專利名稱：半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備及它們的制造方法，以及電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備、電子儀器、半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備的制造方法，尤其適用于半導(dǎo)體組件(封裝)等的層疊結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，為了實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片安裝時的空間節(jié)省，例如有專利文獻1中公開的那樣經(jīng)載體基板進行3維安裝半導(dǎo)體芯片的方法。
專利文獻1特開平10-284683號公報但是，在經(jīng)載體基板進行3維安裝半導(dǎo)體芯片的方法中，由于載體基板表面的線性膨脹系數(shù)不同，所以載體基板的撓曲大。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種在抑制載體基板的撓曲的同時、可實現(xiàn)不同種類芯片的3維安裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備、電子儀器、半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子設(shè)備的制造方法。
為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備第1載體基板；面朝下安裝在所述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；面朝下安裝在所述第1載體基板背面的第2半導(dǎo)體芯片；第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第3半導(dǎo)體芯片；和突出電極，以連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上。
由此，可在第1載體基板的表里設(shè)置材料物性相等的半導(dǎo)體芯片，可降低第1載體基板的表里線膨脹系數(shù)的差異。因此，可在抑制第1載體基板撓曲的同時，在第1載體基板上層疊第2載體基板，可在確保第1載體基板與第2載體基板的連接可靠性的同時，實現(xiàn)不同種類芯片的3維安裝結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，將所述第2載體基板固定在第1載體基板上，以跨在所述第1半導(dǎo)體芯片上。
由此，可重疊配置第1半導(dǎo)體芯片與第3半導(dǎo)體芯片，使安裝多個半導(dǎo)體芯片時的安裝面積降低，可實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片安裝時的空間節(jié)省。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備密封所述第3半導(dǎo)體芯片的密封件。
由此，可保護第3半導(dǎo)體芯片不被腐蝕或破壞等，可使第3半導(dǎo)體芯片的可靠性提高。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述密封件是模制樹脂。
由此，可使包含第2載體基板的不同種類組件層疊在第1載體基板上，即使在半導(dǎo)體芯片的種類不同的情況下，也可實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述密封件的側(cè)壁與所述第2載體基板的側(cè)壁位置一致。
由此，可在抑制在第1載體基板上層疊第2載體基板時的高度增大的同時，用密封第3半導(dǎo)體芯片的密封件來增強第2載體基板的單面整體，并可以不進行密封件的單元分割就可密封第3半導(dǎo)體芯片，使裝載在第2載體基板上的第3半導(dǎo)體芯片的裝載面積增大。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片，通過壓接接合連接于所述第1載體基板上。
由此，可實現(xiàn)將第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片連接在第1載體基板上時的低溫化，可降低實際使用時的第1載體基板的撓曲。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含所述第1載體基板的半導(dǎo)體裝置與包含所述第2載體基板的半導(dǎo)體裝置在相等溫度下的彈性系數(shù)不同。
由此，可由一個載體基板來抑制在另一載體基板中產(chǎn)生的撓曲，可使第1載體基板與第2載體基板之間的連接可靠性提高。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，裝載所述第1半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片的第1載體基板是倒裝片安裝的球狀柵格陣列，裝載所述第3半導(dǎo)體芯片的第2載體基板是模制密封的球狀柵格陣列或芯片尺寸組件。
由此，可抑制3維安裝結(jié)構(gòu)的高度增大，使不同種類的組件層疊，即使在半導(dǎo)體芯片的種類不同的情況下，也可實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片安裝時的空間節(jié)省。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第3半導(dǎo)體芯片包含層疊多個芯片的結(jié)構(gòu)。
由此，可在第1半導(dǎo)體芯片上層疊多個種類或尺寸不同的第3半導(dǎo)體芯片，可具有各種功能，同時，可實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片安裝時的空間節(jié)省。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第3半導(dǎo)體芯片包含將多個芯片并列配置在第2載體基板上的結(jié)構(gòu)。
由此，可在抑制第3半導(dǎo)體芯片層疊時的高度增大的同時，將多個第3半導(dǎo)體芯片配置在第1半導(dǎo)體芯片上，在抑制3維安裝時的連接可靠性惡化的同時，實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片安裝時的空間節(jié)省。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備第1載體基板；面朝下安裝在所述第1載體基板表面和背面的至少一方的面上的第1半導(dǎo)體芯片；第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片；裝載在所述第2載體基板的背面的第3半導(dǎo)體芯片；和連接所述第2載體基板與所述第1載體基板的突出電極。
