所示，用化學(xué)汽相沉積法分別以1,500-5,000、500-2,000、300-600厚度連續(xù)沉積柵極絕緣層30、氫化非晶硅類半導(dǎo)體和重?fù)诫s磷類n型雜質(zhì)的非晶硅，用掩膜的光學(xué)蝕刻工序制作布線圖案，對非晶硅層和摻雜的非晶硅層順次制作布線圖案，形成半導(dǎo)體圖案40和歐姆接觸層50。
如圖25A及圖25B所示，用濺射等方法沉積三重層的導(dǎo)電體層之后，用掩膜的光學(xué)蝕刻工序制作布線圖案，形成包括數(shù)據(jù)線62、源極65、漏極66、數(shù)據(jù)襯墊68、及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的數(shù)據(jù)布線。
接著，蝕刻未被漏極66遮擋的歐姆接觸層50，露出源極65和漏極66之間的半導(dǎo)體層40，并將歐姆接觸層55、56分離為兩部分。這時，如上所述，歐姆接觸層50與數(shù)據(jù)布線的粘合層一起被蝕刻。接著，沉積氮化硅或氧化硅，可以形成層間絕緣層(未示出)。
如圖26A至圖26B所示，形成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68和層間絕緣層(未示出)之后，分別順次涂布包括紅、綠、藍(lán)顏料的感光性有機材料，通過光學(xué)蝕刻工序順次形成紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B。在工序中形成紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B時也一同形成露出漏極66和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的開口部C1、C2。這是為了以后在鈍化層70上將漏極66和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64作為接觸孔形成時很好地形成剖面的緣故。
如圖27A及圖27B所示，涂布具有基片10的低電容率，并平坦化特性優(yōu)秀的有機絕緣材料或用化學(xué)汽相沉積沉積具有4.0以下低電容率的SiOF或SiOC等低電容率絕緣材料，以形成鈍化層70，用掩膜的光學(xué)蝕刻工序與柵極絕緣層30一起制作布線圖案形成接觸孔72、74、76、78。這時，露出漏極66和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔76、74在濾色器R、G、B的開口部C1、C2內(nèi)側(cè)形成。因此，本發(fā)明中，在濾色器R、G、B上預(yù)先形成開口部C1、C2之后，對鈍化層70制作布線圖案，形成露出漏極66和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔76、74，以便可以良好地形成剖面。
最后，如圖21至圖23所示，沉積400-500厚度ITO或IZO層，用掩膜的光學(xué)蝕刻工序進行蝕刻，形成像素電極82、輔助柵極襯墊84、及輔助數(shù)據(jù)襯墊88。
這種方法如上所述，可以在用五枚掩膜的制造方法中適用，但用四枚掩膜的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板制造方法中也可以同樣適用。對此將參照圖詳細(xì)說明。
首先，參照圖28至圖30詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板結(jié)構(gòu)。
圖28是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列布局圖，圖29及圖30是分別沿著圖28的線XXIX-XXIX′及線XXX-XXX′的薄膜晶體管陣列面板截面圖。
在絕緣基片10上形成由粘合層、含Ag層、及鈍化層的三重層組成的柵極布線。柵極布線包括橫向延伸的掃描信號線或柵極線22、與柵極線22的一個端部連接且接收來自外部的掃描信號向柵極線22傳送的柵極襯墊24及柵極線22一部分的薄膜晶體管柵極26。而且，柵極布線包括與柵極線22平行形成、接收來自外部的輸入到上板共同電極的共同電極類電壓的存儲電極線28。存儲電極線28與將要描述的像素電極82連接的存儲電容器導(dǎo)電體圖案64重疊，組成提高像素的電荷存儲能力的存儲電容器。
柵極布線22、24、26、28及基片10上形成氮化硅類組成的柵極絕緣層30。
在柵極絕緣層30上形成由氫化非晶硅類半導(dǎo)體組成的半導(dǎo)體圖案42、48，在半導(dǎo)體圖案42、48上由重?fù)诫s磷類n型雜質(zhì)的非晶硅類組成的歐姆接觸層圖案或中間層圖案55、56、58。
