專利名稱：半導(dǎo)體封裝及半導(dǎo)體模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝及半導(dǎo)體模塊，特別涉及具有電力用半導(dǎo)體元件、將構(gòu)筑變換器(inverter)、換流器(converter)等電力控制設(shè)備的半導(dǎo)體封裝、以及將該半導(dǎo)體封裝多個(gè)模塊化的半導(dǎo)體模塊。
背景技術(shù)：
作為電力用半導(dǎo)體元件，大多使用IGBT元件(開關(guān)元件)、IEGT、MOS-FET等。這些電力用半導(dǎo)體元件都在表面上具備表面?zhèn)入娏Χ俗雍涂刂贫俗樱诒趁婢哂斜趁鎮(zhèn)入娏Χ俗?。另外，在電力用半?dǎo)體元件為IGBT元件的情況下，表面?zhèn)入娏Χ俗訛樯潆姌O，背面?zhèn)入娏Χ俗訛榧姌O，控制端子為門電極。
在將這種電力用半導(dǎo)體元件安裝到基板上并封裝時(shí)，半導(dǎo)體元件的背面?zhèn)入娏Χ俗油ㄟ^釬焊接合連接到封裝側(cè)的電極上，而半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)入娏Χ俗蛹翱刂贫俗邮褂娩X線通過引線接合法連接到封裝側(cè)的電極上(例如參照日本專利特許文獻(xiàn)1和特許文獻(xiàn)2)。
但是，引線接合法存在如下的技術(shù)課題由于是將線一根根地接合所以接合時(shí)間較長(zhǎng)；由于線呈環(huán)狀所以線長(zhǎng)變長(zhǎng)、布線電感變大；承受振動(dòng)能力較差，容易發(fā)生斷裂或相鄰間的短路等。
因此，具有被采用在半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)入娏Χ俗由洗婢€而接合鋁薄板的方法、以及釬焊接合平板或引線而作為電極引出的方法的趨勢(shì)。特別是，選擇可釬焊接合到半導(dǎo)體元件的表面?zhèn)入娏Χ俗由系牟馁|(zhì)、將平板或引線通過釬焊接合而連接到表面?zhèn)入娏Χ俗由系姆椒ㄊ亲罱艿疥P(guān)注的技術(shù)。其中，在從控制端子的引出布線中，使用通過引線接合法接合的線。
如圖19所示，這種半導(dǎo)體封裝1具有板狀的IGBT元件(半導(dǎo)體元件)2、和以層疊狀態(tài)夾持該IGBT元件2的第1電極板3和第2電極板4。
在IGBT元件2的表面?zhèn)?，設(shè)有射電極(電力端子)2a、門電極(控制端子)2b、以及射感電極(エミツタセンス電極)(控制端子)2c。此外，在IGBT元件2的背面?zhèn)仍O(shè)有集電極(電力端子)2d。射電極2a通過釬焊接合連接到第1電極板3上，集電極2d也通過釬焊接合連接到第2電極板4上。
在IGBT元件2附近配設(shè)有絕緣基板5。絕緣基板5使用設(shè)于其背面上的連接焊盤(未圖示)，通過釬焊接合與第2電極板4接合。作為該釬焊，使用切斷成預(yù)定尺寸的焊錫薄片、通過印刷法印刷的焊錫糊、通過鍍層法生成的焊錫、或通過蒸鍍法成膜的焊錫等。第2電極板4兼作集電極側(cè)布線及散熱器，固定在金屬包覆型陶瓷基板或匯流條等導(dǎo)電部件(未圖示)上。此外，從第1電極3延伸的射電極側(cè)布線是通過鋁帶8形成的。
門電極2b和連接焊盤5b之間通過由鋁材形成的接合線6b電連接，射感電極2c與連接焊盤5a之間通過由鋁材形成的接合線6a電連接。進(jìn)而，在連接焊盤5a上焊接著控制布線7a，在連接焊盤5b上焊接著控制布線7b。
特許文獻(xiàn)1日本專利特開2003-110064號(hào)公報(bào)特許文獻(xiàn)2日本專利特開2002-164485號(hào)公報(bào)在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝1中，為了進(jìn)行引線接合，需要將IGBT元件2的門電極2b和射感電極2c、絕緣基板5上的連接焊盤5a和連接焊盤5b布置在同一平面上。此外，需要確保接合空間，確保用來防止相鄰的接合線6a、6b間短路的間隔距離，確保用來防止接合線6a、6b和控制布線7a、7b之間短路的間隔距離等。因此，第2電極板4的平面尺寸增大，半導(dǎo)體封裝1變得大型。此外，將引線接合工序保留在半導(dǎo)體封裝1的制造過程中，在設(shè)備投資和工程管理方面是不利的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是用來解決上述課題的，本發(fā)明的目的是提供一種通過不使用引線接合而進(jìn)行對(duì)半導(dǎo)體元件的連接而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的半導(dǎo)體封裝及具有該半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體模塊。
