專利名稱：阻障層及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的薄膜以及制造該薄膜的方法，特別是涉及一種半導(dǎo)體裝置的阻障層及其制造方法。
背景技術(shù)：
互補(bǔ)式金氧半電晶體(CMOS)的制程技術(shù)經(jīng)常應(yīng)用于積體電路的制程中。隨著CMOS制程技術(shù)的提升，半導(dǎo)體裝置中藉由將CMOS元件微縮，以形成大型的積體電路以及達(dá)到元件高速操作的目標(biāo)。除了將CMOS元件縮小之外，亦可利用多重內(nèi)連線技術(shù)來增加積體電路的密度。
在多重內(nèi)連線的制程技術(shù)中，在沉積形成金屬層之前，通常需要預(yù)先在介層窗(Via)以及接觸洞(Contact Hole)中形成共形(Conformal)的阻障層，而阻障層的共形結(jié)構(gòu)會(huì)影響后續(xù)的金屬層的沉積制程。當(dāng)阻障層與介層窗以及接觸洞為非共形結(jié)構(gòu)，容易在介層窗以及接觸洞的上方形成冗余的結(jié)構(gòu)(Overhead Issue)，此冗余結(jié)構(gòu)在介層窗以及接觸洞中造成空孔缺陷，使得金屬層的材質(zhì)無法填入其中。當(dāng)介層窗以及接觸洞持續(xù)微縮，冗余結(jié)構(gòu)的影響將變得更為嚴(yán)重。因此在半導(dǎo)體制程中，如何在微小化的介層窗以及接觸洞的制程中形成共形的阻障層，將是非常重要的課題。
第6,402,907號美國專利案揭露一種在半導(dǎo)體晶圓上的介電層的高深寬比凹型區(qū)域中形成阻障層的方法，該方法包括兩個(gè)步驟首先在離靶材一間距的介電層的凹型區(qū)域上，以1mTorr或是更小的壓力利用濺鍍法形成鈦金屬層。接著在離靶材一較短間距的介電層的鈦金屬層上，以介于1至0.5mTorr的壓力形成氮化鈦層。
第2003/0042133號美國專利申請案揭露一種在介層窗或是接觸洞中形成阻障層的方法，該方法先在反應(yīng)室的增壓過程施加第一壓力，并且在減壓過程中施加與第一壓力不相等的第二壓力，同時(shí)將氮?dú)鈱?dǎo)入到濺鍍的制程反應(yīng)室中，使得被加速的粒子與靶材碰撞，以利用靶材濺鍍出金屬材質(zhì)。
上述現(xiàn)有的阻障層及其制造方法，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決阻障層及其制造方法存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的阻障層及其制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的阻障層及其制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的阻障層及其制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的阻障層制造方法存在的缺陷，而提供一種新的阻障層制造方法，所要解決的技術(shù)問題是使其施加介于0.5至200mTorr的工作壓力，以形成阻障層，而不會(huì)在阻障層上形成結(jié)晶材質(zhì)，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種阻障層，所要解決的技術(shù)問題是使其經(jīng)由上述方法被制造完成，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種阻障層的制造方法，其包含施加介于0.5至200mTorr的工作壓力來形成該阻障層，以避免在該阻障層中形成結(jié)晶。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的制造方法，其中所述的阻障層是為由一阻障材質(zhì)以及至少一反應(yīng)氣體組成的化合物，該阻障材質(zhì)是選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)以及鉬(Mo)所組成的族群，且該反應(yīng)氣體包含氧、氮或碳中至少一成分。
前述的制造方法，其中所述的反應(yīng)氣體的流率介于0.5至200sccm之間。
前述的制造方法，其中所述的反應(yīng)氣體是氮。
前述的制造方法，其中所述的阻障層的靶材的直流功率介于10000至90000瓦特之間，且晶圓的偏壓功率介于100至1500瓦特之間。
前述的制造方法，其中所述的反應(yīng)氣體的成份與該阻障材質(zhì)的比值不小于0.45。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種阻障層的制造方法，其至少包含下列步驟施加介于0.5至200mTorr的工作壓力，以形成該阻障層，該阻障層是為由一阻障材質(zhì)以及至少一反應(yīng)氣體組成的化合物，該阻障材質(zhì)是選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)以及鉬(Mo)所組成的族群，且該反應(yīng)氣體系包含氧、氮或碳中至少一成分，該反應(yīng)氣體的流率介于0.5至200sccm之間；施加流率介于0.5至200sccm的氬氣；以及施加直流功率介于10000至90000瓦特之間于靶材上，且晶圓的偏壓功率介于100至1500瓦特之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種阻障層，該阻障層包含至少一阻障材質(zhì)以及至少一成分，該阻障材質(zhì)是選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)以及鉬(Mo)所組成的族群，且該成分是為氧、氮或碳，其中該成份與該阻障材質(zhì)的比值不小于0.45。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的阻障層，其中所述的阻障層并不包含長序列的結(jié)晶的微型結(jié)構(gòu)，其有序重復(fù)排列范圍小于20納米(Order range＜200)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種阻障層，其特征在于其含有氮與鉭的比值介于0.45至1.00之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的阻障層，其中所述的阻障層的材質(zhì)不包含β-鉭的相結(jié)構(gòu)。