歐姆接觸圖案55、56、58上形成如同柵極布線的粘合層、含Ag層、及鈍化層的三重層組成的數(shù)據(jù)布線和存儲電容器導(dǎo)電體圖案。數(shù)據(jù)布線包括縱向形成的數(shù)據(jù)線62、與數(shù)據(jù)線62一末端連接且接收來自外部的圖像信號的數(shù)據(jù)襯墊68、由數(shù)據(jù)線62分枝的薄膜晶體管源極組成的數(shù)據(jù)線部，而且，包括與數(shù)據(jù)線部62、64、65相分離并對于柵極26或薄膜晶體管通道部C位于源極65對面的薄膜晶體管漏極66。而且，數(shù)據(jù)布線包括與漏極66連接并與存儲電極線28重疊組成存儲電容器的存儲電容器導(dǎo)電體圖案64。當(dāng)不形成存儲電極線28時，也不形成存儲電容器導(dǎo)電體圖案。
歐姆接觸圖案52、55、56具有降低其下部半導(dǎo)體圖案42、48和其上數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68接觸電阻的作用，并與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68具有完全相同的形態(tài)。即數(shù)據(jù)線部中間層圖案55與數(shù)據(jù)線部62、68、65相同，漏極的中間層圖案56與漏極66相同，存儲電容器中間層圖案58與存儲電容器導(dǎo)電體圖案64相同。
另外，半導(dǎo)體圖案42、48除了薄膜晶體管通道部C之外與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68及歐姆接觸圖案55、56、58具有相同形態(tài)。即在薄膜晶體管通道部C中數(shù)據(jù)線部62、68、65，特別是源極65和漏極66相分離，數(shù)據(jù)線部中間層55和漏極歐姆接觸圖案56也相分離。然而，薄膜晶體管半導(dǎo)體圖案42在此并未斷開而連接產(chǎn)生薄膜晶體管通道。
在數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68和未被它們遮擋的柵極絕緣層30上形成紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B，這種濾色器R、G、B與第一實施例相同，具有露出漏極66及存儲電容器導(dǎo)電體圖案68的開口部C1、C2。
紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B由平坦的感光性有機絕緣層或低電容率絕緣材料組成的鈍化層70覆蓋，鈍化層70具有露出漏極66、數(shù)據(jù)襯墊68及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔72、76、78，與柵極絕緣層30一起形成露出柵極襯墊24的接觸孔74。這時也如同第一實施例，露出漏極66及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔76、72在濾色器R、G、B開口部C1、C2內(nèi)側(cè)形成。
在鈍化層80上形成從薄膜晶體管接收圖像信號與上板電極產(chǎn)生電場的像素電極82。優(yōu)選地，像素電極82由ITO或IZO類透明導(dǎo)電材料形成，并通過接觸孔76與漏極66物理、電連接且接收圖像信號。像素電極82與相鄰的柵極線22及數(shù)據(jù)線62重疊提高開口率，但也可以不重疊。而且，像素電極82通過接觸孔72與存儲電容器導(dǎo)電體圖案64連接，并向?qū)щ婓w圖案64傳送圖像信號。
另外，在柵極襯墊24及數(shù)據(jù)襯墊68上形成通過接觸孔74、78分別與它們連接的輔助柵極襯墊84及輔助數(shù)據(jù)襯墊88，它們具有補充與外部電路裝置的粘合力并保護襯墊的作用，但并非必需，適用與否具有有選擇性。
下面，參照圖31A至圖38C和前面圖28至圖30詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器陣列面板的制造方法。
首先，如圖31A至31C所示，以1,000-3,000厚度并用濺射類方法沉積金屬類導(dǎo)電體，用掩膜的第一光學(xué)蝕刻工序進行干蝕刻或濕蝕刻，在基片10上形成包括具有柵極26的柵極線22、柵極襯墊24及存儲電極線28的柵極布線。
如圖32A及32B所示，用化學(xué)汽相沉積法以1,500-5,000、500-2,000、300-600厚度連續(xù)沉積柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層40、中間層50。在中間層50上形成用于由粘合層、含Ag層、及鈍化層的三重層組成的數(shù)據(jù)布線的導(dǎo)電層60，且在其上涂布具有1-2微米厚度的感光層110。
然后，通過第二掩膜向感光層110照射光之后顯像，如圖33B及33C所示，形成感光層圖案112、114。這時，使感光層圖案112、114中位于薄膜晶體管通道部C，即位于源極65和漏極66之間的第一部分114厚度比位于數(shù)據(jù)布線部A，即位于將形成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68部分的第二部分112厚度小，其它部分B的感光層則全部除去。這時，在通道部C上剩下的感光層114厚度和在數(shù)據(jù)布線部A上剩下的感光層112厚度之比應(yīng)根據(jù)以后所述的蝕刻工序條件而有所不同，優(yōu)選地，使第一部分114厚度在第二部分厚度1/2以下，例如，4,000以下。
