專利名稱：光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構及制作方法
技術領域：
本技術屬于白光照明工程中提高白光發(fā)光二極管發(fā)光效率領域。尤其涉及利用光子晶體結構提高白光LED出光效率技術。
背景技術：
半導體照明光源的誕生被譽為照明領域的一次革命，其標志是半導體發(fā)光二極管(LED)作為新型光源從特殊照明市場逐漸進入普通照明市場，市場前景極為廣闊。作為特殊照明光源的應用，白光LED已經(jīng)顯示出巨大的性能優(yōu)勢、強勁的發(fā)展勢頭和迅速增長的市場需求。與目前常用的照明光源的發(fā)光效率相比較可以看出，提高氮化鎵基LED的發(fā)光功率是目前的首要任務。在利用微結構提高出光效率方面，世界各國也在進行著激烈的競爭。日本、英國已采用微盤、納米顆粒、不同形狀的mesa等方法制作具有高發(fā)光效率的微結構LED。在眾多的微結構方案中，光子晶體微結構法是提高出光效率最高的方法。目前，國際上有許多關于光子晶體結構的文獻報道(見文獻[1]Shanhui Fan，Pierre R.Villeneuve，J.D.Joannopoulos，E.F.Schubert，High Extraction Efficiency of SpontaneousEmission from Slabs of Photonic Crystals，PHYSICAL REVIEW LETTERS，vol 78，no 17，1997，3294-3297.[2]M.Boroditsky，T.F.Krauss，R.Coccioli，R.Vrijen，R.Bhat，and E.Yablonovitch，Light extraction from optically pumpedlight-emitting diode by thin-slab photonic crystals，Applied Physics Letters，vol75，no8，1999，1036-1038.[3]Alexei A.Erchak，Daniel J.Ripin，Shanhui Fan，Peter Rakich，John D.Joannopoulos，Erich P.Ippen，Gale S.Petrich and LeslieA.Kolodziejski，Enhanced coupling to vertical radiation using a two-dimensional photonic crystal in a semiconductor light-emitting diode，APPLIED PHYSICS LETTERS，vol 78，no 5，2001，563-565.)在光子晶體微結構的實驗方面，英國研究小組在平板結構的帶DBR的AlInGaP LED表面刻蝕一維光子晶體，結果發(fā)現(xiàn)總的出光效率達到34％左右。韓國研究小組研究了近紅外的InGaAsP LED，在其上加上二維光子晶體后，實驗和理論模擬發(fā)現(xiàn)其出光效率都有約8-13倍的提高。Fan S.H.等人通過數(shù)值模擬計算得出光子晶體結構可以將LED對出光效率提高到94％。其中，光子晶體結構的主要作用是抑制板內(nèi)的傳導模并將傳導模提取出板外從而達到出光效率的提高。目前將光子晶體應用到籃光和白光LED上并且利用光子晶體平板波導的傳導模耦合為泄漏模的原理并采用光刻方法還沒有見過報道。本專利即是涉及這方面的技術方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種結構簡單、制作簡便、能大面積制作光子晶體結構的GaN LED及其制作方法，以達到利用光子晶體結構實現(xiàn)高效率功率型白光LED的目的。