由此，可在第2載體基板的表里設(shè)置材料物性相等的半導(dǎo)體芯片，可降低第2載體基板的表里線膨脹系數(shù)的差異。因此，可在抑制第2載體基板撓曲的同時，在第1載體基板上層疊第2載體基板，可在確保第1載體基板與第2載體基板的連接可靠性的同時，實現(xiàn)不同種類芯片的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備載體基板；面朝下安裝在所述載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；面朝下安裝在所述第1載體基板背面的第2半導(dǎo)體芯片；在電極襯墊的形成面上形成再配置配線層的第3半導(dǎo)體芯片；和突出電極，以連接所述第3半導(dǎo)體芯片與所述載體基板，使所述第3半導(dǎo)體芯片保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上。
由此，即使在半導(dǎo)體芯片的種類或尺寸不同的情況下，也不會使載體基板插在第1半導(dǎo)體芯片與第3半導(dǎo)體芯片之間，可在第1半導(dǎo)體芯片上倒裝片安裝第3半導(dǎo)體芯片，同時，可在第1載體基板的背面分別設(shè)置材料物性相等的第1和第2半導(dǎo)體芯片，可降低第1載體基板的表里線膨脹系數(shù)的差異。
因此，可在抑制第1載體基板的撓曲的同時，在第1載體基板上層疊第3半導(dǎo)體芯片，在確保第3半導(dǎo)體芯片與第1載體基板的連接可靠性的同時，實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片安裝時的空間節(jié)省。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的電子設(shè)備，其特征在于，具備第1載體基板；裝載在所述第1載體基板上的第1電子零件；裝載在所述第1載體基板的背面的第2電子零件；第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第3電子零件；突出電極，以連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1電子零件上；和密封所述第3電子零件的密封件。
由此，可在抑制第1載體基板的撓曲的同時，在第1電子零件上層疊包裝不同的第3電子零件，可在確保不同組件間的連接可靠性的同時，實現(xiàn)不同種類部件的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的電子儀器，其特征在于，具備第1載體基板；裝載在所述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；裝載在所述第1載體基板背面的第2半導(dǎo)體芯片；第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第3半導(dǎo)體芯片；突出電極，以連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上；密封所述第3半導(dǎo)體芯片的密封件；和安裝所述第1載體基板的母基板。
由此，可在抑制第1載體基板的撓曲的同時，在第1半導(dǎo)體芯片上層疊包裝不同的第3半導(dǎo)體芯片，可在確保不同種類組件間的連接可靠性的同時，實現(xiàn)不同種類芯片的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備如下工序即，將第1半導(dǎo)體芯片面朝下安裝在第1載體基板上的工序；將第2半導(dǎo)體芯片面朝下安裝在所述第1載體基板的背面的工序；將第3半導(dǎo)體芯片安裝在第2載體基板上的工序；在所述第2載體基板中形成突出電極的工序；用密封樹脂密封安裝在所述第2載體基板上的第3半導(dǎo)體芯片的工序；和經(jīng)所述突出電極來連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上的工序。
由此，可在第1載體基板的背面分別設(shè)置第1和第2半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)下，在第1載體基板上層疊第2載體基板。因此，可在抑制第1載體基板的撓曲的同時，在第1半導(dǎo)體芯片上層疊包裝不同的第3半導(dǎo)體芯片，可在確保不同組件間的連接可靠性的同時，實現(xiàn)不同種類芯片的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，由所述密封樹脂密封所述第3半導(dǎo)體芯片的工序具備由密封樹脂一體模制成形安裝在所述第2載體基板上的多個第3半導(dǎo)體芯片的工序；和對每個所述第3半導(dǎo)體芯片切斷通過所述密封樹脂模制成形的所述第2載體基板的工序。
由此，可對各個第3半導(dǎo)體芯片單元分割密封樹脂，用密封樹脂來密封第3半導(dǎo)體芯片，同時，可用密封樹脂來增強第2載體基板的單面整體。
因此，即使在第3半導(dǎo)體芯片的種類或尺寸不同的情況下，也可通用模制成形時的模具，可提高密封樹脂工序的效率，同時，因為不需單元分割用的空間，所以可使裝載在第2載體基板上的第3半導(dǎo)體芯片的裝載面積增大。
另外，根據(jù)本發(fā)明之一形態(tài)的電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，具備如下工序即，將第1電子零件面朝下安裝在第1載體基板上的工序；將第2電子零件面朝下安裝在所述第1載體基板的背面的工序；將第3電子零件安裝在第2載體基板上的工序；在所述第2載體基板中形成突出電極的工序；用密封樹脂密封安裝在所述第2載體基板上的第3電子零件的工序；和經(jīng)所述突出電極來連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1電子零件上的工序。
由此，可在第1載體基板的表背面分別設(shè)置第1和第2電子零件的狀態(tài)下，在第1載體基板上層疊第2載體基板。因此，可在抑制第1載體基板的撓曲的同時，在第1電子零件上層疊包裝不同的第3電子零件，可在確保不同種類組件間的連接可靠性的同時，實現(xiàn)不同種類部件的3維安裝結(jié)構(gòu)。


