專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管的制造方法，尤其涉及包括在金屬催化劑上通過(guò)選擇性輻照激光束晶化金屬催化劑的步驟，從而在使用超晶粒硅方法的晶化過(guò)程中擴(kuò)散金屬催化劑的薄膜晶體管制造方法。
背景技術(shù)：
通常，對(duì)薄膜晶體管來(lái)說(shuō)，多晶硅層用于各種目的的半導(dǎo)體層，因?yàn)槎嗑Ч鑼泳哂腥缦聝?yōu)點(diǎn)它具有高電場(chǎng)效應(yīng)遷移率，它被應(yīng)用到高速工作的電路，且它使人們能構(gòu)建CMOS電路。采用多晶硅層的薄膜晶體管通常被用在有源矩陣液晶顯示器(AMLCD)的有源元件和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)中的開(kāi)關(guān)元件和驅(qū)動(dòng)元件。
用在薄膜晶體管中的多晶硅層由直接淀積、高溫?zé)嵬嘶鸹蚣す馔嘶饋?lái)制造。在激光退火的情況下，盡管激光退火是在低溫下進(jìn)行的并且通過(guò)激光退火獲得了高電場(chǎng)效應(yīng)遷移率，但因?yàn)樾枰嘿F的激光設(shè)備，所以正在研究許多可替代的技術(shù)。
目前，研究的最多的是一種使用金屬晶化非晶硅的方法，因?yàn)檫@種方法與固相結(jié)晶相比具有在更低的溫度下迅速晶化非晶硅的優(yōu)點(diǎn)。使用金屬的晶化法分為金屬誘導(dǎo)晶化法和金屬誘導(dǎo)橫向晶化法。但是，采用金屬晶化法也具有因金屬污染導(dǎo)致用于薄膜晶體管的元件特性劣化的問(wèn)題。
另一方面，人們開(kāi)發(fā)出了一種技術(shù)和一種作為金屬誘導(dǎo)晶化方法的方法以減少金屬的量和形成質(zhì)量良好的多晶硅層，這種技術(shù)通過(guò)離子注入機(jī)控制離子濃度，由此進(jìn)行高溫退火、快速退火或激光輻照，從而形成質(zhì)量良好的多晶硅層；這種方法在淀積一薄膜之后通過(guò)熱退火工藝晶化該薄膜，其中通過(guò)在多晶硅層上旋涂粘性有機(jī)膜和液相金屬淀積該薄膜以平坦化多晶硅層的表面。然而，即使在這種晶化方法中，多晶硅層中最重要的晶粒尺寸的比例增大和晶粒的均勻性各方面，都存在問(wèn)題。
為了解決上述問(wèn)題，作為一種使用覆蓋層的晶化方法，開(kāi)發(fā)出了一種用于制造多晶硅層的方法，如韓國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)公告No.2003-0060403所揭示的。這種方法在襯底上形成非晶硅層和在非晶硅層上形成帽蓋層之后，在帽蓋層上通過(guò)淀積金屬催化劑層形成籽晶，采用熱退火或者激光退火通過(guò)帽蓋層將金屬催化劑擴(kuò)散進(jìn)非晶硅層，之后采用籽晶獲得一多晶硅層。由于金屬催化劑是通過(guò)覆蓋層擴(kuò)散的，因而上述的方法具有避免出現(xiàn)要求水平或更多金屬污染的優(yōu)點(diǎn)。然而，上述的方法也存在難以均勻控制金屬催化劑的低濃度和控制晶化的起始位置、生長(zhǎng)方向和晶粒尺寸的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，為了解決現(xiàn)有技術(shù)的上述問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種薄膜晶體管的制造方法，通過(guò)激光束選性擇輻照形成籽晶和在晶化中使用超晶粒硅方法晶化籽晶，從而控制晶粒尺寸以及結(jié)晶生長(zhǎng)方向和位置，來(lái)提高器件性能和獲得器件的均勻性。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種制造薄膜晶體管的方法，包括在襯底上形成非晶硅的步驟；在非晶硅上形成帽蓋層的步驟；在帽蓋層上形成金屬催化劑層的步驟；在金屬催化劑層上通過(guò)選擇性地輻照激光束擴(kuò)散金屬催化劑的步驟；和晶化非晶硅層的步驟。
此外，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制造方法，包括在襯底上形成非晶硅層的步驟；在非晶硅層上形成帽蓋層的步驟；在帽蓋層上形成金屬催化劑層的步驟；在金屬催化劑層上形成金屬催化劑保護(hù)層的步驟；在金屬催化劑保護(hù)層上通過(guò)選擇性地輻照激光束擴(kuò)散金屬催化劑的步驟；和晶化非晶硅層的步驟。
激光束是點(diǎn)式(dot type)激光束或線(xiàn)式(line type)激光束，并且如果激光束是點(diǎn)式激光束則它以圓形、三角形、矩形、梯形或者菱形截面形狀形成。此外，激光束通過(guò)已構(gòu)圖的掩模輻照。
非晶硅層的晶化通過(guò)熱退火進(jìn)行。
金屬催化劑保護(hù)層由可以和帽蓋層同時(shí)被蝕刻掉的氮化硅膜或氧化硅膜所形成。


