專利名稱：每層都具有多個(gè)極板的多層電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種電容，尤其涉及一種多層電容。
背景技術(shù)：
在集成電路系統(tǒng)中所使用的電容器適用于的多種用途，包括電源退耦，噪聲濾波和諧振衰減。電源退耦有助于防止集成電路芯片中的輸入/輸出端電平的下降。芯片突然增加的電能需求會引起芯片端的電平下降。這種芯片中的電壓下降會增加芯片中的晶體管的開關(guān)時(shí)間，以致降低集成在芯片中的系統(tǒng)的性能。典型地，分立退耦電容安裝在接近芯片，并連接著為芯片提供電源的觸點(diǎn)上。對于一個(gè)處理器芯片，芯片封裝在襯底上，而一圈電容器，通常有10-15個(gè)2微法的電容器，安裝在襯底上的芯片周圍。這些電容器通過在襯底上所形成的觸點(diǎn)連接到電源在芯片上的接點(diǎn)上。然而，這種電源退耦涉及很多問題。例如，需要大量的電容才能夠適當(dāng)控制電壓降。大量的電容器占用了襯底上的寶貴空間。在電源和芯片端之間用來容納這些電容而額外增長的導(dǎo)線，增加了電感和電阻，電感和電阻妨礙了電壓降的防止，并限制了較高頻率下的電源退耦。
因?yàn)檫@些和其他原因，需要本發(fā)明


圖1顯示了電容器的前視圖。
圖2顯示了電容的透視圖。
圖3A顯示了電容器第一層的俯視圖。
圖3B顯示了電容器第二層的俯視圖。
圖3C顯示了電容器第三層的俯視圖。
圖3D顯示了電容器第四層的俯視圖。
圖4是包含了連接著襯底的芯片和電容器的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的剖面圖。
圖5是包含了連接著多個(gè)電子芯片的電容器的系統(tǒng)的一些實(shí)施例的剖面圖。
圖6是包含了連接著電介質(zhì)襯底和芯片的電容器的系統(tǒng)的一些實(shí)施例的剖面圖。
圖7顯示了包含了上述電容器的系統(tǒng)。
具體實(shí)施例在以下關(guān)于本發(fā)明的具體描述中，將參照附圖部分，其中以圖示方式顯示了可能實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明的具體實(shí)施例。在這些附圖中，多個(gè)視圖中的相同數(shù)字描述基本相似的組件。這些具體實(shí)施例將以充分的詳細(xì)描述以使本領(lǐng)域熟練的人能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明?？赡茉诓槐畴x本發(fā)明領(lǐng)域的條件下應(yīng)用于其它實(shí)施例，并且可進(jìn)行結(jié)構(gòu)、邏輯、和電子上的修改。以下詳細(xì)描述不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為局限在某一角度，本發(fā)明的領(lǐng)域只由附加的如權(quán)利要求書，連同這一如權(quán)利要求書所授權(quán)的所有等價(jià)條款所定義。
圖1顯示了電容器器100的前視圖。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器100是多層電容，它包括第一組多層導(dǎo)電層103、105、107和109，和與之交錯(cuò)穿插的第二組多層導(dǎo)電層104、106、108和110。電介質(zhì)層115隔開相鄰的導(dǎo)電層。第一組多層103、105、107和109適合于連接著電路中的第一節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一節(jié)點(diǎn)是接地的。第二組多層104、106、108和110適合于連接著電路中的第二節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，第二節(jié)點(diǎn)向第二組多層提供正電壓。例如，第二節(jié)點(diǎn)可以是在包含集成電路的芯片上的一端。盡管顯示了8層103-110，但可以理解的是，在一個(gè)實(shí)例中，層的數(shù)目可以大于8層。在另一實(shí)施例中，層的數(shù)目也可以小于8層。電容量是由極板的表面積和極板間的距離所決定的，通常表面積越大，極板都間的距離越小且/或介電常數(shù)越大，則電容量就越大。