圖1是表示根據(jù)實施方式1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是表示根據(jù)實施方式2的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3是表示根據(jù)實施方式3的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4是表示根據(jù)實施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。
圖5是表示根據(jù)實施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。
圖6是表示根據(jù)實施方式5的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。
圖7是表示根據(jù)實施方式6的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖8是表示根據(jù)實施方式7的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖中，21、31、41、51、61、61a～61c、71、81、101、111、201、321、331--載體基板，22a、22c、32a、32c、42a、42c、52a、52c、72a、72b、82、102a、102c、112a、112c、202a、202c、322a、322c、332a、332c-岸面，22b、32b、42b、52b、102b、112b、202b、322b、332b-內(nèi)部配線，23a、23b、33a、33b、43a、43b、53a、53b、62a～62c、73a、73b、103a、103b、113a～113c、203a、203b、211、323、333a～333c-半導(dǎo)體芯片，24a、24b、26、36、44a、44b、46、55a、56、65a～65c、74a、74b、77、83、104a、104b、121、123、204a、204b、206、218、324、326、334c、336-突出電極，25a、25b、45a、45b、54a、75a、75b、105a、105b、205a、205b、325、335c-各向異性導(dǎo)電片，34a、34b、54b、334a、334b-粘接層，35a、35b、55b、63a～63c、335a、335b-導(dǎo)電性引線，37、57、64、64a～64c、84、120a、120b、122、337-密封樹酯，76-焊劑，78-隔板，114a～114c、212-電極襯墊，115a～115c、117a～117c、213-絕緣膜，116a～116c-貫通孔，118a～118c-導(dǎo)電膜，119a～119c-貫通電極，214-應(yīng)力緩和層，215-再配置配線，216-焊料抗蝕劑膜層，217-開口部，PK11、PK12、PK21、PK22、PK31、PK32、PK41、PK42、PK51、PK52、PK61、PK62-半導(dǎo)體組件具體實施方式
下面，參照附圖來說明根據(jù)本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體裝置、電子設(shè)備和其制造方法。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明實施方式1的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。在該實施方式1中，在通過ACF接合雙面安裝半導(dǎo)體芯片(或半導(dǎo)體壓模)23a、23b的半導(dǎo)體組件PK11上，層疊引線接合連接堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片(或半導(dǎo)體壓模)33a、33b的半導(dǎo)體組件PK12。
圖1中，在半導(dǎo)體組件PK11中設(shè)置載體基板21，在載體基板21的兩個面中分別形成岸面22a、22c，同時，在載體基板21內(nèi)形成內(nèi)部配線22b。另外，在載體基板21的背面中分別倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片23a、23b，在半導(dǎo)體芯片23a、23b中分別設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極24a、24b。另外，分別設(shè)置在半導(dǎo)體芯片23a、23b中的突出電極24a、24b分別經(jīng)各向異性導(dǎo)電片25a、25b分別ACF((An isotropic ConductiveFilm)接合在岸面22c、22a上。另外，在設(shè)置在載體基板21背面的岸面22a上，設(shè)置用于將載體基板21安裝在母基板上的突出電極26。
這里，通過在載體基板21的背面分別裝載半導(dǎo)體芯片23a、23b，可降低載體基板21的背面的線膨脹系數(shù)的差異，降低載體基板21的撓曲。另外，通過用ACF接合將半導(dǎo)體芯片23a、23b安裝在載體基板21上，不需引線接合或模制密封用的空間，可實現(xiàn)3維安裝時的空間節(jié)省，同時，可實現(xiàn)將半導(dǎo)體芯片23接合在載體基板21上時的低溫化，可降低實際使用時的載體基板21的撓曲。
另外，最好裝載在載體基板21背面的半導(dǎo)體芯片23a、23b的厚度和尺寸相等，但半導(dǎo)體芯片23a、23b的厚度或尺寸也可不同。
另一方面，在半導(dǎo)體組件PK12中設(shè)置載體基板31，在載體基板31的兩個面中分別形成岸面32a、32c，同時，在載體基板31內(nèi)形成內(nèi)部配線32b。另外，在載體基板31上經(jīng)粘接層34a面朝上安裝半導(dǎo)體芯片33a，半導(dǎo)體芯片33經(jīng)導(dǎo)電性引線35a引線接合連接于岸面32c上。并且，在半導(dǎo)體芯片33a上，避開導(dǎo)電性引線35a，面朝上安裝半導(dǎo)體芯片33b，半導(dǎo)體芯片33b經(jīng)粘接層34b固定在半導(dǎo)體芯片33a上，同時，經(jīng)導(dǎo)電性引線35b引線接合連接于岸面32c上。
另外，在設(shè)置在載體基板31背面的岸面32a上，設(shè)置將載體基板31安裝在載體基板21上的突出電極36，使載體基板31保持在半導(dǎo)體芯片23a上。這里，避開半導(dǎo)體芯片23a的裝載區(qū)域來配置突出電極36，例如可將突出電極36配置在載體基板31背面的周圍。另外，通過使突出電極36與設(shè)置在載體基板21上的岸面22c接合，可將載體基板31安裝在載體基板21上。
