專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制程，特別是涉及一種形成一個(gè)第二金屬化層的方法，該方法利用具有開(kāi)口的介電層來(lái)圖形化第二金屬化層以在第一金屬化層上形成第二金屬化層，并對(duì)第一金屬化層造成的損傷最小。
背景技術(shù)：
本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，在降低元件和電路尺寸的同時(shí)增加半導(dǎo)體裝置上電路或電路元件(例如晶體管、電容等元件)的數(shù)量是半導(dǎo)體制造生產(chǎn)過(guò)程中不斷努力的目標(biāo)。然而，在不斷且成功降低電路元件尺寸的同時(shí)，也需要降低用來(lái)連接各裝置或元件的導(dǎo)線尺寸。
以前常用鋁作為金屬連接線，并用氧化硅作為介電層。然而在新的制造技術(shù)中，則經(jīng)常使用銅作為金屬連接線，并用各種有機(jī)或無(wú)機(jī)低介電值(low K)材料作為介電層材料，而這些材料上的改變自然也需要一些制程方法上的改變來(lái)配合。尤其是在不對(duì)銅或介電材料造成過(guò)度損傷的情況下刻蝕銅的難度較大，因而更需要改變制造金屬間連接線的技術(shù)。一般而言，鋁連接線通常在沉積鋁金屬層后，再依次通過(guò)光刻膠、黃光以及刻蝕等制程來(lái)形成，而銅連接線通常是通過(guò)鑲嵌(damascene)制程來(lái)制造。鑲嵌制程幾乎與刻蝕相反，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)大致包括先利用刻蝕或其他方法在下方的介電層內(nèi)形成一個(gè)溝槽(trench)、管道(canal)或中介窗(via)，然后再在其中填入金屬，例如銅等。
鑲嵌制程將進(jìn)一步降低連接線的尺寸以及連接線的間距，但是，隨著連接線的間距縮小，線與線之間的電容(line-to-linecapacitance)也會(huì)隨之增加。
如前所述，材料與制程步驟上的改變將會(huì)造成一系列制程上的新挑戰(zhàn)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)對(duì)用來(lái)連接上層金屬化層和下層金屬化層之間的中介窗周?chē)慕殡妼舆M(jìn)行圖形化及刻蝕，然后通過(guò)灰化制程(ashing process)來(lái)移除抗蝕(resist)層或硬掩膜層時(shí)，通常不免會(huì)對(duì)連接點(diǎn)處下層金屬化層中銅的上表面造成一定程度的損傷，而這些損傷會(huì)降低產(chǎn)率。因此，有必要對(duì)刻蝕技術(shù)以及去除抗蝕層的方法進(jìn)行一些調(diào)整。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有一個(gè)上層金屬化層連接至一個(gè)下層金屬化層的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，以解決或避免上述問(wèn)題，并通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施例來(lái)實(shí)現(xiàn)技術(shù)上的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明不同于現(xiàn)有技術(shù)之處在于可以在形成兩個(gè)金屬化層之間的連接時(shí)對(duì)下層金屬化層的損傷最小。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，包括一個(gè)第一介電層，其具有一個(gè)含銅表面；以及一個(gè)形成于該第一介電層上的薄停止層，且該薄停止層上具有一個(gè)第二介電層，以使當(dāng)在該薄停止層上形成開(kāi)口時(shí)幾乎不會(huì)對(duì)該含銅表面造成損傷。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，所述薄停止層的厚度小于300埃。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，所述薄停止層的厚度約為100埃。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，所述薄停止層是多層結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，所述薄停止層包括有機(jī)材料、金屬，或者至少包括硅化碳、碳硅氮化合物、碳硅氧化合物、氮化硅、氧化硅、碳?xì)涔柩趸衔镏械囊粋€(gè)或其組合。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，所述第一介電層中的所述含銅表面由所述第一介電層上的一個(gè)溝槽來(lái)定義，所述含銅表面包括一個(gè)位于所述溝槽底部和側(cè)壁上的第一金屬種晶層，以及一個(gè)填入所述溝槽內(nèi)的金屬。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，所述第一金屬種晶層選自銅、鋁、金、銀、鎢及氮化鉭所構(gòu)成的組合。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，包括一個(gè)位于所述第一金屬種晶層與填入所述溝槽的金屬之間的第二金屬種晶層。