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      多層互補式導線結構及其制造方法

      文檔序號:6856387閱讀:94來源:國知局
      專利名稱:多層互補式導線結構及其制造方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及一種多層互補式導線結構及其制造方法,特別涉及一種能夠?qū)嵸|(zhì)降低導線的阻值的多層互補式導線結構及其制造方法。
      背景技術
      隨著多媒體技術的快速發(fā)展,使用者越來越需要先進的外圍視聽設備。由陰極射線管(CRT)或顯像管所組成的常用顯示器已無法滿足目前輕薄短小設備的需求。近年來已經(jīng)陸續(xù)發(fā)展出許多平面顯示技術,例如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)顯示器、以及場發(fā)射式顯示器(FED),而且上述這些技術已經(jīng)成為顯示技術標準。
      圖1為一種常用顯示器的薄膜晶體管陣列板的概略示意圖。參照圖1,薄膜晶體管陣列板10包括多個像素單元,也就是像素18,上述這些像素排列于一個矩陣之中。每個像素18均包含薄膜晶體管16,而且上述這些像素18由彼此橫向平行的多條柵極線路14及彼此縱向平行的多條數(shù)據(jù)線路12所隔開。上述這些柵極線路14及數(shù)據(jù)線路12均連接至上述這些像素18的薄膜晶體管16。
      圖2為一種常用顯示器的像素的概略示意圖。參照圖2,每個像素18均包含薄膜晶體管16。每條柵極線路14均連接至該薄膜晶體管16的柵極26,而每條數(shù)據(jù)線路12均會被連接至該薄膜晶體管16的源極20及漏極22。有絕緣層(圖中未顯示)及主動層24位于柵極26、源極20與漏極22之間。此外,每個像素18另包括像素電極28,該電極連接至漏極22。薄膜晶體管16的功能是作為像素電極28的切換裝置。
      一般來說,每條柵極線路14及每條數(shù)據(jù)線路12位于不同的金屬層之中。于上述這些柵極線路14及上述這些數(shù)據(jù)線路12的重疊區(qū)域中,柵極線路14并不連接至數(shù)據(jù)線路12,而是通過絕緣層30于周圍產(chǎn)生絕緣,如圖3所示。隨著顯示器的尺寸越來越大,柵極線路及數(shù)據(jù)線路的長度亦越來越長。因此,柵極線路及數(shù)據(jù)線路的總阻值便會提高,其缺點是可能導致非預期的電阻-電容延遲(RC延遲),并且會對上述這些顯示裝置的運行速度產(chǎn)生負面影響。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明是關于可解決因已有技術的限制與缺點所導致的一項或多項問題的結構與方法。
      根據(jù)本發(fā)明的具體實施例,其提供一種多層導線結構,其包括基板;形成于該基板之上第一層中的多條第一導電線路,彼此平行延伸于第一方向中;形成于該第一層之上第二層中的多條第二導電線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;形成于該第二層中的多組第三導電線路,其延伸于該第一方向中,每一組第三導電線路皆對應于上述這些第一導電線路中其中一條;以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些第一導電線路中其中一條及其中一組第三導電線路,并且將該對應的第一導電線路電連接至該對應的第三導電線路組。
      于其中一種實施方式中,每一組中的上述這些第三導電線路彼此相隔開預設間隔。
