專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管與其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制作方法，以及一種發(fā)光二極管陣列及其制作方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有發(fā)光二極管(LED)封裝技術(shù)，先在芯片座上點(diǎn)膠，再將發(fā)光二極管芯片固定于芯片座上，進(jìn)而形成一發(fā)光二極管元件，此步驟稱(chēng)為黏晶(DieBonding)。黏晶膠材主要為具導(dǎo)電性的銀膠或其它非導(dǎo)電性環(huán)氧樹(shù)脂。之后將發(fā)光二極管元件組合于電路板上。倒裝芯片(flip chip)式的發(fā)光二極管，使二極管結(jié)構(gòu)中的p型半導(dǎo)體導(dǎo)電層與n型半導(dǎo)體導(dǎo)電層，暴露于同一側(cè)，以能將陰、陽(yáng)極電極制作于二極管結(jié)構(gòu)的同一側(cè)上，因而，可直接將設(shè)置有陰、陽(yáng)極電極的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)覆置于一錫料(solder)上。如此，能免除采用傳統(tǒng)金屬拉線(xiàn)(wire bonding)的需求。然而現(xiàn)有的倒裝芯片式發(fā)光二極管仍需透過(guò)切割、黏晶等封裝步驟，才能與電路板連結(jié)。因此，若倒裝芯片式發(fā)光二極管的電極具有足夠大的接觸面積，能夠省略現(xiàn)有的封裝步驟，直接與電路板上的電路連接，將是具有需求的。
一般傳統(tǒng)LED的操作電流約為數(shù)十至數(shù)百個(gè)毫安(mA)，但亮度往往不足以應(yīng)付一般照明所需。若組合大量的LED以提高亮度，則LED照明元件的體積將成倍數(shù)增加，使得競(jìng)爭(zhēng)性降低。因此，提升單顆LED的晶粒亮度，成為必然的趨勢(shì)。然而，當(dāng)LED朝向高亮度發(fā)展時(shí)，單一LED的操作電流及功率增加為傳統(tǒng)LED的數(shù)倍至數(shù)百倍的范圍，例如由數(shù)百毫安增加至數(shù)個(gè)安培，使得LED所產(chǎn)生的熱問(wèn)題，不容忽視。LED的性能會(huì)因?yàn)椤睙帷倍档?，例如熱效?yīng)會(huì)影響LED的發(fā)光波長(zhǎng)，半導(dǎo)體特性也因熱而產(chǎn)生亮度衰減，更嚴(yán)重時(shí)甚至造成元件燒壞。因此，若元件本身具有良好的散熱性，不但使用壽命會(huì)增加，亦可應(yīng)用至高電流需求的產(chǎn)品中。
美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)第2004/0188696號(hào)以及第2004/023189號(hào)(為第2004/0188696號(hào)的分案)中分別揭示了一種用于表面黏著技術(shù)(Surface MountTechnology，SMT)的LED封裝結(jié)構(gòu)與方法，其中每一封裝結(jié)構(gòu)含有一LED芯片。每一LED芯片先以倒裝芯片的形式，藉由凸塊(bonding bump)黏著于在一次基座(submount)的前側(cè)(front side)上。在次基座中具有預(yù)先鑿出的通孔陣列(via array)，并填以金屬。此芯片的電極可藉由此通孔陣列連接至次基座的具有錫料的后側(cè)(back side)。此通孔陣列亦可作為L(zhǎng)ED芯片的散熱路徑。在每一LED芯片與次基板黏著之后，再將次基板切割，以進(jìn)行后續(xù)的LED封裝。
然而，在美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)第2004/0188696號(hào)以及第2004/023189號(hào)中的次基座，需鑿出通孔陣列(via array)，并填以金屬，因此將增加工藝成本。此外，每一LED芯片黏著于次基座的步驟，也會(huì)增加制作的復(fù)雜度。因此，若能具有一種發(fā)光二極管，不需次基座，亦可具有良好的散熱路徑，將在市場(chǎng)上具有優(yōu)勢(shì)。此外，若此發(fā)光二極管的電極，亦可增加發(fā)光二極管的發(fā)光效率，將會(huì)更有優(yōu)勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供一種發(fā)光二極管與制作方法，其中此發(fā)光二極管的電極結(jié)構(gòu)有助于此發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
本發(fā)明的又一方面提供一種發(fā)光二極管與制作方法，其中此發(fā)光二極管的電極作為良好的散熱路徑。
本發(fā)明的另一方面提供一種發(fā)光二極管與制作方法，其中此發(fā)光二極管的電極直接與電路板上的電路連接。
本發(fā)明的再一方面提供一種發(fā)光二極管陣列與制作方法，此發(fā)光二極管陣列在一基材上具有多個(gè)發(fā)光二極管，每一發(fā)光二極管的電極直接與電路板上的電路連結(jié)。
在一實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的制作方法，包括(a)形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)，此發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電層、一有源層、與一第二導(dǎo)電層，此有源層位于此第一導(dǎo)電層上以作為一發(fā)光層，此第二導(dǎo)電層位于此有源層上；(b)形成一第一介電層于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上；(c)形成一第二介電層于此第一介電層上；(d)形成一第一金屬層，此第一金屬層位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接此第一導(dǎo)電層，且部分的第一金屬層位于此第一介電層上；(e)形成一第二金屬層，此第二金屬層位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接此第二導(dǎo)電層，且部分的第二金屬層位于此第一介電層上。其中，此第一介電層與此第二介電層絕緣此第一金屬層與此第二金屬層。此外，部分的此第一介電層為一透明介電層，此第一介電層與此第一金屬層及/或此第二金屬層的接觸面供反射此發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光。