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，所述第一種晶層與所述第二種晶層由相同的金屬所構(gòu)成。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括首先提供一個(gè)基底，該基底的上表面具有一個(gè)下層金屬化層，通常由銅構(gòu)成；接著通過(guò)適當(dāng)方式，例如化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積以及離子束沉積，沉積一個(gè)薄停止層，該薄停止層的厚度小于300埃，且較佳為厚度約100埃的碳化硅，其他適合的材料包括碳氮硅化合物、碳氧硅化合物、氮化硅、氧化硅以及氧碳?xì)涔杌衔锏取４送?，該薄停止層的材料可以包括二層或多層上述材料。接著，在薄停止層上沉積一個(gè)金屬間介電層，并在該金屬間介電層上沉積一個(gè)抗蝕層，并將其圖形化，以用來(lái)定義一個(gè)掩膜，再以圖形化的抗蝕層為掩膜來(lái)刻蝕金屬間介電層。因此，可以在金屬間介電層上形成溝槽或中介窗等孔洞，這些被刻蝕的孔洞中至少包括一個(gè)中介窗，而該中介窗通過(guò)完全刻蝕穿金屬間介電層形成，并使薄停止層露出。接著，利用灰化制程來(lái)去除圖形化的抗蝕層，與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，移除下層銅上的薄停止層可以在不對(duì)銅造成過(guò)量損傷的情況下完成。然后，通過(guò)典型的鑲嵌制程將銅層或其他金屬導(dǎo)體沉積于中介窗或其他孔洞內(nèi)。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，形成半導(dǎo)體基底的步驟包括沉積一個(gè)介電層；在該介電層上形成一個(gè)溝槽；在具有該溝槽的介電層上形成一個(gè)金屬種晶層；以及在該溝槽上沉積一個(gè)金屬層。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，在形成種晶層之前，先在溝槽的表面上形成一個(gè)阻擋層。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，形成金屬種晶層的步驟包括先形成一個(gè)第一種晶層，以及在該第一種晶層上形成一個(gè)第二種晶層。
本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，在下層金屬化層的上面沉積一層薄停止層，并在該薄停止層上沉積介電層和圖形化抗蝕層，然后刻蝕介電層以形成開(kāi)口或溝槽，最后通過(guò)灰化制程去除薄停止層，因而能夠避免對(duì)下層金屬化層造成損傷。


圖1A顯示一種現(xiàn)有技術(shù)中在下層銅上形成一個(gè)厚覆蓋層、金屬間介電層及圖形化抗蝕層的方法。
圖1B顯示現(xiàn)有技術(shù)中因通過(guò)灰化制程去除圖形化抗蝕層而受到損傷的下層銅或金屬層。
圖2A至圖2F是根據(jù)本發(fā)明降低下層損傷的方法在一個(gè)半導(dǎo)體裝置的第一層金屬化層上形成第二層金屬化層的示意圖。
圖3A和圖3B是本發(fā)明制程步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特給出較佳實(shí)施例，并結(jié)合附圖加以詳細(xì)說(shuō)明。
以下針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的制造及使用加以詳述。值得注意的是，本發(fā)明提供了很多可實(shí)行的發(fā)明概念，可通過(guò)廣泛而多樣的方式來(lái)加以實(shí)施。以下公開(kāi)的實(shí)施例僅用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的一種特定制造及使用方式，并非用來(lái)限定本發(fā)明的范圍。
請(qǐng)參考圖1A，圖1A顯示了一種現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置，其包括一個(gè)基底10，而基底10包括一個(gè)由非導(dǎo)體或介電材料所構(gòu)成的第一介電層12，以及至少一個(gè)導(dǎo)電或連接區(qū)域14，例如銅金屬化層或銅導(dǎo)線。在本發(fā)明的敘述中，“基底”一詞包括各種具有金屬化連接層的單層或多層半導(dǎo)體裝置，因此，“基底”一詞可具有廣泛的解釋范圍。
再者，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，第一介電層12上通常另包括一個(gè)厚覆蓋層16，例如氮化硅層，以作為導(dǎo)電區(qū)域14的刻蝕停止層，或是當(dāng)?shù)谝唤殡妼?2與第一金屬化層14上設(shè)有另一金屬化層時(shí)，可用來(lái)作為擴(kuò)散阻止層。其中，所沉積的厚覆蓋層16的厚度大約超過(guò)300埃。第二介電層18沉積于厚覆蓋層16上，通常用來(lái)作為層間介電(InterMetal Dielectric)層或是金屬間介電(InterMetal Dielectric)層。接著，在金屬間介電層18上沉積一個(gè)抗蝕層(resist layer)20，例如可以是一個(gè)光刻膠層，并將其圖形化，以用來(lái)定義多個(gè)孔洞，例如溝槽，以制造連接線，且其中至少包括一個(gè)中介窗(via)，該中介窗設(shè)置于第二介電層18或是包含在第二層金屬化層或上層金屬化層的金屬間介電層內(nèi)。