本發(fā)明的內(nèi)容是提供一種光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，其特征在于，包括一藍寶石襯底；一N型GaN層，該N型GaN層直接生長在藍寶石襯底上，該N型GaN層的一側的平面上刻蝕有一臺階，形成一大平面和一小平面；一GaN材料有源層，該GaN材料有源層制作在N型GaN層上的大平面上；一P型GaN層，該P型GaN層制作在有源層上；一P型電極和P型焊盤，該P型電極和P型焊盤鋪設在P型GaN層上；一N型電極和N型焊盤，該N型電極和N型焊盤鋪設在N型GaN層上的小平面上；一光子晶體區(qū)，該光子晶體區(qū)刻蝕形成在有源層和P型GaN層內(nèi)，甚至直到N型GaN層內(nèi)，即刻蝕周期性圓孔結構；在該光子晶體區(qū)的中心形成一光子晶體空白區(qū)。
其中所述的電極是透明電極；該電極鋪設在GaN層的上面的一側或鋪設在整個GaN層上，電極是方形電極或是環(huán)形電極。
其中光子晶體區(qū)的光子晶體的晶格常數(shù)a，圓孔的半徑r，a＝1μm-4μm，r/a＝0.25-0.45。
其中光子晶體區(qū)的晶格分為正方晶格，三角晶格或其他晶格結構。
其中光子晶體區(qū)的面積為S，S的范圍為10平方微米-1平方厘米，光子晶體空白區(qū)的面積范圍為0-S/4，光子晶體空白區(qū)的形狀是圓形或是方形或其他各種形狀。
其中所刻蝕的光子晶體區(qū)的圓孔的深度范圍為100nm-2μm范圍。
其中光子晶體區(qū)采用陣列式光子晶體結構，由陣列式光子晶體組成大面積的光子晶體結構GaN LED。
本發(fā)明一種光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟包括步驟1取一藍寶石襯底；步驟2在藍寶石襯底上生長N型GaN層，在該N型GaN層的一側的平面上刻蝕有一臺階，形成一大平面和一小平面；步驟3在該N型GaN層上的大平面上生長有一層GaN材料有源層；步驟4在有源層上生長一P型GaN層；步驟5采用電子束蒸發(fā)的方法在P型GaN層上鋪設一P型電極，在電極上制作P型焊盤；步驟6采用電子束蒸發(fā)的方法在N型GaN層上的小平面上鋪設一N型電極，在N型電極上制作N型焊盤；步驟7采用高分辨率的光刻技術和干法刻蝕技術結合在有源層，P型GaN層，甚至直到N型GaN層內(nèi)，刻蝕形成一光子晶體區(qū)，該光子晶體區(qū)，即刻蝕周期性圓孔結構，光子晶體區(qū)的光子晶體的晶格常數(shù)為500nm以上；在該光子晶體區(qū)的中心形成一光子晶體空白區(qū)。
其中所述的電極是透明電極；該電極鋪設在GaN層的上面的一側或鋪設在整個GaN層上，電極是方形電極或是環(huán)形電極。
其中光子晶體區(qū)的光子晶體的晶格常數(shù)a，圓孔的半徑r，a＝0.5μm-4μm，r/a＝0.25-0.45。
其中光子晶體區(qū)的晶格分為正方晶格，三角晶格或其他晶格結構。
其中光子晶體區(qū)的面積為S，S的范圍為10平方微米-1平方厘米，光子晶體空白區(qū)的面積范圍為0-S/4，光子晶體空白區(qū)的形狀是圓形或是方形或其他各種形狀。
其中所刻蝕的光子晶體區(qū)的圓孔的深度范圍為100nm-2μm范圍。
其中光子晶體區(qū)采用陣列式光子晶體結構，由陣列式光子晶體組成大面積的光子晶體結構GaN LED。
其中還可以在制作完成GaN層后先刻蝕光子晶體區(qū)再制作電極。
所述光子晶體結構的GaN LED結構，其是利用光子晶體結構平板波導可以將傳導模耦合為泄漏模，將自發(fā)輻射全部耦合到自由空間的泄漏模的原理，從而極大的提高了LED的出光效率。


為進一步說明本發(fā)明的技術內(nèi)容，以下結合實施例及附圖詳細說明如后，其中圖1是光子晶體結構GaN LED的結構側向示意圖。1其中1.藍寶石襯底，2.n型GaN，直接生長在藍寶石襯底上，3.GaN材料有源層，制作在N型GaN上，4.P型GaN，5.P型電極，6.P型焊盤，7.N型電極，8.N型焊盤，9.光子晶體區(qū)。
圖2是光子晶體結構GaN LED的俯視圖。5.P型電極區(qū)，6.P型焊盤區(qū)，7.N型電極區(qū)(N型臺面區(qū))，8.N型焊盤區(qū)，9.光子晶體區(qū)，10.光子晶體空白區(qū)。