由此，可在抑制載體基板21的撓曲的同時，在半導(dǎo)體芯片23a、23b上層疊包裝不同的半導(dǎo)體芯片33a、33b。因此，在可確保載體基板21、31間的連接可靠性的同時，層疊不同種類組件PK11、PK12，可實現(xiàn)不同種類的半導(dǎo)體芯片23a、23b、33a、33b的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，用密封樹脂37來密封半導(dǎo)體芯片33a、33b，密封樹脂37例如可通過使用環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂的模制成形等來形成。
這里，通過模制成形在半導(dǎo)體芯片33a、33b的安裝面?zhèn)鹊妮d體基板31的單面整體中形成密封樹脂37，即使在載體基板31上安裝各種半導(dǎo)體芯片33a、33b的情況下，也可能用模制成形時的模具，提高密封樹脂工序的效率，同時，因為不需要單元分割密封樹脂37的空間，所以可使裝載在載體基板31上的半導(dǎo)體芯片33a、33b的裝載面積增大。
另外，作為載體基板21、31，例如可使用雙面基板、多層配線基板、內(nèi)建基板、帶狀基板或薄膜基板等，作為載體基板21、31的材質(zhì)，例如可使用聚酰亞胺樹脂、玻璃環(huán)氧樹脂、BT樹脂、芳族聚酰胺與環(huán)氧樹脂的合成、或陶瓷等。另外，作為突出電極24a、24b、26、36，例如可使用由Au突塊、焊錫材料等覆蓋的Cu突塊或Ni突塊、或焊錫球等。這里，作為突出電極26、36，例如由于使用焊錫球，通過使用能用的BGA，可層疊不同種類組件PK11、PK12彼此，可能采用生產(chǎn)線。另外，作為導(dǎo)電性引線35a、35b，例如可使用Au引線或Al引線等。另外，在上述實施方式中，說明了為了將載體基板31安裝在載體基板21上，而在載體基板31的岸面32a上設(shè)置突出電極36的方法，但也可將突出電極36設(shè)置在載體基板21的岸面22c上。
另外，在上述實施方式中，說明了通過ACF接合將半導(dǎo)體芯片23安裝在載體基板11上的方法，但例如也可使用NCF(Nonconductive Film)接合、ACP(An isotropic Conductive Paste)接合、NCP(NonconductivePaste)接合等其它粘接劑接合，或使用焊錫接合或合金接合等金屬接合。并且，在上述實施方式中，舉例說明了在載體基板11的表背面上僅分別安裝1個半導(dǎo)體芯片23a、23b的方法，但也可在載體基板21的表背面上分別安裝多個半導(dǎo)體芯片。
圖2是表示根據(jù)實施方式2的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。在實施方式2中，在通過ACF接合雙面安裝半導(dǎo)體芯片43a、43b的半導(dǎo)體組件PK21上，層疊分別倒裝片安裝和引線接合連接堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片53a、53b的半導(dǎo)體組件PK22。
圖2中，在半導(dǎo)體組件PK21中設(shè)置載體基板41，在載體基板41的兩個面中分別形成岸面42a、42c，同時，在載體基板41內(nèi)形成內(nèi)部配線42b。另外，在載體基板41的表背面中分別倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片43a、43b，在半導(dǎo)體芯片43a、43b中分別設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極44a、44b。另外，分別設(shè)置在半導(dǎo)體芯片43a、43b中的突出電極44a、44b分別經(jīng)各向異性導(dǎo)電片45a、45b分別ACF接合在岸面42c、42a上。另外，在設(shè)置在載體基板41背面的岸面42a上，設(shè)置用于將載體基板41安裝在母基板上的突出電極46。
這里，通過在載體基板41的表背面分別裝載半導(dǎo)體芯片43a、43b，可降低載體基板41的表背面的線膨脹系數(shù)的差異，降低載體基板41的撓曲。另外，通過用ACF接合將半導(dǎo)體芯片43a、43b安裝在載體基板41上，不需引線接合或模制密封用的空間，可實現(xiàn)3維安裝時的空間節(jié)省，同時，可實現(xiàn)將半導(dǎo)體芯片43a、43b接合在載體基板41上時的低溫化，可降低實際使用時的載體基板41的撓曲。
另一方面，在半導(dǎo)體組件PK22中設(shè)置載體基板51，在載體基板51的兩個面分別形成岸面52a、52c，同時，在載體基板51內(nèi)形成內(nèi)部配線52b。另外，在載體基板51上面朝上安裝半導(dǎo)體芯片53a，在半導(dǎo)體芯片53a上設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極55a。另外，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片53a上的突出電極55a經(jīng)各向異性導(dǎo)電片54aACF接合在岸面52c上。并且，在半導(dǎo)體芯片53a上，面朝上安裝半導(dǎo)體芯片53b，半導(dǎo)體芯片53b經(jīng)粘接層54b固定在半導(dǎo)體芯片53a上，同時，經(jīng)導(dǎo)電性引線55b引線接合連接于岸面52c上。
這里，通過在面朝下安裝的半導(dǎo)體芯片53a上面朝上安裝半導(dǎo)體芯片53b，可不插入載體基板地在半導(dǎo)體芯片53a上層疊尺寸與半導(dǎo)體芯片53a相等或比其大的半導(dǎo)體芯片53b，可縮小安裝面積。
另外，在設(shè)置在載體基板51背面的岸面52a上，設(shè)置將載體基板51安裝在載體基板41上的突出電極56，使載體基板51保持在半導(dǎo)體芯片43a上。這里，避開半導(dǎo)體芯片43a的裝載區(qū)域來配置突出電極56，例如可將突出電極56配置在載體基板51背面的周圍。另外，通過使突出電極56與設(shè)置在載體基板41上的岸面42c接合，可將載體基板51安裝在載體基板41上。
由此，可在抑制載體基板41的撓曲的同時，在半導(dǎo)體芯片43上層疊包裝不同的半導(dǎo)體芯片53a、53b。因此，在可確保載體基板41、51間的連接可靠性的同時，層疊不同種類組件PK11、PK12，可實現(xiàn)不同種類的半導(dǎo)體芯片43a、43b、53a、53b的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，作為突出電極46、56，例如可使用焊錫球。由此，通過使用能用的BGA，可層疊不同種類組件PK11、PK12彼此，可能采用生產(chǎn)線。