前述的阻障層，其中所述的阻障層的材質(zhì)至少包含α-鉭的相結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提供一種形成阻障層的方法，該方法包括施加介于0.5至200mTorr的工作壓力，以形成阻障層，而不會(huì)在阻障層上形成結(jié)晶材質(zhì)。
本發(fā)明還揭露一種以上述方法形成的阻障層。阻障層的材質(zhì)主要包括鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)以及鉬(Mo)等所組成的化合物，反應(yīng)氣體的成份包括氧、氮以及碳，其中反應(yīng)氣體的流率介于5至200sccm之間，氬氣的流率介于5至200sccm之間，靶材的直流功率介于10000至90000瓦特之間，且晶圓的偏壓功率介于100至1500瓦特之間。反應(yīng)氣體的成份與阻障層材質(zhì)的比值大于或是等于0.45。在一較佳實(shí)施例中，氮與鉭的比值約介于0.45至1.00之間。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明阻障層及其制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的提出的阻障層及其制造方法是利用較大的工作壓力，使阻障層與介層窗或是接觸洞形成共形的結(jié)構(gòu)，使得后續(xù)的金屬沉積制程可完全地將金屬材質(zhì)填入介層窗或是接觸洞中，而不會(huì)形成空孔，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上廣泛利用的價(jià)值。
綜上所述，本發(fā)明的阻障層及其制造方法，其經(jīng)由上述方法被制造完成，并且在制造中不會(huì)在阻障層上形成結(jié)晶材質(zhì)。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品及制造方法中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及方法公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品、制造方法或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的阻障層及其制造方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。


圖1是依據(jù)本發(fā)明的各種不同反應(yīng)氣體的壓力值與平均自由路徑兩者之間的關(guān)系圖。
圖2A、圖2B是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中沉積于介層窗與接觸洞的阻障層的剖視圖。
圖3A-3C是利用現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)形成的阻障層的穿透式電子顯微鏡(TEM)圖式以及其繞射圖案。
圖4A-4C是利用本發(fā)明的一實(shí)施例所形成的阻障層的穿透式電子顯微鏡(TEM)圖式以及其繞射圖案。
200a、200b基材210a、210b金屬層220a、220b介電層 230a、230b阻障層240a介層窗240b介層窗/溝渠具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的阻障層及其制造方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、制造方法、加工方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請參閱圖1所示，是依據(jù)本發(fā)明的各種不同反應(yīng)氣體的壓力值與平均自由路徑的關(guān)系圖。圖1顯示壓力值與不同的反應(yīng)氣體的平均自由路徑兩者之間的線性關(guān)系圖。此線性關(guān)系圖以下列的方程式表示L＝1/[√-2(π×δ2)]＝0.707/(δ×n)2.331×10-20×[T/(P×δ2)]…………………………(1)其中L表示平均自由路徑，δ表示反應(yīng)氣體原子的直徑，n表示反應(yīng)氣體的密度(atoms/cm3)，T表示溫度，而P為壓力值。
根據(jù)方程式(1)，壓力值越高，原子的平均自由路徑越短。利用氮?dú)饣蚴菤鍤庾鳛榉磻?yīng)氣體的物理氣相沉積法所濺鍍形成的原子是位于介層窗或是接觸洞的結(jié)構(gòu)上。由于原子具有動(dòng)能之故，使得原子沿著介層窗或是接觸洞的輪廓移動(dòng)。其中在介層窗或是接觸洞的側(cè)壁上的原子容易由側(cè)壁向外移動(dòng)，由于此種原子移動(dòng)的現(xiàn)象，導(dǎo)致在介層窗或是接觸洞上方形成非共形(Non-conformal)的阻障層結(jié)構(gòu)。然而本發(fā)明的實(shí)施例可藉由增加制程的工作壓力來抑制此種移動(dòng)現(xiàn)象。