      又根據(jù)本發(fā)明,其提供一種多層導線結構,其包括基板;形成于該基板之上第一層中的多條第一導電線路,彼此平行延伸于第一方向中;形成于該第一層之上第二層中的多條第二導電線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;形成于該第一層中的多組第三導電線路,其延伸于該第二方向中,每一組第三導電線路皆對應于上述這些第二導電線路中其中一條;以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些第二導電線路中其中一條及其中一組第三導電線路,并且將該對應的第二導電線路電連接至該對應的第三導電線路組。
      另根據(jù)本發(fā)明,其提供一種顯示裝置,其包括基板;形成于該基板之上第一層中的多條柵極線路,彼此平行延伸在第一方向中;形成于該第一層之上第二層中的多條數(shù)據(jù)線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;形成于該基板上的像素單元陣列,每一個像素單元均靠近上述這些柵極線路中其中一條及上述這些數(shù)據(jù)線路中其中一條的交點;形成于該第二層中的多組導電線路,其延伸于第一方向中,每一組導電線路皆對應于上述這些柵極線路中其中一條;以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些柵極線路中其中一條及其中一組導電線路,并且將該對應的柵極線路電連接至該對應的導電線路組。
      續(xù)根據(jù)本發(fā)明,其提供一種顯示裝置,其包括基板;形成于該基板之上第一層中的多條柵極線路,彼此平行延伸在第一方向中;形成于該第一層之上第二層中的多條數(shù)據(jù)線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;形成于該基板上的多個像素單元,每一個像素單元均靠近上述這些柵極線路中其中一條及上述這些數(shù)據(jù)線路中其中一條的交點;形成于該第一層中的多組導電線路,其延伸于第二方向中,每一組導電線路皆對應于上述這些數(shù)據(jù)線路中其中一條以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些數(shù)據(jù)線路中其中一條及其中一組導電線路,并且將該對應的數(shù)據(jù)線路電連接至該對應的導電線路組。
      仍續(xù)根據(jù)本發(fā)明,其提供一種用于制造多層導線結構的方法,其包括界定基板;于該基板之上形成第一導電層;圖案化該第一導電層以形成多條第一導電線路,彼此平行延伸在第一方向中,以及形成多組第二導電線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;于該第一導電層之上形成絕緣層;圖案化該絕緣層以便于該絕緣層中形成多個開孔,用以曝露上述這些第二導電線路中每一條的其中一部分;于該絕緣層之上形成第二導電層,同時填補上述這些開孔;以及圖案化該第二導電層,用以形成多條第三導電線路,其延伸于第二方向中,上述這些第三導電線路中每一條皆對應于其中一組第二導電線路。
      進一步續(xù)根據(jù)本發(fā)明,其提供一種用于制造多層導線結構的方法,其包括界定基板;于該基板之上形成第一導電層;圖案化該第一導電層以形成多條第一導電線路,彼此平行延伸在第一方向中;于該第一導電層之上形成絕緣層;圖案化該絕緣層以便于該絕緣層中形成多個開孔,用以曝露上述這些第一導電線路中每一條的其中一部分;于該絕緣層之上形成第二導電層,同時填補上述這些開孔;以及圖案化該第二導電層,用以形成多條第二導電線路,其延伸在正交于第一方向的第二方向中,以及形成多組第三導電線路,其彼此平行延伸于該第一方向中,每組上述這些第三導電線路皆對應于上述這些第一導電線路中其中一條。
      于下文的說明中將部分提出本發(fā)明的額外特點與優(yōu)點,而且從該說明中將了解其中一部分,或者通過實施本發(fā)明亦可獲知。通過權利要求中特別提出的元件與組合將可了解且達成本發(fā)明的特點與優(yōu)點。
      應該了解的是,上文的概要說明以及下文的詳細說明都僅供作示范與解釋,其并未限制本文所主張的發(fā)明。