另外，用密封樹脂57來密封半導(dǎo)體芯片53a、53b，密封樹脂57例如可通過使用環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂的模制成形等來形成。
這里，通過模制成形在半導(dǎo)體芯片53a、53b的安裝面?zhèn)鹊妮d體基板51的單面整體中形成密封樹脂57，即使在載體基板51上安裝各種半導(dǎo)體芯片53a、53b的情況下，也可能用模制成形時的模具，提高密封樹脂工序的效率，同時，因為不需要單元分割密封樹脂57的空間，所以可使裝載在載體基板51上的半導(dǎo)體芯片53a、53b的裝載面積增大。
圖3是表示根據(jù)實施方式3的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。在實施方式3中，在由密封樹脂64一體模制成形多個半導(dǎo)體芯片62a～62c之后，通過切斷成每個半導(dǎo)體芯片62a～62c，在分別安裝半導(dǎo)體芯片62a～62c的載體基板61a～61c的單面整體中分別形成密封樹脂64a～64c。
圖3(a)中，在載體基板61中設(shè)置裝載多個半導(dǎo)體芯片62a～62c的裝載區(qū)域。另外，將多個半導(dǎo)體芯片62a～62c安裝在載體基板61上，分別經(jīng)導(dǎo)電性引線63a～63c引線接合連接在載體基板61上。另外，除引線接合連接半導(dǎo)體芯片62a～62c的方法外，也可將半導(dǎo)體芯片62a～62c倒裝片安裝在載體基板61上，或?qū)雽?dǎo)體芯片62a～62c的層疊結(jié)構(gòu)安裝在載體基板61上。
接著，如圖3(b)所示，由密封樹脂64一體模制成形安裝在載體基板61上的多個半導(dǎo)體芯片62a～62c。這里，通過由密封樹脂64一體模制成形多個半導(dǎo)體芯片62a～62c，即使在載體基板61上安裝各種半導(dǎo)體芯片62a～62c的情況下，也可通用模制成形時的模具，可提高密封樹脂工序的效率，同時，因為不需要單元分割密封樹脂64的空間，所以可使裝載在載體基板61上的半導(dǎo)體芯片62a～62c的裝載面積增大。
接著，如圖3(c)所示，在各載體基板61a～61c的背面形成焊錫球等突出電極65a～65c。另外，如圖3(d)所示，通過每個各半導(dǎo)體芯片62a～62c切斷載體基板61和密封樹脂64，向分別由密封樹脂64a～64c密封的載體基板61a～61c分割半導(dǎo)體芯片62a～62c。
這里，通過一體切斷載體基板61及密封樹脂64，可在半導(dǎo)體芯片62a～62c的安裝面?zhèn)鹊妮d體基板61a～61c的單面整體中分別形成密封樹脂64a～64c。因此，可抑制制造工序的復(fù)雜化，同時，可使突出電極65a～65c的配置區(qū)域的剛性提高，可使載體基板61a～61c的撓曲降低。另外，也可在切斷成各個片后形成突出電極65a～65c。
圖4、圖5是表示根據(jù)實施方式4的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。另外，該實施方式4是在通過ACF接合雙面安裝半導(dǎo)體芯片73a、73b的半導(dǎo)體組件PK31上層疊由密封樹脂84密封的半導(dǎo)體組件PK32的。
圖4(a)中，設(shè)置載體基板71，在載體基板71的兩個面上分別形成岸面72a、72b。另外，在載體基板71的背面分別粘貼各向異性導(dǎo)電片75a、75b，使隔板78粘貼在各向異性導(dǎo)電片75b上。另外，隔板78例如最好由PET等構(gòu)成。
接著，如圖4(b)所示，邊進行半導(dǎo)體芯片73a的定位，邊將半導(dǎo)體芯片73a壓在各向異性導(dǎo)電片75a上。另外，當對半導(dǎo)體芯片73a施壓時，如圖4(c)所示，剝離各向異性導(dǎo)電片75b上的隔板78。另外，如圖(d)所示，邊進行半導(dǎo)體芯片73b的定位，邊在各向異性導(dǎo)電片75b上壓著半導(dǎo)體芯片73b。
另外，一旦將半導(dǎo)體芯片73a、73b分別壓著在各向異性導(dǎo)電片75a、75b上，則邊加熱臨時壓著半導(dǎo)體芯片73a、73b的載體基板71，邊從上下施加負荷。另外，如圖4(e)所示，分別經(jīng)突出電極74a、74b使半導(dǎo)體芯片73a、73b，ACF接合在載體基板71上，制造雙面安裝半導(dǎo)體芯片73a、73b的半導(dǎo)體組件PK31。
接著，在圖5(a)中，在半導(dǎo)體組件PK32中設(shè)置載體基板81，在載體基板81的背面形成岸面82，在岸面82上設(shè)置焊錫球等的突出電極83。另外，在載體基板81上安裝半導(dǎo)體芯片，用密封樹脂84來密封安裝半導(dǎo)體芯片的載體基板81的單面整體。另外，也可在載體基板81上安裝引線接合連接的半導(dǎo)體芯片，或倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片，或安裝半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)。
另外，在半導(dǎo)體組件PK31上層疊半導(dǎo)體組件PK32的情況下，在載體基板71的岸面72b上提供焊劑76。另外，也可在載體基板71的岸面72b上提供焊錫膏來代替焊劑76。
接著，如圖5(b)所示，在半導(dǎo)體組件PK31上安裝半導(dǎo)體組件PK32，通過進行回流處理，使突出電極83接合在岸面72b上。
接著，如圖5(c)所示，在設(shè)置在載體基板71的背面的岸面72a上，形成將載體基板71安裝在母基板上的突出電極77。
圖6是表示根據(jù)實施方式5的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。另外，該實施方式5，在將半導(dǎo)體芯片103a、103b倒裝片安裝在兩個面上的載體基板101上，使3維安裝堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片113a～113c。
圖6中，在半導(dǎo)體組件PK41中設(shè)置載體基板101，在載體基板101的兩個面中分別形成岸面102a、102c，同時，在載體基板101內(nèi)形成內(nèi)部配線102b。另外，在載體基板101的兩個面中分別倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片103a、103b，在半導(dǎo)體芯片103a、103b中分別設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極104a、104b。
