專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造裝置。
背景技術(shù)：
人們已知，通過樹脂固定布線基板和半導(dǎo)體芯片。而且通過使樹脂達(dá)到半導(dǎo)體芯片側(cè)面而形成，可以提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。此時，如果能控制配置于半導(dǎo)體芯片側(cè)面的樹脂大小，則可以將半導(dǎo)體裝置形成為規(guī)定大小，從而能制造出安裝性良好的半導(dǎo)體裝置。
特開2000-174039號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種可靠性和安裝性良好的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造裝置。
(1)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法包括將具有凹部的焊頭以在所述凹部內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)朝向布線基板壓下，由所述凹部的底面擠壓所述半導(dǎo)體芯片，使設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片和所述布線基板之間的樹脂流動，而向所述凹部內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)方空間填充所述樹脂的工序；和使所述樹脂硬化的工序。根據(jù)該發(fā)明，以達(dá)到半導(dǎo)體芯片的側(cè)方的方式形成樹脂部。因此，能夠牢固粘接布線基板與半導(dǎo)體芯片。另外，根據(jù)本發(fā)明，通過焊頭的凹部，能夠控制樹脂部的形狀。因此，能夠按設(shè)計的大小制造半導(dǎo)體裝置。即，根據(jù)該發(fā)明，可以制造一種可靠性和安裝性良好的半導(dǎo)體裝置。
(2)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以使所述焊頭的所述凹部周圍部分與所述布線基板呈非接觸。據(jù)此，由于可以將樹脂排出到焊頭的凹部外，因此即使過剩設(shè)置樹脂的情況下，也能按設(shè)計的大小制造半導(dǎo)體裝置。
(3)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以在所述焊頭的所述凹部的所述底面上形成凸部，由所述凸部的突出面擠壓所述半導(dǎo)體芯片，而向所述凹部內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片以及所述凸部的側(cè)方空間填充所述樹脂。
(4)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以一邊加熱所述樹脂、一邊進(jìn)行使所述樹脂流動的工序。由此，可以很容易地在焊頭凹部內(nèi)填充樹脂，從而能提高半導(dǎo)體裝置的制造效率。
(5)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，所述樹脂可以是熱硬化性樹脂。
(6)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以在所述半導(dǎo)體芯片及所述樹脂、和所述焊頭之間，夾隔設(shè)有用于防止所述樹脂附著的薄片。由此，可以防止樹脂附著在焊頭上，從而能連續(xù)利用一個焊頭，提高半導(dǎo)體裝置的制造效率。
(7)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，可以在壓下了所述焊頭的狀態(tài)下進(jìn)行使所述樹脂硬化的工序。由此，可以按設(shè)計的外形制造半導(dǎo)體裝置，從而能制造可靠性和安裝性良好的半導(dǎo)體裝置。
(8)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，通過上述的方法制造。
(9)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，包括具有凹部的焊頭、和使所述焊頭上下移動的驅(qū)動器；并且，以將半導(dǎo)體芯片配置于所述凹部內(nèi)的狀態(tài)，由所述驅(qū)動器將所述焊頭朝向布線基板壓下，由所述凹部的底面擠壓所述半導(dǎo)體芯片，使設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片和所述布線基板之間的樹脂流動，而向所述凹部內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)方空間填充所述樹脂。根據(jù)本發(fā)明，能以到達(dá)半導(dǎo)體芯片側(cè)方的方式形成樹脂部。因此能夠牢固地粘接布線基板和半導(dǎo)體芯片。另外，根據(jù)該發(fā)明，可以通過焊頭凹部，控制樹脂部形狀。因此能夠按設(shè)計的大小制造半導(dǎo)體裝置。即根據(jù)本發(fā)明，能制造可靠性和安裝性良好的半導(dǎo)體裝置。
(10)在該半導(dǎo)體裝置的制造裝置中，可以所述驅(qū)動器，以所述凹部周圍部分與所述布線基板呈非接觸的方式，驅(qū)動所述焊頭。由此，由于可以將樹脂排出到焊頭的凹部外，因此即使過剩設(shè)置樹脂，也能按設(shè)計的大小制造半導(dǎo)體裝置。