請參閱圖2A及圖2B，是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中沉積于介層窗與接觸洞的阻障層的剖視圖。在圖2A中，在基材200a上形成金屬層210a，并且在基材上形成介電層220a，以覆蓋金屬層210a。接著在介電層220a中形成介層窗240a，并且曝露出一部份的金屬層210a表面。
其中，基材200a例如可為硅基材、III-V族化合物或是玻璃基材。金屬層210a的材質(zhì)例如可為鋁金屬、鋁銅合金或是銅金屬。形成金屬層210a的方法例如可為化學(xué)氣相沉積法(CVD)、物理氣相沉積法(PVD)、電鍍法或是無電電鍍法(Electroless Plating)。介電層220a的材質(zhì)例如可為無摻雜的硅玻璃(USG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、聚亞酰胺(Polyimide)、苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene)、含有類似鉆石成分的碳化物、Parylene聚合物、SiLK(Poly-arylene Ether)、Cyclotenes、氟化碳、甲基硅酸鹽類(Methylsilsesquioxane)、HSQ(Hydrogen Silsesquioxane)、納米級的多孔性氧化物或是摻雜碳的二氧化硅。形成介電層220a的方法例如可為CVD法、PVD法或是旋涂法，并且利用微影蝕刻法形成介層窗240a。
接著請參閱圖2B，在基材200b上形成金屬層210b，并且在基材上形成介電層220b，以覆蓋金屬層210b。接著在介電層220b中形成介層窗/溝渠240b，并且曝露出一部份的金屬層210b表面。
圖2B的基材200b、金屬層210b、介電層220b分別與圖2A的基材200a、金屬層210a、介電層220a類似，故不再贅述。本發(fā)明的實(shí)施例中利用先形成介層窗或是先形成溝渠的習(xí)知雙鑲嵌制程來形成介層窗/溝渠240b，例如使用微影蝕刻法形成介層窗/溝渠240b。
然后在介層窗240a或是介層窗/溝渠240b中形成阻障層(230a、230b)，阻障層(230a、230b)分別與介層窗240a或是介層窗/溝渠240b形成共形結(jié)構(gòu)。具體而言，是以較大的工作壓力形成阻障層(230a、230b)，工作壓力值例如可介于0.5至200mTorr之間。阻障層的材質(zhì)主要包括鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)以及鉬(Mo)等成分，且使用的反應(yīng)氣體包括氧、氮或是以及碳。所以阻障層(230a、230b)的材質(zhì)例如可為氮化鉭、氧化鉭、氮氧化鉭、氮化鎢、氮化鈦。此外，反應(yīng)氣體的成份與阻障層的材質(zhì)的比值大于或是等于0.45。
其中反應(yīng)氣體的流率介于5至200sccm之間，此外，靶材的直流功率介于10000至90000瓦特之間，且晶圓的偏壓功率介于100至1500瓦特之間。
在一實(shí)施例中，阻障層(230a、230b)的材質(zhì)為氮化鉭的材質(zhì)層，其中氮與鉭的比值約介于0.45至1.00之間，含氮(N2)的反應(yīng)氣體的流率介于0.5至200mTorr，氬氣的流率介于5至200sccm之間，靶材的直流功率介于10000至90000瓦特之間，且晶圓的偏壓功率介于100至1500瓦特之間，晶圓的溫度介于25℃至200℃之間。
由于本發(fā)明的實(shí)施例使用較大的工作壓力，使得阻障層(230a、230b)可分別于介層窗240a以及介層窗/溝渠240b上方形成共形結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明利用產(chǎn)生繞射圖案的技術(shù)來鑒別阻障層(230a、230b)的結(jié)晶特性，此技術(shù)例如可為X光繞射技術(shù)或是窄波束繞射(Narrow BeamDiffraction)技術(shù)。
請參閱圖3A-3C所示，是現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)形成的阻障層的穿透式電子顯微鏡(TEM)圖式及其繞射圖案在圖3A中，TEM圖案中的C區(qū)域?yàn)殂g材質(zhì)層，D區(qū)域?yàn)楝F(xiàn)有習(xí)知的低壓力的制程技術(shù)所形成的氮化鉭材質(zhì)層。D區(qū)域的繞射圖案如圖3B所示，且C區(qū)域的繞射圖案如圖3C所示。圖3B中，窄波束圖案的中心顯示出模糊的環(huán)狀結(jié)構(gòu)與繞射點(diǎn)所構(gòu)成的繞射結(jié)構(gòu)圖形以及微暗的區(qū)域，這些環(huán)狀結(jié)構(gòu)以及微暗的區(qū)域表示氮化鉭材質(zhì)層含有納米級的結(jié)晶(Crystalline)的結(jié)構(gòu)。
請參閱圖4A-4C所示，是本發(fā)明的一實(shí)施例所形成的阻障層的穿透式電子顯微鏡(TEM)圖式及其繞射圖案。如圖4A所示，TEM圖案中的C區(qū)域?yàn)殂g材質(zhì)層，D區(qū)域?yàn)楸景l(fā)明的方法所形成的氮化鉭材質(zhì)層。D區(qū)域的繞射圖案如圖4B所示，且C區(qū)域的繞射圖案如圖3C所示。在圖4B中，窄波束繞射圖案并沒有產(chǎn)生繞射的環(huán)狀結(jié)構(gòu)或是繞射的微暗區(qū)域。依據(jù)窄波束繞射圖案，阻障層中鉭的結(jié)構(gòu)包含許多結(jié)晶性高的α-鉭(B.C.C.結(jié)構(gòu))沉積于氮化鉭材質(zhì)層中形成非均質(zhì)性(Amorphous)的材質(zhì)上。所以利用本發(fā)明的方法所形成的氮化鉭材質(zhì)層并不會(huì)包含長序列的結(jié)晶的微型結(jié)構(gòu)，其有序重復(fù)排列范圍小于20納米(Order range＜200)。