本發(fā)明的上述和其它特點(diǎn)以及優(yōu)點(diǎn)通過(guò)參考附圖的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述將對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員變得更顯而易見(jiàn)，其中圖1A到圖1E是解釋根據(jù)本發(fā)明的第一和第二優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的工藝流程圖；圖2是解釋根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的橫截面結(jié)構(gòu)圖；圖3是解釋根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的橫截面結(jié)構(gòu)圖；圖4是解釋根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的橫截面結(jié)構(gòu)圖；附圖標(biāo)記說(shuō)明100襯底110緩沖層 120非晶硅層130帽蓋層 140金屬催化劑 150籽晶160、170、180、260、360、460激光束125多晶硅層190半導(dǎo)體層圖案195柵極絕緣膜 196柵極265、465已構(gòu)圖掩模 345金屬催化劑保護(hù)層具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例并參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。作為參考，相同的參考字符在各視圖中均指代相應(yīng)的部分。
在本發(fā)明中采用超晶粒硅方法晶化非晶硅層，其中超晶粒硅方法是這樣一種晶化方法通過(guò)選擇性擴(kuò)散金屬催化劑形成籽晶并晶化非晶硅層，從而能夠控制晶粒尺寸和晶體生長(zhǎng)位置和方向。
圖1A到圖1E是解釋根據(jù)本發(fā)明的第一和第二優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的工藝流程圖，其中圖1A是解釋根據(jù)本發(fā)明的第一和第二優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的橫截面結(jié)構(gòu)圖。
參考圖1A，緩沖層110形成在襯底100上。諸如玻璃的絕緣襯底被用作襯底100，緩沖層110起到保護(hù)在后續(xù)工序中形成的半導(dǎo)體層免受襯底100釋放的雜質(zhì)影響的作用。緩沖層110優(yōu)選由氧化硅膜形成。
非晶硅層120形成于襯底上形成的整個(gè)緩沖層110之上，其中非晶硅層120可由化學(xué)氣相淀積形成。
帽蓋層130形成于非晶硅層120之上。帽蓋層130可以由氮化硅膜或者氧化硅膜所構(gòu)成并且通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積形成。
帽蓋層130以如此的方式形成，后面提到的金屬催化劑擴(kuò)散進(jìn)入本帽蓋層，其中優(yōu)選帽蓋層厚度是5-2000。帽蓋層厚度優(yōu)選為5-2000，因?yàn)槿绻鄙w層的厚度為5或更小很難控制金屬催化劑的低濃度，同時(shí)如果帽蓋層的厚度為2000或更大很難擴(kuò)散金屬催化劑。此外，由于氧化物膜或氮化物膜通常在雜質(zhì)擴(kuò)散時(shí)起阻擋層的作用，因此可以通過(guò)降低氧化硅膜或氮化硅膜的密度很容易的擴(kuò)散金屬催化劑。
隨后，一層金屬催化劑140形成在帽蓋層130上，其中鎳被用作金屬催化劑140，并且金屬催化劑層可以通過(guò)濺射淀積在帽蓋層上。另外，金屬催化劑層可以用離子注入法和等離子體法淀積在帽蓋層上，其中金屬催化劑層可以采用通過(guò)在帽蓋層130上布置金屬材料和將布置在帽蓋層上的金屬材料暴露給等離子體的等離子法在帽蓋層上淀積。
通過(guò)這些方法形成的金屬催化劑140層的優(yōu)選厚度是2或更小。金屬催化劑不是稀疏地淀積在帽蓋層上，而是密密地淀積在帽蓋層上來(lái)控制金屬催化劑的低濃度，其中如果金屬催化劑層形成的厚度是2或更大，由于金屬催化劑的濃度增大則難以控制金屬催化劑的低濃度，因?yàn)楣柚薪饘俅呋瘎┑臐舛仍龃髣t增大了晶體管的漏電流，并且隨后提到的多晶硅層晶粒的尺寸減小了。
通過(guò)在金屬催化劑140層上輻照激光束160，金屬催化劑140擴(kuò)散入非晶硅層120，其中通過(guò)選擇金屬催化劑140的擴(kuò)散范圍，激光束輻照在選定的金屬催化劑的擴(kuò)散范圍上，以使后面提及的籽晶150形成在所期望的部位。
通過(guò)在金屬催化劑層上選擇性地輻照激光束，金屬催化劑140穿過(guò)帽蓋層130擴(kuò)散進(jìn)入非晶硅層120。擴(kuò)散的金屬催化劑140在非晶硅層120中形成籽晶150。籽晶150是指金屬催化劑與硅接觸時(shí)形成的金屬硅化物。隨后描述的晶化過(guò)程就是從籽晶150開(kāi)始的，其中通常擴(kuò)散大約1/100的金屬催化劑以形成籽晶。