另外，分別設(shè)置在半導(dǎo)體芯片103a、103b中的突出電極104a、104b分別經(jīng)各向異性導(dǎo)電片105a、105b分別ACF接合在岸面102c、102a上。另外，在半導(dǎo)體芯片103a、103b安裝在載體基板101上的情況下，作使用ACF接合的方法外，還可使用NCF接合等其它粘接劑接合，或使用焊錫接合或合金接合等金屬接合。另外，在設(shè)置在載體基板101背面的岸面102a上，設(shè)置將載體基板101安裝在母基板上的突出電極106。這里，通過在載體基板101的背面分別裝載半導(dǎo)體芯片103a、103b，可降低載體基板101背面的線膨脹系數(shù)的差異，可降低載體基板101的撓曲。
另一方面，在半導(dǎo)體組件PK42中設(shè)置載體基板111，在載體基板111的兩個面中分別形成岸面112a、112c，同時，在載體基板111內(nèi)形成內(nèi)部配線112b。
另外，在半導(dǎo)體芯片113a～113c中分別設(shè)置電極襯墊114a～114c，各電極襯墊114a～114c露出，分別設(shè)置絕緣膜115a～115c。另外，在半導(dǎo)體芯片113a～113c中，例如對應(yīng)于各電極襯墊114a～114c的位置，分別形成貫通孔116a～116c，在貫通孔116a～116c內(nèi)，分別經(jīng)絕緣膜117a～117c和導(dǎo)電膜118a～118c，分別形成貫通電極119a～119c。
另外，形成貫通電極119a～119c的半導(dǎo)體芯片113a～113c分別經(jīng)貫通電極119a～119c層疊，分別向半導(dǎo)體芯片113a～113c之間的間隙中注入樹脂120a、120b。
另外，在形成于半導(dǎo)體芯片113a中的貫通電極119a上，設(shè)置倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片113a～113c的層疊結(jié)構(gòu)的突出電極121。另外，在設(shè)置在載體基板111上的岸面112c上接合突出電極121的同時，用密封樹脂122來密封安裝在載體基板111上的半導(dǎo)體芯片113a的表面，將半導(dǎo)體芯片113a～113c的層疊結(jié)構(gòu)安裝在載體基板111上。
另外，在設(shè)置在載體基板111背面的岸面112a上，設(shè)置將載體基板111安裝在載體基板101上的突出電極123，使載體基板111保持在半導(dǎo)體芯片103a上。
這里，突出電極123避開半導(dǎo)體芯片103a的裝載區(qū)域配置，例如可在載體基板111的周圍配置突出電極123。另外，通過使突出電極123接合在設(shè)置在載體基板101上的岸面102c上，可將載體基板111安裝在載體基板101上。
由此，可在抑制載體基板101的撓曲的同時，將半導(dǎo)體芯片111a～111c的層疊結(jié)構(gòu)安裝在半導(dǎo)體芯片103a上。
因此，可在確保載體基板101、111之間的連接可靠性的同時，層疊不同種類組件PK41、PK42，可在抑制層疊時的高度增大的同時，實現(xiàn)不同種類半導(dǎo)體芯片103a、103b、113a～113c的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，作為突出電極104a、104b、106、121、123，例如可使用由Au突塊、由焊錫材料等覆蓋的Cu突塊或Ni突塊、或焊錫球等。另外，在上述實施方式中，說明了將半導(dǎo)體芯片113a～113c的3層結(jié)構(gòu)安裝在載體基板111上的方法，但安裝在載體基板111上的半導(dǎo)體芯片的層疊結(jié)構(gòu)也可以是2層或4層以上。
圖7是表示根據(jù)實施方式6的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。另外，本實施方式6是在將半導(dǎo)體芯片203a、203b倒裝片安裝在兩個面上的載體基板201上3維安裝W-CSP(晶片等級芯片尺寸組件)。
圖7中，在半導(dǎo)體組件PK51中設(shè)置載體基板201，在載體基板201的兩個面中分別形成岸面202a、202c，同時，在載體基板201內(nèi)形成內(nèi)部配線202b。另外，在載體基板201的兩個面中分別倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片203a、203b，在半導(dǎo)體芯片203a、203b中分別設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極204a、204b。
另外，分別設(shè)置在半導(dǎo)體芯片203a、203b中的突出電極204a、204b分別經(jīng)各向異性導(dǎo)電片205a、205b分別ACF接合在岸面202c、202a上。另外，在設(shè)置在載體基板201背面的岸面202a上，設(shè)置將載體基板201安裝在母基板上的突出電極206。這里，通過在載體基板201的背面分別裝載半導(dǎo)體芯片203a、203b，可降低載體基板201背面的線膨脹系數(shù)的差異，可降低載體基板201的撓曲。
另一方面，在半導(dǎo)體組件PK52中設(shè)置載體基板211，在半導(dǎo)體芯片211中設(shè)置電極襯墊212，同時，電極襯墊212露出，設(shè)置絕緣膜213。另外，在半導(dǎo)體芯片211上，露出電極襯墊212，形成應(yīng)力緩和層214，在電極襯墊212上形成在應(yīng)力緩和層214上延伸的再配置配線215。另外，在再配置配線215上形成焊料抗蝕劑膜216，在焊料抗蝕劑膜216中形成使再配置配線215在應(yīng)力緩和層214上露出的開口部217。另外，在經(jīng)開口部217露出的再配置配線215上，設(shè)置將半導(dǎo)體芯片211面朝下安裝在載體基板201上的突出電極218，使半導(dǎo)體組件PK52保持在半導(dǎo)體芯片203a上。
這里，突出電極218避開半導(dǎo)體芯片203a的裝載區(qū)域配置，例如可在半導(dǎo)體芯片211的周圍配置突出電極218。另外，通過將突出電極218接合在設(shè)置在載體基板201上的岸面202c上，可將半導(dǎo)體組件PK52安裝在載體基板201上。
由此，可在抑制載體基板201的撓曲的同時，在將半導(dǎo)體芯片203a、203b倒裝片安裝在兩個面上的載體基板201上層疊W-CSP。因此，即使在半導(dǎo)體芯片203a、203b、211的種類或尺寸不同的情況下，也可不在半導(dǎo)體芯片203、211間插入載體基板，在半導(dǎo)體芯片203上3維安裝半導(dǎo)體芯片211，同時，可使載體基板201、211之間的連接可靠性提高，抑制3維安裝的半導(dǎo)體芯片203a、203b、211的可靠性惡化，同時，可實現(xiàn)半導(dǎo)體芯片203a、203b、211安裝時的空間節(jié)省。