(11)在該半導(dǎo)體裝置的制造裝置中，可以在所述焊頭的所述凹部的所述底面上形成凸部，由所述凸部的突出面擠壓所述半導(dǎo)體芯片，而向所述凹部內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片及所述凸部的側(cè)方空間填充所述樹脂。
(12)在該半導(dǎo)體裝置的制造裝置可以還具備加熱器。
(13)在該半導(dǎo)體裝置的制造裝置中，可以還包括夾隔設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片以及所述樹脂、和所述焊頭之間的用于防止所述樹脂附著的薄片。由此，可以防止樹脂附著在焊頭上，從而能連續(xù)利用一個焊頭，提高半導(dǎo)體裝置的制造效率。


圖1是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖2是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖3是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖4是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖5是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖6是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖7是表示已安裝適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電路基板的圖。
圖8是表示具備適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的圖。
圖9是表示具備適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的圖。
圖10是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖11是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖12是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖13是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
圖中10-焊頭(bonding tool)，12-凹部，13-凹部的周圍部分，14-底面，20-半導(dǎo)體芯片，30-布線基板，40-樹脂，41-樹脂部，50-驅(qū)動器，52-加熱器，54-薄板，56-支撐臺，60-焊頭，62-凹部，64-凸部，65-突出部，70-樹脂部。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖，說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式。但是本發(fā)明并不限定在以下實(shí)施方式。
圖1～圖6是用于說明適用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括以下工序，即，將具有凹部12的焊頭10以在所述凹部12內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片20的狀態(tài)朝向布線基板30壓下，由所述凹部12的底面14擠壓所述半導(dǎo)體芯片20，使設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片20和所述布線基板30之間的樹脂40流動，而向所述凹部12內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片20的側(cè)方空間填充所述樹脂40(參照圖4)。下面，說明該工序。
本工序還可以包括準(zhǔn)備布線基板30的工序(參照圖1)。布線基板30的材料沒有特殊限定，可以由有機(jī)系(例如環(huán)氧樹脂基板)、無機(jī)系(例如陶瓷基板、玻璃基板)、或者它們的復(fù)合結(jié)構(gòu)(例如玻璃環(huán)氧樹脂基板)構(gòu)成。布線基板30可以是剛性基板，此時也可以稱為插入物(interposer)?；蛘撸季€基板30也可以是聚酯基板或者聚酰亞胺基板等柔性基板。另外，布線基板30也可以是COF(Chip On Film)用基板。布線基板30可以是由單一層構(gòu)成的單層基板，也可以是由多個層通過疊層構(gòu)成的疊層基板。而且，對于布線基板30的形狀和厚度，也沒有什么特殊限定。
布線基板30具備布線圖形32(參照圖1)。布線圖形32可以通過對銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈦鎢(Ti-W)、金(Au)、鋁(Al)、鎳釩(NiV)、鎢(W)中的任意物質(zhì)的疊層形成，或者可以通過其中任意一層形成。布線圖形32能以將布線基板30的一方的面與另一方的面進(jìn)行電連接的方式形成。例如，如圖1所示，布線圖形32可以具備墊片33、35。此時，墊片33是設(shè)在布線基板30的一方的面上的墊片，而墊片35是設(shè)在布線基板30的另一方的面上的墊片。而且，通過將墊片33和墊片35進(jìn)行電連接，使布線基板30的兩個面進(jìn)行電連接。另外，此時，可以包括墊片33、35，稱為布線圖形32。在作為布線基板30準(zhǔn)備疊層基板的情況下，布線圖形32可以設(shè)在各層之間。另外，對于布線圖形32的形成方法，也沒有特殊限定。例如，可以通過濺射等方法形成布線圖形32，也可以適用由非電鍍形成布線圖形32的添加法。布線圖形32可以鍍上軟釬料、錫、金、鎳等。