      本說明書中所并入且構成本說明書其中一部分的附圖所圖解的是本發(fā)明的其中一具體實施例,其連同本說明可用來解釋本發(fā)明的原理。


      現(xiàn)在將詳細地參考本發(fā)明具體實施例,其范例圖解于附圖之中??赡艿脑?,在所有附圖中將以相同的元件符號來代表相同或類似的部件。
      圖1為一種常用顯示器的薄膜晶體管陣列板的概略示意圖;圖2為一種常用顯示器中像素的概略示意圖;圖3為一種常用金屬層結構的概略示意圖,其中柵極線路及數(shù)據(jù)線路位于不同層之中;圖4為根據(jù)本發(fā)明較佳具體實施例的柵極線路的導線結構的剖面圖;圖5為匹配圖4所示的導線結構的數(shù)據(jù)線路的導線結構的剖面圖;圖6為圖4的導線結構與圖5的導線結構交錯的概略3D示意圖;
      圖7a至圖8c為根據(jù)本發(fā)明較佳具體實施例用于制造導線結構的工藝的示意流程圖,其中圖7a至圖7c為沿著圖6中直線I-I所取得的剖面圖,而圖8a至圖8c則為沿著圖6中直線II-II所取得的剖面圖;圖9為將本發(fā)明的導線結構套用至顯示器中的俯視圖;圖10A為根據(jù)本發(fā)明具體實施例的導線結構的概略透視圖;圖10B為沿著圖10A的導線結構中的AA方向所取得的概略剖面圖;圖11A為根據(jù)本發(fā)明另一具體實施例的導線結構的概略透視圖;以及圖11B為沿著圖11A的導線結構中的BB方向所取得的概略剖面圖。
      主要元件標記說明10 薄膜晶體管陣列板12 數(shù)據(jù)線路14 柵極線路16 薄膜晶體管18 像素20 源極22 漏極24 主動層26 柵極28 像素電極30 絕緣層100導線結構102導線結構200主線路
      202支線路204連接栓206凹槽250主線路252支線路254連接栓256凹槽300基板320導電材料層350絕緣層354接觸孔洞356接觸孔洞360導電材料層400導線結構402基板408連接栓414主線路424線路426支線路500導線結構502基板508連接栓
      514主線路516支線路524主線路具體實施方式
      本發(fā)明是關于一種具有多層互補式特征圖形的導線結構。下文將解釋本發(fā)明的較佳具體實施例。為更明確且完整地解釋本發(fā)明,請參考下文說明及圖4至圖9。
      圖4為根據(jù)本發(fā)明較佳具體實施例的柵極線路的導線結構的剖面圖。參照圖4,作為本發(fā)明顯示器中的柵極線路的導線結構100包括細長的主線路200以及彼此共線但分離的多條支線路202。因為主線路200及上述這些支線路202位于不同層之中,所以,上述這些支線路202中每一條的兩端會通過多個連接栓204連接至主線路200,從而形成含有多個凹槽206的雙層、齒狀導線結構。
      計算阻值的公式如下R=ρ*L/A,其中R代表材料的阻值,ρ代表材料的電阻率,L代表導線的長度,而A代表導線的截面積。
      當分別使用鋁(Al)及銅(Cu)來制造常用的長導線結構且假設上述這些導線的總長度為10而上述這些導線的截面積為1時,那么上述這些導線結構的阻值便如表1中所列

      此外,以圖4中的結構為例,當使用鋁及銅來制造本發(fā)明的雙層、齒狀導線結構時,假設其具有由凹槽206、一條支線路202、以及兩個連接栓204所組成的主線路200,主線路200的總長度等于10,支線路202的長度等于b,凹槽206的寬度等于a(也就是,10-b),而主線路200及支線路202兩者的截面積均等于1。當支線路202長度與凹槽206寬度的比值變動時,那么總阻值便如表2中所列

      據(jù)此,不論支線路202長度與凹槽206寬度的比值為何,本發(fā)明的雙層、齒狀導線結構的阻值均小于常用導線結構的阻值,所以,本發(fā)明并不受限于支線路202長度與凹槽206寬度的比值。于本發(fā)明的雙層、齒狀導線結構中,當支線路202平行于主線路200的比例(也就是,b/a比值)提高時,整條導線的阻值便會降低。