像這樣，根據(jù)位置使感光層厚度不同的方法有多種，為了調(diào)節(jié)A區(qū)域光透射比，主要形成狹縫或晶格狀圖案或使用半透明層。
這時，優(yōu)選地，位于狹縫之間的圖案線寬或圖案之間的距離，即狹縫寬度比曝光時使用的曝光機的分解能小，當(dāng)利用半透明層時，制造掩膜時為了調(diào)節(jié)透射比利用具有不同透射比的薄膜或厚度不同的薄膜。
若通過這種掩膜向感光層照射光，直接暴露于光的部分完全分解高分子，在形成狹縫圖案或半透明層的部分中，因為光照射量少，所以分解高分子處在不完全分解的狀態(tài)，被遮光層遮擋的部分中高分子幾乎不分解。若接著顯像感光層，只剩下高分子未分解的部分，在照射光的中央部分中可以剩下比完全未照射光的部分薄的感光層。這時，若延長曝光時間，高分子可能被完全分解，所以應(yīng)防止這種事情的發(fā)生。
感光層圖案112和114的第一部分114可以利用回流獲得。即，感光層100由可回流的材料組成且通過具有不透明和透明部分的普通掩膜進行曝光。然后，感光層110進行顯像并進行回流，以便感光層110的部分向下流向沒有感光層(光致刻蝕劑)的區(qū)域，從而形成薄的部分114。
接著，對感光層114及其下部層，即對導(dǎo)電體層60、中間層50及半導(dǎo)體層40進行蝕刻。這時，在數(shù)據(jù)布線部A上原封不動地剩下原來數(shù)據(jù)布線及其下部層，在通道部C上只剩下半導(dǎo)體層，在其余部分B上應(yīng)全部除去上面三個層60、50、40，露出柵極絕緣層30。
首先，如圖34A及圖34B所示，除去其它部分B露出的導(dǎo)電體層60，露出其下部中間層50。在該過程中干蝕刻或濕蝕刻都可以使用，這時，優(yōu)選地，在蝕刻導(dǎo)電體層60而幾乎不蝕刻感光層圖案112、114的條件下進行。然而，干蝕刻時，很難找到只蝕刻導(dǎo)電體層60而不蝕刻感光層圖案112、114的蝕刻條件，所以可以在感光層圖案112、114也一起被蝕刻的條件下進行。這時，使第一部分114厚度比濕蝕刻更厚，以防止在該過程中除去第一部分114而露出下部導(dǎo)電體層60的現(xiàn)象的出現(xiàn)。
因此，如圖34A及圖34BA所示，只剩下通道部C及數(shù)據(jù)布線部B的導(dǎo)電體層即源/漏極(“S/D”)導(dǎo)電體圖案67和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64，除去其它部分B的導(dǎo)電體層60，露出其下部中間層50。這時，剩下的導(dǎo)電體圖案67、64除了未分離源極及漏極65、66而連接之外，與數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68具有相同形態(tài)。當(dāng)使用干蝕刻時，感光層圖案112、114也一定程度的被蝕刻。
接著，如圖35A及圖35B所示，用干蝕刻方法與感光層第一部分114同時除去其它部分B露出的中間層50及其下部半導(dǎo)體層40。這時的蝕刻按蝕刻感光層圖案112、114和中間層50、半導(dǎo)體層40(半導(dǎo)體層和中間層幾乎無蝕刻條件)的順序進行，但不能蝕刻露出的柵極絕緣層30。這時，當(dāng)感光層圖案112、114和半導(dǎo)體層40的蝕刻比相同時，第一部分114厚度等于半導(dǎo)體層40和中間層50厚度相加之和或比其小。
結(jié)果，如圖35A及35B所示，除去通道部C第一部分114，露出源/漏極導(dǎo)電體圖案67，除去其它部分B中間層50及半導(dǎo)體層40，露出其下部柵極絕緣層30。另外，也蝕刻數(shù)據(jù)布線部A第二部分112，所以其厚度也變薄。而且，在該工序中完成半導(dǎo)體圖案42、48。附圖標(biāo)號57和58分別表示源/漏極導(dǎo)電體圖案67下部中間層圖案和存儲電容器導(dǎo)電體圖案64下部中間層圖案。
接著，通過拋光除去留在通道部C的源/漏極導(dǎo)電體圖案67表面的感光層殘渣。
下面，如圖36A及圖36B所示，進行蝕刻除去通道部C源/漏極導(dǎo)電體圖案67及其下部源/漏極中間層圖案57。
因此，分離源極65和漏極66的同時完成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68和其下部的歐姆接觸圖案55、56、58。
最后，除去留在數(shù)據(jù)布線部A的感光層第二部分112。但除去第二部分112的工序可以在除去通道部C源/漏極導(dǎo)電體圖案67之后、除去其下部中間層圖案57之前進行。
