專利名稱：顯示器件和采用該顯示器件的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括多個(gè)像素和多個(gè)存儲(chǔ)單元的顯示器件。本發(fā)明還涉及采用具有多個(gè)像素和多個(gè)存儲(chǔ)單元的該顯示器件的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，人們研制開(kāi)發(fā)了包括在襯底上設(shè)置的各種電路的顯示器件。例如，有單片顯示器件，其中，在同一襯底上設(shè)置了用于顯示圖像的有源矩陣電路和用于控制有源矩陣電路操作的驅(qū)動(dòng)電路(例如，參見(jiàn)專利文獻(xiàn)1)。
日本專利申請(qǐng)JP特開(kāi)平10-228248當(dāng)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)電路與用于顯示圖像的像素部分和用于控制像素部分操作的驅(qū)動(dòng)電路一起設(shè)置在襯底上時(shí)，可提供高性能、多功能、且高凈增值的顯示器件。作為存儲(chǔ)電路，可給出DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、FeRAM(鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器)、掩模ROM(只讀存儲(chǔ)器)、EPROM(用電可編程只讀存儲(chǔ)器)、EEPROM(用電可擦除只讀存儲(chǔ)器)、閃存等。DRAM和SRAM是易失性存儲(chǔ)器，缺陷在于，當(dāng)關(guān)閉電源時(shí)，數(shù)據(jù)必須重新寫入存儲(chǔ)器中。FeRAM是非易失性存儲(chǔ)器，缺陷在于，由于采用包括鐵電層的電容器元件，增加了制造步驟的數(shù)量。掩模ROM包括簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)；然而，它的缺陷在于，數(shù)據(jù)必須在制造過(guò)程中寫入，新的數(shù)據(jù)不能附加地寫入掩模ROM中。EPROM、EEPROM和閃存是非易失性存儲(chǔ)器；然而，由于它們采用各包括兩個(gè)柵電極的元件，因此存在增加了制造步驟的數(shù)量的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種具有非易失性存儲(chǔ)器電路的顯示器件和采用該顯示器件的電子設(shè)備，在沒(méi)有增加制造步驟數(shù)量的情況下，數(shù)據(jù)可以附加的寫入該存儲(chǔ)器電路中。
本發(fā)明提供一種具有存儲(chǔ)電路的顯示器件，該存儲(chǔ)電路包括具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)元件，在該存儲(chǔ)元件中有機(jī)化合物層插入在一對(duì)導(dǎo)電層之間。根據(jù)具有以上結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，可提供一種具有非易失性存儲(chǔ)器電路的顯示器件，其中，在沒(méi)有增加制造步驟數(shù)量的情況下，數(shù)據(jù)可以附加的寫入。
在本發(fā)明的一個(gè)方案中，顯示器件具有在襯底上設(shè)置的、用于顯示圖像的多個(gè)像素和用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。多個(gè)像素的各具有發(fā)光元件。多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件。發(fā)光元件和存儲(chǔ)器元件各具有第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的第二導(dǎo)電層。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件包括在襯底上設(shè)置的像素部分和存儲(chǔ)器單元部分。像素部分具有多個(gè)像素。存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元。多個(gè)像素各具有發(fā)光元件。多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件。像素部分和存儲(chǔ)器單元部分分別具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線。發(fā)光元件和存儲(chǔ)器元件各具有用作第一布線的第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的并用作第二布線的第二導(dǎo)電層。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件具有在襯底上設(shè)置的像素部分和存儲(chǔ)器單元部分。像素部分具有多個(gè)像素。存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元。多個(gè)像素各具有發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)晶體管(它對(duì)應(yīng)于第一晶體管)。多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件和開(kāi)關(guān)晶體管(它對(duì)應(yīng)于第二晶體管)。發(fā)光元件和存儲(chǔ)器元件各具有第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的第二導(dǎo)電層。包括在各發(fā)光元件中的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。包括在各存儲(chǔ)器元件中的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層連接到開(kāi)關(guān)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件具有在襯底上設(shè)置的像素部分和存儲(chǔ)器單元部分。像素部分具有多個(gè)像素。存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元。多個(gè)像素各具有發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)晶體管。各發(fā)光元件具有一對(duì)導(dǎo)電層和插入該對(duì)導(dǎo)電層之間的有機(jī)化合物層。包括在發(fā)光元件中的該對(duì)導(dǎo)電層之一連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。存儲(chǔ)器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線。多個(gè)存儲(chǔ)器單元分別具有存儲(chǔ)器元件。各存儲(chǔ)器元件具有用作第一布線的第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的并用作第二布線的第二導(dǎo)電層。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件具有在襯底上設(shè)置的像素部分、存儲(chǔ)器單元部分和驅(qū)動(dòng)器電路部分。像素部分具有多個(gè)像素。存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元。驅(qū)動(dòng)器電路部分具有多個(gè)晶體管。多個(gè)像素分別具有發(fā)光元件和驅(qū)動(dòng)晶體管。各發(fā)光元件具有一對(duì)導(dǎo)電層和插入該對(duì)導(dǎo)電層之間的有機(jī)化合物層。包括在各發(fā)光元件中的該對(duì)導(dǎo)電層之一連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。存儲(chǔ)器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線。多個(gè)存儲(chǔ)器單元分別具有存儲(chǔ)器元件。各存儲(chǔ)器元件具有用作第一布線的第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的并用作第二布線的第二導(dǎo)電層。將存儲(chǔ)器單元部分設(shè)置成與驅(qū)動(dòng)器電路部分重疊。
在本發(fā)明的另一方案中，顯示器件具有在襯底上設(shè)置的像素部分和存儲(chǔ)器單元部分。像素部分具有多個(gè)像素。存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元。多個(gè)像素分別具有液晶元件和晶體管。存儲(chǔ)器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線。多個(gè)存儲(chǔ)器單元分別具有存儲(chǔ)器元件。各存儲(chǔ)器元件具有用作第一布線的第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的并用作第二布線的第二導(dǎo)電層。
在具有以上結(jié)構(gòu)的顯示器件中，存儲(chǔ)器元件是其導(dǎo)電性因光學(xué)作用而改變的元件。此外，存儲(chǔ)器元件的電阻因光學(xué)效用而改變。并且，存儲(chǔ)器元件的電阻因電效應(yīng)而改變。有機(jī)化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑(photo acid generator)的共軛聚合物材料制成。此外，有機(jī)化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料形成。并且，本發(fā)明提供采用具有以上結(jié)構(gòu)的顯示器件的電子設(shè)備。
在具有以上結(jié)構(gòu)的顯示器件中，存儲(chǔ)器元件是第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的距離因電效應(yīng)而改變的元件。這表示當(dāng)利用電效應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件中時(shí)，電壓施加于存儲(chǔ)器元件，第一和第二導(dǎo)電層有時(shí)彼此短路。也就是說(shuō)，當(dāng)電壓施加于存儲(chǔ)器元件且第一和第二導(dǎo)電層彼此短路時(shí)，與在第一和第二導(dǎo)電層彼此短路之前相比，在第一和第二導(dǎo)電層之間的距離改變。
有機(jī)化合物層至少包括具有載流子傳輸性能的材料。這是因?yàn)楫?dāng)利用電效應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件中時(shí)，必須傳輸載流子以使電流流過(guò)存儲(chǔ)器元件。有機(jī)化合物層還具有帶載流子傳輸性能的材料。有機(jī)化合物的導(dǎo)電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
有機(jī)化合物層的厚度是5-60nm，優(yōu)選為10-20nm。如果有機(jī)化合物層的厚度是5nm或更薄，則難以控制其厚度，使其厚度發(fā)生變化。作為選擇，如果有機(jī)化合物層的厚度是60nm或更厚，則增加了對(duì)于利用電效應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件中所需的功耗。當(dāng)將有機(jī)化合物層的厚度設(shè)定為10-20nm時(shí)，難以使厚度變化，可以抑制功率消耗。并且，襯底可具有撓性。
本發(fā)明的顯示器件可采用利用任何非晶半導(dǎo)體層、微晶半導(dǎo)體層、單晶半導(dǎo)體層、有機(jī)半導(dǎo)體層等形成的晶體管。晶體管可采用其中半導(dǎo)體層、柵絕緣層和柵極順序?qū)盈B的頂柵結(jié)構(gòu)、其中柵極、柵絕緣層和半導(dǎo)體層順序?qū)盈B的底柵結(jié)構(gòu)、以及其中第一柵極、第一柵絕緣層、半導(dǎo)體層、第二柵絕緣層和第二柵極順序?qū)盈B的雙柵結(jié)構(gòu)。此外，可采用包括源極、漏極、柵極和溝道形成區(qū)的晶體管或者包括源極、漏極、多個(gè)柵極和多個(gè)溝道形成區(qū)的晶體管。
此外，將例如視頻信號(hào)和各種控制信號(hào)等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在本發(fā)明的顯示器件中所包括的存儲(chǔ)單元部分中。將在存儲(chǔ)器單元部分中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)任意供應(yīng)到像素部分。圖像根據(jù)由存儲(chǔ)器單元部分提供的視頻信號(hào)或各種信號(hào)在顯示部分顯示。通過(guò)在同一襯底上形成用于顯示圖像的像素部分和用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元部分，可減少連接到外部的IC芯片的數(shù)量，可以提供小、薄、輕的顯示器件。
利用光效應(yīng)或電效應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入包括在本發(fā)明顯示器件中的存儲(chǔ)器電路中。存儲(chǔ)器電路是非易失性的，因此數(shù)據(jù)可附加地寫入存儲(chǔ)器電路中。因此，可在防止數(shù)據(jù)被非法寫入、保證安全的同時(shí)將新的數(shù)據(jù)附加寫入存儲(chǔ)器電路中。因此，本發(fā)明可提供實(shí)現(xiàn)了多功能、高性能和高附加值的顯示器件。