圖形化抗蝕層20將作為硬掩膜，以刻蝕金屬間介電層18中第二層金屬化層的圖形或布局，舉例來(lái)說(shuō)，可以在金屬間介電層18中的部分區(qū)域24處刻蝕出貫穿介電層18的中介窗22，而圖形化抗蝕層20以及位于中介窗22底部的厚覆蓋層16將通過(guò)高溫氧化制程來(lái)移除，即本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的灰化(ashing)制程。接著，利用導(dǎo)電金屬，例如銅，來(lái)填入這些定義于金屬間介電層18上的孔洞(包括中介窗22)。請(qǐng)參考圖1B，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知，在前述這些形成開(kāi)口、刻蝕介電層18以及灰化制成的步驟中，不免會(huì)對(duì)第一層金屬化層14的上表面26造成損傷，而這些上表面26上的損傷將會(huì)導(dǎo)致形成于第一層金屬化層14與其上第二層金屬化層或上層金屬化層間中介窗22內(nèi)的銅連接填充時(shí)接觸效果不佳。
請(qǐng)參考圖2A至圖2F以及圖3A至圖3B，其顯示一種可消除或大致減少前述對(duì)上層金屬化層及下層金屬化層間的連接造成損傷的制程方法。圖2A至圖2F中各元件的編號(hào)均與前述圖1A和圖1B相同，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知以及如前所述，鑲嵌制程的使用以及利用銅作為連接層會(huì)產(chǎn)生各種現(xiàn)有技術(shù)中利用鋁刻蝕制程制造金屬化層時(shí)所未遇到的新問(wèn)題。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)導(dǎo)線或連接線14由銅或含銅的金屬所構(gòu)成時(shí)，如果不對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)處理，這些銅有可能會(huì)擴(kuò)散至周?chē)粚?dǎo)電的介電層，例如基底10表面的第一介電層12內(nèi)。因此，如圖2A所示，通常會(huì)另設(shè)有一個(gè)阻擋(barrier)層28，用來(lái)防止或阻礙銅離子自銅連接帶14擴(kuò)散至周?chē)粚?dǎo)電的第一介電層12內(nèi)，適當(dāng)?shù)淖钃鯇硬牧峡蔀殂g(Ta)、氮化鉭(TaN)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)及其與其他材料所構(gòu)成的各種組合。因此，在形成阻擋層28后，將可大致消除銅14的對(duì)外擴(kuò)散或使其擴(kuò)散至周?chē)乃俾蕼p緩。
此外，本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)在于包括至少一個(gè)金屬種晶(metal seed)層30。雖然單層種晶層即可，但較佳的作法是先沉積一個(gè)第一金屬種晶層30A，其形狀可不同于金屬14下方的溝槽，之后再形成一個(gè)第二種晶層30B以提供一個(gè)大致平滑的表面。兩個(gè)種晶層可由相同材料或不同材料構(gòu)成，舉例來(lái)說(shuō)，兩個(gè)種晶層中的一個(gè)或兩個(gè)的材料可以是銅、鋁、銀、金、鎢以及氮化鉭。同樣地，兩個(gè)種晶層可視具體情況采用相同或不同方法沉積形成，適合的方法包括物理氣相沉積(physicalvapor deposition，PVD)、化學(xué)氣相沉積(chemical vapordeposition，CVD)、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)以及電化學(xué)電鍍(ECP)。上述孔洞、溝槽、中介窗等將會(huì)被填入金屬化層，例如銅。
相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的厚覆蓋層16(大于300埃)，本發(fā)明形成一個(gè)厚度小于300埃的薄停止層32作為刻蝕停止層或擴(kuò)散停止層。其中，薄停止層32的厚度較佳為100埃，并可以是有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料，適當(dāng)?shù)牟牧鲜墙饘倩蚍墙饘?，以及含有硅、氮、碳、氧或氫的材料，例如碳化?SiC)、氮碳硅化合物(SiCN)、氧碳硅化合物(SiCO)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、氧碳?xì)涔杌衔?SiOCH)或其他類(lèi)碳(carbon-like)材料。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，薄停止層32可以是多層構(gòu)造，并可包括一道以上的沉積步驟，因此可由適當(dāng)?shù)牟牧蟻?lái)形成各種多層結(jié)構(gòu)。沉積一層或多層選定材料的方法可以是物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積以及離子束沉積(Ion BeamDeposition)，且薄停止層32的較佳沉積溫度約為200至500℃。