在另一實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種倒裝芯片式的發(fā)光二極管。此發(fā)光二極管包括一發(fā)光結(jié)構(gòu)、一第一介電層、一第一金屬層、一第二金屬層、與一第二介電層。此發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電層、一有源層、與一第二導(dǎo)電層。此有源層位于此第一導(dǎo)電層上以作為一發(fā)光層，而此第二導(dǎo)電層位于此有源層上。此第一介電層位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上。此第一金屬層亦位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接此第一導(dǎo)電層，且部分的第一金屬層位于此第一介電層上。此第二金屬層亦位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接此第二導(dǎo)電層，且部分的第二金屬層位于此第一介電層上。此第二介電層位于此第一介電層上，此第一介電層與此第二介電層絕緣此第一金屬層與此第二金屬層。部分的此第一介電層為一透明介電層，此第一介電層與此第一金屬層及/或此第二金屬層的接觸面供反射此發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光。


圖1A至1D為依照本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管制作方法的示意圖；圖1E為本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管的應(yīng)用示意圖；圖2A至2D為依照本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列制作方法的示意圖；圖2E為依照本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列與電路板連結(jié)的示意圖；以及圖2F為依照本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光二極管陣列的封裝示意圖。
簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明發(fā)光二極管10、20a、20b、20c發(fā)光結(jié)構(gòu)100、200a、200b、200c導(dǎo)電層102、102a、106有源層104接合墊107a、107b保護(hù)層120介電層122、222a、222b、222c、140、240a、240b、240c、280
金屬層160、260a、260b、260c、162、262a、262b、262c發(fā)光二極管陣列20基材21錫料22電路板23封裝2具體實(shí)施方式
本發(fā)明揭露一種發(fā)光二極管及制作方法。為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述并配合圖式。
參照?qǐng)D1A至圖1D，為依照本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管的制作方法流程各階段所對(duì)應(yīng)的剖面圖。在圖1A中，首先形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)100，其中包括形成一第一導(dǎo)電層102以作為一包覆層、形成一有源層104位于第一導(dǎo)電層102上以作為一發(fā)光層、形成一第二導(dǎo)電層106于此有源層104上以作為另一包覆層。優(yōu)選地，如圖1A所示，第一導(dǎo)電層102具有暴露的部分102a，而在此暴露部分102a上具有一接合墊(bonding pad)107a，另在第二導(dǎo)電層106上具有一接合墊107b。接合墊107a與107b的材料(例如鋁)與制作方法應(yīng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不加贅述。此外，在一實(shí)施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)100還包括一保護(hù)層(passivation layer)120，以保護(hù)此發(fā)光結(jié)構(gòu)100。此保護(hù)層120材料(例如二氧化硅)與制作方法亦為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此加不贅述。