各個(gè)導(dǎo)電層都包括多層電極板。參見層103，它包括由不導(dǎo)電的縫隙133隔開的第一極板131和第二極板132(圖1和圖3A)。各個(gè)電容極板131和132包括一個(gè)通常為矩形體的134以及多個(gè)從各個(gè)矩形體134向外延伸的接觸片137和138。接觸片137從各個(gè)矩形體134的第一條邊向外延伸。接觸片138從各個(gè)矩形體134的第二條邊向外延伸。接觸片138在橫向上偏離接觸片137并平行于接觸片137延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，極板131和132形狀一致。在一個(gè)實(shí)例中，縫隙133是細(xì)長的，并和矩形體134的兩邊相垂直。此外，縫隙133以和接觸片137和138相同的方向延伸?？p隙133具有相盡可能小的寬度，以便于為層103上的兩個(gè)極板131和132提供最大的表面積。在一個(gè)實(shí)例中，縫隙133的寬度是50-200微米。在一個(gè)實(shí)例中，縫隙133的寬度小于或等于50微米。縫隙133可以采用不導(dǎo)電的材料來填充，例如，類似于電介質(zhì)層11的相同材料。
層104在層103之下。層104包括由不導(dǎo)電的縫隙143隔開第一極板141和第二極板142(圖1和圖3B)。極板141和142各包括一個(gè)通常為矩形體的144以及多個(gè)從各個(gè)矩形體144向外延伸的接觸片147和148。接觸片147從各個(gè)矩形體144的第一條邊向外延伸。接觸片148從各個(gè)矩形體144的第二條邊向外延伸。接觸片148在橫向上偏離接觸片147并平行于接觸片147延伸。因此，在導(dǎo)電層103和104中沒有2個(gè)接觸片可與這些層的其它任一接觸片垂直排列。在一個(gè)實(shí)施例中，縫隙143是細(xì)長的，并和矩形體144的兩邊相垂直。此外，縫隙143以和接觸片147和148相同的方向延伸，并且與縫隙133垂直排列?？p隙143具有盡可能小的寬度，以便于為層104上的兩個(gè)極板141和142提供最大的表面積。在一個(gè)實(shí)例中，縫隙143的寬度是50-200微米。在一個(gè)實(shí)例中，縫隙143的寬度小于或等于50微米?？p隙143由不導(dǎo)電的材料來填充，例如，類似于電介質(zhì)層115的相同材料。
層105在層104之下。層105包括由不導(dǎo)電的縫隙153隔開第一極板151和第二極板152(圖1和圖3C)。極板151包括一個(gè)通常為矩形體的154以及多個(gè)從體154向外延伸的接觸片157。接觸片157從極板151的矩形體154的第一條邊向遠(yuǎn)離縫隙153的方向延伸。極板152包括一個(gè)通常為矩形體154以及多個(gè)從矩形體154向外延伸的接觸片158。接觸片158從極板152的矩形體154的第二條邊向外延伸并在橫向上偏離極板151的接觸片157。在一個(gè)實(shí)施例中，縫隙153是細(xì)長的，并和矩形體154的兩條排成直線的邊相垂直。此外，縫隙153垂直于接觸片157和158延伸，并以橫穿縫隙133和143的方向延伸。縫隙153具有盡可能小的寬度以便于為層105上的兩個(gè)極板151和152提供最大的表面積。在一個(gè)實(shí)施例中，縫隙153的寬度是50-200微米。在一個(gè)實(shí)施例中，縫隙153的寬度小于或等于50微米。縫隙153可采用不導(dǎo)電的材料來填充，例如，類似于電介質(zhì)層115的相同材料。
層106在層105之下。層106包括由不導(dǎo)的電縫隙163隔開第一極板161和第二極板162(圖1和圖3D)。極板161包括通常為矩形體的164以及多個(gè)從體164向外延伸的接觸片167。接觸片167從極板161的矩形體164的第一條邊向遠(yuǎn)離縫隙163的方向延伸。極板162包括一個(gè)通常為矩形體的164以及多個(gè)從體164向外延伸的接觸片168。接觸片168從極板162的矩形體164的第二條邊向遠(yuǎn)離縫隙163的方向延伸。接觸片168在橫向5偏離接觸片167。在一個(gè)實(shí)例中，縫隙163是細(xì)長的，并和矩形體164的兩條排成直線的邊相垂直。此外，縫隙163垂直于接觸片167和168延伸，并以橫穿縫隙133、143的方向延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，縫隙163和縫隙153垂直排列?？p隙163具有盡可能小的寬度，以便于為層106上的兩個(gè)極板161和162提供最大的表面積。在一個(gè)實(shí)施例中，縫隙163的寬度是50-200微米。在一個(gè)實(shí)施例中，縫隙163的寬度小于或等于50微米?？p隙163可以采用不導(dǎo)電材料來填充，例如，類似于電介質(zhì)層115的相同材料。