      當將本發(fā)明的柵極線路的導線結構套用至顯示器中時,用于匹配該柵極線路的數(shù)據(jù)線路的導線結構如圖5所示。因為必須考慮該柵極線路與該數(shù)據(jù)線路間的垂直交叉連接,所以,該數(shù)據(jù)線路的導線結構必須互補于該柵極線路的導線結構。參照圖5,導線結構102包括一條長主線路250以及共線但彼此分離的多條支線路252。上述這些支線路252中每一條的兩端均會通過連接栓254被連接至該主線路250,從而形成含有多個凹槽256的雙層、齒狀導線結構。比較圖5的結構與圖4的結構,可以看見,圖4中的導線結構100及圖5中的導線結構102是對稱的。
      圖6為圖4的導線結構與圖5的導線結構交錯的概略3D示意圖。參照圖6,于典型的顯示器中,柵極線路與數(shù)據(jù)線路會互相垂直以形成交錯結構,并且從而構成排列于一個矩陣中的多個像素單元。于本發(fā)明中,柵極線路的導線結構100及數(shù)據(jù)線路的導線結構102為交錯排列,致使圖4中的凹槽206及圖5中的凹槽256彼此位于基板300的兩側處。也就是,導線結構100的主線路200與上述這些支線路252位于同一層,而上述這些支線路252則分別位于該主線路200的兩側之上。導線結構102的主線路250以及上述這些支線路202則均位于另一層之中。
      參照圖7a至圖8c,圖7a至圖8c為根據(jù)本發(fā)明較佳具體實施例用于制造導線結構的工藝的示意流程圖。同時參照圖6,圖7a至圖7c為沿著圖6中直線I-I所取得的剖面圖,而圖8a至圖8c則為沿著圖6中直線II-II所取得的剖面圖。
      當形成本發(fā)明的導線結構時,舉例來說,可利用沉積法于基板300之上先形成材料層320。舉例來說,可利用光刻技術及蝕刻法來界定該導電材料層320,用以形成導線結構100的主線路200以及導線結構102的支線路252,如圖7a與圖8a所示。
      接著,可利用沉積法形成絕緣層350,用以覆蓋該導電材料層320及該基板300。其次,舉例來說,可利用光刻技術及蝕刻法來界定該絕緣層350,用以于該絕緣層350之中形成多個接觸孔洞354及多個接觸孔洞356,分別如圖7b與圖8b所示。每一個上述這些接觸孔洞354均會分別曝露導線結構102中上述這些支線路252的其中一部分,而上述這些接觸孔洞356則會曝露導線結構100中主線路200的其中一部分。
      接著,舉例來說,可利用沉積法形成導電材料層360,用以覆蓋該絕緣層350且填補上述這些接觸孔洞354及上述這些接觸孔洞356??衫蒙鲜鲞@些接觸孔洞354及上述這些接觸孔洞356中的導電材料分別構成多個連接栓254及多個連接栓204。接著,舉例來說,可利用光刻技術及蝕刻法來界定該導電材料層360,用以形成導線結構102的主線路250以及導線結構100的支線路202,如圖7c與圖8c所示。
      所以,便可于基板300之上形成如圖6所示的雙層互補式導線結構。上述這些連接栓204及上述這些連接栓254必須全部對齊導線結構100的主線路200及導線結構102的上述這些支線路252,并且彼此分離。進一步言之,除了對齊上述這些連接栓204以外,導線結構100的上述這些支線路202還必須對齊導線結構100的主線路200;而除了對齊上述這些連接栓254以外,導線結構102的主線路250還必須對齊導線結構102的上述這些支線路252。
      圖9為將本發(fā)明的導線結構套用至顯示器中的俯視圖。參照圖9的俯視圖,圖中清楚地圖解出較低且垂直平行的多條主線路200以及較高且水平平行的多條主線路250。從該俯視圖中可知,上述這些主線路200及上述這些主線路250會垂直交錯用以構成網(wǎng)狀結構,其中該網(wǎng)狀結構中每個格柵均代表像素單元400,而每個像素單元400均包括薄膜晶體管402。除了上述這些主線路200及上述這些主線路250的交錯互連部分以外,該網(wǎng)狀結構的其余部分是雙層導線結構。