請(qǐng)參考圖2B，接著將于薄停止層32上沉積介電層18，以作為金屬間介電層，隨后再于介電層18上形成一個(gè)抗蝕層，以用來(lái)定義介電層18上的多個(gè)孔洞，例如溝槽或中介窗。根據(jù)所選定的鑲嵌制程，介電層18可以包括一個(gè)第一層，例如金屬間介電層18A，一個(gè)刻蝕停止層19以及一個(gè)第二介電層18B。
舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2B，第一抗蝕層34A將被圖形化以用來(lái)在金屬間介電層18B上定義多個(gè)孔洞或溝槽36及38。值得注意的是，溝槽38位于銅線14的正上方。如圖2C所示，接著將會(huì)繼續(xù)向下刻蝕溝槽36及38，使其穿過(guò)介電層18B直到刻蝕停止層19，然后再去除第一抗蝕層34A。根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，接著將于金屬間介電層18B上沉積一個(gè)第二抗蝕層34B，并填入所刻蝕出的溝槽36及38。接著如圖2D所示，將第二抗蝕層34B圖形化，以定義出至少一個(gè)連接中介窗的位置，隨后將進(jìn)一步刻蝕金屬間介電層18A，以形成完全穿過(guò)金屬間介電層18B與介電層18A的中介窗38A。刻蝕完成后，將會(huì)去除抗蝕層34B以及薄停止層或薄覆蓋層32的露出部分40。一般而言，通常會(huì)通過(guò)灰化制程來(lái)移除抗蝕層34B以及露出的薄停止層32，以形成如圖2E所示的結(jié)構(gòu)。特別要注意的是，銅層14的上表面26并未像現(xiàn)有技術(shù)那樣受到損傷。然后，根據(jù)雙鑲嵌制程在溝槽36與38以及中介窗38A內(nèi)填入金屬層，例如銅40，以形成如圖2F所示的結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖3A，其顯示本發(fā)明上述制程的流程圖。如步驟42所示，先提供一個(gè)基底10，其具有一個(gè)介電層12以及一個(gè)定義于介電層12內(nèi)的銅層或金屬化層14。接著根據(jù)本發(fā)明，如步驟44所示，在介電層12與金屬化層14的組合上沉積一個(gè)厚度小于300埃的停止層32。根據(jù)步驟46，接著在停止層32上沉積金屬間介電層或?qū)娱g介電層18，并如步驟48所示，在金屬間介電層18上形成一個(gè)圖形化抗蝕層20。接著如步驟50所示，根據(jù)圖形化抗蝕層20來(lái)刻蝕金屬間介電層18，再如步驟52所示，通過(guò)灰化制程來(lái)移除抗蝕層20以及薄停止層32的露出部分。最后如步驟54所示，在溝槽或中介窗內(nèi)填入金屬層，例如銅。
圖3B進(jìn)一步顯示圖3A中步驟42提供基底10的詳細(xì)步驟。如其所示，先根據(jù)步驟56所示，在基底10上沉積一個(gè)第一介電層。接著如步驟58所示，根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的方式在第一介電層內(nèi)形成溝槽。接著如步驟60所示，在溝槽的側(cè)壁與底部形成阻擋層28，例如氮化鉭。接著如步驟62所示，在阻擋層28上形成一個(gè)種晶層30，種晶層30包括一個(gè)第一種晶層與一個(gè)第二種晶層。最后如步驟64所示，在溝槽內(nèi)填入適當(dāng)?shù)慕饘伲玢~、鋁、金、銀、鎢或氮化鉭，以形成第一層金屬化層。
此外，本發(fā)明的應(yīng)用范圍并不限于本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的制程、機(jī)械、產(chǎn)品、物質(zhì)組成、工具、方法和步驟。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)容，并以其他現(xiàn)有或以后發(fā)展出的制程、機(jī)械、產(chǎn)品、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)與本發(fā)明實(shí)施例大約相同的功能或達(dá)到與本發(fā)明實(shí)施例大約相同的結(jié)果。因此，這些制程、機(jī)械、產(chǎn)品、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟應(yīng)包含于權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下10基底 28阻擋層12第一介電層 30種晶層14第一金屬化層 30A第一種晶層16厚覆蓋層 30B第二種晶層18介電層 32停止層18A金屬間介電層34A第一抗蝕層18B第二介電層 36溝槽19刻蝕停止層 38溝槽20抗蝕層 38A中介窗22中介窗 40露出部分26上表面
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括一個(gè)第一介電層，其具有一個(gè)含銅表面；以及一個(gè)形成于該第一介電層上的薄停止層，且該薄停止層上具有一個(gè)第二介電層，以使當(dāng)在該薄停止層上形成開(kāi)口時(shí)幾乎不會(huì)對(duì)該含銅表面造成損傷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述薄停止層的厚度小于300埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述薄停止層的厚度約為100埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述薄停止層是多層結