在一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層102為一n型半導(dǎo)體導(dǎo)電層，而第二導(dǎo)電層106為一p型半導(dǎo)體導(dǎo)電層。此n型半導(dǎo)體導(dǎo)電層102、p型半導(dǎo)體導(dǎo)電層106為任何現(xiàn)有或未來(lái)中可見(jiàn)者的半導(dǎo)體材料，優(yōu)選者為III-V(三/五)族化合物半導(dǎo)體，例如氮化鋁鎵銦(AlxGayIn1-x-yN)，其中(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，并視情況進(jìn)一步被P/N型摻質(zhì)所摻雜。而發(fā)光層104亦可使用現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料與結(jié)構(gòu)，例如材料可為氮化鋁鎵銦(AlGaInN)或磷化鋁鎵銦(AlGaInP)等，而結(jié)構(gòu)可為單量子井(Single Quantum Well，SQW)、多量子井(Multiple Quantum Well，MQW)與雙異質(zhì)(Double Heterosture，DH)，其發(fā)光原理與機(jī)制為現(xiàn)有的技術(shù)，在此不再贅述。此外，發(fā)光結(jié)構(gòu)100的制作可藉由有機(jī)氣相分子沉積(MOCVD)、分子束外延成長(zhǎng)(molecular beam epitaxy，MBE)工藝、或氫化物氣相外延成長(zhǎng)(hydride vapor phase epitaxy，HVPE)工藝等。
接著，如圖1B所示，形成一第一介電層122于此發(fā)光結(jié)構(gòu)100上。優(yōu)選地，第一介電層122為一透明介電層，且其厚度D≤20μm，藉此有效地傳導(dǎo)發(fā)光結(jié)構(gòu)100所產(chǎn)生的熱。第一介電層122的材料可為二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、或是其組合，而其制作可藉由MOCVD或是MBE。
之后，參見(jiàn)圖1C，形成一第二介電層140于此第一介電層122上。此第二介電層140的材料可為二氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺(polyimide)、BCB(bisbenzocyclobutene)以及光致抗蝕劑(photoresist)中選擇其一。優(yōu)選地，此第二介電層140的厚度約25μm，藉由一印刷技術(shù)而形成。
參見(jiàn)圖1D，在第二介電層140形成之后，形成金屬層160，金屬層160位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)100上并電連接此第一導(dǎo)電層102，且部分的金屬層160位于此第一介電層122上；以及形成金屬層162，金屬層162位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)100上并電連接此第二導(dǎo)電層106，且部分的金屬層162位于此第一介電層122上。其中，此第一介電層122與此第二介電層140隔絕此金屬層160與此金屬層162。金屬層160或金屬層162的材料可選自金(Au)、鋁(Al)、銀(Ag)或銀合金，以及其它現(xiàn)有的金屬。優(yōu)選地，金屬層160與金屬層162藉由一印刷技術(shù)而共同形成。經(jīng)由上述步驟，即完成發(fā)光二極管10。
在一實(shí)施例中，介電層122為一透明介電層，而此介電層122與金屬層160及金屬層162的接觸面供反射發(fā)光結(jié)構(gòu)100發(fā)出的光，因而可有效提升發(fā)光二極管10的光輸出強(qiáng)度。此外，金屬層160及金屬層162亦作為此發(fā)光結(jié)構(gòu)100的一散熱路徑，當(dāng)此金屬層160及金屬層162具有較大的接觸面積A1、A2，也有助于有效且快速的散熱。
如圖1E所示，發(fā)光二極管10a、10b、10c如同圖1D所示的發(fā)光二極管10，提供足夠大的接觸面積(優(yōu)選為至少占據(jù)發(fā)光二極管10截面積的一半)，以利用錫料(solder)12直接與電路板13連接，而不需要黏晶(Die Bonding)與金屬拉線(xiàn)(Wire Bonding)等過(guò)程。在一實(shí)施例中，發(fā)光二極管10a發(fā)出紅光(R)、發(fā)光二極管10b發(fā)出綠光(G)、發(fā)光二極管10c發(fā)出藍(lán)光(B)，三者分別與電路板13連接以供影像顯示的用途。
參照?qǐng)D2A至圖2D，為依照本發(fā)明實(shí)施例的一種發(fā)光二極管陣列的制作方法流程各階段所對(duì)應(yīng)的剖面圖。在圖2A中，首先提供一基材21，例如一藍(lán)寶石(Sapphire)基材、砷化鎵(GaAs)基材、或是其它本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的基材與其組合。接著，在基材21上形成多個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)200a、200b、與200c。發(fā)光結(jié)構(gòu)200a、200b、與200c的材料與制作方法可參考圖1A至圖1D的發(fā)光結(jié)構(gòu)100。相似地，發(fā)光結(jié)構(gòu)200a、200b、與200c的制作可藉由有機(jī)氣相分子沉積(MOCVD)工藝、分子束外延成長(zhǎng)(molecular beam epitaxy，MBE)工藝、或氫化物氣相外延成長(zhǎng)(hydride vaporphase epitaxy，HVPE)工藝等。
接著，如圖2B所示，形成一介電層222a于發(fā)光結(jié)構(gòu)200a上、形成一介電層222b于發(fā)光結(jié)構(gòu)200b上、形成一介電層222c于發(fā)光結(jié)構(gòu)200c上。優(yōu)選地，如同圖1B所示的介電層122，介電層222a、222b、222c為一透明介電層，且其厚度D≤20μm，藉此有效地傳導(dǎo)發(fā)光結(jié)構(gòu)200a、200b、200c所產(chǎn)生的熱。介電層222a、222b、222c的材料可為二氧化硅或氮化硅，而其制作可藉由MOCVD或是MBE。