如上所述，交替進行干蝕刻和濕蝕刻或只使用干蝕刻。屬于后者時，因為只使用一種蝕刻，所以工序比較簡單，但很難找到適合的蝕刻條件。相反，屬于前者時，比較容易找到蝕刻條件，但工序比后者復(fù)雜。
如圖37A至37C所示，完成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68、歐姆接觸圖案55、56、58及半導(dǎo)體圖案42、48之后，涂布包括紅、綠、藍(lán)顏料的感光性材料，通過曝光及顯像的光學(xué)工序制作布線圖案，順次形成紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B，同時在紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B形成露出漏極66及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的開口部C1、C2。
在薄膜晶體管通道部C上部可以形成紅或綠濾色器組成的光遮擋層，這是為了進一步遮擋或吸收入射到通道部C的短波長的可見光線。
在基片10上用丙烯酸系有機材料涂布覆蓋紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B的鈍化層70或用化學(xué)汽相沉積4.0以下低介電常數(shù)(電容率)絕緣材料，用掩膜的光學(xué)蝕刻工序?qū)︹g化層70和絕緣層30一起制作布線圖案，形成分別露出漏極66、柵極襯墊24、數(shù)據(jù)襯墊68及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔72、74、78、76。這時，如同第三實施例，分別露出數(shù)據(jù)襯墊68及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔72、76在濾色器R、G、B開口部C1、C2內(nèi)側(cè)形成，并良好地形成接觸孔72、76的剖面。這種本發(fā)明中與第一實施例相同，在濾色器R、G、B形成開口部C1、C2之后，形成分別露出數(shù)據(jù)襯墊68及存儲電容器導(dǎo)電體圖案64的接觸孔72、76，可以良好地形成接觸孔72、76的剖面，因此不用追加良好形成剖面的單獨工序，所以可以簡化制造工序。
最后，如圖28至圖30所示，沉積400-500厚度的ITO或IZO層，用掩膜的光學(xué)蝕刻工序進行蝕刻，形成像素電極92、輔助柵極襯墊94及輔助數(shù)據(jù)襯墊96。
在該實施例中，形成紅、綠、藍(lán)濾色器R、G、B之前為了防止包含顏料的感光性材料污染薄膜晶體管通道部C，也可以追設(shè)由氮化硅等組成的絕緣層。
這種本發(fā)明的第四實施例中不僅具有第三實施例效果，還可以用一個掩膜形成數(shù)據(jù)布線62、64、65、66、68和其下部歐姆接觸圖案55、56、58及半導(dǎo)體圖案42、48，并在該過程中分離源極65和漏極66，簡化了制造工序。
上述薄膜晶體管陣列面板可以用各種方法制造。
根據(jù)本發(fā)明實施例的布線包括三層，即粘合層、含Ag層、及鈍化層，從而實現(xiàn)了低電阻布線且妥善處理了粘合力和耐化學(xué)性。因此，保證了穩(wěn)定性和可靠性。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括絕緣基片；第一信號線，在所述絕緣基片上形成；第一絕緣層，在所述第一信號線上形成；第二信號線，在所述第一絕緣層上形成并與所述第一信號線交叉；薄膜晶體管，與所述第一信號線及所述第二信號線電連接；第二絕緣層，在所述薄膜晶體管上形成并具有露出所述薄膜晶體管的電極的第一接觸孔；像素電極，在所述第二絕緣層上形成并通過所述第一接觸孔與所述薄膜晶體管的所述電極連接，其中所述第一信號線和所述第二信號線中至少一個包括三層，即粘合層、含Ag層、和鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述粘合層由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Ta合金中的至少一種組成，所述含Ag層由Ag或Ag合金組成，而所述鈍化層由IZO、Mo、Mo合金、Cr、Cr合金中的一種組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述粘合層由MoW組成，而所述鈍化層由IZO組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，還包括分別在所述第一信號線和所述第二信號線交叉限定的像素區(qū)域形成，并由包含紅、綠、藍(lán)顏料的感光性材料組成，且被所述第二絕緣層覆蓋的紅、綠、藍(lán)濾色器。