導(dǎo)電層107、108、109和110分別和層103、104、105和106相同。因此，不再詳細(xì)描述這些層。層107、108、109中，與如上所描述的關(guān)于103-105的元件相同的元件以和上面相同的標(biāo)號表示，而將標(biāo)號的中間位用層號的最后一位代替。例如，層107的接觸片173(按理解應(yīng)為177)對應(yīng)層103的接觸片137，并且和層103的接觸片137相同，只是接觸片173(按理解應(yīng)為177)和137在電容器100的不同層上。層110的元件采用和層106相同的標(biāo)號，而將標(biāo)號的中間位換成1。例如，層110的接觸片118和層106的接觸片168相同，只是接觸片118在電容器100的另一個(gè)層。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器100包括一種如上所述的重復(fù)層103-106的模式。盡管只是以層106-110來顯示，但可以理解的是，更多的和在此描述的層相同的層可以添加到電容器100中以增加它的電容量。例如，電容器100的實(shí)施例可以包括數(shù)十或數(shù)百層。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器100至少包括層103-106。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器100包括一對層，這對層包括以第一方向，即如圖1-3所示的豎直方向排列的縫隙。層的后續(xù)對包括以第一方向排列，并以和相鄰對的層不平行的方向所延伸的縫隙。在一個(gè)實(shí)施例中，一對層的縫隙通常和任一相鄰對的層縫隙相互垂直地延伸。例如，對層105和106包括豎直排列的縫隙153和163(圖2)?？p隙153和163通常和相鄰對層103、104和107、108的縫隙133、143和173、183的方向相互垂直地延伸。
圖2顯示了電容器100，包括它的多個(gè)連接端221-228。連接端221-228提供電容器100的極板和外部電路的相互連接。連接端221連接著接觸片137、157、177和197，接觸片137、157、177和197是相互垂直排列的。因此，極板132、151、172和191都和連接端221相連接。連接端222連接著接觸片147、167、187和117，接觸片147、167、187和117是相互垂直排列。因此，極板142、161、182和111都和連接端222相連接。連接端223連接著接觸片137、157、177和197，接觸片137、157、177和197是相互垂直排列的。因此，極板131、151、171和191都和連接端223相連接。連接端224連接著接觸片147、167、187和117，接觸片147、167、187和117是相互垂直排列的。因此，極板141、161、181和111都連接著提供電源的連接端221。各個(gè)連接端221-224都是邊緣連接端，垂直于電容器100的一個(gè)邊延伸。
參見圖1和2，電容器100的背側(cè)包括多個(gè)連接端225-228，連接端225-228都是邊緣連接端，垂直于電容器100的同一個(gè)邊延伸。連接端225連接著接觸片148、168、188和118，且148、168、188和118是垂直排列的。因此，極板142、162、182和112都和連接端225相連接。連接端226連接著接觸片138、158、178和198，且接觸片138、158、178和198是垂直排列的。因此，極板132、152、172和192都和連接端226相連接。連接端227連接著接觸片148、168、188和118，接觸片148、168、188和118是垂直排列的。因此，極板141、162、181和112都和連接端227相連接。連接端228連接著接觸片138、158、178和198，接觸片138、158、178和198是垂直排列的。因此，極板131、152、171和112都和提供電源的連接端228相連接。
在一個(gè)實(shí)施例中，連接端221、223、226和228都和由外部電路所提供的同一第一節(jié)點(diǎn)相連接。連接端222、224、225和227都和由這一外部電路所提供的一第二節(jié)點(diǎn)相連接。在一個(gè)實(shí)施例中，第一節(jié)點(diǎn)連接著第一電壓，而第二節(jié)點(diǎn)連接著第二電壓、其中第一電壓比第二電壓小。在一個(gè)實(shí)施例中，第一電壓是接地，而第二電壓是正電壓，用于在電容器100充電工作期間，對層104的極板141和142，層106的極板161和162，層108的極板181和182，和層110的極板111和112充電。當(dāng)有需要時(shí)，正向充電的極板141、142、161、162、181、182、111和112可對電路提供電荷。在一個(gè)實(shí)施例中，連接端221、223、226、和228連接著第一節(jié)點(diǎn)，第一節(jié)點(diǎn)的電壓比連接著連接端222、224、225和227的第二節(jié)點(diǎn)的電壓大。