具體實施例方式
請參閱圖1、圖2，本發(fā)明一種光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，包括一藍寶石襯底1；一N型GaN層2，該N型GaN層2直接生長在藍寶石襯底1上，該N型GaN層2的一側的平面上刻蝕有一臺階，形成一大平面和一小平面；一GaN材料有源層3，該GaN材料有源層3制作在N型GaN層2上的大平面上；一P型GaN層4，該P型GaN層4制作在有源層3上；一P型電極5和P型焊盤6，該P型電極5和P型焊盤6鋪設在P型GaN層4上；其中所述的電極5是透明電極；該電極5鋪設在GaN層4的上面的一側或鋪設在整個GaN層4上，電極5是方形電極或是環(huán)形電極；一N型電極7和N型焊盤8，該N型電極7和N型焊盤8鋪設在N型GaN層2上的小平面上；一光子晶體區(qū)9，該光子晶體區(qū)9刻蝕形成在有源層3和P型GaN層4內(nèi)，甚至直到N型GaN層內(nèi)，即刻蝕周期性圓孔結構；在該光子晶體區(qū)9的中心形成一光子晶體空白區(qū)10；該光子晶體區(qū)9的光子晶體的晶格常數(shù)a，圓孔的半徑r，a＝1μm-4μm，r/a＝0.25-0.45；該光子晶體區(qū)9的晶格分為正方晶格，三角晶格或其他晶格結構；該光子晶體區(qū)9的面積為S，S的范圍為10平方微米-1平方厘米，光子晶體空白區(qū)10的面積范圍為0-S/4，光子晶體空白區(qū)10的形狀是圓形或是方形或其他各種形狀；其中所刻蝕的光子晶體區(qū)9的圓孔的深度范圍為100nm-2μm范圍；該光子晶體區(qū)9采用陣列式光子晶體結構，由陣列式光子晶體組成大面積的光子晶體結構GaN LED。
請再參閱圖1、圖2本發(fā)明一種光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟包括步驟1取一藍寶石襯底1；步驟2在藍寶石襯底1上生長N型GaN層2，在該N型GaN層2的一側的平面上刻蝕有一臺階，形成一大平面和一小平面；步驟3在該N型GaN層2上的大平面上生長有一GaN材料有源層3；步驟4在有源層3上生長一P型GaN層4；步驟5采用電子束蒸發(fā)的方法在P型GaN層4上鋪設一P型電極5，在電極5上制作P型焊盤6；其中所述的電極5是透明電極；該電極5鋪設在GaN層4的上面的一側或鋪設在整個GaN層4上，電極5是方形電極或是環(huán)形電極；步驟6采用電子束蒸發(fā)的方法在N型GaN層2上的小平面上鋪設一N型電極7，在N型電極7上制作N型焊盤8；步驟7采用高分辨率的光刻技術和干法刻蝕技術結合在有源層3，P型GaN層4，甚至直到N型GaN層內(nèi)，刻蝕形成一光子晶體區(qū)9，該光子晶體區(qū)9，即刻蝕周期性圓孔結構，光子晶體區(qū)9的光子晶體的晶格常數(shù)為500nm以上；在該光子晶體區(qū)9的中心形成一光子晶體空白區(qū)10；該光子晶體區(qū)9的光子晶體的晶格常數(shù)a，圓孔的半徑r，a＝0.5μm-4μm，r/a＝0.25-0.45；該光子晶體區(qū)9的晶格分為正方晶格，三角晶格或其他晶格結構；該光子晶體區(qū)9的面積為S，S的范圍為10平方微米-1平方厘米，光子晶體空白區(qū)10的面積范圍為0-S/4，光子晶體空白區(qū)10的形狀是圓形或是方形或其他各種形狀；其中所刻蝕的光子晶體區(qū)9的圓孔的深度范圍為100nm-2μm范圍；該光子晶體區(qū)9采用陣列式光子晶體結構，由陣列式光子晶體組成大面積的光子晶體結構GaN LED。
其中還可以選擇在制作完成GaN層4后先刻蝕光子晶體區(qū)9再制作電極5。