本發(fā)明的一個(gè)特點(diǎn)在于，顯示器件具有包括存儲(chǔ)器元件的存儲(chǔ)器電路，所述存儲(chǔ)器元件具有其中將有機(jī)化合物層插入一對(duì)導(dǎo)電層之間的結(jié)構(gòu)。由于該存儲(chǔ)器元件具有與發(fā)光元件的存儲(chǔ)器相同的或類似的結(jié)構(gòu)并具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)，因此可在不增加制造步驟數(shù)量的條件下容易地制造該存儲(chǔ)器元件，可提供價(jià)格便宜的顯示器件。此外，由于可容易地縮小存儲(chǔ)器的面積，因此存儲(chǔ)器元件可容易地高度集成化。因此，可提供包括高容量存儲(chǔ)器電路的顯示器件。
并且，本發(fā)明的顯示器件的另一特點(diǎn)在于，在同一襯底上設(shè)置了用于顯示圖像的多個(gè)像素和存儲(chǔ)器電路。根據(jù)此特點(diǎn)，可減少連接到外部的IC芯片的數(shù)量，因此，提供了小、薄、輕的顯示器件。在要求小、薄、輕的便攜式終端中，本發(fā)明的這一特點(diǎn)是有效的。


圖1A至1C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施方式1)；圖2是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的橫截面圖(實(shí)施方式1)；圖3A-3C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施方式1)；圖4A和4B是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的橫截面圖(實(shí)施方式1)；
圖5A-5C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施方式1)；圖6A和6B是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的橫截面圖(實(shí)施方式1)；圖7A-7C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施方式1)；圖8是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的橫截面圖(實(shí)施方式1)；圖9A和9B是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施方式2)；圖10A-10C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施方式2)；圖11A-11C是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施例1)；圖12A和12B是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施例2)；圖13是表示根據(jù)本發(fā)明的顯示器件的示圖(實(shí)施例3)；圖14是表示采用本發(fā)明的顯示器件的電子設(shè)備的示圖(實(shí)施例4)；圖15A-15F是表示采用本發(fā)明的顯示器件的電子設(shè)備的示圖(實(shí)施例4)；圖16是表示存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的曲線(實(shí)施例5)；圖17是表示存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的曲線(實(shí)施例5)；圖18A和18B是表示存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的曲線(實(shí)施例6)；圖19A和19B是表示存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的曲線(實(shí)施例6)；圖20A和20B是表示存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的曲線。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易理解，在不脫離本發(fā)明的目的和范圍的情況下，可以以各種方式對(duì)在此公開(kāi)的實(shí)施方式和具體細(xì)節(jié)進(jìn)行修改。本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于以下給出的實(shí)施方式的描述。此外，表示同一部分的參考標(biāo)記共用于附圖中。

參照?qǐng)D1A-1C、圖2、圖3A-3C、圖4A和4B、圖5A-5C、圖6A和6B、圖7A-7C和圖8描述本發(fā)明的顯示器件的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的顯示器件包括像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12。根據(jù)像素部分11的結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)器單元部分12的結(jié)構(gòu)，顯示器件大致分成以下三種情況情況A，像素部分11具有無(wú)源矩陣類型，存儲(chǔ)器單元部分12具有無(wú)源矩陣類型；情況B，像素部分11具有有源矩陣類型，存儲(chǔ)器單元部分12具有有源矩陣類型；情況C，像素部分11具有有源矩陣類型，存儲(chǔ)器單元部分12具有無(wú)源矩陣類型。下面描述這三種情況。
參照?qǐng)D1A-1C和圖2描述像素部分11具有無(wú)源矩陣類型、存儲(chǔ)器單元部分12具有無(wú)源矩陣類型的情況A。
在襯底25上設(shè)置像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12(參見(jiàn)圖1A)。像素部分11具有多個(gè)像素13，存儲(chǔ)器單元部分12具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元14(參見(jiàn)圖1B)。像素13分別具有發(fā)光元件15，而存儲(chǔ)器單元14分別具有存儲(chǔ)器元件16。像素部分11包括沿第一方向延伸的多條第一布線Sa(1≤a≤x，其中a和x是自然數(shù)，也將它們稱作源極線)和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Gb(1≤b≤y，其中b和y是自然數(shù)，也將它們稱作柵極線)。存儲(chǔ)器單元部分12包括沿第一方向延伸的多條第一布線Ba(1≤a≤m，其中m是自然數(shù)，也將它們稱作位線)和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Wb(1≤b≤n，其中n是自然數(shù)，也將它們稱作字線)。
接下來(lái)，參照?qǐng)D2描述具有以上結(jié)構(gòu)的顯示器件的橫截面結(jié)構(gòu)。圖2的橫截面圖的線A-B對(duì)應(yīng)于圖1A的頂視圖的線A-B。
在像素部分11中，設(shè)置發(fā)光元件15。發(fā)光元件15分別包括用作第一布線Sa的第一導(dǎo)電層17、有機(jī)化合物層18和用作第二布線Gb的第二導(dǎo)電層19(參見(jiàn)圖2)。第一導(dǎo)電層17、有機(jī)化合物層18和第二導(dǎo)電層19層疊在各發(fā)光元件中。用作堤部(banks)的絕緣層26設(shè)置在相鄰的發(fā)光元件15之間。
在存儲(chǔ)器單元部分12中，設(shè)置存儲(chǔ)器元件16。存儲(chǔ)器元件16包括用作第一布線Ba的第一導(dǎo)電層20、有機(jī)化合物層21和用作第二布線Wb的第二導(dǎo)電層22。第一導(dǎo)電層20、有機(jī)化合物層21和第二導(dǎo)電層22層疊在各存儲(chǔ)器元件中。用作堤部(banks)的絕緣層27設(shè)置在相鄰的存儲(chǔ)器元件之間。
在襯底25上設(shè)置密封材料28。襯底25和相對(duì)襯底29利用密封材料28相互貼緊。此外，在襯底25上設(shè)置連接膜30和連接膜31，連接膜30通過(guò)各向異性導(dǎo)電層31連接到第一導(dǎo)電層17，連接膜31通過(guò)各向異性導(dǎo)電層33連接到第一導(dǎo)電層20。具體而言，連接膜30和31對(duì)應(yīng)于撓性印刷電路(FPC)或類似物。將用于控制構(gòu)成像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12的多個(gè)元件的操作的信號(hào)和電源電壓從外部通過(guò)連接膜30和31輸入。
在以上結(jié)構(gòu)中，由于像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12都具有無(wú)源矩陣類型，因此在襯底25上沒(méi)有設(shè)置晶體管。因此，為了控制像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12，采用IC芯片。IC芯片例如可如下設(shè)置。將用作驅(qū)動(dòng)器電路的IC芯片34和35貼到連接膜30和31上(參見(jiàn)圖1A和圖2)。作為選擇，在襯底25上設(shè)置IC芯片34和35。這可減少連接到外部的IC芯片的數(shù)量，由此實(shí)現(xiàn)顯示器件的小型化和厚度減薄。也就是說(shuō)，可減少在外部設(shè)置的印刷線路板上放置的IC芯片的數(shù)量，可以實(shí)現(xiàn)顯示器件的小型化和厚度減薄。
此外，利用電效應(yīng)讀出在包括在存儲(chǔ)器單元14中的存儲(chǔ)器元件16中寫入的數(shù)據(jù)。具體而言，通過(guò)將電壓施加在電容器元件16的第一導(dǎo)電層20和第二導(dǎo)電層22之間并讀出存儲(chǔ)器元件16的電阻，讀出數(shù)據(jù)。當(dāng)以這種方式讀出數(shù)據(jù)時(shí)，存儲(chǔ)器元件16有時(shí)在被施加電壓時(shí)發(fā)光。
因此，在包括在發(fā)光元件15中的有機(jī)化合物層18和包括在存儲(chǔ)器元件16中的有機(jī)化合物層21由相同材料制成時(shí)，優(yōu)選將外殼設(shè)置成通過(guò)肉眼不能識(shí)別存儲(chǔ)器單元部分12和存儲(chǔ)器元件16的光發(fā)射。這在采用本發(fā)明的顯示器件作為電子設(shè)備的情況下是有效的。
并且，包括在發(fā)光元件15中的有機(jī)化合物層18和包括在存儲(chǔ)器元件16中的有機(jī)化合物層21可形成為彼此具有不同結(jié)構(gòu)。例如，各有機(jī)化合物層18可形成為具有電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層的五層結(jié)構(gòu)。各有機(jī)化合物層21可形成為具有除發(fā)光層之外的上述其它層。具體而言，有機(jī)化合物層21可具有僅包括電子注入層的結(jié)構(gòu)、或僅包括電子注入層和電子傳輸層的結(jié)構(gòu)、或僅包括空穴傳輸層和空穴注入層的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)使存儲(chǔ)器元件16在施加有電壓時(shí)不發(fā)光。
此外，從發(fā)光元件15中發(fā)出的光包括在從單一激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時(shí)的光發(fā)射(磷光)和從三重激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時(shí)的光發(fā)射(熒光)?？刹捎脽晒夂土坠獾囊环N或多種。
參照?qǐng)D3A-3C和圖4A和4B描述像素部分11具有有源矩陣類型、存儲(chǔ)器單元部分12具有有源矩陣類型的情況B。
在襯底25上設(shè)置像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12。在圖3A中，在襯底25上還設(shè)置了驅(qū)動(dòng)器電路部分61和62。驅(qū)動(dòng)器電路部分61和62包括多個(gè)晶體管，該晶體管用于控制像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12之一或兩者。如果不需要，可不提供驅(qū)動(dòng)器電路部分61和62。
像素部分11包括多個(gè)像素13，存儲(chǔ)器單元部分12包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元14(參見(jiàn)圖3B和3C)。并且，像素13分別包括發(fā)光元件15、用于控制圖像信號(hào)向像素13的輸入的開(kāi)關(guān)晶體管(也稱作第一晶體管)41和用于控制流過(guò)發(fā)光元件15的電流的供應(yīng)的驅(qū)動(dòng)晶體管(也稱作第二晶體管)42。存儲(chǔ)器單元14分別包括存儲(chǔ)器元件16和用于控制數(shù)據(jù)相對(duì)于存儲(chǔ)器元件16的讀出或?qū)懭氩僮鞯拈_(kāi)關(guān)晶體管43。此外，像素部分11包括沿第一方向延伸的多條第一布線Sa(1≤a≤x，其中a和x是自然數(shù))、沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Gb(1≤b≤y，其中b和y是自然數(shù))和沿第一方向延伸的多條第三布線Va(1≤a≤x，也稱作電源線)。存儲(chǔ)器單元部分12包括沿第一方向延伸的多條第一布線Ba(1≤a≤m，其中m是自然數(shù))和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Wb(1≤b≤n，其中n是自然數(shù))。