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述薄停止層包括有機(jī)材料、金屬，或者至少包括硅化碳(SiC)、碳硅氮化合物(SiCN)、碳硅氧化合物(SiCO)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、碳?xì)涔柩趸衔?SiOCH)中的一個(gè)或其組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第一介電層中的所述含銅表面由所述第一介電層上的一個(gè)溝槽來(lái)定義，所述含銅表面包括一個(gè)位于所述溝槽底部和側(cè)壁上的第一金屬種晶層，以及一個(gè)填入所述溝槽內(nèi)的金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第一金屬種晶層選自銅、鋁、金、銀、鎢及氮化鉭所構(gòu)成的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于包括一個(gè)位于所述第一金屬種晶層與填入所述溝槽的金屬之間的第二金屬種晶層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述第一種晶層與所述第二種晶層由相同的金屬所構(gòu)成。
10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上定義有一個(gè)大致無(wú)缺陷的金屬化層，其特征在于該方法包括下列步驟提供一個(gè)半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底的上表面定義有該金屬化層；將一個(gè)薄停止層覆蓋于該半導(dǎo)體基底的上表面上；在該薄停止層上形成一個(gè)介電層，且該介電層具有至少一個(gè)開(kāi)口區(qū)域，以使部分該薄停止層露出；以及移除該薄停止層的露出部分，使該金屬層的上表面露出，且?guī)缀醪粫?huì)損傷該金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于形成所述介電層的步驟包括根據(jù)一個(gè)圖形化抗蝕層來(lái)形成一個(gè)圖形化介電層，該圖形化介電層用來(lái)定義一個(gè)上層金屬化層的布局，并且移除該介電層的步驟還包括移除該圖形化抗蝕層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于還包括一個(gè)金屬填充步驟，以將一個(gè)導(dǎo)電金屬填入在所述介電層中刻蝕出的所述布局內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述薄停止層的沉積厚度約為100埃。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述薄停止層包括有機(jī)材料、金屬，或者至少包括硅化碳(SiN)、碳硅氮化合物(SiCN)、碳硅氧化合物(SiCO)、氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)、碳?xì)涔柩趸衔?SiOCH)材料中的一個(gè)或其組合。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述薄停止層是多層結(jié)構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于沉積所述薄停止層的方法至少包括物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積以及離子束沉積中的一個(gè)或其組合。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于還包括下列步驟以形成所述半導(dǎo)體基底沉積一個(gè)介電層；在該介電層上形成一個(gè)溝槽；在具有該溝槽的該介電層上形成一個(gè)金屬種晶層；以及在該溝槽上沉積一個(gè)金屬層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該方法在形成所述種晶層之前，先在所述溝槽的表面上形成一個(gè)阻擋層。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于形成所述金屬種晶層的步驟包括先形成一個(gè)第一種晶層，以及在該第一種晶層上形成一個(gè)第二種晶層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。該半導(dǎo)體裝置具有一個(gè)上層金屬化層以及一個(gè)電連接至上層金屬化層的下層金屬化層。本發(fā)明的制造方法為先在下層金屬化層上形成一個(gè)薄停止層，該薄停止層的厚度小于300埃，較佳為100埃，其中，用來(lái)移除光刻膠和刻蝕停止層的部分中間物的刻蝕及灰化制程不會(huì)對(duì)下層金屬化層造成損害。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1661791SQ20041008677
公開(kāi)日2005年8月31日 申請(qǐng)日期2004年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月25日
發(fā)明者包天一, 章勛明 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司