如上所述，在本發(fā)明中，利用形成各種形狀的將被輻照的激光束，通過(guò)向金屬催化劑上選擇性地輻照激光束，金屬催化劑得以擴(kuò)散。
圖1B是說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的在圖1A所示橫截面處的透視圖。
參考圖1B，通過(guò)在金屬催化劑140的層上選擇性地輻照激光束170，金屬催化劑140穿過(guò)帽蓋層130擴(kuò)散到非晶硅層120中。
可以看到激光束170是點(diǎn)式激光束，并且輻照區(qū)域局限于局部選定的區(qū)域。
隨著在襯底100的Y-軸方向移動(dòng)某一激光裝置，在金屬催化劑層上選擇性地輻照激光束170之后，通過(guò)沿襯底100上的X-軸方向移動(dòng)激光裝置來(lái)選擇其上將輻照激光束的區(qū)域。隨著在襯底100的Y-軸方向移動(dòng)激光裝置，在金屬催化劑層上選擇性地輻照激光束170之后，通過(guò)沿襯底100上X-軸方向移動(dòng)激光裝置來(lái)再次選擇其上將輻照激光束的區(qū)域。重復(fù)上述過(guò)程，激光束170輻照到金屬催化劑層上，使得金屬催化劑140擴(kuò)散進(jìn)入非晶硅層所期望的部位以形成籽晶150。
雖然在圖1B中示出的點(diǎn)式激光束具有矩形的橫截面形狀，也可以使用具有圓形、三角形、梯形或菱形的橫截面形狀的點(diǎn)式激光束。另外，可以使用具有其它橫截面形狀的點(diǎn)式激光束。
圖1C是說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的在圖1A所示橫截面處的透視圖。
參考圖1C，通過(guò)向金屬催化劑140上選擇性地輻照激光束180，金屬催化劑140穿過(guò)帽蓋層130擴(kuò)散進(jìn)非晶硅層120。
可以看到激光束180是線(xiàn)式激光束，并且輻照的區(qū)域局限于被選擇的線(xiàn)形區(qū)域。
在金屬催化劑140上選擇性地輻照線(xiàn)式激光束180以后通過(guò)沿襯底100上的X-軸方向移動(dòng)一激光裝置來(lái)選擇其上將輻照激光束的區(qū)域。在金屬催化劑層上輻照線(xiàn)式激光束180以后通過(guò)沿襯底100上的X-軸方向移動(dòng)激光裝置，再次選擇其上將輻照激光束的區(qū)域。重復(fù)上述過(guò)程，在金屬催化劑層上輻照激光束，使得金屬催化劑140擴(kuò)散進(jìn)入非晶硅層所期望的部位以形成籽晶150。
雖然圖1C中所舉的線(xiàn)式激光束180的例子能夠一次輻照襯底的一個(gè)Y-軸方向區(qū)域，但是在不能一次輻照到襯底的Y-軸區(qū)域的情形中，可以使用如圖1B中所示的方法，在這種方法中，隨著在襯底100的Y-軸方向移動(dòng)某一激光裝置，在金屬催化劑層180上選擇性地輻照線(xiàn)式激光束180之后，通過(guò)在襯底100的X-軸方向移動(dòng)激光裝置來(lái)選擇其上將輻照激光束的區(qū)域。
參考圖1D，通過(guò)晶化包括擴(kuò)散形成的籽晶150的非晶硅層120形成多晶硅層125。通過(guò)熱退火來(lái)完成晶化，并且熱退火可以在一個(gè)爐子里通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間加熱非晶硅層來(lái)完成，其中可在400到1000℃下執(zhí)行熱退火，優(yōu)選在550到600℃的溫度范圍內(nèi)。如果熱退火在上述的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行，多晶硅層由籽晶150生長(zhǎng)至側(cè)面并與相鄰晶粒相接觸，使得多晶硅層隨著晶粒邊界的形成被完全晶化。通過(guò)超晶粒硅方法晶化的多晶硅層125，可以生長(zhǎng)到3到400μm的晶粒尺寸。因此，即使在作為溝道形成部分的晶粒內(nèi)部也形成了結(jié)晶度良好的部分，溝道形成部分用于形成溝道層，將在后面介紹。
如上所述，在本發(fā)明中，可以通過(guò)選擇金屬催化劑的擴(kuò)散區(qū)域和在被選擇的金屬催化劑擴(kuò)散區(qū)域上輻照激光束來(lái)控制多晶硅層的晶粒尺寸和晶體生長(zhǎng)位置和方向。此外，如果溝道層在如上所述的具有良好結(jié)晶度的部分中形成，薄膜晶體管的器件特性將被提高并且相應(yīng)地獲得器件的均勻性。
參考圖1E，在使用超晶粒硅方法晶化非晶硅層120之后，通過(guò)刻蝕除去帽蓋層130和金屬催化劑140層。通過(guò)除去上述結(jié)構(gòu)，防止了被晶化的多晶硅層125上產(chǎn)生規(guī)定水平或更多的金屬污染。
接著，源極/漏極區(qū)190S、190D和溝道層190C通過(guò)對(duì)多晶硅層125構(gòu)圖和進(jìn)行離子注入過(guò)程來(lái)形成。即，形成半導(dǎo)體層圖案190。
在半導(dǎo)體層圖案190上形成柵極絕緣膜195后，金屬層和光致抗蝕劑層相繼設(shè)置在柵極絕緣膜195上。通過(guò)構(gòu)圖光致抗蝕劑層和用已構(gòu)圖的光致抗蝕劑層為掩模蝕刻金屬層形成柵極196。通過(guò)采用所得材料來(lái)制成薄膜晶體管。