接下來(lái)，描述具有以上結(jié)構(gòu)的顯示器件的橫截面結(jié)構(gòu)。圖4A和4B所示的橫截面圖的線A-B對(duì)應(yīng)于圖3A的頂視圖的線A-B。
在像素部分11中，設(shè)置發(fā)光元件15，發(fā)光元件15包括第一導(dǎo)電層44、有機(jī)化合物層45和第二導(dǎo)電層46(參見(jiàn)圖4A)。第一導(dǎo)電層44、有機(jī)化合物層45和第二導(dǎo)電層46層疊。包括在發(fā)光元件15中的第一導(dǎo)電層44連接到用作驅(qū)動(dòng)晶體管42的源極布線或漏極布線的導(dǎo)電層50。用作堤部(banks)的絕緣層58設(shè)置在相鄰的發(fā)光元件15之間。
在存儲(chǔ)器單元部分12中，設(shè)置存儲(chǔ)器元件16。各存儲(chǔ)器元件16包括第一導(dǎo)電層47、有機(jī)化合物層48和第二導(dǎo)電層49(參見(jiàn)圖4B)。第一導(dǎo)電層47、有機(jī)化合物層48和第二導(dǎo)電層49層疊。包括在存儲(chǔ)器元件16中的第一導(dǎo)電層47連接到用作開(kāi)關(guān)晶體管43的源極布線或漏極布線的導(dǎo)電層51。用作堤部(banks)的絕緣層59設(shè)置在相鄰的存儲(chǔ)器元件16之間。
在驅(qū)動(dòng)器電路部分61中設(shè)置元件組52。在驅(qū)動(dòng)器電路部分62中設(shè)置元件組53。元件組52和53具有多個(gè)晶體管。元件組52構(gòu)成用于控制像素部分11工作的驅(qū)動(dòng)器電路。元件組53構(gòu)成用于控制存儲(chǔ)器單元部分12工作的驅(qū)動(dòng)器電路。用于控制像素部分11工作的驅(qū)動(dòng)器電路對(duì)應(yīng)于例如移位寄存器、解碼器、緩沖器、采樣電路、鎖存器或類似器件。并且，用于控制存儲(chǔ)器單元部分12工作的驅(qū)動(dòng)器電路對(duì)應(yīng)于例如解碼器、讀出放大器、選擇器、緩沖器、讀出電路、寫入電路或類似器件。
在襯底25上設(shè)置密封材料54。襯底25和相對(duì)襯底29利用密封材料54相互貼緊。在襯底25上設(shè)置連接膜56，連接膜56通過(guò)各向異性導(dǎo)電層55連接到連接導(dǎo)電層57。將用于控制構(gòu)成像素部分11、存儲(chǔ)器單元部分12和驅(qū)動(dòng)器電路部分61和62的多個(gè)元件的操作的信號(hào)和電源電壓從外部通過(guò)連接膜56輸入。
將連接導(dǎo)電層57連接到導(dǎo)電層36。將導(dǎo)電層36連接到包括在元件組53中的晶體管的柵極或與包括在元件組53中的晶體管連接的源極布線或漏極布線。
在包括在發(fā)光元件15中的有機(jī)化合物層45和包括在存儲(chǔ)器元件16中的有機(jī)化合物層48利用相同材料形成的情況下，優(yōu)選將外殼設(shè)置成通過(guò)肉眼不能識(shí)別存儲(chǔ)器單元部分12，從而不能通過(guò)肉眼識(shí)別存儲(chǔ)器元件16的光發(fā)射。這在采用本發(fā)明的顯示器件作為電子設(shè)備的情況下是有效的。
作為選擇，包括在發(fā)光元件15中的有機(jī)化合物層45和包括在存儲(chǔ)器元件16中的有機(jī)化合物層48可形成為彼此具有不同結(jié)構(gòu)。這使存儲(chǔ)器元件16在施加有電壓時(shí)不發(fā)光。
此外，上述結(jié)構(gòu)表示底部發(fā)射結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中在發(fā)光元件15中產(chǎn)生的光朝向襯底25發(fā)出。然而，本發(fā)明不限于此結(jié)構(gòu)。作為選擇，可采用頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中在發(fā)光元件15中產(chǎn)生的光朝相對(duì)襯底29發(fā)出。并且，通過(guò)采用具有透光性的材料形成第一和第二導(dǎo)電層44和46、或通過(guò)將第一和第二導(dǎo)電層形成為具有可透光的厚度，采用其中在發(fā)光元件15中產(chǎn)生的光朝襯底25和相對(duì)襯底29同時(shí)發(fā)出的雙發(fā)射結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D5A-5C、圖6A和6B、圖7A至7C和圖8描述像素部分11具有有源矩陣類型、存儲(chǔ)器單元部分12具有無(wú)源矩陣類型的情況C。
在襯底25上設(shè)置像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12。在如圖5A所示的結(jié)構(gòu)中，在襯底25上還設(shè)置了驅(qū)動(dòng)器電路部分63。驅(qū)動(dòng)器電路部分63包括多個(gè)晶體管，該晶體管控制像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12之一或兩者。如果不需要，可不提供驅(qū)動(dòng)器電路部分63。
像素部分11包括多個(gè)像素13，存儲(chǔ)器單元部分12包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元14(參見(jiàn)圖5B和5C)。如圖5B所示的像素部分11具有與圖3B所示的像素部分11相同的結(jié)構(gòu)，并且如圖5C所示的存儲(chǔ)器單元部分12具有與如圖1C所示的存儲(chǔ)器單元部分12相同的結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，參照?qǐng)D6A和6B描述具有以上結(jié)構(gòu)的顯示器件的橫截面結(jié)構(gòu)。圖6A的橫截面圖的線A-B對(duì)應(yīng)于圖5A的頂視圖的線A-B。此外，有以下兩種類型的橫截面結(jié)構(gòu)一種情況將存儲(chǔ)器單元部分12和驅(qū)動(dòng)器電路部分63設(shè)置在同一層上(參見(jiàn)圖6A)；另一種情況將存儲(chǔ)器單元部分12層疊在驅(qū)動(dòng)器電路部分63上(參見(jiàn)圖6B)。
首先，描述前一種類型的橫截面結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)圖6A)。在像素部分11中，設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管42和發(fā)光元件15。像素部分11的橫截面結(jié)構(gòu)與圖4A所示的像素部分11相同。在存儲(chǔ)器單元部分12中，設(shè)置存儲(chǔ)器元件16。存儲(chǔ)器單元部分12的橫截面結(jié)構(gòu)與圖2B所示的存儲(chǔ)器單元部分12的結(jié)構(gòu)相同。
上述結(jié)構(gòu)的一個(gè)特點(diǎn)在于，在同一襯底25上設(shè)置具有有源矩陣類型的像素部分11和具有無(wú)源矩陣類型的存儲(chǔ)器單元部分12。它的另一特點(diǎn)在于，存儲(chǔ)器元件16的第一導(dǎo)電層20連接到用作包括在元件組60中的晶體管的源極布線或漏極布線的導(dǎo)電層64。
接著，描述后一種類型的橫截面結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)圖6B)。在像素部分11中，設(shè)置驅(qū)動(dòng)晶體管42和發(fā)光元件15。圖6B所示的像素部分11的橫截面結(jié)構(gòu)與圖4A和圖6A所示的像素部分11的橫截面結(jié)構(gòu)相同。在存儲(chǔ)器單元部分12中，設(shè)置存儲(chǔ)器元件16。如圖6B所示的存儲(chǔ)器單元部分12的橫截面結(jié)構(gòu)與圖2B和圖6A所示的存儲(chǔ)器單元部分12的橫截面結(jié)構(gòu)相同。
上述結(jié)構(gòu)的一個(gè)特點(diǎn)在于，在同一襯底25上設(shè)置具有有源矩陣類型的像素部分11和具有無(wú)源矩陣類型的存儲(chǔ)器單元部分12。它的另一特點(diǎn)在于，存儲(chǔ)器單元部分12層疊在驅(qū)動(dòng)器電路部分63之上。
在襯底25上設(shè)置密封材料54，使得襯底25和相對(duì)襯底29利用密封材料54相互貼緊。并且，在襯底25上設(shè)置連接膜56，連接膜56通過(guò)各向異性導(dǎo)電層55連接到連接導(dǎo)電層57。將用于控制構(gòu)成像素部分11、存儲(chǔ)器單元部分12和驅(qū)動(dòng)器電路部分63的多個(gè)元件的操作的信號(hào)和電源電壓從外部通過(guò)連接膜56輸入。
將連接導(dǎo)電層57連接到導(dǎo)電層36。將導(dǎo)電層36連接到包括在元件組60中的晶體管的柵極或與包括在元件組60中的晶體管連接的源極布線或漏極布線。
接下來(lái)，參照?qǐng)D7A-7C和圖8描述具有與上述結(jié)構(gòu)不同結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的顯示器件。
在襯底25上設(shè)置像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12。在如圖7A所示的結(jié)構(gòu)中，在襯底25上還設(shè)置了驅(qū)動(dòng)器電路部分71和72。驅(qū)動(dòng)器電路部分71和72包括多個(gè)晶體管，該晶體管控制像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12之一或兩者。如果不需要，可不提供驅(qū)動(dòng)器電路部分71和72。
像素部分11包括多個(gè)像素13。存儲(chǔ)器單元部分12包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元14。像素13分別包括用于控制圖像信號(hào)向像素13的輸入的開(kāi)關(guān)晶體管73和液晶元件74。像素部分11還包括沿第一方向延伸的多條第一布線Sa(1≤a≤x，其中a和x是自然數(shù))和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線Gb(1≤b≤y，其中b和y是自然數(shù))。此外，存儲(chǔ)器單元部分12具有與圖1C所示的存儲(chǔ)器單元部分12相同的結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，參照?qǐng)D8描述具有上述結(jié)構(gòu)的顯示器件的橫截面結(jié)構(gòu)。圖8所示的橫截面圖的線A-B對(duì)應(yīng)于圖7A的頂視圖的線A-B。
在像素部分11中，設(shè)置開(kāi)關(guān)晶體管73、液晶元件74和電容器元件75。液晶元件74包括用作像素電極的第一導(dǎo)電層76、液晶層80和用作對(duì)電極的第二導(dǎo)電層78。在第一導(dǎo)電層76和液晶層80之間設(shè)置定向?qū)?7。并且，在第二導(dǎo)電層78和液晶層80之間設(shè)置定向?qū)?9。
在存儲(chǔ)器單元部分12中，設(shè)置存儲(chǔ)器元件16。在圖8中所示的存儲(chǔ)器元件12的橫截面結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于在圖2B、圖6A和6B所示的存儲(chǔ)器部分12的橫截面結(jié)構(gòu)。
在驅(qū)動(dòng)器電路部分61中設(shè)置元件組82。在驅(qū)動(dòng)器電路部分72中設(shè)置元件組83。元件組82和83分別具有多個(gè)晶體管。元件組82構(gòu)成用于控制像素部分11工作的驅(qū)動(dòng)器電路，并且，元件組83構(gòu)成用于控制存儲(chǔ)器單元部分12工作的驅(qū)動(dòng)器電路。
在襯底25上設(shè)置密封材料54。襯底25和相對(duì)襯底29利用密封材料54相互貼緊。在襯底25上設(shè)置連接膜56，連接膜56通過(guò)各向異性導(dǎo)電層55連接到連接導(dǎo)電層57。將用于控制構(gòu)成像素部分11、存儲(chǔ)器單元部分12和驅(qū)動(dòng)器電路部分71和72的多個(gè)元件的操作的信號(hào)和電源電壓從外部通過(guò)連接膜56輸入。
圖8所示的襯底的一個(gè)特點(diǎn)在于，在同一襯底25上設(shè)置具有有源矩陣類型的像素部分11和具有無(wú)源矩陣類型的存儲(chǔ)器單元部分12。它的另一特點(diǎn)在于，在襯底25和相對(duì)襯底29之間設(shè)置液晶層80。
參照?qǐng)D9A和9B以及圖10A和10B描述包括在本發(fā)明的顯示器件中的存儲(chǔ)器電路的工作方式。存儲(chǔ)器電路包括其中存儲(chǔ)單元14以矩陣形式設(shè)置的存儲(chǔ)器單元部分12、解碼器123和124、選擇器125和讀出/寫入電路126(參見(jiàn)圖9A)。
存儲(chǔ)器元件16分別包括用作第一布線Ba(1≤a≤m)的第一導(dǎo)電層127、用作第二布線Wb(1≤b≤n)的第二導(dǎo)電層128、以及在第一導(dǎo)電層127和第二導(dǎo)電層128之間設(shè)置的有機(jī)化合物層129(參見(jiàn)圖10A)。包括第一導(dǎo)電層127、有機(jī)化合物層129和第二導(dǎo)電層128的疊層體對(duì)應(yīng)于一個(gè)存儲(chǔ)器元件16。在相鄰的有機(jī)化合物層129之間設(shè)置絕緣層133。