光子晶體是一種低損耗的周期性電介質(zhì)材料，類似于電子在晶體材料中的行為，光子的電磁場矢量在光子晶體材料中以布洛赫波的形式傳播。固體電子能帶由通帶和禁帶組成，類似的，光子晶體材料具有光傳播頻率的導帶和帶隙。處于頻率導帶中的光可以在光子晶體中傳播，形成傳導模，而處于帶隙中的光不能在光子晶體中傳播，以輻射模的形式向外出射。顯然，帶隙中的這部分光對于提高LED外量子效率是有幫助的。另一方面，光子晶體頻帶圖中存在一條泄漏模與傳導模的分界線，這條線滿足色散關系w＝c|k0|，k0是空氣中沿平面方向傳播的波矢。設k為有源區(qū)內(nèi)沿平面方向傳播的波矢，對于分界線以下的模式(k＞k0)，在空氣和半導體界面處受到內(nèi)反射而不能輻射出去；而對于分界線以上的模式(k＜k0)，是光子晶體LED發(fā)光的重要來源。二者的區(qū)別在于，帶隙中提取的光主要集中在陣列中心，而泄漏模提取的光更加擴展。因此根據(jù)不同的需要，可以設計不同的波導結構，不同晶格類型及常數(shù)，選擇我們所需要的出光頻帶。我們可以利用光子晶體結構抑制板內(nèi)的傳導模并將傳導模提取出板外從而達到出光效率的提高。本專利為將光子晶體應用到籃光和白光LED上并且利用光子晶體平板波導的傳導模耦合為泄漏模的原理。
實施例請參閱圖1及圖2，所述光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構包括一藍寶石襯底1；一N型GaN層2，該N型GaN層2直接生長在藍寶石襯底1上，該N型GaN層2的一側的平面上刻蝕有一臺階，形成一大平面和一小平面；一GaN材料有源層3，該GaN材料有源層3制作在N型GaN層2上的大平面上；一P型GaN層4，該P型GaN層4制作在有源層3上；一P型電極5和P型焊盤6，該P型電極5和P型焊盤6鋪設在P型GaN層4上；其中所述的電極5是透明電極；該電極5鋪設在GaN層4的上面的一側或鋪設在整個GaN層4上，電極5是方形電極或是環(huán)形電極；一N型電極7和N型焊盤8，該N型電極7和N型焊盤8鋪設在N型GaN層2上的小平面上；一光子晶體區(qū)9，該光子晶體區(qū)9刻蝕形成在有源層3和P型GaN層4內(nèi)，甚至直到N型GaN層內(nèi)，即刻蝕周期性圓孔結構；在該光子晶體區(qū)9的中心形成一光子晶體空白區(qū)10。
光子晶體區(qū)9的光子晶體的晶格常數(shù)為a，圓孔的半徑r，a＝1μm-4μm，r/a＝0.25-0.45。光子晶體晶格分為正方晶格，三角晶格或其他晶格結構。其中所刻蝕的光子晶體區(qū)9的圓孔的深度范圍為100nm-2μm范圍。光子晶體區(qū)9還可以采用陣列式光子晶體結構，由陣列式光子晶體組成大面積的光子晶體結構GaN LED。光子晶體區(qū)9的面積為S，S的范圍為10平方微米-1平方厘米，光子晶體空白區(qū)10的面積范圍為0-S/4，光子晶體空白區(qū)10的形狀是圓形或是方形或其他各種形狀。
光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的實現(xiàn)方法如下取一藍寶石襯底1，在藍寶石襯底1材料上利用金屬汽相沉積法(MOCVD)技術生長約2μm的N型GaN層2，在該N型GaN層2上的大平面上生長有一四對左右GaN量子阱有源層3；在有源層3上生長一約200nm厚度的P型GaN層4；在該N型GaN層2的一側的平面上利用光刻和干法刻蝕技術刻蝕出一臺階，形成一大平面和一小平面，在形成臺面之后，在材料表面生長一層SiO2，厚度約300nm。然后進行第二次光刻，刻蝕出淀積P透明電極和N型電極需要的窗口，采用電子束蒸發(fā)的方法在P型GaN層4上鋪設一P型電極5，然后再進行低溫退火的方法制作。所述的P型電極5是透明電極，該電極鋪設在GaN層4的上面的一側或鋪設在整個GaN層4上，電極5是方形電極或是環(huán)形電極。采用電子束蒸發(fā)的方法在N型GaN層2上的小平面上鋪設一N型電極7。采用PECVD方法在整個臺面上，包括大平面和小平面上生長200nm厚度的SiO2，以光刻膠作為掩模采用高分辨率的光刻技術和干法刻蝕技術將光子晶體結構刻蝕到SiO2層，然后以SiO2作掩模利用干法刻蝕技術將光子晶體結構轉移到有源層3和P型GaN層4內(nèi)刻蝕形成一光子晶體區(qū)9，該光子晶體區(qū)9，即刻蝕周期性圓孔結構。