本工序還可以包括，在布線基板30上設(shè)置樹脂40的工序(參照圖1)。樹脂40可以設(shè)置成薄膜狀，也可以設(shè)置成糊狀。另外，樹脂40的材料沒有特別限定。如圖1所示，作為樹脂40，可以利用含有導(dǎo)電粒子42的各向異性導(dǎo)電薄膜(ACF)。但與此不同，也可以利用含有導(dǎo)電粒子各向異性導(dǎo)電糊(ACP)、或不含有導(dǎo)電粒子的樹脂(NCF或者NCP)(圖中未示出)。
本工序還可以包括，在布線基板30上搭載半導(dǎo)體芯片20的步驟(參照圖1)。此時，半導(dǎo)體芯片20可以從樹脂40上方進(jìn)行搭載。半導(dǎo)體芯片20具備電極22。電極22可以與半導(dǎo)體芯片20的內(nèi)部進(jìn)行電連接。半導(dǎo)體芯片20可以具備由晶體管或者存儲元件等構(gòu)成的集成電路24，且電極22也可以與集成電路24進(jìn)行電連接。如圖1所示，可以以使電極22與布線基板30(墊片33)對向的方式搭載半導(dǎo)體芯片20。
本工序，如圖2所示，還可以包括準(zhǔn)備具有凹部12的焊頭10的工序。本工序還可以包括，如圖3所示，將焊頭10以在凹部12內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片20的方式進(jìn)行對正的步驟。并且，將焊頭10以在凹部12內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片20的狀態(tài)朝向布線基板30壓下。從而，由焊頭10的凹部12的底面14擠壓半導(dǎo)體芯片20，使設(shè)在半導(dǎo)體芯片20和布線基板30之間的樹脂40流動。結(jié)果如圖4所示，向凹部12內(nèi)的半導(dǎo)體芯片20的側(cè)方空間填充樹脂40。更詳細(xì)的說，樹脂40被半導(dǎo)體芯片20壓下而向外方向擴(kuò)大，但由于被焊頭10的凹部12限制了其擴(kuò)大，因此填充在凹部12內(nèi)。由此，樹脂40填充至凹部12內(nèi)的半導(dǎo)體芯片20的側(cè)方空間?？梢酝ㄟ^驅(qū)動器50，驅(qū)動焊頭10。
本工序可以在加熱樹脂40的同時進(jìn)行。一般來說，溫度提高，樹脂的流動性也提高。因此，加熱樹脂40的同時進(jìn)行本工序，則樹脂40就會容易流動，從而可以容易地向凹部12內(nèi)的半導(dǎo)體芯片20的側(cè)方空間填充樹脂40。由此，可提高半導(dǎo)體裝置的制造效率。如圖3以及4所示，可以通過用加熱器52對焊頭10加熱，間接地加熱樹脂40。但可以與此不同，直接加熱樹脂40。
在本工序中，如圖3以及4所示，也可以在半導(dǎo)體芯片20以及樹脂40、和焊頭10之間，夾隔設(shè)置薄片54。薄片54具有防止樹脂40附著的功能。通過薄片54，可以防止樹脂40附著在焊頭10上。因此，可以用一個焊頭10連續(xù)地制造半導(dǎo)體裝置，提高半導(dǎo)體裝置的制造效率。另外作為薄片54，可以利用由例如特氟隆(注冊商標(biāo))形成的薄板。
在本工序中，如圖3以及4所示，也可以使半導(dǎo)體芯片20的與焊頭10相對的面的全面接觸于凹部12的底面14(或者薄片54)。由此可以防止樹脂40附著在半導(dǎo)體芯片20的上面。從而可以控制布線裝置的高度，且能消除外觀不良現(xiàn)象的產(chǎn)生。
在本工序中，如圖4所示，也可以使焊頭10的凹部12的周圍部分13與布線基板30呈非接觸。由此，即使在過剩設(shè)置樹脂40的情況下，也可以將樹脂40排出到焊頭的凹部12外。因此不需要嚴(yán)格控制樹脂40的量，而可以有效地制造半導(dǎo)體裝置。
另外，在本工序中，可以以相對的方式對半導(dǎo)體芯片20的電極22和布線圖形32(墊片33)進(jìn)行電連接。此時，可以通過在電極22和墊片33之間夾隔設(shè)置導(dǎo)電粒子42，對兩者進(jìn)行電連接。另外，如圖3以及4所示，可以以將布線基板30設(shè)置在支撐臺56上的狀態(tài)進(jìn)行本工序。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括使樹脂40硬化的工序。如圖5所示，可以使樹脂40硬化，形成樹脂部41?？梢杂脴渲?1粘接布線基板30和半導(dǎo)體芯片20。根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，如圖4所示，樹脂41形成為具有與半導(dǎo)體芯片20重疊的第一部分44、和配置在半導(dǎo)體芯片20周圍的第二部分46的形狀。由此，能夠牢固地粘接布線基板30和半導(dǎo)體芯片20，制造可靠性高的半導(dǎo)體裝置。使樹脂40硬化的工序，可以在壓下焊頭10的狀態(tài)下進(jìn)行(參照圖4)。由此，可以使樹脂部41具有沿著焊頭10的凹部12的形狀。即，通過決定焊頭10的凹部12的形狀，能夠按設(shè)計的形狀形成樹脂部41。因此，可以維持布線基板30和半導(dǎo)體芯片20之間的接合強(qiáng)度，且能形成構(gòu)成為極小外形的樹脂部41。即，能夠制造可靠性及安裝性優(yōu)越的半導(dǎo)體裝置。另外，使樹脂40硬化的方法沒有特別的限定，可以適用配合樹脂40的特性的方法。例如樹脂40可以使熱硬化性樹脂，此時可以通過對樹脂40進(jìn)行加熱處理使其硬化。另外，如前面說明的一樣，一般來說，加熱樹脂能提高其流動性。因此，在作為樹脂40利用熱硬化性樹脂的情況下，從壓下半導(dǎo)體芯片20的工序開始加熱樹脂40，則不僅能很容易在焊頭10的凹部12內(nèi)填充樹脂40，而且在此后，也能很容易使樹脂40硬化，從而可以高效地制造半導(dǎo)體裝置。