本發(fā)明的實(shí)施例利用較大的工作壓力，使阻障層與介層窗或是接觸洞形成共形的結(jié)構(gòu)，使得后續(xù)的金屬沉積制程可完全地將金屬材質(zhì)填入介層窗或是接觸洞中，而不會(huì)形成空孔。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種阻障層的制造方法，其特征在于其包含施加介于0.5至200mTorr的工作壓力來形成該阻障層，以避免在該阻障層中形成結(jié)晶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻障層的制造方法，其特征在于其中所述的阻障層是為由一阻障材質(zhì)以及至少一反應(yīng)氣體組成的化合物，該阻障材質(zhì)是選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)以及鉬(Mo)所組成的族群，且該反應(yīng)氣體包含氧、氮或碳中至少一成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的阻障層的制造方法，其特征在于其中所述的反應(yīng)氣體的流率介于0.5至200sccm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的阻障層的制造方法，其特征在于其中所述的反應(yīng)氣體是氮。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的阻障層的制造方法，其特征在于其中所述的阻障層的靶材的直流功率介于10000至90000瓦特之間，且晶圓的偏壓功率介于100至1500瓦特之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的阻障層的制造方法，其特征在于其中所述的反應(yīng)氣體的成份與該阻障材質(zhì)的比值不小于0.45。
7.一種阻障層的制造方法，其特征在于其至少包含下列步驟施加介于0.5至200mTorr的工作壓力，以形成該阻障層，該阻障層是為由一阻障材質(zhì)以及至少一反應(yīng)氣體組成的化合物，該阻障材質(zhì)是選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)以及鉬(Mo)所組成的族群，且該反應(yīng)氣體系包含氧、氮或碳中至少一成分，該反應(yīng)氣體的流率介于0.5至200sccm之間；施加流率介于0.5至200sccm的氬氣；以及施加直流功率介于10000至90000瓦特之間于靶材上，且晶圓的偏壓功率介于100至1500瓦特之間。
8.一種阻障層，其特征在于該阻障層包含至少一阻障材質(zhì)以及至少一成分，該阻障材質(zhì)是選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)以及鉬(Mo)所組成的族群，且該成分是為氧、氮或碳，其中該成份與該阻障材質(zhì)的比值不小于0.45。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的阻障層，其特征在于該阻障層并不包含長序列的結(jié)晶的微型結(jié)構(gòu)，其有序重復(fù)排列范圍小于20納米(Order range＜200)。
10.一種阻障層，其特征在于其含有氮與鉭的比值介于0.45至1.00之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的阻障層，其特征在于其中所述的阻障層的材質(zhì)不包含β-鉭的相結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的阻障層，其特征在于其中所述的阻障層的材質(zhì)至少包含α-鉭的相結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種阻障層及其制造方法。該阻障層材質(zhì)主要包括鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、釕(Ru)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉻(Cr)或是鉬(Mo)等成分，且使用的反應(yīng)氣體為氧、氮或是碳，其中反應(yīng)氣體的組成與該阻障層的材質(zhì)的比值約大于或是等于0.45。主要是施加介于0.5至200mTorr的工作壓力來制造該阻障層，避免形成結(jié)晶的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的提出的阻障層及其制造方法是利用較大的工作壓力，使阻障層與介層窗或是接觸洞形成共形的結(jié)構(gòu)，使得后續(xù)的金屬沉積制程可完全地將金屬材質(zhì)填入介層窗或是接觸洞中，而不會(huì)形成空孔，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上廣泛利用的價(jià)值。
文檔編號H01L21/02GK1755914SQ20051000298
公開日2006年4月5日 申請日期2005年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月30日
發(fā)明者黃震麟, 謝靜華, 眭曉林 申請人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司