圖2是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的橫截面結(jié)構(gòu)圖。
參考圖2，緩沖層110、非晶硅層120、帽蓋層130和金屬催化劑140層相繼形成在襯底100上。
激光束260輻照在金屬催化劑140層上，使得金屬催化劑140擴(kuò)散進(jìn)非晶硅層120，其中激光束260通過(guò)已構(gòu)圖的掩模265輻照在金屬催化劑140層上，以使籽晶150形成在所期望的部位。
本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)由于使用了已構(gòu)圖掩模265，由此選擇了更大的區(qū)域，使得激光束以不同于第一和第二優(yōu)選實(shí)施例的方式輻照在所選擇的區(qū)域上，從而減少了工藝時(shí)間。
除去上面提及的描述，根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法與根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法是一樣的。
圖3是解釋根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的橫截面結(jié)構(gòu)圖。
參考圖3，緩沖層110、非晶硅層120、帽蓋層130和金屬催化劑140層相繼設(shè)置在襯底100上。
在本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例里，金屬催化劑保護(hù)層345形成在金屬催化劑140層上。
激光束360輻照在金屬催化劑140層上以進(jìn)行擴(kuò)散工藝，其中，在金屬催化劑層上沒(méi)有形成保護(hù)層的情況下，激光束直接輻照在金屬催化劑140層上，由于激光束輻照區(qū)暴露在外部，使能量損失增加。此外，由于沒(méi)有保護(hù)金屬催化劑，金屬催化劑的低濃度將難以均勻控制，由于激光束直接輻照在金屬催化劑上它被汽化。因此，通過(guò)在金屬催化劑層上形成金屬催化劑保護(hù)層345和向金屬催化劑保護(hù)層345上輻照激光束360，本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例可以均勻地控制金屬催化劑的低濃度。
金屬催化劑保護(hù)層345可以由氮化硅膜或氧化硅膜來(lái)形成。此外，由于在形成多晶硅膜層以后，金屬催化劑保護(hù)層345被除去，優(yōu)選使用能夠與帽蓋層同時(shí)被刻蝕掉的膜。
除去上面所提及的描述，根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法和根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法是一樣的。
圖4是解釋根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法的橫截面結(jié)構(gòu)圖。
參考圖4，緩沖層110、非晶硅層120、帽蓋層130、金屬催化劑140層和金屬催化劑保護(hù)層345相繼設(shè)置在襯底100上。
激光束460輻照在金屬催化劑保護(hù)層345上，使得金屬催化劑140擴(kuò)散進(jìn)入非晶硅層120，其中激光束460通過(guò)已構(gòu)圖的掩模465輻照在金屬催化劑保護(hù)層345上，使得籽晶150形成在所期望的部位。
除去上面所提及的描述，根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法和根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法是一樣的。
如上所述，本發(fā)明具有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，即其提供了一種薄膜晶體管的制造方法，在這種方法中，通過(guò)選擇性輻照激光束且在晶化非晶硅層過(guò)程中使用超晶粒硅方法控制晶粒的尺寸及晶體生長(zhǎng)位置和方向，使均勻控制金屬催化劑的低濃度擴(kuò)散成為可能，從而改進(jìn)了器件特性并獲得了器件的均勻性。
雖然已經(jīng)參考其優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)地展示并描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，是可以做出前述和其它形式及細(xì)節(jié)上的變化的。