      舉例來說,除了交錯互連部分以外,上述這些主線路200中每一條均于上述這些主線路200之上包括多條支線路202(和上述這些主線路250位于相同層),而且上述這些主線路200會通過上述這些連接栓204被連接至上述這些支線路202。同樣地,除了交錯互連部分以外,上述這些主線路250中每一條均于上述這些主線路250之上包括多條支線路252(和上述這些主線路200位于相同層),而且上述這些主線路250會通過上述這些連接栓254被連接至上述這些支線路252。
      圖9中,值得注意的是,雖然圖中上方導線結構中的上述這些主線路250的寬度及上述這些支線路202的寬度大于下方導線結構中的上述這些主線路200的寬度及上述這些支線路252的寬度,不過其僅為更了解本發(fā)明的導線結構的目的。于本發(fā)明的較佳具體實施例中,包括上述這些主線路250、上述這些支線路202、上述這些主線路200、以及上述這些支線路252在內(nèi)的上述這些前述導線較佳的是具有相同的寬度,不過,上文說明的目的僅為解釋本發(fā)明的范疇,并無限制之意。
      雖然本發(fā)明的較佳具體實施例僅揭示一種雙層互補式導線結構及其制造方法,不過,本發(fā)明的精神及概念亦可套用至具有兩層以上的其它多層導線結構之中,以達降低阻值的目的。
      本發(fā)明揭示一種多層互補式導線結構及其制造方法??筛鶕?jù)產(chǎn)品裝置的要求來改變結構性條件,舉例來說,其包括絕緣層的材料,以及該導線的材料、形狀、以及長度。通??墒褂娩X、銅、鉻、及/或鉬作為該導線的材料。另外,亦可將各種的薄膜晶體管結構套用至像素單元之中,而本發(fā)明中所用的薄膜晶體管結構的種類并不受限。
      根據(jù)本發(fā)明前述較佳具體實施例,套用本發(fā)明便可降低導線的阻值。此外,對相同的阻值效應而言,套用該多層互補式導線結構則可縮小該導線的截面積,從而可提高該像素單元的開孔比值。于本發(fā)明的較佳具體實施例中,利用導線寬度12μm(微米)的雙層互補式導線結構,本發(fā)明便可達到和導線寬度20μm的常用導線結構相同的阻值。對長度60μm且寬度14μm的開孔面積來說,原始的開孔面積為60×140=8400(μm2)。
      不過,套用本發(fā)明之后該開孔面積則為(60+8)×(140+8)=10064(μm2)。
      所以,開孔比值提高了(10064-8400)/8400×100%=19.8%。
      據(jù)此,本發(fā)明非常有利于顯示器制造技術。
      本發(fā)明的多層互補式導線結構不僅可套用至顯示器領域之中,亦可套用至其它領域之中。當將本發(fā)明的多層互補式導線結構套用至其它領域之中時,圖6中所示的導線結構100及導線結構102均不限制造為柵極線路或數(shù)據(jù)線路。當將本發(fā)明套用至其它領域之中時,舉例來說集成電路制造技術,便可達到降低阻值及縮小關鍵尺寸的優(yōu)點。所以,本發(fā)明并不受限于顯示器領域。
      圖10A為根據(jù)本發(fā)明具體實施例的導線結構400的概略透視圖。導線結構400包含由多條第一導電線路及多條第二導電線路所組成的陣列,上述這些第二導電線路的位置正交于上述這些第一導電線路。參照圖10A,上述這些第一導電線路中每一條均包含主線路414、多條支線路426、以及多個連接栓408。主線路414實質(zhì)上是形成于基板402上第一層之中的平直連續(xù)線路。支線路426形成于第一層上的第二層之中,而且彼此分離。每條支線路426均通過連接栓408被連接至主線路414。上述這些第二導電線路中每一條均包含主線路424,其實質(zhì)上形成于該第二層之中的平直連續(xù)線路。導線結構400和圖6中所示的導線結構102大致相同,不同的是,第二導電線路424并不包含任何支線路或連接栓。
      圖10B為沿著圖10A的導線結構400中的AA方向所取得的概略剖面圖。參照圖10B,上述這些第二導電線路424中每一條均于支線路426之間。如先前參照表2的討論,當比值p/q提高,導線結構400的阻值便會降低,其中p代表的是其中一條支線路426的長度,而q代表的是將其中一條支線路426與相鄰支線路分離的間隔的距離。