5.一種薄膜晶體管陣列面板，包括柵極布線，在所述絕緣基片上形成，并包含柵極線及與所述柵極線連接的柵極；柵極絕緣層，覆蓋所述柵極布線；半導(dǎo)體圖案，在所述柵極絕緣層上形成；數(shù)據(jù)布線，包括形成于所述半導(dǎo)體圖案上、由相同層組成、且彼此分離的源極和漏極，以及與所述源極連接且與所述柵極線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；鈍化層，具有露出所述漏極的第一接觸孔；以及像素電極，在所述鈍化層上形成并通過所述第一接觸孔與所述漏極連接；其中所述柵極布線及所述數(shù)據(jù)布線中至少一個包括三層，即粘合層、含Ag層、及鈍化層，所述粘合層由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、和Ta合金中的至少一種組成，所述含Ag層由Ag或Ag合金組成，而所述鈍化層由IZO、Mo、Mo合金、Cr、和Cr合金中的一種組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)布線還包括與所述柵極線或存儲電容器電極線重疊以形成存儲電容器的存儲電容器導(dǎo)體，所述存儲電容器電極線與所述柵極線同一層形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述存儲電容器導(dǎo)電體與所述漏極連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述鈍化層由丙烯酸基有機材料或具有等于或小于4.0介電常數(shù)的化學(xué)汽相沉積層組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，除了通道區(qū)域外的所述半導(dǎo)體圖案與所述數(shù)據(jù)布線具有基本相同的形態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，還包括分別在所述像素區(qū)域形成，由包括紅、綠、藍(lán)顏料的感光性材料組成，且被所述鈍化層覆蓋的紅、綠、藍(lán)濾色器。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，所述鈍化層覆蓋所述粘合層和所述含Ag層的側(cè)面。
12.一種薄膜晶體管陣列面板，包括絕緣基片；柵極布線，在所述絕緣基片上形成并包含柵極線、柵極、及柵極襯墊；柵極絕緣層，在所述柵極布線上形成并至少具有露出所述柵極襯墊的接觸孔；半導(dǎo)體層圖案，在所述柵極絕緣層上形成；歐姆接觸圖案，在所述半導(dǎo)體圖案上形成；數(shù)據(jù)布線，在所述歐姆接觸圖案上形成，與所述歐姆接觸圖案具有基本相同的平面形態(tài)，并包含源極、漏極、數(shù)據(jù)線、及數(shù)據(jù)襯墊；鈍化層，在所述數(shù)據(jù)布線上形成并具有露出所述柵極襯墊、所述數(shù)據(jù)襯墊、及所述漏極的多個接觸孔；透明電極圖案，與露出的所述柵極襯墊、數(shù)據(jù)襯墊、及漏極分別電連接，其中所述柵極布線及所述數(shù)據(jù)布線中的至少一種包括三層，即粘合層、含Ag層、及鈍化層，所述粘合層由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Ta合金中的一種組成，所述含Ag層由Ag或Ag合金組成，而所述鈍化層由IZO、Mo、Mo合金、Cr、和Cr合金中的一種組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列面板，還包括存儲電容線，與所述絕緣基片上的所述柵極布線基本同一層形成；存儲電容器半導(dǎo)體，與所述存儲電容線重疊并與所述半導(dǎo)體圖案基本同一層形成；存儲電容器歐姆接觸層，在所述存儲電容器半導(dǎo)體上形成；以及存儲電容器導(dǎo)電體，在所述存儲電容器歐姆接觸層上形成，其中所述存儲電容器導(dǎo)電體部分地與所述透明電極圖案連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其特征在于，在所述存儲電容器歐姆接觸層和所述存儲電容器導(dǎo)電體與所述存儲電容器半導(dǎo)體具有相同的平面形態(tài)。
15.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在絕緣基片上形成柵極布線，所述柵極布線包含柵極線、與所述柵極線連接的柵極、及與所述柵極線連接的柵極襯墊；形成柵極絕緣層；形成半導(dǎo)體層；沉積導(dǎo)電材料并制作布線圖案以形成數(shù)據(jù)布線，所述數(shù)據(jù)布線包含與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線連接的數(shù)據(jù)襯墊、與所述數(shù)據(jù)線連接并與所述柵極鄰接的源極、及對于所述柵極位于所述源極對面的漏極；形成鈍化層；對所述鈍化層與所述柵極絕緣層制作布線圖案，形成分別露出所述柵極襯墊、所述數(shù)據(jù)襯墊、及所述漏極的接觸孔；沉積透明導(dǎo)電層并制作布線圖案以形成通過所述接觸孔分別與所述柵極襯墊、所述數(shù)據(jù)襯墊、及所述漏極連接的輔