電容器100包括在電容器的各個(gè)導(dǎo)電層上的多個(gè)極板。各個(gè)極板包括多個(gè)連接觸片，連接觸片依次連接著在其它層的極板上的連接觸片。各個(gè)極板的多個(gè)接觸片可極板提供所要求的冗余連接，以保證如果連接著一個(gè)接觸片的一個(gè)連接失效，還有另一個(gè)連接著極板的連接。而且，電容器中的一層上的多個(gè)不同的極板提供極板以保護(hù)整個(gè)電容量。特別是，當(dāng)一個(gè)極板上的所有連接失效時(shí)，那么只是這一層中某一部分丟失。在圖2所示的實(shí)施例中，如果連接著極板132的前端接觸片137的連接失效，那么極板132會通過后端接觸片138連接著外部電路。如果前端接觸片137和后端接觸片138都失效，那么只是極板132會從電容器的層103中丟失。即層103的極板131還會對電容100的電容特性產(chǎn)生作用。
電容器100還包括改變在構(gòu)成電容器結(jié)構(gòu)的各對極板間方向的縫隙。這樣，如果連接端221-228任一個(gè)斷開，那么因?yàn)樵谶B續(xù)的層中，相同極性的極板以不同方向延伸，并和相反極性的極板相鄰，所以電容器100的總的電容量仍可保持。
電容器100包括多種不同的電容器結(jié)構(gòu)，不同的電容器結(jié)構(gòu)加到一起可提供總的電容量。特別地，極板131和141組成一種電容器結(jié)構(gòu)。極板132和142組成另一種電容器結(jié)構(gòu)。極板151和161組成又一種電容器結(jié)構(gòu)。極板152和162又組成一種電容器結(jié)構(gòu)。層107-110的極板組成相似的電容器結(jié)構(gòu)。
圖4顯示了適用于通過通用基片406將芯片403與電容器100相耦合的系統(tǒng)400的一種實(shí)施例的剖面圖。在一個(gè)實(shí)施例中，芯片403包括電子器件，比如處理器、通信系統(tǒng)或?qū)Ｓ眉呻娐?。芯?03通過可控凹陷芯片連接(C4)409和基片406的第一面相耦合。電容器100通過機(jī)械或電子連接412和基片406的第二面相耦合。連接412的例子包括表面封裝或可控凹陷芯片連接。導(dǎo)電互連415從基片406的第一面延伸到第二面用于將電容器100與芯片403相耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，互連415是通過用導(dǎo)電材料，比如金屬，來填充在基片406中的過孔所形成的。在一個(gè)實(shí)施例中，基片406是由陶瓷材料制成的。作為選擇，基片406也可以是由有機(jī)材料制成的?；?06最好是薄的，使得電容器100和芯片403之間的連接距離短。在一個(gè)實(shí)施例中，基片406的厚度418小于大約1毫米，減小了互連415的長度。短的連接距離可減小連接電容器100的引線的電感和阻值。
圖5顯示了包含連接著芯片503和506的電容器100的系統(tǒng)500的一些實(shí)施例的剖面圖。基片509為芯片503封裝電容器100提供了基礎(chǔ)。另外，基片509通過導(dǎo)電互連512將芯片503與電容器100相耦合。相似地，基片515為芯片506封裝電容器100提供基礎(chǔ)?；?15通過導(dǎo)電互連522將芯片506與電容器100相耦合。連接，比如表面封裝、可控凹陷封裝或其他焊球封裝連接，518-521從物理上和電氣上將芯片503、506和電容100與基片509和515相耦合。因?yàn)榛?09的厚度524小于大約1毫米，所以電容器100和過孔512和522的阻值和電感都小于采用厚基片的組裝的阻值和電感。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)500采用如上所述的方法封裝芯片503、506和電容器100以提供對芯片503和506的電源連接退耦。