      下文將討論用于制造根據(jù)本發(fā)明具體實施例的多層導線結構400的方法。界定基板402,其由玻璃或塑料所制成。舉例來說,利用沉積法于基板402之上構成第一導電層。舉例來說,可利用光刻技術及蝕刻法來圖案化該第一導電層,用以形成多條第一導電線路414,彼此平行延伸于第一方向中。舉例來說,可利用沉積法于該經(jīng)圖案化的第一導電層之上形成絕緣層。上述這些第一導電線路414中每一條均彼此絕緣??蓤D案化該絕緣層以形成多個開孔,其會曝露出每一條第一導電線路414的其中一部分。上述這些開孔的形式可能是溝渠、腔穴、孔洞或是井狀。接著,可于該經(jīng)圖案化的絕緣層之上形成第二導電層,同時填補上述這些開孔。其次,可圖案化該第二導電層,用以形成多條第二導電線路424,其延伸在正交于該第一方向的第二方向中,并且形成多組第三導電線路426,彼此平行延伸于第一方向中。每組第三導電線路426均對應于其中一條第一導電線路414。
      圖11A為根據(jù)本發(fā)明另一具體實施例的導線結構500的概略透視圖。導線結構500包含由多條第一導電線路及多條第二導電線路所組成的陣列,上述這些第二導電線路的位置正交于上述這些第一導電線路。參照圖11A,上述這些第一導電線路中每一條均包含主線路514,其實質(zhì)上是形成于基板502上第一層之中的平直連續(xù)線路。上述這些第二導電線路中每一條均包含主線路524、多條支線路516、以及多個連接栓508。主線路524實質(zhì)上是形成于該第一層上第二層之中的平直連續(xù)線路。支線路516形成于第一層之中,而且彼此分離。每條支線路516均會通過連接栓508被連接至主線路524。導線結構500和圖6中所示的導線結構102大致相同,不同的是,第一導電線路514并不包含任何支線路或連接栓。
      圖11B為沿著圖11A的導線結構500中的BB方向所取得的概略剖面圖。參照圖11B,上述這些第一導電線路514中每一條均于支線路516之間。如先前參照表2的討論,當比值m/n提高,導線結構500的阻值便會降低,其中m代表的是其中一條支線路516的長度,而n代表的是將其中一條支線路516與相鄰支線路分離的間隔的距離。
      下文將討論用于制造根據(jù)本發(fā)明具體實施例的多層導線結構500的方法。界定基板502。于基板502上形成第一導電層。圖案化該第一導電層,用以形成多條第一導電線路514,其彼此平行延伸于第一方向中,并且形成多組第二導電線路516,其彼此平行延伸在正交于該第一方向的第二方向中。于該經(jīng)圖案化的第一導電層中形成絕緣層??蓤D案化該絕緣層以形成多個開孔,其會曝露出每一條第二導電線路516的其中一部分。接著,可于該經(jīng)圖案化的絕緣層之上形成第二導電層,同時填補上述這些開孔。然后,可圖案化該第二導電層,用以形成多條第三導電線路524,其延伸于第二方向中。每條第三導電線路524均對應于其中一組第二導電線路516。
      上文圖10與圖11所代表的實施例,與圖4至圖9所述的實施例相比較,雖然僅有一個方向的導線為雙層導線結構,然而圖10與圖11所代表的實施例,具有較少區(qū)域及較少數(shù)目的開孔,而且導線跨線區(qū)域的結構較簡單,因此工藝難度較低,能得到較高的量產(chǎn)合格率。制造顯示器時可依導線電阻需求,選擇單一方向的導線形成雙層導線即可。
      上文已經(jīng)針對解釋與說明的目的提供本發(fā)明的較佳具體實施例的前述揭示內(nèi)容。其并未竭盡說明本發(fā)明或?qū)⒈景l(fā)明限于所揭示的刻板形式中。所屬技術領域的技術人員依照以上的揭示內(nèi)容將會非常清楚本文所說明的具體實施例的許多變化及修改。本發(fā)明的范疇僅由本文所附權利要求及其等效范圍來定義。