最后，可以經(jīng)在墊片35上設(shè)置外部端子37的工序、檢查工序、或者切開布線基板30的工序等，制造半導(dǎo)體裝置。另外，圖6表示通過本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置1。另外，圖7表示安裝有半導(dǎo)體裝置1的布線基板1000。另外，作為備有通過本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法制造的半導(dǎo)體裝置1的電子設(shè)備，圖8表示了筆記本型個人電腦2000、圖9表示了便攜電話。
以上說明的半導(dǎo)體裝置的制造工序，可以通過利用包含設(shè)有凹部12的焊頭10的半導(dǎo)體裝置的制造裝置進(jìn)行。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，包括能使焊頭10上下移動的驅(qū)動器50。驅(qū)動器50，可以以凹部12的周圍部分13與布線基板30呈非接觸的方式驅(qū)動焊頭10。半導(dǎo)體裝置的制造裝置可以還具備加熱器52?？梢杂眉訜崞?2加熱樹脂40?？梢杂眉訜崞?2直接加熱樹脂40，但也可以通過對焊頭10加熱、間接地加熱樹脂40(參照圖3以及圖4)。半導(dǎo)體裝置的制造裝置可以再包含薄片54。薄片54夾隔設(shè)置在半導(dǎo)體芯片20以及樹脂40、和焊頭之間。薄片54具有防止樹脂40附著的功能。另外，半導(dǎo)體裝置的制造裝置可以還包含支撐臺56。通過利用該半導(dǎo)體裝置的制造裝置，可以高效地制造可靠性和安裝性良好的半導(dǎo)體裝置。
另外適用本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法，并不僅限于此，而可以具有各種變形例。例如，如圖10所示，半導(dǎo)體裝置的制造方法可以包含準(zhǔn)備焊頭60的工序。焊頭60具有凹部62。焊頭60的凹部62的底面形成有凸部64。而且，半導(dǎo)體裝置的制造方法還包括以在所述凹部62內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片20的狀態(tài)壓下焊頭60，由凸部64的突出面65擠壓半導(dǎo)體芯片20的工序。從而如圖11所示，在凹部62內(nèi)的半導(dǎo)體芯片20和凸部64的側(cè)方空間填充樹脂40。如圖12所示，半導(dǎo)體裝置的制造方法包括使樹脂40硬化形成樹脂部70的工序。根據(jù)本變形例的半導(dǎo)體裝置的制造方法，樹脂部70以到達(dá)比半導(dǎo)體芯片20的與布線基板30相對的面的相反一側(cè)的面高位置的方式形成。因此，在半導(dǎo)體芯片20上設(shè)置粘接劑等情況下，可以防止其液下垂。即，能制造適于疊層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。例如，如圖13所示，可以在半導(dǎo)體芯片20上搭載半導(dǎo)體芯片21，制造疊層型半導(dǎo)體裝置。另外，如圖11所示，突出面65可以比半導(dǎo)體芯片20的俯視形狀小。由此，如圖12所示，樹脂部70以到達(dá)比半導(dǎo)體芯片20的與布線基板30相對的面的相反一側(cè)的面的周邊部的方式形成。因此，能夠更牢固地接合半導(dǎo)體芯片20和布線基板30，制造出可靠性高的半導(dǎo)體裝置。但與此不同，突出面也可以比半導(dǎo)體芯片20的俯視形狀大(圖中未示出)。
另外，本發(fā)明并不僅限于上述的實(shí)施方式，而可以采用各種變形。例如，本發(fā)明包含與實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如，功能、方法以及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)、或者目的以及效果相同的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包括置換在實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)中非本質(zhì)的部分的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明還包括能夠起著與實(shí)施方式中已說明的結(jié)構(gòu)同樣作用效果的結(jié)構(gòu)或者能達(dá)到同樣目的的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明還包括在實(shí)施方式中已說明的結(jié)構(gòu)上再添加公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括將具有凹部的焊頭以在所述凹部內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)朝向布線基板壓下，由所述凹部的底面擠壓所述半導(dǎo)體芯片，使設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片和所述布線基板之間的樹脂流動，而向所述凹部內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)方空間填充所述樹脂的工序；使所述樹脂硬化的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是使所述焊頭的所述凹部周圍部分與所述布線基板呈非接觸。