圖6顯示了包括電容器100的系統(tǒng)600的一些實(shí)施例的剖面圖，其中電容器100與基片606相耦合，并通過互連610和可控凹陷芯片連接612與芯片615電氣耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器100與芯片615上的電源連接端相耦合，以對芯片上的電源連接退耦。通過注塑618來保護(hù)電容器100不受外部損壞。在一個(gè)實(shí)施例中，基片606由低K值的電介質(zhì)所形成，其厚度621介于大約0.05毫米和0.1毫米之間。介于大約0.05毫米和0.1毫米之間的電介質(zhì)厚度允許系統(tǒng)600可以由比系統(tǒng)500中的電容器引線更短的電容器引線所構(gòu)成。如上所述，含有更短的電容器100和芯片615之間的電容器引線的系統(tǒng)導(dǎo)致含有低電感和低阻值的電容，從而改進(jìn)系統(tǒng)的性能。
圖7顯示了包括可通過電氣導(dǎo)線715實(shí)現(xiàn)連接著一起的電子電路705和芯片710。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)線715是電源線。在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)線715是數(shù)據(jù)輸入/輸出線。電容器100連接著導(dǎo)線100。在一個(gè)實(shí)施例中，第一組極板通過第一組連接觸器極板連接著導(dǎo)線175。第二組電容器極板通過第二組連接觸片連接著電子電路705中的節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施例中，該節(jié)點(diǎn)是接地的節(jié)點(diǎn)。
如上面的實(shí)施例中所描述的，電容100包括多層嵌入在電介質(zhì)材料中的導(dǎo)電層。電容器還包括在由縫隙隔開的導(dǎo)電層中的至少一個(gè)層上的多個(gè)極板。在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)鄰近的縫隙相對于相鄰層中的縫隙傾斜大約90度。在一個(gè)實(shí)施例中，一對層的縫隙以第一方向延伸，而第二對層的縫隙以相對于第一方向傾斜的第二方向延伸。各個(gè)極板都包括多個(gè)連接觸片。在一個(gè)實(shí)施例中，電容器100中的各個(gè)層都包括多個(gè)極板。
盡管描述和圖示了具體實(shí)施例，受益于本披露的本領(lǐng)域熟練人員可以理解的是，任何旨在達(dá)到相同目的的方法都可以代替所示的具體實(shí)施例。本申請目的在于涵蓋本發(fā)明的任何更改或變化。因此，本發(fā)明僅僅只受如權(quán)利要求書和它的等價(jià)條款限定。
權(quán)利要求
1.一種電容器，其特征在于，包括多層由電介質(zhì)層隔開的導(dǎo)電層；在多層導(dǎo)電層的第一層中的第一極板和第二極板，所述第一和第二極板由第一縫隙隔開；在第一極板上的第一組多個(gè)接觸片；和在第二極板上的第二組多個(gè)接觸片。
2.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述多層導(dǎo)電層包括第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層包括由第二縫隙所隔開的第三極板和第四極板。
3.如權(quán)利要求2所述的電容器，其特征在于，所述第一縫隙以第一方向延伸，而所述第二縫隙以第二方向延伸，其中，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層相鄰。
4.如權(quán)利要求2所述的電容器，其特征在于，所述第一縫隙以第一方向延伸，而所述第二縫隙以第二方向延伸，其中，所述第二方向和所述第一方向不平行。
5.如權(quán)利要求4所述的電容器，其特征在于，所述第二方向通常和所述第一方向相垂直。
6.如權(quán)利要求5所述的電容器，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層相鄰。
7.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述多層導(dǎo)電層包括第一組層和與之交錯(cuò)穿插的第二組層，所述第一組層適合于連接著第一節(jié)點(diǎn)，所述第二組層適合于連接著第二節(jié)點(diǎn)。
8.一種系統(tǒng)，其特征在于，包括基片；可實(shí)現(xiàn)與所述基片相耦合的芯片；和可實(shí)現(xiàn)與所述芯片相耦合的電容器，其特征在于，所述電容器包括多層導(dǎo)電層；在所述多層導(dǎo)電層中的至少一層上的多個(gè)極板，所述多個(gè)極板通過不導(dǎo)電的縫隙相互隔開；和連接著所述多個(gè)極板中的至少一個(gè)極板的多個(gè)連接端。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述電路包括導(dǎo)線，所述芯片包括連接著導(dǎo)線的端點(diǎn)，所述多個(gè)連接端包括連接著導(dǎo)線的第一組連接端和連接著節(jié)點(diǎn)的第二組連接端。