另外，在將半導(dǎo)體組件PK52安裝在載體基板201上的情況下，例如可使用ACF接合或NCF接合等粘接劑接合，也可使用焊錫接合或合金接合等金屬接合。另外，作為突出電極204a、204b、206、218，例如可使用由Au突塊、焊錫材料等覆蓋的Cu突塊或Ni突塊、或焊錫球等。另外，在上述實施方式中，舉例說明了在倒裝片安裝在載體基板201上的1個半導(dǎo)體芯片203a上安裝半導(dǎo)體組件PK52的方法，但也可在倒裝片安裝在載體基板201上的多個半導(dǎo)體芯片上安裝半導(dǎo)體組件PK52。
圖8是表示根據(jù)實施方式7的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。該實施方式7是在通過ACF接合安裝半導(dǎo)體芯片323的半導(dǎo)體組件PK61上，在表面安裝堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片333a、333b的同時，層疊在背面安裝半導(dǎo)體芯片333c的半導(dǎo)體組件PK62。
圖8中，在半導(dǎo)體組件PK61中設(shè)置載體基板321，在載體基板321的兩個面中分別形成岸面322a、322c，同時，在載體基板321內(nèi)形成內(nèi)部配線322b。另外，在載體基板321的背面倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片323，在半導(dǎo)體芯片，323中設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極324。另外，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片323中的突出電極324經(jīng)各向異性導(dǎo)電片325 ACF接合在岸面322a上。另外，在設(shè)置在載體基板321背面的岸面322a上，設(shè)置將載體基板321安裝在母基板上的突出電極326。
這里，通過ACF接合將半導(dǎo)體芯片323安裝在載體基板321上，由此不必用于引線接合或模制密封的空間，可實現(xiàn)3維安裝時的空間節(jié)省，同時，可實現(xiàn)將半導(dǎo)體芯片323安裝在載體基板321上時的低溫化，可降低實際使用時載體基板321的撓曲。
另一方面，在半導(dǎo)體組件PK62中設(shè)置載體基板331，在載體基板331的兩個面中分別形成岸面322a、322c，同時，在載體基板331內(nèi)形成內(nèi)部配線332b。另外，在載體基板331經(jīng)粘接層334a面朝上安裝半導(dǎo)體芯片333a，半導(dǎo)體芯片333經(jīng)導(dǎo)電性引線335a引線接合連接在岸面332c上。并且，在半導(dǎo)體芯片333a上，避開導(dǎo)電性引線335a，面朝上安裝半導(dǎo)體芯片333b，半導(dǎo)體芯片333b經(jīng)粘接層334b固定在半導(dǎo)體芯片333a上，同時，經(jīng)導(dǎo)電性引線335b引線接合連接在岸面332c上。
另外，在載體基板331的背面，倒裝片安裝半導(dǎo)體芯片333c，在半導(dǎo)體芯片333c中，設(shè)置用于倒裝片安裝的突出電極334c。另外，設(shè)置在半導(dǎo)體芯片333c中的突出電極334c經(jīng)各向異性導(dǎo)電片325c ACF接合在岸面332a上。并且，在設(shè)置在載體基板331背面的岸面332a上，設(shè)置將載體基板331安裝在載體基板321上的突出電極336。另外，通過使突出電極336接合在設(shè)置在載體基板321上的岸面322c上，可將載體基板31安裝在載體基板321上。
這里，通過在載體基板301的表面裝載半導(dǎo)體芯片333a、333b，同時，在載體基板331的背面裝載半導(dǎo)體芯片333c，可降低載體基板331背面的線膨脹系數(shù)的差異，可降低載體基板331的撓曲。
因此，可在抑制載體基板331的撓曲的同時，在半導(dǎo)體芯片323上層疊包裝不同的半導(dǎo)體芯片333a～333c。結(jié)果，在確保載體基板321、331之間的連接可靠性的同時，可層疊不同種類組件PK61、PK62，可實現(xiàn)不同種類的半導(dǎo)體芯片323、333a～333c的3維安裝結(jié)構(gòu)。
另外，用密封樹脂337來密封半導(dǎo)體芯片333a、333b，密封樹脂337例如通過使用環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂的模制成形等來形成。
另外，在上述實施方式中，說明了在載體基板的兩個面中裝載半導(dǎo)體芯片的方法，但也可在載體基板的一個面中裝載半導(dǎo)體芯片，在載體基板的另一個面中裝載偽芯片。由此，作為偽芯片，除半導(dǎo)體類材料外，可使用金屬類材料、陶瓷類材料或樹脂類材料等，對可裝載在載體基板上的材料沒有限制，所以可精密控制載體基板的撓曲狀態(tài)。
另外，上述半導(dǎo)體裝置和電子零件例如可適用于液晶顯示裝置、便攜電話、便攜信息終端、視頻攝像機、數(shù)碼相機、MD(Mini Disc)播放器等電子儀器中，可實現(xiàn)電子儀器的小型、輕量化，同時，可提高電子儀器的可靠性。
另外，在上述實施方式中，舉例說明了安裝半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體組件的方法，但本發(fā)明不一定限于安裝半導(dǎo)體芯片或半導(dǎo)體組件的方法，例如也可安裝彈性表面波(SAW)元件等陶瓷元件、光調(diào)制器或光開關(guān)等光學(xué)元件、磁傳感器或生物傳感器等各種傳感器類等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備第1載體基板；面朝下安裝在所述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；面朝下安裝在所述第1載體基板背面的第2半導(dǎo)體芯片；第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第3半導(dǎo)體芯片；和突出電極，以連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，將所述第2載體基板固定在第1載體基板上，以跨在所述第1半導(dǎo)體芯片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備密封所述第3半導(dǎo)體芯片的密封件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述密封件是模制樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述密封件的側(cè)壁與所述第2載體基板的側(cè)壁位置一致。