將用作第一布線Ba的第一導(dǎo)電層127設(shè)置成沿第一方向延伸，將用作字線Wb的第二導(dǎo)電層128設(shè)置成沿垂直于第一方向的第二方向延伸。也就是說(shuō)，第一導(dǎo)電層127和第二導(dǎo)電層128以矩陣形式彼此交叉。
此外，有時(shí)根據(jù)有機(jī)化合物層129的結(jié)構(gòu)、利用光效應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件16中，將在下面描述。在此情況下，第一導(dǎo)電層127和第二導(dǎo)電層128之一或兩者需要具有透光性。采用透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)形成具有透光性的導(dǎo)電層。作為選擇，將除透明導(dǎo)電材料之外的材料形成為可透光的厚度。
圖9A所示的等效電路圖表示無(wú)源矩陣類型的情況。作為選擇，可采用有源矩陣類型，在此情況下，在如圖3C所示的各存儲(chǔ)單元14中設(shè)置存儲(chǔ)器元件16和開(kāi)關(guān)晶體管43。
可采用現(xiàn)有材料形成第一導(dǎo)電層127和第二導(dǎo)電層128。第一導(dǎo)電層127或第二導(dǎo)電層128之一用作陽(yáng)極，另一個(gè)用作陰極。
作為陽(yáng)極材料，優(yōu)選采用具有大的功函數(shù)(作為優(yōu)選，4.0eV或更高)的金屬材料、合金材料和導(dǎo)電化合物材料。并且，優(yōu)選采用這些材料的混合物或類似物。具體而言，可采用氧化銦錫、含硅的氧化銦錫、含2-20％氧化鋅(ZnO)的氧化銦、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。
另一方面，作為陰極材料，優(yōu)選采用具有小的功函數(shù)(作為優(yōu)選，3.8eV或更低)的金屬材料、合金材料和導(dǎo)電化合物材料。并且，優(yōu)選采用這些材料的混合物或類似物。具體而言，可采用屬于元素周期表的1或2族的元素，即，堿金屬如鋰(Li)和銫(Cs)、堿土金屬如鎂(Mg)、鈣(Ca)和鍶(Sr)、包括堿金屬和堿土金屬的合金(例如，MgAg、AlLi等)、稀土金屬如銪(Er)和鐿(Yb)、包括稀土金屬的合金、或類似材料。并且，通過(guò)采用具有強(qiáng)電子注入性能的電子注入層，具有大功函數(shù)的材料即通常用于陽(yáng)極的材料可用于形成陰極。例如，可利用導(dǎo)電無(wú)機(jī)金屬化合物如Al、Ag和ITO形成陰極。
可利用現(xiàn)有材料形成有機(jī)化合物層129?？刹捎玫头肿恿坎牧?、高分子量材料、單態(tài)材料和三態(tài)材料。并且，不僅可利用有機(jī)化合物材料形成有機(jī)化合物層129，而且可利用部分地含有無(wú)機(jī)化合物的有機(jī)材料形成有機(jī)化合物層129。此外，各有機(jī)化合物層129是通過(guò)任意地組合空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等而形成的。有機(jī)化合物層可包括單層或多層。作為選擇，有機(jī)化合物層可具有包括多層的混合結(jié)構(gòu)，其中層間的界面是不清晰的。通過(guò)典型為噴墨法、蒸鍍或類似方法的液滴排放法形成有機(jī)化合物層129。通過(guò)采用液滴排放法，可提供這樣一種顯示器件提高了材料的利用率，并且由于簡(jiǎn)化了制造工藝，因此縮減了制造時(shí)間和制造成本。
作為用于有機(jī)化合物層129的具體有機(jī)化合物材料，例如，可以采用具有優(yōu)異空穴傳輸性能的物質(zhì)，例如，芳族胺(即，具有苯環(huán)氮鍵)化合物，例如4，4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-聯(lián)苯(縮寫α-NPD)，N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基苯(縮寫TPD)、4，4，4”-三(N，N-二苯基-氨基)-三苯胺(縮寫TDATA)、4，4’，4”-三(N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基)-三苯胺(縮寫MTDATA)；酞菁化合物如酞菁(縮寫H2Pc)、銅酞菁(CuPc)和氧釩酞菁(縮寫VOPc)；或類似材料。
并且，可采用具有優(yōu)異的電子傳輸性能的材料作為有機(jī)化合物材料。例如，可采用包括具有喹啉骨架或苯喹啉骨架的金屬絡(luò)合物的材料，如三(8-羥基喹啉)鋁(縮寫Alq3，即tris(8-quinolinolato)aluminum)、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(縮寫Almq3，即tris(4-methyl-8-quinolinolato)aluminum)、雙(10-羥基苯并[h]-羥基喹啉)鈹(縮寫B(tài)eBq2，即bis(10-hydroxybenzo[h]-quinolinato)beryllium)以及雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚根-鋁(縮寫B(tài)Alq，即bis(2-methyl-8-quinolinolato-4-phenylphenolate-aluminum)；和具有噁唑(oxazole)配合體或噻唑配合體的金屬絡(luò)合物，如二[2-(羥基苯基)苯噁唑]鋅(縮寫Zn(BOX)2)和二[2-(羥基苯基)苯噻唑]鋅(縮寫Zn(BTZ)2)。此外，除了金屬絡(luò)合物之外，可采用以下化合物如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(oxadiazole)(縮寫PBD)、1，3-二[5-(p-叔-丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(oxadiazole)-2-yl]苯(縮寫OXD-7)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔-丁基苯基)-1，3，4-三唑(縮寫TAZ)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1，2，4-三唑(縮寫p-EtTAZ)、紅菲咯啉(縮寫B(tài)Phen)和浴銅靈(縮寫B(tài)CP)。
此外，作為有機(jī)化合物材料，可采用4-(二氰亞甲基)-2-甲基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基久洛里定-9-yl)乙烯基]-4H-吡喃(縮寫DCJT)、periflanthene、N，N’-二甲基喹吖啶酮(縮寫DMQd)、香豆素6、香豆素545T、9，9’-二蒽、9，10-二苯基蒽(縮寫DPA)、9，10-二(2-萘基)蒽(縮寫DNA)、2，5，8，11-四-t-丁基二萘嵌苯(縮寫TBP)等。并且，作為上述發(fā)光材料向其中分散的主材料，例如，可采用蒽的衍生物，如9，10-二(2-萘基)-2-叔丁基蒽(縮寫t-BuDNA)；咔唑衍生物，如4，4’-二(N-咔唑基)聯(lián)苯(縮寫CBP)；金屬絡(luò)合物，如二[2-(2-羥基苯基)吡啶]鋅(縮寫Znpp2)和二[2-(2’-羥基苯基)苯并噁唑]鋅(縮寫ZnBOX)；和類似材料。此外，可采用二(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁(縮寫B(tài)Alq)和類似材料。
并且，可采用與金屬氧化物材料混合的上述有機(jī)化合物材料。作為金屬氧化物材料，例如，可采用氧化鉬、氧化鋅、氧化銦等。作為優(yōu)選，可采用與一種或多種的這些金屬氧化物材料混合的有機(jī)化合物材料。
此外，可利用通過(guò)光效應(yīng)改變其性能的材料形成有機(jī)化合物層129。例如，可采用摻雜有通過(guò)吸收光而產(chǎn)生酸的化合物(即，光致酸產(chǎn)生劑)的共軛聚合物。作為共軛聚合物，可采用聚乙炔、聚亞苯基乙烯撐、聚噻吩、聚苯胺、聚亞苯基乙炔撐和類似材料。并且，作為光致酸產(chǎn)生劑，可采用芳基硫鹽、芳基碘鹽、鄰硝基芐基甲苯磺酸鹽、芳基磺酸對(duì)硝基芐酯、磺酰苯乙酮、Fe-丙二烯絡(luò)合物PF6鹽、和類似材料。
接下來(lái)，介紹在具有上述結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器電路中寫入數(shù)據(jù)的操作。此外，利用光效應(yīng)或電效應(yīng)在存儲(chǔ)器電路中寫入數(shù)據(jù)。
首先，介紹利用電效應(yīng)在存儲(chǔ)器電路中寫入數(shù)據(jù)的情況(參見(jiàn)圖9A)。
在此情況下，通過(guò)解碼器123和124和選擇器125選擇一種存儲(chǔ)器單元14。此后，通過(guò)讀出/寫入電路126在選擇的存儲(chǔ)器單元14中寫入數(shù)據(jù)。具體而言，將所需電壓施加于包括在所選擇的存儲(chǔ)器單元14中的存儲(chǔ)器元件16中，使大量電流流過(guò)存儲(chǔ)器元件，以使包括在存儲(chǔ)器元件16中的一對(duì)導(dǎo)電層彼此短路。與其它存儲(chǔ)器元件16相比，該短路的存儲(chǔ)器元件16的電阻急劇下降。因此，利用通過(guò)添加電場(chǎng)而改變存儲(chǔ)器元件16的電阻的機(jī)理，將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路中。例如，當(dāng)在施加有電場(chǎng)之前具有數(shù)據(jù)“0”的一個(gè)存儲(chǔ)器元件16中寫入數(shù)據(jù)“1”時(shí)，電壓施加于該存儲(chǔ)器元件16，使大量電流從此流過(guò)，因此存儲(chǔ)器元件16短路。
并且，本發(fā)明不限于其中通過(guò)向存儲(chǔ)器元件16施加所需電壓并使存儲(chǔ)器元件短路的方式將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件中的方法。作為選擇，通過(guò)調(diào)整存儲(chǔ)器元件16的元件結(jié)構(gòu)并控制施加于存儲(chǔ)器元件的電壓，從而將所需電壓施加于存儲(chǔ)器元件16以電隔離插在一對(duì)導(dǎo)電層之間的有機(jī)化合物層129。這使數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器單元中。在此情況下，與其它存儲(chǔ)器元件16相比，包括電隔離有機(jī)化合物層129的存儲(chǔ)器元件16的電阻急劇升高。因此，利用通過(guò)添加電場(chǎng)而改變存儲(chǔ)器元件16的電阻的機(jī)理，將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路中。例如，當(dāng)在施加有電場(chǎng)之前具有數(shù)據(jù)“0”的一個(gè)存儲(chǔ)器元件16中寫入數(shù)據(jù)“1”時(shí)，電壓施加于該存儲(chǔ)器元件16，使插在一對(duì)導(dǎo)電層之間的有機(jī)化合物層129電隔離。
接下來(lái)，介紹利用光效應(yīng)在存儲(chǔ)器電路中寫入數(shù)據(jù)的情況(參見(jiàn)圖10B和10C)。在此情況下，利用激光照射裝置132從具有透光性的導(dǎo)電層(在此對(duì)應(yīng)于第二導(dǎo)電層128)一側(cè)用激光照射有機(jī)化合物層129，從而在存儲(chǔ)器單元中寫入數(shù)據(jù)。具體而言，用激光照射包括在所選擇的存儲(chǔ)器元件16中的有機(jī)化合物層129，從而破壞有機(jī)化合物層129。被破壞的有機(jī)化合物層129電隔離，因此，與其它存儲(chǔ)器元件16相比，所選擇的存儲(chǔ)器元件16的電阻急劇升高。因此，利用通過(guò)激光照射而改變存儲(chǔ)器元件16的電阻的機(jī)理，將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路中。例如，當(dāng)在激光照射之前具有數(shù)據(jù)“0”的一個(gè)存儲(chǔ)器元件16中寫入數(shù)據(jù)“1”時(shí)，通過(guò)用激光照射存儲(chǔ)器元件以破壞有機(jī)化合物層129，從而升高存儲(chǔ)器元件16的電阻。
并且，本發(fā)明不限于其中通過(guò)用激光照射存儲(chǔ)器元件16以電隔離有機(jī)化合物層129的方式將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路中的方法。作為選擇，可改變存儲(chǔ)器元件16的元件結(jié)構(gòu)，可調(diào)節(jié)激光的強(qiáng)度，然后，用激光照射存儲(chǔ)器元件16以破壞有機(jī)化合物層129。通過(guò)破壞有機(jī)化合物層，該對(duì)導(dǎo)電層彼此短路，從而將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路。在此情況下，與其它存儲(chǔ)器元件16相比，其中該對(duì)導(dǎo)電層彼此短路的存儲(chǔ)器元件16的電阻極低。通過(guò)利用由施加光效應(yīng)而改變存儲(chǔ)器元件16的電阻的機(jī)理將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路中。
同時(shí)，在將摻雜有由吸收光而產(chǎn)生酸的化合物(即，光致酸產(chǎn)生劑)的共軛聚合物用作有機(jī)化合物層129的情況下，當(dāng)用激光照射有機(jī)化合物層129時(shí)，用激光照射的有機(jī)化合物層129的導(dǎo)電性升高，使得存儲(chǔ)器元件16的電阻下降。另一方面，沒(méi)有用激光照射的其它有機(jī)化合物層129不具有導(dǎo)電性，因此，具有該有機(jī)化合物層的存儲(chǔ)器元件16的電阻不變。在此情況下，通過(guò)利用由激光照射所選擇的有機(jī)化合物層129而改變存儲(chǔ)器元件16的電阻的機(jī)理，將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路中。例如，當(dāng)在激光照射之前具有數(shù)據(jù)“0”的一個(gè)存儲(chǔ)器元件16中寫入數(shù)據(jù)“1”時(shí)，通過(guò)用激光照射存儲(chǔ)器元件16的有機(jī)化合物層129，從而增加有機(jī)化合物層129的導(dǎo)電性。