采用濕法腐蝕方法將多余的SiO2去除。光子晶體區(qū)9的光子晶體的晶格常數(shù)a為500nm以上，圓孔的半徑r，a＝0.5μm-4μm，r/a＝0.25-0.45，所刻蝕的光子晶體區(qū)9的圓孔的深度范圍為100nm-2μm范圍。其中光子晶體區(qū)9的晶格分為正方晶格，三角晶格或其他晶格結構。在該光子晶體區(qū)9的中心形成一光子晶體空白區(qū)10。其中光子晶體區(qū)9的面積為S，S的范圍為10平方微米-1平方厘米，光子晶體空白區(qū)10的面積范圍為0-S/4，光子晶體空白區(qū)10的形狀是圓形或是方形或其他各種形狀。另外光子晶體區(qū)9采用陣列式光子晶體結構，由陣列式光子晶體組成大面積的光子晶體結構GaN LED。
光子晶體制作好后，在P型電極5上制作P型焊盤6，在N型電極7上制作N型焊盤8，焊接引線，完成光子晶體結構GaN基LED的制作。在測試裝置上，通過N型焊盤6和P型焊盤8引線加上驅(qū)動電壓，測試出光效率，分別測試沒有光子晶體微結構和有光子晶體微結構的GaNLED的發(fā)光效率。
還可以選擇在生長完成P型GaN層4后先刻蝕光子晶體區(qū)9再制作電極5，即電極制作在光子晶體之上，但此時光子晶體刻蝕孔的深度一般不超過P型GaN層4的厚度，為了防止電極材料掉到孔內(nèi)，造成LED芯片的P型電極和N型電極短路。
權利要求
1.一種光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，其特征在于，包括一藍寶石襯底；一N型GaN層，該N型GaN層直接生長在藍寶石襯底上，該N型GaN層的一側的平面上刻蝕有一臺階，形成一大平面和一小平面；一GaN材料有源層，該GaN材料有源層制作在N型GaN層上的大平面上；一P型GaN層，該P型GaN層制作在有源層上；一P型電極和P型焊盤，該P型電極和P型焊盤鋪設在P型GaN層上；一N型電極和N型焊盤，該N型電極和N型焊盤鋪設在N型GaN層上的小平面上；一光子晶體區(qū)，該光子晶體區(qū)刻蝕形成在有源層和P型GaN層內(nèi)，甚至直到N型GaN層內(nèi)，即刻蝕周期性圓孔結構；在該光子晶體區(qū)的中心形成一光子晶體空白區(qū)。
2.根據(jù)權利要求1所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中所述的電極是透明電極；該電極鋪設在GaN層的上面的一側或鋪設在整個GaN層上，電極是方形電極或是環(huán)形電極。
3.根據(jù)權利要求1所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中光子晶體區(qū)的光子晶體的晶格常數(shù)a，圓孔的半徑r，a＝1μm-4μm，r/a＝0.25-0.45。
4.根據(jù)權利要求1所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中光子晶體區(qū)的晶格分為正方晶格，三角晶格或其他晶格結構。
5.根據(jù)權利要求1所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中光子晶體區(qū)的面積為S，S的范圍為10平方微米-1平方厘米，光子晶體空白區(qū)的面積范圍為0-S/4，光子晶體空白區(qū)的形狀是圓形或是方形或其他各種形狀。
6.根據(jù)權利要求1所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中所刻蝕的光子晶體區(qū)的圓孔的深度范圍為100nm-2μm范圍。
7.根據(jù)權利要求1所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，其特征在于，其中光子晶體區(qū)采用陣列式光子晶體結構，由陣列式光子晶體組成大面積的光子晶體結構GaN LED。