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任意1項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第1半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片通過壓接接合連接于所述第1載體基板上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任意1項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含所述第1載體基板的半導(dǎo)體裝置與包含所述第2載體基板的半導(dǎo)體裝置在相等溫度下的彈性系數(shù)不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任意1項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，裝載所述第1半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片的第1載體基板是倒裝片安裝的球狀柵格陣列，裝載所述第3半導(dǎo)體芯片的第2載體基板是模制密封的球狀柵格陣列或芯片尺寸組件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中的任意1項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第3半導(dǎo)體芯片包含層疊多個芯片的結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中的任意1項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第3半導(dǎo)體芯片包含將多個芯片并列配置在第2載體基板上的結(jié)構(gòu)。
11.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備第1載體基板；面朝下安裝在所述第1載體基板表面和背面至少其中的任一方面上的第1半導(dǎo)體芯片；第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第2半導(dǎo)體芯片；裝載在所述第2載體基板背面的第3半導(dǎo)體芯片；和連接所述第2載體基板與所述第1載體基板的突出電極。
12.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備載體基板；面朝下安裝在所述載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；面朝下安裝在所述第1載體基板的背面的第2半導(dǎo)體芯片；在電極襯墊的形成面上形成再配置配線層的第3半導(dǎo)體芯片；和突出電極，以連接所述第3半導(dǎo)體芯片與所述載體基板，使所述第3半導(dǎo)體芯片保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上。
13.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備第1載體基板；裝載在所述第1載體基板上的第1電子零件；裝載在所述第1載體基板的背面的第2電子零件；第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第3電子零件；突出電極，以連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1電子零件上；和密封所述第3電子零件的密封件。
14.一種電子儀器，其特征在于，具備第1載體基板；裝載在所述第1載體基板上的第1半導(dǎo)體芯片；裝載在所述第1載體基板的背面的第2半導(dǎo)體芯片；第2載體基板；裝載在所述第2載體基板上的第3半導(dǎo)體芯片；突出電極，以連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上；密封所述第3半導(dǎo)體芯片的密封件；和安裝所述第1載體基板的母基板。
15.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備將第1半導(dǎo)體芯片面朝下安裝在第1載體基板上的工序；將第2半導(dǎo)體芯片面朝下安裝在所述第1載體基板的背面的工序；將第3半導(dǎo)體芯片安裝在第2載體基板上的工序；在所述第2載體基板上形成突出電極的工序；用密封樹脂密封安裝在所述第2載體基板上的第3半導(dǎo)體芯片的工序；和經(jīng)所述突出電極來連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1半導(dǎo)體芯片上的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，由所述密封樹脂密封所述第3半導(dǎo)體芯片的工序具備由密封樹脂一體模制成形安裝在所述第2載體基板上的多個第3半導(dǎo)體芯片的工序；和對每個所述第3半導(dǎo)體芯片切斷通過所述密封樹脂模制成形的所述第2載體基板的工序。
17.一種電子設(shè)備的制造方法，其特征在于，具備將第1電子零件面朝下安裝在第1載體基板上的工序；將第2電子零件面朝下安裝在所述第1載體基板的背面的工序；將第3電子零件安裝在第2載體基板上的工序；在所述第2載體基板上形成突出電極的工序；用密封樹脂密封安裝在所述第2載體基板上的第3電子零件的工序；和經(jīng)所述突出電極來連接所述第2載體基板與所述第1載體基板，使所述第2載體基板保持在所述第1電子零件上的工序。
全文摘要
可在抑制載體基板的撓曲的同時，實現(xiàn)不同種類芯片的3維安裝結(jié)構(gòu)。在通過ACF接合雙面安裝半導(dǎo)體芯片23a、23b的半導(dǎo)體組件PK11上，層疊引線接合連接堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片33a、33b的半導(dǎo)體組件PK12。
文檔編號H01L25/065GK1531090SQ200410039730
公開日2004年9月22日 申請日期2004年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月18日
發(fā)明者青 哲理, 青栁哲理 申請人:精工愛普生株式會社