接著，介紹讀出數(shù)據(jù)的操作(參見(jiàn)圖9A和9B)。這里，讀出/寫入電路126包括電阻元件146和讀出放大器147。此外，讀出/寫入電路126可包括任何結(jié)構(gòu)，而不限于以上結(jié)構(gòu)。
通過(guò)將電壓施加在第一導(dǎo)電層127和第二導(dǎo)電層128之間并讀出存儲(chǔ)器元件16的電阻，從而讀出數(shù)據(jù)。如上所述，例如，當(dāng)通過(guò)施加電效應(yīng)而將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路中時(shí)，施加有電效應(yīng)的存儲(chǔ)器元件16的電阻不同于沒(méi)有施加有電場(chǎng)的其它存儲(chǔ)器元件16的電阻。通過(guò)電力地讀出存儲(chǔ)器元件電阻中的差別，讀出數(shù)據(jù)。
類似地，在通過(guò)用激光照射有機(jī)化合物層129的方式將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器電路中的情況下，通過(guò)電力地讀出在施加有光效應(yīng)的存儲(chǔ)器元件16和沒(méi)有被施加光效應(yīng)的存儲(chǔ)器元件16之間在電阻上的差別，從而讀出數(shù)據(jù)。
對(duì)于將摻雜有由吸收光而產(chǎn)生酸的化合物(即，光致酸產(chǎn)生劑)的共軛聚合物用作有機(jī)化合物層129的情況也是一樣的。通過(guò)電力地讀出在施加有光效應(yīng)的存儲(chǔ)器元件16和沒(méi)有被施加光效應(yīng)的其它存儲(chǔ)器元件之間在電阻上的差別，從而讀出數(shù)據(jù)。
例如，當(dāng)讀出包括在存儲(chǔ)器單元部分12中的多個(gè)存儲(chǔ)器單元14之中的、位于第x列、第y行的一個(gè)存儲(chǔ)器單元14的數(shù)據(jù)時(shí)，通過(guò)解碼器123和124和選擇器125選擇在第x列的位線Bx和在第y行的字線Wy。因此，包括在所選擇的存儲(chǔ)器單元14中的存儲(chǔ)器元件16和電阻元件146串聯(lián)連接。在將電壓施加于串聯(lián)連接的存儲(chǔ)器元件16和電阻元件146的各端時(shí)，根據(jù)存儲(chǔ)器元件16的電阻，在節(jié)點(diǎn)α的電位變?yōu)榈陀谠陔娮柙?46的一端的電位。將節(jié)點(diǎn)α的電位提供給讀出放大器147。讀出放大器147確定電位是否具有關(guān)于“0”的信息或關(guān)于“1”的信息。此后，把在讀出放大器147中確定的、包括關(guān)于“0”的信息或關(guān)于“1”的信息的信號(hào)提供給外部。
根據(jù)上述方法，依靠通過(guò)利用在電阻上的差別的電壓量，讀出存儲(chǔ)器元件16的信息。作為選擇，可采用用于比較電流量的方法。具體而言，例如，該方法利用了由于在施加有電效應(yīng)的存儲(chǔ)器元件16和沒(méi)被施加電效應(yīng)的其它存儲(chǔ)器元件16之間在電阻上的差別引起的電流量的差別。通過(guò)以此方式電力地讀出在電流量上的差別，從而可讀出數(shù)據(jù)。
作為以上結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)差別，可在第一導(dǎo)電層127和有機(jī)化合物層129之間設(shè)置整流元件。作為整流元件，可采用柵極和漏極相互連接的二極管或晶體管。作為二極管，可采用包括PN結(jié)的二極管、包括PIN結(jié)的二極管或電子雪崩二極管。
由于以這種方式提供整流元件從而使電流僅沿一個(gè)方向流動(dòng)，因此減少了錯(cuò)誤，由此擴(kuò)大了讀取范圍。
發(fā)光元件的特性在于，根據(jù)室溫改變電阻。具體而言，在將室溫設(shè)定為正常溫度的情況下，當(dāng)發(fā)光元件的溫度變?yōu)楦哂谑覝貢r(shí)，電阻下降，而當(dāng)發(fā)光元件的溫度低于室溫時(shí)，電阻升高。當(dāng)升高發(fā)光元件的溫度時(shí)，增大電流量以獲得高于所需的亮度值的亮度。當(dāng)發(fā)光元件的溫度低于室溫時(shí)，減小電流量以獲得低于預(yù)定亮度值的亮度。此外，發(fā)光元件的特性在于，電阻也隨時(shí)間變化。具體而言，電阻隨時(shí)間升高。因此，電流量隨時(shí)間減小，使得亮度低于所需的亮度值。因此，將參照?qǐng)D11A-11C介紹利用包括在本發(fā)明的顯示器件中的存儲(chǔ)器電路、利用室溫或時(shí)間流逝修正發(fā)光元件中的特性變化的方法。
在襯底25上設(shè)置像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12。在襯底25的外側(cè)設(shè)置時(shí)間檢測(cè)電路93、修正電路94、溫度檢測(cè)電路95和電源電路96(參見(jiàn)圖11)。在襯底25上設(shè)置的元件通過(guò)連接膜31電連接到時(shí)間檢測(cè)電路93、修正電路94、溫度檢測(cè)電路95和電源電路96。此外，如果需要，可在襯底25上設(shè)置構(gòu)成時(shí)間檢測(cè)電路93、修正電路94、溫度檢測(cè)電路95和電源電路96的元件。
存儲(chǔ)器電路包括設(shè)置在存儲(chǔ)器單元部分12中的多個(gè)元件。在存儲(chǔ)器電路中存儲(chǔ)有關(guān)發(fā)光元件的電流-電壓特性的數(shù)據(jù)。具體而言，在存儲(chǔ)器電路中存儲(chǔ)發(fā)光元件的電流-電壓特性的溫度變化特性(參見(jiàn)圖11B)和電流-電壓特性的時(shí)間特性(參見(jiàn)圖11C)。
時(shí)間檢測(cè)電路93檢測(cè)發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間。時(shí)間檢測(cè)電路可通過(guò)檢測(cè)向像素部分11提供功率的時(shí)間的方式或通過(guò)對(duì)在像素部分11內(nèi)的像素中輸入的圖像信號(hào)進(jìn)行取樣的方式檢測(cè)發(fā)光時(shí)間。
溫度檢測(cè)電路95檢測(cè)溫度。溫度檢測(cè)電路包括可商用溫度檢測(cè)器、用于溫度監(jiān)測(cè)器的發(fā)光元件等元件。此外，用于溫度監(jiān)測(cè)器的發(fā)光元件是通過(guò)以下方式檢測(cè)溫度的元件在使恒定電流流過(guò)兩電極之間的同時(shí)檢測(cè)由于溫度變化引起的發(fā)光元件的電阻的變化。
電源電路96將電能提供給包括在襯底25上的像素部分11和存儲(chǔ)器元件部分12中的各元件。
修正電路94對(duì)輸入到像素部分11內(nèi)的像素中的圖像信號(hào)和供應(yīng)到像素部分11的電源電壓之一或兩者進(jìn)行修正，從而修正在發(fā)光元件特性上的變化。下面具體描述修正電路94的工作方式。
將有關(guān)耗用時(shí)間的信息和有關(guān)溫度的信息之一或兩者從時(shí)間檢測(cè)電路93和溫度檢測(cè)電路95之一或兩者提供給修正電路94。然后，修正電路94將從時(shí)間檢測(cè)電路93和溫度檢測(cè)電路95之一或兩者提供的信息與在存儲(chǔ)器電路中存儲(chǔ)的發(fā)光元件的溫度改變特性或溫度特性進(jìn)行比較，對(duì)圖像信號(hào)和電源電位之一或兩者進(jìn)行修正，以修正發(fā)光元件的特性變化。
具體而言，例如，當(dāng)從溫度檢測(cè)器95獲取了有關(guān)溫度高于室溫的信息時(shí)，根據(jù)在存儲(chǔ)器電路中存儲(chǔ)的發(fā)光元件的溫度特性進(jìn)行對(duì)減小圖像信號(hào)(的)灰度級(jí)數(shù)的修正和對(duì)降低電源電位的修正之一或兩者，從而獲得所需亮度。
并且，當(dāng)從溫度檢測(cè)電路95獲得了有關(guān)溫度低于室溫的信息時(shí)，根據(jù)在存儲(chǔ)器電路中存儲(chǔ)的發(fā)光元件的溫度變化特性進(jìn)行對(duì)增加圖像信號(hào)(的)灰度級(jí)數(shù)的操作和對(duì)增加電源電位的操作之一或兩者，從而獲得所需亮度。
而且，當(dāng)通過(guò)將由溫度檢測(cè)電路93獲得的發(fā)光時(shí)間的信息與在存儲(chǔ)器電路中存儲(chǔ)的溫度變化特性進(jìn)行比較從而發(fā)現(xiàn)發(fā)光元件隨時(shí)間的變化幅度增大時(shí)，執(zhí)行用于增加圖像信號(hào)的灰度級(jí)數(shù)的操作和用于增加電源電位的操作之一或兩者，從而獲得所需亮度。
由于對(duì)在像素部分11中設(shè)置的所有像素進(jìn)行修正電源電位的操作，因此優(yōu)選根據(jù)在特性變化上具有最小幅度的一個(gè)發(fā)光元件修正電源電壓，優(yōu)選將修正后的圖像信號(hào)供應(yīng)至除了在特性變化上具有最小幅度的一個(gè)發(fā)光元件之外的其它發(fā)光元件。
多個(gè)像素13設(shè)置于在本發(fā)明的顯示器件中包括的像素部分11中。對(duì)于像素13的電路結(jié)構(gòu)，以上描述了在各像素中設(shè)置兩個(gè)晶體管的情況(參見(jiàn)圖3B和圖5B)。在此實(shí)施例中，參照?qǐng)D12A和12B描述與上述結(jié)構(gòu)不同的另一種像素13的電路結(jié)構(gòu)。
介紹在各像素13中設(shè)置三個(gè)晶體管的情況(參見(jiàn)圖12A)。在此情況下，在各像素13中設(shè)置用于控制視頻信號(hào)向像素13的輸入的開(kāi)關(guān)晶體管41、用于控制流過(guò)發(fā)光元件15的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管42和用于強(qiáng)行停止發(fā)光元件15的光發(fā)射的擦除晶體管(erasingtransistor)84。在像素部分11中，設(shè)置源極線Sa、電源線Va、柵極線Gb和復(fù)位線Rb。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，可以強(qiáng)行制造電流不流過(guò)發(fā)光元件15的情況。因此，發(fā)光階段能夠在信號(hào)寫入所有像素之前、在寫入階段開(kāi)始的同時(shí)開(kāi)始或者緊隨其后。結(jié)果，可提高能率比，更好地顯示移動(dòng)圖像。
接下來(lái)，介紹在各像素13中設(shè)置四個(gè)晶體管的情況(參見(jiàn)圖12B)。在此情況下，在各像素13中設(shè)置用于控制視頻信號(hào)相對(duì)于像素13的輸入的開(kāi)關(guān)晶體管41、用于強(qiáng)行停止發(fā)光元件15的光發(fā)射的擦除晶體管(erasing transistor)84、用于確定流過(guò)發(fā)光元件15的電流量的驅(qū)動(dòng)晶體管85和用于控制電流相對(duì)于發(fā)光元件15的供應(yīng)的電流控制晶體管。在像素部分11中，同樣設(shè)置源極線Sa、電源線Va、電源線Pa、柵極線Gb和復(fù)位線Rb。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，將驅(qū)動(dòng)晶體管85的柵極電位維持在恒定值以流過(guò)恒定電流，同時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管85在飽和區(qū)中工作。另一方面，電流控制晶體管86在線性區(qū)中工作。在線性區(qū)中操作的電流控制晶體管86的源極和漏極之間的電壓量小。因此，在電流控制晶體管86的柵極和源極之間的電壓的輕微變化沒(méi)有嚴(yán)重影響流過(guò)發(fā)光元件15的電流量。由在飽和區(qū)中工作的驅(qū)動(dòng)晶體管85確定流過(guò)發(fā)光晶體管15的電流量。因此，可改善由于晶體管的特性變化引起的發(fā)光元件15的亮度波動(dòng)，從而可提高圖像質(zhì)量。
此外，可在以上結(jié)構(gòu)中設(shè)置用于維持在驅(qū)動(dòng)晶體管42和電流控制晶體管86的柵極和源極之間的電壓的電容器元件。該電容器元件保持輸入像素13中的視頻信號(hào)。并且，當(dāng)視頻信號(hào)保持在寄生電容器或柵極電容器中時(shí)，可不設(shè)置電容器元件。
參照?qǐng)D13描述本發(fā)明的顯示器件的一個(gè)實(shí)施例。顯示器件包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)塊、顯示塊、圖像處理塊和控制塊。所有塊設(shè)置在襯底100上。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)塊包括用于編程的存儲(chǔ)器電路101、用于工作區(qū)的存儲(chǔ)器電路102、用于音頻數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器電路103、用于線緩沖器的存儲(chǔ)器電路104a和104b、用于范圍內(nèi)(in-range)的存儲(chǔ)器電路105、用于調(diào)色的存儲(chǔ)器電路106、存儲(chǔ)器控制器107、解碼器/電阻器108、控制器109、用于音頻數(shù)據(jù)的DA轉(zhuǎn)換器電路和操作放大器電路110、存儲(chǔ)器的參考功率產(chǎn)生電路111和灰度級(jí)電源112。顯示塊包括像素部分113和驅(qū)動(dòng)器電路部分114和115。圖像處理塊包括圖像處理電路116?？刂茐K包括CPU(中央處理單元)117。