8.一種光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟包括步驟1取一藍寶石襯底；步驟2在藍寶石襯底上生長N型GaN層，在該N型GaN層的一側的平面上刻蝕有一臺階，形成一大平面和一小平面；步驟3在該N型GaN層上的大平面上生長有一層GaN材料有源層；步驟4在有源層上生長一P型GaN層；步驟5采用電子束蒸發(fā)的方法在P型GaN層上鋪設一P型電極，在電極上制作P型焊盤；步驟6采用電子束蒸發(fā)的方法在N型GaN層上的小平面上鋪設一N型電極，在N型電極上制作N型焊盤；步驟7采用高分辨率的光刻技術和干法刻蝕技術結合在有源層，P型GaN層，甚至直到N型GaN層內(nèi)，刻蝕形成一光子晶體區(qū)，該光子晶體區(qū)，即刻蝕周期性圓孔結構，光子晶體區(qū)的光子晶體的晶格常數(shù)為500nm以上；在該光子晶體區(qū)的中心形成一光子晶體空白區(qū)。
9.根據(jù)權利要求8所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，其中所述的電極是透明電極；該電極鋪設在GaN層的上面的一側或鋪設在整個GaN層上，電極是方形電極或是環(huán)形電極。
10.根據(jù)權利要求8所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，其中光子晶體區(qū)的光子晶體的晶格常數(shù)a，圓孔的半徑r，a＝0.5μm-4μm，r/a＝0.25-0.45。
11.根據(jù)權利要求8所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，其中光子晶體區(qū)的晶格分為正方晶格，三角晶格或其他晶格結構。
12.根據(jù)權利要求8所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，其中光子晶體區(qū)的面積為S，S的范圍為10平方微米-1平方厘米，光子晶體空白區(qū)的面積范圍為0-S/4，光子晶體空白區(qū)的形狀是圓形或是方形或其他各種形狀。
13.根據(jù)權利要求8所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，其中所刻蝕的光子晶體區(qū)的圓孔的深度范圍為100nm-2μm范圍。
14.根據(jù)權利要求8所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，其中光子晶體區(qū)采用陣列式光子晶體結構，由陣列式光子晶體組成大面積的光子晶體結構GaN LED。
15.根據(jù)權利要求8所述的光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管的制作方法，其特征在于，其中還可以在制作完成GaN層后先刻蝕光子晶體區(qū)再制作電極。
全文摘要
一種光子晶體結構GaN基藍光發(fā)光二極管結構，包括一藍寶石襯底；一N型GaN層，該N型GaN層直接生長在藍寶石襯底上，該N型GaN層的一側的平面上刻蝕有一臺階，形成一大平面和一小平面；一GaN材料有源層，該GaN材料有源層制作在N型GaN層上的大平面上；一P型GaN層，該P型GaN層制作在有源層上；一P型電極和P型焊盤，該P型電極和P型焊盤鋪設在P型GaN層上；一N型電極和N型焊盤，該N型電極和N型焊盤鋪設在N型GaN層上的小平面上；一光子晶體區(qū)，該光子晶體區(qū)刻蝕形成在有源層和P型GaN層內(nèi)，甚至直到N型GaN層內(nèi)，即刻蝕周期性圓孔結構；在該光子晶體區(qū)的中心形成一光子晶體空白區(qū)。
文檔編號H01L33/00GK1877872SQ20051001190
公開日2006年12月13日 申請日期2005年6月9日 優(yōu)先權日2005年6月9日
發(fā)明者許興勝, 陳弘達, 馬勇 申請人:中國科學院半導體研究所