      另外,說明本發(fā)明的代表性具體實施例時,雖然本說明書將本發(fā)明的方法及/或程序表示為特定的步驟序列;不過,由于該方法或程序的范圍并不依賴本文所提出的特定的步驟序列,所以該方法或程序不應僅限于所述的特定的步驟序列。所屬技術領域的技術人員便會發(fā)現(xiàn),亦可采用其它步驟序列。所以,不應將本說明書所提出的特定的步驟序列視為對權利要求的限制。此外,亦不應將針對本發(fā)明的該方法及/或程序的權利要求限制在僅能以書面的順序來實行該方法及/或程序的步驟,所屬技術領域的技術人員很容易便可明白,上述這些序列亦可加以改變,并且仍涵蓋于本發(fā)明的精神與范疇之內(nèi)。
      權利要求
      1.一種多層導線結構,其特征是包括基板;形成于該基板之上第一層中的多條第一導電線路,彼此平行延伸于第一方向中;形成于該第一層之上第二層中的多條第二導電線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;形成于該第二層中的多組第三導電線路,其延伸于該第一方向中,每一組第三導電線路皆對應于上述這些第一導電線路中其中一條;以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些第一導電線路中其中一條及其中一組第三導電線路,并且將該對應的第一導電線路電連接至該對應的第三導電線路組。
      2.根據(jù)權利要求1所述的導線結構,其特征是每一組中的上述這些第三導電線路彼此以預設間隔相隔開。
      3.根據(jù)權利要求2所述的導線結構,其特征是上述這些第三導電線路中每一條長度與該預設間隔的比值范圍約介于2至9之間。
      4.根據(jù)權利要求1所述的導線結構,其特征是每一條第一、第二、或第三導電線路均由選自以下所組成的群之中的至少一種材料所制成銅、鋁、鉻、以及鉬。
      5.根據(jù)權利要求1所述的導線結構,其特征是上述這些導電路徑中每一條均由選自以下所組成的群之中的至少一種材料所制成銅、鋁、鉻、以及鉬。
      6.一種多層導線結構,其特征是包括基板;形成于該基板之上第一層中的多條第一導電線路,彼此平行延伸于第一方向中;形成于該第一層之上第二層中的多條第二導電線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;形成于該第一層中的多組第三導電線路,其延伸于該第二方向中,每一組第三導電線路皆對應于上述這些第二導電線路中其中一條;以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些第二導電線路中其中一條及其中一組第三導電線路,并且將該對應的第二導電線路電連接至該對應的第三導電線路組。
      7.根據(jù)權利要求6所述的導線結構,其特征是每一組中的上述這些第三導電線路彼此以預設間隔相隔開。
      8.根據(jù)權利要求7所述的導線結構,其特征是上述這些第三導電線路中每一條長度與該預設間隔的比值范圍約介于2至9之間。
      9.根據(jù)權利要求6所述的導線結構,其特征是每一條第一、第二、或第三導電線路均由選自以下所組成的群之中的至少一種材料所制成銅、鋁、鉻、以及鉬。
      10.根據(jù)權利要求6所述的導線結構,其特征是上述這些導電路徑中每一條均由選自以下所組成的群之中的至少一種材料所制成銅、鋁、鉻、以及鉬。
      11.一種顯示裝置,其特征是包括基板;形成于該基板之上第一層中的多條柵極線路,彼此平行延伸在第一方向中;形成于該第一層之上第二層中的多條數(shù)據(jù)線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;形成于該基板上的像素單元陣列,每一個像素單元均靠近上述這些柵極線路中其中一條及上述這些數(shù)據(jù)線路中其中一條的交點;形成于該第二層中的多組導電線路,其延伸于第一方向中,每一組導電線路皆對應于上述這些柵極線路中其中一條;以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些柵極線路中其中一條及其中一組導電線路,并且將該對應的柵極線路電連接至該對應的導電線路組。