如上所述，除了顯示塊之外還具有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)塊、圖像處理塊和控制塊的顯示器件能夠減少所連接的IC的數(shù)量。結(jié)果，可實(shí)現(xiàn)小、薄、輕的顯示器件。并且，在其中顯示塊、圖像處理塊和控制塊相互鄰接的本發(fā)明的顯示器件中，根據(jù)數(shù)據(jù)流設(shè)置這些塊，這使得精確地進(jìn)行操作。
本發(fā)明的一個(gè)特點(diǎn)在于，包括存儲(chǔ)器元件的存儲(chǔ)器電路分別用作存儲(chǔ)器電路101-106，所述存儲(chǔ)器元件各具有將有機(jī)化合物層夾在一對(duì)導(dǎo)電層之間的結(jié)構(gòu)。由于上述結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器元件類似于發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，因此，可在不增加制造步驟數(shù)量的情況下制造這些存儲(chǔ)器元件。此外，由于存儲(chǔ)器元件的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它們可被容易地制造，因此，可提供廉價(jià)的顯示器件。并且，由于可容易地縮小存儲(chǔ)器單元的面積，存儲(chǔ)器單元可高度地集成，由此提供了具有高容量存儲(chǔ)器電路的顯示器件。并且，本發(fā)明的顯示器件的另一特點(diǎn)在于，在同一襯底上設(shè)置了用于顯示圖像的多個(gè)像素和存儲(chǔ)器電路。根據(jù)這一特點(diǎn)，可減少連接到外部的IC芯片的數(shù)量，可以提供小、薄、輕的顯示器件。本實(shí)施例可自由地與以上實(shí)施方式組合。
參照?qǐng)D14和圖15A-15F描述采用根據(jù)本發(fā)明的的顯示器件的電子設(shè)備的例子。圖14表示便攜式手機(jī)，包括外殼2700和2706、面板2701、殼體2702、印刷線路板2703、操作按鈕2704和電池2705。面板2701包括像素部分11和存儲(chǔ)器單元部分12。面板2701裝在殼體2702中并可自由分離。殼體2702牢固地連接到印刷線路板2703。殼體2702的形狀和尺寸可根據(jù)內(nèi)嵌有面板2701的電子設(shè)備任意地改變。在印刷線路板2703上安裝被封裝的多個(gè)半導(dǎo)體器件(也稱作IC芯片)。在印刷線路板2703上安裝的多個(gè)半導(dǎo)體器件具有控制器、中央處理單元(CPU)、存儲(chǔ)器、電源電路、圖像處理電路、音頻處理電路、發(fā)送/接收電路、時(shí)間檢測(cè)電路、修正電路、溫度檢測(cè)電路等的任意功能。
將面板2701與印刷線路板2703結(jié)合，同時(shí)將連接膜2708夾在它們之間。將面板2701、殼體2702和印刷電路板2703與操作按鈕2704和電池2705一起裝在外殼2700和2706的內(nèi)部。對(duì)包括在面板2701中的像素部分11進(jìn)行設(shè)置使得像素部分11可通過(guò)外殼2700的開(kāi)口窗2700由肉眼識(shí)別。
并且，外殼2700和2706表示為便攜式手機(jī)的外觀的例子。根據(jù)本實(shí)施例的電子設(shè)備可根據(jù)其性能和意圖改變成各種形式。因此，下面參照?qǐng)D15A-15F描述電子設(shè)備的例子。
圖15A所示的便攜式電話包括像素部分9102等。根據(jù)其中將像素部分9102和存儲(chǔ)器電路設(shè)置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕便攜式電話。為了攜帶便攜式電話，便攜式電話具有小外殼，因此，使外殼內(nèi)部空間受到限制。然而，盡管具有像素部分9102和存儲(chǔ)器電路的本發(fā)明的顯示器件具有多種功能，但是該顯示器件小且薄。因此，該顯示器件優(yōu)選用于形成便攜式電話。
圖15B所示的便攜式游戲機(jī)包括像素部分9801等。根據(jù)其中將像素部分9801和存儲(chǔ)器電路設(shè)置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕便攜式游戲機(jī)。為了攜帶便攜式游戲機(jī)，便攜式游戲機(jī)具有小外殼，因此，使外殼內(nèi)部空間受到限制。然而，盡管具有像素部分9801和存儲(chǔ)器電路的本發(fā)明的顯示器件具有多種功能，但是該顯示器件小且薄。因此，該顯示器件優(yōu)選用于形成便攜式游戲機(jī)。
圖15C所示的數(shù)碼相機(jī)包括像素部分9701和9702等。根據(jù)其中將像素部分9701和9702和存儲(chǔ)器電路設(shè)置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕的數(shù)碼相機(jī)。為了攜帶數(shù)碼相機(jī)，數(shù)碼相機(jī)具有小外殼，因此，使外殼內(nèi)部空間受到限制。然而，盡管具有像素部分2701和2702和存儲(chǔ)器電路的本發(fā)明的顯示器件具有多種功能，但是該顯示器件小且薄。因此，該顯示器件優(yōu)選用于形成數(shù)碼相機(jī)。
圖15D所示的便攜式信息終端包括像素部分9201等。根據(jù)其中將像素部分9201和存儲(chǔ)器電路設(shè)置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕的便攜式信息終端。為了攜帶便攜式信息終端，便攜式信息終端具有小外殼，因此，使外殼內(nèi)部空間受到限制。然而，盡管具有像素部分9201和存儲(chǔ)器電路的本發(fā)明的顯示器件具有多種功能，但是該顯示器件小且薄。因此，該顯示器件優(yōu)選用于形成便攜式信息終端。
圖15E所示的電視設(shè)備包括像素部分9301等。根據(jù)其中將像素部分9301和存儲(chǔ)器電路設(shè)置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕的電視設(shè)備。
圖15F所示的監(jiān)視設(shè)備包括像素部分9401等。根據(jù)其中將像素部分9401和存儲(chǔ)器電路設(shè)置在襯底上的本發(fā)明，可提供一種具有高性能、多功能、高附加值的小、薄、輕的監(jiān)視設(shè)備。
如上所述，本發(fā)明可應(yīng)用于各種電子設(shè)備，如電視設(shè)備(也稱作電視或電視接收機(jī))、數(shù)碼相機(jī)、便攜式信息終端如便攜式電話(也稱作便攜式手機(jī)或手機(jī))和PDA、便攜式游戲機(jī)、用于計(jì)算機(jī)的監(jiān)視設(shè)備(也稱作監(jiān)視器)、音頻再現(xiàn)設(shè)備如汽車音響、以及家用游戲機(jī)。本實(shí)施例可自由地與以上實(shí)施方式和實(shí)施例結(jié)合。
本實(shí)施例將描述試驗(yàn)結(jié)果，其中，在襯底上形成存儲(chǔ)器元件，當(dāng)利用電效應(yīng)在存儲(chǔ)器元件中寫入數(shù)據(jù)時(shí)測(cè)量電流-電壓特性。通過(guò)依次層疊第一導(dǎo)電層、第一有機(jī)化合物層、第二有機(jī)化合物層和第二導(dǎo)電層，形成存儲(chǔ)器元件。第一導(dǎo)電層由氧化硅和氧化銦錫的復(fù)合物(compound)形成。第一有機(jī)化合物層由N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基苯(縮寫TPD)形成。第二有機(jī)化合物層由4，4’-雙(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-聯(lián)苯(縮寫α-NPD)形成。第二導(dǎo)電層由鋁形成。此外，第一有機(jī)化合物層形成有10nm厚，而第二有機(jī)化合物層形成有50nm厚。
參照?qǐng)D16描述在利用電效應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前和之后存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果。在圖16中，橫軸表示電壓量，總軸表示電流量。曲線261表示在利用電效應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性。曲線262表示在利用電效應(yīng)將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之后存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性。根據(jù)圖16，在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前和之后的電流-電壓特性明顯不同。例如，在施加電壓是1V的情況下，在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前的電流量是4.8×10-5mA，而在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之后的電流量是1.1×102mA。因此，在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之后電流量增加了107倍。在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前和之后存儲(chǔ)器元件的電阻改變。結(jié)果，通過(guò)根據(jù)電壓量或電流量讀出存儲(chǔ)器元件電阻的變化，存儲(chǔ)器元件可用作存儲(chǔ)器電路。
當(dāng)采用上述存儲(chǔ)器元件作為存儲(chǔ)器電路時(shí)，每次讀出數(shù)據(jù)時(shí)將所需量的電壓(沒(méi)有導(dǎo)致短路的電壓量)施加于存儲(chǔ)器元件，讀出存儲(chǔ)器元件的電阻。因此，存儲(chǔ)器元件必須具有即使當(dāng)反復(fù)進(jìn)行讀出操作時(shí)或反復(fù)將所需量的電壓施加于存儲(chǔ)器元件時(shí)也沒(méi)有變化的電流-電壓特性。因此，參照?qǐng)D17介紹在從存儲(chǔ)器元件讀出數(shù)據(jù)之后存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果。此外，在此測(cè)試中，每次從存儲(chǔ)器元件中讀出數(shù)據(jù)，測(cè)量存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性。總計(jì)進(jìn)行五次數(shù)據(jù)讀出操作，因此總計(jì)進(jìn)行五次存儲(chǔ)器元件電流-電壓特性的測(cè)量。此外，采用通過(guò)利用電效應(yīng)而將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件中而使其電阻改變的存儲(chǔ)器元件和電阻未改變的另一存儲(chǔ)器元件進(jìn)行電流-電壓特性的這種測(cè)量。
在圖17中，橫軸表示電壓量，總軸表示電流量。曲線271表示通過(guò)由電效應(yīng)而將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件的方式改變了其電阻的存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性。曲線272表示其電阻沒(méi)有變化的另一存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性。根據(jù)曲線271，電阻沒(méi)有變化的存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性表現(xiàn)出1V或更高的有利再現(xiàn)性。同樣，根據(jù)曲線272，電阻變化了的存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性表現(xiàn)出1V或更高的有利再現(xiàn)性。作為以上測(cè)試的結(jié)果，當(dāng)數(shù)據(jù)讀出操作反復(fù)進(jìn)行多次時(shí)電流-電壓特性沒(méi)有大的變化，由此獲得好的再現(xiàn)性。因此，上述存儲(chǔ)器元件可用作存儲(chǔ)器電路。
本發(fā)明將描述電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果，其中存儲(chǔ)器元件形成在襯底上，數(shù)據(jù)利用電效應(yīng)寫入存儲(chǔ)器元件中，參照?qǐng)D18A和18B、19A和19B和圖20A和20B。在圖18A和18B、19A和19B和圖20A和20B中，橫軸表示電壓量(V)，縱軸表示電流密度量(mA/cm2)。此外，在圖18A和18B、19A和19B和圖20A和20B中，由開(kāi)圓標(biāo)出的曲線表示在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果，而由開(kāi)方標(biāo)出的曲線表示在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之后存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果。此外，利用電效應(yīng)在存儲(chǔ)器元件中寫入數(shù)據(jù)的操作對(duì)應(yīng)于將電壓施加于要被短路的存儲(chǔ)器元件的操作。