3.如權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是在所述焊頭的所述凹部的所述底面上形成凸部，由所述凸部的突出面擠壓所述半導(dǎo)體芯片，而向所述凹部內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片以及所述凸部的側(cè)方空間填充所述樹脂。
4.如權(quán)利要求1～3中任何一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是一邊加熱所述樹脂、一邊進(jìn)行使所述樹脂流動的工序。
5.如權(quán)利要求1～4中任何一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是所述樹脂是熱硬化性樹脂。
6.如權(quán)利要求1～5中任何一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是在所述半導(dǎo)體芯片及所述樹脂、和所述焊頭之間，夾隔設(shè)有用于防止所述樹脂附著的薄片。
7.如權(quán)利要求1～6中任何一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征是在壓下了所述焊頭的狀態(tài)下進(jìn)行使所述樹脂硬化的工序。
8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征是通過權(quán)利要求1～7中任何一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行制造。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征是包括具有凹部的焊頭、和使所述焊頭上下移動的驅(qū)動器；以將半導(dǎo)體芯片配置于所述凹部內(nèi)的狀態(tài)，由所述驅(qū)動器將所述焊頭朝向布線基板壓下，由所述凹部的底面擠壓所述半導(dǎo)體芯片，使設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片和所述布線基板之間的樹脂流動，而向所述凹部內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)方空間填充所述樹脂。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征是所述驅(qū)動器，以所述凹部周圍部分與所述布線基板呈非接觸的方式，驅(qū)動所述焊頭。
11.如權(quán)利要求9或者10所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征是在所述焊頭的所述凹部的所述底面上形成凸部，由所述凸部的突出面擠壓所述半導(dǎo)體芯片，而向所述凹部內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片及所述凸部的側(cè)方空間填充所述樹脂。
12.如權(quán)利要求9～11中任何一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征是還包括加熱器。
13.如權(quán)利要求9～12中任何一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造裝置，其特征是還包括夾隔設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片以及所述樹脂、和所述焊頭之間的用于防止所述樹脂附著的薄片。
全文摘要
本發(fā)明能夠提供一種可靠性和安裝性良好的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造裝置。其中將具有凹部(12)的焊頭(10)以在所述凹部(12)內(nèi)配置半導(dǎo)體芯片(20)的狀態(tài)朝向布線基板(30)壓下，由所述凹部(12)的底面(14)擠壓所述半導(dǎo)體芯片(20)，使設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片(20)和所述布線基板(30)之間的樹脂(40)流動，而向所述凹部(12)內(nèi)的所述半導(dǎo)體芯片(20)的側(cè)方空間填充所述樹脂(40)。然后，使所述樹脂(40)硬化。
文檔編號H01L23/12GK1612309SQ200410085028
公開日2005年5月4日 申請日期2004年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月27日
發(fā)明者尾形義春 申請人:精工愛普生株式會社