之后，參見(jiàn)圖2C，形成介電層240a于介電層222a上、形成介電層240b于介電層222b上、形成介電層240c于介電層222c上。此介電層240a、240b、240c的材料可為二氧化硅、氮化硅、聚亞酰胺(polyimide)、BCB(bisbenzocyclobutene)以及光致抗蝕劑(photoresist)中選擇其一。優(yōu)選地，如同圖1C所示的介電層140，介電層240a、240b、240c的厚度約為25μm，藉由一印刷技術(shù)而形成。在一實(shí)施例中，在發(fā)光結(jié)構(gòu)200a、200b、200c之間，還形成一介電層280，供絕緣發(fā)光二極管20a、20b、與20c(如圖D所示)。在此實(shí)施例中，介電層280的材料與介電層240a、240b、240c的材料相同，例如聚亞酰胺，并利用一工藝(例如一印刷技術(shù))而共同形成。在另一實(shí)施例中，介電層280的材料不同于介電層240a、240b、240c的材料，且工藝亦不相同。
參見(jiàn)圖2D，形成金屬層260a、260b、260c；以及形成金屬層262a、262b、262c。金屬層260a、260b、260c、262a、262b、與262c的材料可選自金(Au)、鋁(Al)、銀(Ag)或銀合金。優(yōu)選地，金屬層260a、260b、260c、262a、262b、與262c藉由一印刷技術(shù)而共同形成。經(jīng)由上述步驟，即完成具有發(fā)光二極管20a、20b、與20c的發(fā)光二極管陣列20。
如圖2E所示，在一實(shí)施例中，發(fā)光二極管20a、20b、與20c提供足夠大的接觸面積，以利用錫料(solder)22直接與電路板23連接。再利用現(xiàn)有的手段(例如利用一準(zhǔn)分子激光)使基材21與發(fā)光二極管陣列20脫離，而發(fā)光二極管陣列20可作為影像顯示之用。相較于現(xiàn)有LED用于影像顯示的技術(shù)，每一發(fā)光二極管20a、20b、20c省卻了切割與封裝的步驟，而減少彼此的間隔距離，使得影像顯示具有較高的分辨率。在另一實(shí)施例中，如圖2F所示，亦可針對(duì)與電路板23連接的發(fā)光二極管陣列20(包括三個(gè)發(fā)光二極管20a、20b、20c)進(jìn)行封裝24。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)專(zhuān)利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包括在下述的權(quán)利要求內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的制作方法，包括形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電層、一有源層、與一第二導(dǎo)電層，該有源層位于該第一導(dǎo)電層上以做為一發(fā)光層，該第二導(dǎo)電層位于該有源層上；形成一第一介電層于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上；形成一第二介電層于該第一介電層上；形成一第一金屬層，該第一金屬層位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接該第一導(dǎo)電層，且部分的第一金屬層位于該第一介電層上；以及形成一第二金屬層，該第二金屬層位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接該第二導(dǎo)電層，且部分的第二金屬層位于該第一介電層上；其中，該第一介電層與該第二介電層絕緣該第一金屬層與該第二金屬層；以及其中，部分的該第一介電層為一透明介電層，該第一介電層與該第一金屬層及/或該第二金屬層的接觸面供反射該發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一金屬層為一第一電極，該第二金屬層為一第二電極，其中該第一金屬層及/或該第二金屬層作為該發(fā)光結(jié)構(gòu)的一散熱路徑。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該透明介電層的厚度D≤20μm。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一金屬層及/或該第二金屬層藉由一印刷技術(shù)而形成。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中該第二介電層藉由一印刷技術(shù)而形成。
6.一種發(fā)光二極管陣列的制作方法，包括提供一基材；以及形成多個(gè)發(fā)光二極管，其中形成每一發(fā)光二極管的步驟還包括形成一發(fā)光結(jié)構(gòu)于該基材上，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電層、一有源層、與一第二導(dǎo)電層，該有源層位于該第一導(dǎo)電層上以作為一發(fā)光層，該第二導(dǎo)電層位于該有源層上；形成一第一介電層于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上；形成一第二介電層于該第一介電層上；形成一第一金屬層，該第一金屬層位于每一發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接每一第一導(dǎo)電層，且部分的第一金屬層位于該第一介電層上；以及形成一第二金屬層，該第二金屬層亦位于每一發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接該第二導(dǎo)電層，且部分的第二金屬層位于該第一介電層上；其中，每一第一介電層與該第二介電層絕緣每一第一金屬層與每一第二金屬層；以及其中，部分的該第一介電層為一透明介電層，該第一介電層與該第一金屬層及/或該第二金屬層的接觸面供反射該發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，對(duì)于每一發(fā)光二極管，該第一金屬層為一第一電極，該第二金屬層為一第二電極，其中該第一金屬層及/或該第二金屬層作為該發(fā)光結(jié)構(gòu)的一散熱路徑。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中每一第一金屬層及/或每一第二金屬層藉由一印刷技術(shù)而形成。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中每一第二介電層藉由一印刷技術(shù)而形成。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括形成一第三介電層，供絕緣每一發(fā)光二極管。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該多個(gè)發(fā)光二極管中至少包括一紅光發(fā)光二極管、一綠光發(fā)光二極管、或一藍(lán)光發(fā)光二極管。