在電流-電壓特性的測(cè)量中采用六件樣品(樣品1-6)。在水平面上六個(gè)樣品的尺寸是2mm×2mm。下面介紹六件樣品的層疊結(jié)構(gòu)。
樣品1是通過(guò)依次層疊第一導(dǎo)電層、有機(jī)化合物層和第二導(dǎo)電層形成的元件。在樣品1中，第一導(dǎo)電層由含氧化硅的ITO形成，有機(jī)化合物層由TPD形成，第二導(dǎo)電層由鋁形成。有機(jī)化合物層形成為具有50nm的厚度。在圖18A中示出了樣品1的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果。
樣品2是通過(guò)依次層疊第一導(dǎo)電層、有機(jī)化合物層和第二導(dǎo)電層形成的元件。在樣品2中，第一導(dǎo)電層由含氧化硅的ITO形成，有機(jī)化合物層由摻雜有2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰醌二甲烷(縮寫F4-TCNQ)的TPD形成，第二導(dǎo)電層由鋁形成。有機(jī)化合物層采用摻雜有0.01wt％的F4-TCNQ的TPD形成，厚度為50nm。在圖18B中示出了樣品2的電流電壓特性的測(cè)試結(jié)果。
樣品3是通過(guò)依次層疊第一導(dǎo)電層、第一有機(jī)化合物層、第二有機(jī)化合物層和第二導(dǎo)電層形成的元件。在樣品3中，第一導(dǎo)電層由含氧化硅的ITO形成，第一有機(jī)化合物層由TPD形成，第二有機(jī)化合物層由F4-TCNQ形成，第二導(dǎo)電層由鋁形成。此外，將第一有機(jī)化合物層的厚度設(shè)定為50nm，將第二有機(jī)化合物層的厚度設(shè)定為1nm。在圖19A中示出了樣品3的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果。
樣品4是通過(guò)依次層疊第一導(dǎo)電層、第一有機(jī)化合物層、第二有機(jī)化合物層和第二導(dǎo)電層形成的元件。在樣品4中，第一導(dǎo)電層由含氧化硅的ITO形成，第一有機(jī)化合物層由F4-TCNQ形成，第二有機(jī)化合物層由TPD形成，第二導(dǎo)電層由鋁形成。此外，將第一有機(jī)化合物層的厚度設(shè)定為1nm，將第二有機(jī)化合物層的厚度設(shè)定為50nm。在圖19B中示出了樣品4的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果。
樣品5是通過(guò)依次層疊第一導(dǎo)電層、第一有機(jī)化合物層、第二有機(jī)化合物層和第二導(dǎo)電層形成的元件。在樣品5中，第一導(dǎo)電層由含氧化硅的ITO形成，第一有機(jī)化合物層由摻雜有F4-TCNQ的TPD形成，第二有機(jī)化合物層由TPD形成，第二導(dǎo)電層由鋁形成。此外，第一有機(jī)化合物層采用摻雜有0.01wt％的F4-TCNQ的TPD形成，厚度為40nm。并且，將第二有機(jī)化合物層的厚度設(shè)定為40nm。在圖20A中示出了樣品5的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果。
樣品6是通過(guò)依次層疊第一導(dǎo)電層、第一有機(jī)化合物層、第二有機(jī)化合物層和第二導(dǎo)電層形成的元件。在樣品6中，第一導(dǎo)電層由含氧化硅的ITO形成，第一有機(jī)化合物層由TPD形成，第二有機(jī)化合物層由摻雜有F4-TCNQ的TPD形成，第二導(dǎo)電層由鋁形成。此外，第一有機(jī)化合物層形成有40nm的厚度。第二有機(jī)化合物層采用摻雜有0.01wt％的F4-TCNQ的TPD形成，厚度為10nm。在圖20B中示出了樣品6的電流-電壓特性的測(cè)試結(jié)果。
根據(jù)圖18A和18B、19A和19B以及20A和20B的測(cè)試結(jié)果，可以看出在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前(在存儲(chǔ)器元件短路前)和在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之后(在存儲(chǔ)器元件短路后)各存儲(chǔ)器元件的電流-電壓特性存在著明顯差別。
樣品1的寫入電壓(V)是8.4。樣品2的寫入電壓(V)是4.4。樣品3的寫入電壓(V)是3.2。樣品4的寫入電壓(V)是5.0。樣品5的寫入電壓(V)是6.1。樣品6的寫入電壓(V)是7.8。樣品1-6的寫入電壓具有可重復(fù)性，在各樣品的寫入電壓中的差別在0.1V以內(nèi)。
下面，介紹在樣品1-6中寫入數(shù)據(jù)之前和之后電流密度的變化。通過(guò)將在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之后施加有1V的一個(gè)存儲(chǔ)器元件的電流密度A除以在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前施加有1V的存儲(chǔ)器元件的電流密度B，得到表示在電流密度中的變化的值R1(即，R1＝A÷B)。通過(guò)將在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之后施加有3V的一個(gè)存儲(chǔ)器元件的電流密度C除以在將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器元件之前施加有3V的存儲(chǔ)器元件的電流密度D，得到表示在電流密度中的變化的值R2(即，R2＝C÷D)。
樣品1的R1是1.9×107，R2是8.4×103。樣品2的R1是8.0×108，R2是2.1×102。樣品3的R1是8.7×104，R2是2.0×102。樣品4的R1是3.7×104，R2是1.0×101。樣品5的R1是2.0×105，R2是5.9×101。樣品6的R1是2.0×104，R2是2.5×102。根據(jù)這些結(jié)果可知，當(dāng)將1V施加于各存儲(chǔ)器元件時(shí)電流量的變化幅度是當(dāng)將3V施加于各存儲(chǔ)器元件時(shí)的電流量的變化幅度的103倍或更高。
權(quán)利要求
1.一種顯示器件，包括在襯底上設(shè)置的、用于顯示圖像的多個(gè)像素；和在襯底上設(shè)置的、用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中所述多個(gè)像素各具有發(fā)光元件，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件，并且其中發(fā)光元件和存儲(chǔ)器元件各包括第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的第二導(dǎo)電層。
2.一種顯示器件，包括在襯底上設(shè)置的、用于顯示圖像的像素部分；和在襯底上設(shè)置的、用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元部分，其中像素部分具有多個(gè)像素，其中存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中所述多個(gè)像素各具有發(fā)光元件，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件，其中像素部分和存儲(chǔ)器單元部分分別具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線，并且其中發(fā)光元件和存儲(chǔ)器元件各包括用作第一布線的第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸并用作第二布線的第二導(dǎo)電層。
3.一種顯示器件，包括在襯底上設(shè)置的、用于顯示圖像的像素部分，和在襯底上設(shè)置的、用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元部分，其中像素部分具有多個(gè)像素，其中存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中所述多個(gè)像素各具有發(fā)光元件和第一晶體管，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件和第二晶體管，其中發(fā)光元件和存儲(chǔ)器元件各包括第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的第二導(dǎo)電層，其中包括在發(fā)光元件中的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層連接到第一晶體管的源區(qū)或漏區(qū)，并且其中包括在存儲(chǔ)器元件中的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層連接到第二晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。
4.一種顯示器件，包括在襯底上設(shè)置的、用于顯示圖像的像素部分；和在襯底上設(shè)置的、用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元部分，其中像素部分具有多個(gè)像素，其中存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中所述多個(gè)像素各具有發(fā)光元件和晶體管，其中發(fā)光元件包括第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸的第二導(dǎo)電層，其中包括在發(fā)光元件中的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層連接到第一晶體管的源區(qū)或漏區(qū)，其中存儲(chǔ)器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件，并且其中存儲(chǔ)器元件包括用作第一布線的第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸并用作第二布線的第二導(dǎo)電層。
5.一種顯示器件，包括在襯底上設(shè)置的、用于顯示圖像的像素部分；和在襯底上設(shè)置的、用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元部分，其中像素部分具有多個(gè)像素，其中存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中所述多個(gè)像素各具有液晶元件和晶體管，其中存儲(chǔ)器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件，并且其中存儲(chǔ)器元件包括用作第一布線的第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸并用作第二布線的第二導(dǎo)電層。
6.一種顯示器件，包括在襯底上設(shè)置的、用于顯示圖像的像素部分，和在襯底上設(shè)置的、用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器單元部分，在襯底上設(shè)置的、用于驅(qū)動(dòng)像素部分和存儲(chǔ)器單元部分的驅(qū)動(dòng)器電路部分，其中像素部分具有多個(gè)像素，其中存儲(chǔ)器單元部分具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元，其中驅(qū)動(dòng)器電路部分具有多個(gè)晶體管，其中所述多個(gè)像素各具有發(fā)光元件和晶體管，其中發(fā)光元件包括第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層和與有機(jī)化合物層接觸的第二導(dǎo)電層；其中包括在發(fā)光元件中的第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層連接到第一晶體管的源區(qū)或漏區(qū)，其中存儲(chǔ)器單元部分具有沿第一方向延伸的多條第一布線和沿垂直于第一方向的第二方向延伸的多條第二布線，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元各具有存儲(chǔ)器元件，其中存儲(chǔ)器元件包括用作第一布線的第一導(dǎo)電層、與第一導(dǎo)電層接觸的有機(jī)化合物層、以及與有機(jī)化合物層接觸并用作第二布線的第二導(dǎo)電層，并且其中將存儲(chǔ)器單元部分設(shè)置成與驅(qū)動(dòng)器電路部分相重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的導(dǎo)電性通過(guò)光效應(yīng)而改變。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的導(dǎo)電性通過(guò)光效應(yīng)而改變。
9.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的導(dǎo)電性通過(guò)光效應(yīng)而改變。
10.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的導(dǎo)電性通過(guò)光效應(yīng)而改變。
11.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的導(dǎo)電性通過(guò)光效應(yīng)而改變。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的導(dǎo)電性通過(guò)光效應(yīng)而改變。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)光效應(yīng)而改變。