10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述基片包括第一面和第二面，所述芯片連接著所述第一面，而所述電容連接著第二面。
11.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述基片包括多個(gè)從所述第一面延伸到所述第二面，并將所述電容器與所述芯片相耦合的互連。
12.一種多層電容，其特征在于，包括第一面；第二面；第一導(dǎo)電層，包括由第一不導(dǎo)電的縫隙所隔開的第一極板和第二極板，所述第一極板和第二極板各包括至少一個(gè)在所述第一面上的第一連接觸片和至少一個(gè)在所述第二面上的第二連接觸片；第二導(dǎo)電層，包括由第二不導(dǎo)電的縫隙所隔開的第三極板和第四極板，所述第三極板和第四極板各包括至少一個(gè)在所述第一面上的第一連接觸片和至少一個(gè)在所述第二面上的第二連接觸片；第一電介質(zhì)層，用于隔開所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層；第三導(dǎo)電層，包括由第三不導(dǎo)電的縫隙所隔開的第五極板和第六極板，所述第五極板包括在所述第一面上的第一組多個(gè)連接觸片，所述第六極板包括在第二面上的第二組多個(gè)連接觸片；第四導(dǎo)電層，包括由第四不導(dǎo)電的縫隙所隔開的第七極板和第八極板，所述第七極板包括在第一面上的第一組多個(gè)連接觸片，第八極板包括在第二面上的第二組多個(gè)連接觸片；和第二電介質(zhì)層，用于隔開所述第三導(dǎo)電層和所述第四導(dǎo)電層。
13.如權(quán)利要求12所述的電容器，其特征在于，所述第一不導(dǎo)電的縫隙和所述第二不導(dǎo)的縫隙以第一方向延伸，所述第三不導(dǎo)電的縫隙和所述第四不導(dǎo)電的縫隙以第二方向延伸，所述第二方向和所述第一方向不平行。
14.如權(quán)利要求13所述的電容器，其特征在于，所述第二方向相對于所述第一方向傾斜大約90度。
15.如權(quán)利要求14所述的電容器，其特征在于，所述第一面包括第一、第二、第三和第四連接端，所述第一連接端連接著第二極板和所述第六個(gè)極板的第一組接觸片，所述第二連接端連接著第三極板和所述第七極板的第一組接觸片，所述第三連接端連接著所述第一極板和第五極板的第一組接觸片，而所述第四連接端連接著所述第三極板和所述第七極板的第一組接觸片。
16.如權(quán)利要求15所述的電容器，其特征在于，所述第二面包括第五、第六、第七和第八連接端，所述第五連接端連接著第四個(gè)極板和所述第八個(gè)極板的第二組接觸片上，所述第六連接端連接著所述第二極板和所述第六個(gè)極板的第二組接觸片，所述第七連接端連接著第四個(gè)極板和所述第八極板的第二組接觸片上，而所述第八連接端連接著所述第一極板和所述第五個(gè)極板的第二組接觸片上。
17.如權(quán)利要求16所述的電容器，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七和第八連接端通常都是互相平行延伸的。
18.如權(quán)利要求17所述的電容器，其特征在于，所述第一、第三、第六和第八連接端都連接著所述第一節(jié)點(diǎn)，而所述第二、第四、第五和第七連接端連接著所述第二節(jié)點(diǎn)。
全文摘要
描述了一種具有多層，且各層都包含多層電極板的電容器。在同一層中，由縫隙隔開各導(dǎo)電極板。在單層上的多層電極板確保了當(dāng)一個(gè)極板上的所有連接失效時(shí)，各層的總的電容不會丟失。各導(dǎo)電極板包含多個(gè)連接點(diǎn)或接觸片，以對各極板提供冗余的連接。電容器中連接點(diǎn)的數(shù)量越多，電感和電阻就越低。對第一對層，縫隙沿第一方向延伸，對第二對層，縫隙沿第二方向延伸。還描述了將電容器與芯片相連接的系統(tǒng)。電容器與芯片相連接的導(dǎo)電材料長度越短，則導(dǎo)電材料的電感和電阻就越低。
文檔編號H01L27/08GK1732570SQ200380107688
公開日2006年2月8日 申請日期2003年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月31日
發(fā)明者R·菲威格, D·伍德, N·霍爾曼伯格 申請人:英特爾公司