12.一種發(fā)光二極管，包括一發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電層、一有源層、與一第二導(dǎo)電層，該有源層位于該第一導(dǎo)電層上以作為一發(fā)光層，該第二導(dǎo)電層位于該有源層上；一第一介電層，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上；一第一金屬層，亦位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接該第一導(dǎo)電層，且部分的第一金屬層位于該第一介電層上；一第二金屬層，亦位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接該第二導(dǎo)電層，且部分的第二金屬層位于該第一介電層上；以及一第二介電層，位于該第一介電層上，該第一介電層與該第二介電層絕緣該第一金屬層與該第二金屬層；其中，部分的該第一介電層為一透明介電層，該第一介電層與該第一金屬層及/或該第二金屬層的接觸面供反射該發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中該第一金屬層作為一第一電極，該第二金屬層作為一第二電極。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管，其中該第一金屬層及/或該第二金屬層作為該發(fā)光結(jié)構(gòu)的一散熱路徑。
15.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中該第一金屬層及/或該第二金屬層作為該發(fā)光結(jié)構(gòu)的一散熱路徑。
16.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其中該透明介電層的厚度D≤20μm。
17.一種發(fā)光二極管陣列，包括一基材；以及多個(gè)發(fā)光二極管，位于該基材上，每一發(fā)光二極管包括一發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電層、一有源層、與一第二導(dǎo)電層，該有源層位于該第一導(dǎo)電層上以作為一發(fā)光層，該第二導(dǎo)電層位于該有源層上；一第一介電層，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上；一第一金屬層，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接該第一導(dǎo)電層，且部分的第一金屬層還位于該第一介電層上；一第二金屬層，位于該發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接該第二導(dǎo)電層，且部分的第二金屬層還位于該第一介電層上；以及一第二介電層，位于每一該第一介電層上，在每一發(fā)光二極管單元中，該第一介電層與該第二介電層絕緣該第一金屬層與該第二金屬層；其中，在每一發(fā)光二極管中，部分的該第一介電層為一透明介電層，該第一介電層與該第一金屬層及/或該第二金屬層的接觸面供反射該發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出的光。
18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管陣列，其中，對(duì)于每一發(fā)光二極管，該第一金屬層為一第一電極，該第二金屬層為一第二電極，且該第一金屬層及/或該第二金屬層作為該發(fā)光結(jié)構(gòu)的一散熱路徑。
19.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管陣列，還包括一第三介電層，供絕緣每一發(fā)光二極管。
20.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管陣列，其中該多個(gè)發(fā)光二極管中至少包括一紅光發(fā)光二極管、一綠光發(fā)光二極管、或一藍(lán)光發(fā)光二極管。
全文摘要
一種倒裝芯片式的發(fā)光二極管。此發(fā)光二極管包括一發(fā)光結(jié)構(gòu)、一第一介電層、一第一金屬層、一第二金屬層、與一第二介電層。此發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一第一導(dǎo)電層、一有源層、與一第二導(dǎo)電層。此有源層位于此第一導(dǎo)電層上，而此第二導(dǎo)電層位于此有源層上。此第一介電層位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上。此第一金屬層亦位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接此第一導(dǎo)電層，且部分的第一金屬層位于此第一介電層上。此第二金屬層亦位于此發(fā)光結(jié)構(gòu)上并電連接此第二導(dǎo)電層，且部分的第二金屬層位于此第一介電層上。此第二介電層位于此第一介電層上。
文檔編號(hào)H01L27/15GK1819284SQ20051005161
公開(kāi)日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2005年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月8日
發(fā)明者杜全成, 吳仁釗, 謝育仁 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司