此申請(qǐng)要求2004年8月20日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2004-66090的權(quán)益，在此引用其全部公開(kāi)內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制造方法，其包括在襯底上形成非晶硅層的步驟；在所述非晶硅層上形成帽蓋層的步驟；在所述帽蓋層上形成金屬催化劑層的步驟；通過(guò)在所述金屬催化劑層上選擇性地輻照激光束擴(kuò)散金屬催化劑的步驟；和晶化所述非晶硅層的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述激光束是點(diǎn)式激光束。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述點(diǎn)式激光束以圓形、三角形、矩形、梯形或菱形形狀形成。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述激光束是線(xiàn)式激光束。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述激光束通過(guò)已構(gòu)圖的掩模輻照。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述帽蓋層由氮化硅膜或氧化硅膜形成。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述金屬催化劑是鎳。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述金屬催化劑層具有2?；蚋〉暮穸?。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述非晶硅層的晶化通過(guò)熱退火進(jìn)行。
10.一種薄膜晶體管的制造方法，其包括在襯底上形成非晶硅層的步驟；在所述非晶硅層上形成帽蓋層的步驟；在所述帽蓋層上形成金屬催化劑層的步驟；在所述金屬催化劑層上形成金屬催化劑保護(hù)層的步驟；通過(guò)在所述金屬催化劑保護(hù)層上選擇性地輻照激光束擴(kuò)散金屬催化劑的步驟；和晶化所述非晶硅層的步驟。
11.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述激光束是點(diǎn)式激光束。
12.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述點(diǎn)式激光束以圓形、三角形、矩形、梯形或菱形形狀形成。
13.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述激光束是線(xiàn)式激光束。
14.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述激光束通過(guò)已構(gòu)圖的掩模輻照。
15.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述帽蓋層由氮化硅膜或氧化硅膜形成。
16.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述金屬催化劑是鎳。
17.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述金屬催化劑層具有2?；蚋〉暮穸取?br> 18.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述非晶硅層的晶化通過(guò)熱退火進(jìn)行。
19.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述金屬催化劑保護(hù)層由氮化硅膜或氧化硅膜形成。
20.如權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制造方法，其中所述金屬催化劑保護(hù)層由可與帽蓋層同時(shí)被蝕刻的膜形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造薄膜晶體管的方法，包括在襯底上形成非晶硅層的步驟，在非晶硅層上形成帽蓋層的步驟，在帽蓋層上形成金屬催化劑層的步驟，在金屬催化劑層上經(jīng)選擇性輻照激光束擴(kuò)散金屬催化劑的步驟，晶化非晶硅層的步驟。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)提供了一種制造薄膜晶體管的方法，其中該薄膜晶體管的制造方法通過(guò)利用選擇性輻照激光束均勻控制低濃度催化劑的擴(kuò)散以及利用超晶粒硅(super grain silicon)方法在非晶硅層晶化過(guò)程中控制晶粒尺寸和晶體生長(zhǎng)位置和方向，從而改進(jìn)了器件的性能并獲得了器件的均勻性。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1738011SQ200410075870
公開(kāi)日2006年2月22日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月20日
發(fā)明者樸炳建, 徐晉旭, 梁泰勛, 李基龍 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社