      12.根據(jù)權利要求11所述的裝置,其特征是每一組中的上述這些導電線路彼此以預設間隔相隔開。
      13.根據(jù)權利要求12所述的裝置,其特征是上述這些導電線路中每一條長度與該預設間隔的比值范圍約介于2至9之間。
      14.一種顯示裝置,其特征是包括基板;形成于該基板之上第一層中的多條柵極線路,彼此平行延伸在第一方向中;形成于該第一層之上第二層中的多條數(shù)據(jù)線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;形成于該基板上的多個像素單元,每一個像素單元均靠近上述這些柵極線路中其中一條及上述這些數(shù)據(jù)線路中其中一條的交點;形成于該第一層中的多組導電線路,其延伸于第二方向中,每一組導電線路皆對應于上述這些數(shù)據(jù)線路中其中一條以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些數(shù)據(jù)線路中其中一條及其中一組導電線路,并且將該對應的數(shù)據(jù)線路電連接至該對應的導電線路組。
      15.根據(jù)權利要求14所述的裝置,其特征是每一組中的上述這些導電線路彼此以預設間隔相隔開。
      16.根據(jù)權利要求15所述的裝置,其特征是上述這些導電線路中每一條長度與該預設間隔的比值范圍約介于2至9之間。
      17.一種用于制造多層導線結構的方法,其特征是包括界定基板;于該基板之上形成第一導電層;圖案化該第一導電層以形成多條第一導電線路,彼此平行延伸在第一方向中,以及形成多組第二導電線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向中;于該第一導電層之上形成絕緣層;圖案化該絕緣層以便于該絕緣層中形成多個開孔,用以曝露上述這些第二導電線路中每一條的其中一部分;于該絕緣層之上形成第二導電層,同時填補上述這些開孔;以及圖案化該第二導電層,用以形成多條第三導電線路,其延伸于第二方向中,上述這些第三導電線路中每一條皆對應于其中一組第二導電線路。
      18.根據(jù)權利要求17所述的方法,其特征是每一組中的上述這些第二導電線路彼此以預設間隔相隔開。
      19.一種用于制造多層導線結構的方法,其特征是包括界定基板;于該基板之上形成第一導電層;圖案化該第一導電層以形成多條第一導電線路,彼此平行延伸在第一方向中;于該第一導電層之上形成絕緣層;圖案化該絕緣層以便于該絕緣層中形成多個開孔,用以曝露上述這些第一導電線路中每一條的其中一部分;于該絕緣層之上形成第二導電層,同時填補上述這些開孔;以及圖案化該第二導電層,用以形成多條第二導電線路,其延伸在正交于第一方向的第二方向中,以及形成多組第三導電線路,其彼此平行延伸于該第一方向中,每組上述這些第三導電線路皆對應于上述這些第一導電線路中其中一條。
      20.根據(jù)權利要求19所述的方法,其特征是每一組中的上述這些第三導電線路彼此以預設間隔相隔開。
      全文摘要
      一種多層導線結構,其包含基板;形成于該基板之上第一層中的多條第一導電線路,彼此平行延伸在第一方向中形成于該第一層之上第二層中的多條第二導電線路,彼此平行延伸在正交于第一方向的第二方向形成于該第二層中的多組第三導電線路,其延伸于該第一方向中,每一組第三導電線路皆對應于上述這些第一導電線路中其中一條以及形成于該第一層與該第二層之間的多組導電路徑,每一組導電路徑皆對應于上述這些第一導電線路中其中一條及其中一組第三導電線路,并且將該對應的第一導電線路電連接至該對應的第三導電線路組。
      文檔編號H01L21/302GK1866507SQ20051012346
      公開日2006年11月22日 申請日期2005年11月21日 優(yōu)先權日2005年5月17日
      發(fā)明者陳昱丞, 陳麒麟 申請人:財團法人工業(yè)技術研究院
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