助襯墊、輔助數(shù)據(jù)襯墊、及像素電極，其中所述柵極布線的形成和所述數(shù)據(jù)布線的形成中至少一種包括以下工序連續(xù)沉積三層，即粘合層、含Ag層、及鈍化層；以及對所述三層制作布線圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述連續(xù)沉積并對所述三層制作布線圖案，包括以下工序連續(xù)沉積所述粘合層和所述含Ag層；光學(xué)蝕刻所述含Ag層和所述粘合層；在所述含Ag層上沉積所述鈍化層；以及光學(xué)蝕刻所述鈍化層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述連續(xù)沉積并所述三層制作布線圖案，包括以下工序連續(xù)沉積所述粘合層、所述含Ag層、和所述鈍化層；光學(xué)蝕刻所述鈍化層、所述含Ag層、及所述粘合層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)布線及所述半導(dǎo)體層通過利用具有第一部分、比所述第一部分厚的第二部分、比所述第一部分厚度薄的第三部分的感光層圖案的光學(xué)蝕刻工序一起形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在所述光學(xué)蝕刻工序中，使所述第一部分位于所述源極和所述漏極之間，而使所述第二部分位于所述數(shù)據(jù)布線上。
20.一種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括以下工序在絕緣基片上形成柵極布線，所述柵極布線包括柵極線、及與所述柵極線連接的柵極；形成覆蓋所述柵極布線的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案；在所述柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)布線，所述數(shù)據(jù)布線包括彼此分離并由基本同一層形成的源極及漏極和與所述源極連接的數(shù)據(jù)線；形成紅、綠、藍(lán)濾色器和露出所述漏極的第一開口部，所述濾色器由含有紅、綠、藍(lán)顏料的感光性材料組成且覆蓋所述數(shù)據(jù)布線；形成覆蓋所述紅、綠、藍(lán)濾色器的鈍化層；形成露出所述漏極的第一接觸孔；以及形成通過所述接觸孔與所述漏極連接的像素電極，其中所述柵極布線的形成和所述數(shù)據(jù)布線的形成中至少一種包括以下工序連續(xù)沉積三層，即粘合層、含Ag層、及鈍化層；以及對所述三層制作布線圖案。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)布線還包括存儲電容器導(dǎo)電體，與所述柵極線或存儲電極線重疊以形成存儲電容器，所述存儲電極線與所述柵極線基本上在同一層形成；所述紅、綠、藍(lán)濾色器，具有露出所述存儲電容器導(dǎo)電體的第二開口部；以及所述鈍化層，具有位于所述第二開口部內(nèi)側(cè)且露出所述存儲電容器導(dǎo)電體的第二接觸孔。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，還包括以下工序在形成所述濾色器之前形成由氮化硅或氧化硅組成的層間絕緣層。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述源極及所述漏極的分離通過利用感光層圖案的光學(xué)蝕刻工序完成，而所述感光層圖案包括位于所述源極及所述漏極之間并具有第一厚度的第一部分、比所述第一厚度厚的第二部分、以及比所述第一厚度及所述第二厚度薄的第三部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板，包括絕緣基片、形成于該絕緣基片上的柵極布線。柵極絕緣層覆蓋該柵極布線。在該柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體圖案。在該柵極絕緣層和半導(dǎo)體圖案上形成具有源極、漏極、和數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)布線。在該數(shù)據(jù)布線上形成鈍化層。在該鈍化層上形成通過接觸孔與漏極連接的像素電極。柵極布線和數(shù)據(jù)布線包括三層，即粘合層、含銀層、以及鈍化層。粘合層由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Ta合金中的一種組成，含Ag層由Ag或Ag合金組成，而鈍化層由IZO、Mo、Mo合金、Cr、及Cr合金中的一種組成。
文檔編號H01L29/786GK1610859SQ02826607
公開日2005年4月27日 申請日期2002年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月2日
發(fā)明者趙范錫, 鄭敞午 申請人:三星電子株式會社