14.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)光效應(yīng)而改變。
15.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)光效應(yīng)而改變。
16.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)光效應(yīng)而改變。
17.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)光效應(yīng)而改變。
18.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)光效應(yīng)而改變。
19.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)電效應(yīng)而改變。
20.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)電效應(yīng)而改變。
21.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)電效應(yīng)而改變。
22.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)電效應(yīng)而改變。
23.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)電效應(yīng)而改變。
24.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中存儲(chǔ)器元件的電阻通過(guò)電效應(yīng)而改變。
25.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中在存儲(chǔ)器元件的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的距離通過(guò)電效應(yīng)而改變。
26.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中在存儲(chǔ)器元件的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的距離通過(guò)電效應(yīng)而改變。
27.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中在存儲(chǔ)器元件的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的距離通過(guò)電效應(yīng)而改變。
28.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中在存儲(chǔ)器元件的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的距離通過(guò)電效應(yīng)而改變。
29.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中在存儲(chǔ)器元件的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的距離通過(guò)電效應(yīng)而改變。
30.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中在存儲(chǔ)器元件的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層之間的距離通過(guò)電效應(yīng)而改變。
31.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
32.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
33.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
34.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
35.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
36.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由摻雜有光致酸產(chǎn)生劑的共軛聚合物材料制成。
37.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
38.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
39.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
40.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
41.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
42.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由電子傳輸材料或空穴傳輸材料制成。
43.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
44.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
45.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
46.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
47.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
48.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中有機(jī)化合物層由具有載流子傳輸性能的材料制成。
49.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中有機(jī)化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機(jī)化合物層的導(dǎo)電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
50.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中有機(jī)化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機(jī)化合物層的導(dǎo)電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
51.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中有機(jī)化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機(jī)化合物層的導(dǎo)電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
52.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中有機(jī)化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機(jī)化合物層的導(dǎo)電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
53.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中有機(jī)化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機(jī)化合物層的導(dǎo)電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
54.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中有機(jī)化合物層包括具有載流子傳輸性能的材料，有機(jī)化合物層的導(dǎo)電率小于等于1.0×10-3S·cm且大于等于1.0×10-15S·cm。
55.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是5-60nm。
56.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是5-60nm。
57.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是5-60nm。
58.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是5-60nm。
59.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是5-60nm。
60.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是5-60nm。
61.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是10-20nm。
62.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是10-20nm。
63.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是10-20nm。
64.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是10-20nm。
65.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是10-20nm。
66.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中有機(jī)化合物層的厚度是10-20nm。
67.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機(jī)化合物層和包括在存儲(chǔ)器元件中的有機(jī)化合物層是利用不同材料形成的。
68.根據(jù)權(quán)利要求2的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機(jī)化合物層和包括在存儲(chǔ)器元件中的有機(jī)化合物層是利用不同材料形成的。
69.根據(jù)權(quán)利要求3的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機(jī)化合物層和包括在存儲(chǔ)器元件中的有機(jī)化合物層是利用不同材料形成的。
70.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機(jī)化合物層和包括在存儲(chǔ)器元件中的有機(jī)化合物層是利用不同材料形成的。
71.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機(jī)化合物層和包括在存儲(chǔ)器元件中的有機(jī)化合物層是利用不同材料形成的。
72.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中包括在發(fā)光元件中的有機(jī)化合物層和包括在存儲(chǔ)器元件中的有機(jī)化合物層是利用不同材料形成的。
73.一種電子設(shè)備，采用了權(quán)利要求1中所公開(kāi)的顯示器件。
74.一種電子設(shè)備，采用了權(quán)利要求2中所公開(kāi)的顯示器件。
75.一種電子設(shè)備，采用了權(quán)利要求3中所公開(kāi)的顯示器件。
76.一種電子設(shè)備，采用了權(quán)利要求4中所公開(kāi)的顯示器件。
77.一種電子設(shè)備，采用了權(quán)利要求5中所公開(kāi)的顯示器件。
78.一種電子設(shè)備，采用了權(quán)利要求6中所公開(kāi)的顯示器件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種包括非易失性存儲(chǔ)器電路的顯示器件和利用該顯示器件的電子設(shè)備，能夠在不增加制造步驟的數(shù)量的情況下將數(shù)據(jù)加入到該存儲(chǔ)器電路中。本發(fā)明的顯示器件具有存儲(chǔ)器電路，該存儲(chǔ)器電路包括具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器元件，在該存儲(chǔ)器元件中將有機(jī)化合物層插入一對(duì)導(dǎo)電層之間。根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，可在不增加制造步驟的數(shù)量的情況下提供一種具有可加入數(shù)據(jù)的易失性存儲(chǔ)器電路的顯示器件。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1767203SQ20051011609
公開(kāi)日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2005年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月29日
發(fā)明者渡邊康子, 荒井康行, 安部寬子, 巖城裕司, 湯川干央, 山崎舜平 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所