本發(fā)明的實(shí)施方式的第1特征是，在半導(dǎo)體封裝中，具有板狀的半導(dǎo)體元件，在主面上具有第1電力端子和控制端子，在與主面對(duì)置的背面上具有第2電力端子；第1電極板，與半導(dǎo)體元件的主面對(duì)置設(shè)置，具有通過釬焊接合而與第1電力端子連接的第1電力電極；第2電極板，與半導(dǎo)體元件的背面對(duì)置設(shè)置，具有通過釬焊接合而與第2電力端子連接的第2電力電極；絕緣基板，設(shè)在半導(dǎo)體元件與第1電極板之間，具有通過釬焊接合而與控制端子連接的控制電極。
本發(fā)明的實(shí)施方式的第2特征是，在半導(dǎo)體模塊中，具有上述第1特征的半導(dǎo)體封裝；第1導(dǎo)電部件及第2導(dǎo)電部件，其具有導(dǎo)電性，分別夾持半導(dǎo)體封裝而設(shè)置。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種通過不使用引線接合而進(jìn)行對(duì)半導(dǎo)體元件的連接從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的半導(dǎo)體封裝及具有該半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體模塊。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的立體圖。
圖2是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝的分解立體圖。
圖3是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝所具有的絕緣基板和IGBT元件的分解立體圖。
圖4是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝所具有的絕緣基板和第1電極板的分解立體圖。
圖5是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝所具有的絕緣基板和第1電極板的立體圖。
圖6是表示圖1所示的半導(dǎo)體封裝的A-A線剖視圖。
圖7是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的A-A線剖視圖。
圖8是說明圖7所示的半導(dǎo)體封裝的制造工序的第1工序剖視圖。
圖9是第2工序剖視圖。
圖10是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的A-A線剖視圖。
圖11是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的A-A線剖視圖。
圖12是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的A-A線剖視圖。
圖13是表示本發(fā)明的第6實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝的A-A線剖視圖。
圖14是表示本發(fā)明的第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊的側(cè)視圖。
圖15是表示圖14所示的半導(dǎo)體模塊的俯視圖。
圖16是說明本發(fā)明的第8實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊的制造工序的第1工序側(cè)視圖。
圖17是第2工序側(cè)視圖。
圖18是表示本發(fā)明的第9實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊的側(cè)視圖。
圖19是表示本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝的一例的立體圖。
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施方式)參照?qǐng)D1至圖6來說明本發(fā)明的第1實(shí)施方式。
如圖1和圖2所示，半導(dǎo)體封裝10通過層疊以下部件而構(gòu)成作為電力用半導(dǎo)體元件的IGBT元件(半導(dǎo)體元件)20；配置在該IGBT元件20的表面(主面)21a側(cè)的第1電極板30；配置在與IGBT元件20的表面對(duì)置的背面21b側(cè)的第2電極板40；配置在第1電極板30與IGBT元件20之間的絕緣基板50。IGBT元件20的外周緣設(shè)在比第1電極板30、第2電極板40、以及絕緣基板50的各外周緣靠?jī)?nèi)側(cè)。
IGBT元件20如圖2和圖3所示，是將IGBT裝載在板狀小片的所謂半導(dǎo)體芯片21上。在半導(dǎo)體芯片21的表面21a上，設(shè)有射電極(第1電力端子)22、門電極(控制端子)23、以及射感電極(控制端子)24。在門電極23和射感電極24周圍，通過印刷形成有用來防止因焊錫流而造成的短路的阻焊膜25。此外，在半導(dǎo)體芯片21的背面21b上，設(shè)有集電極(第2電力端子)26。另外，阻焊膜25的開口形狀根據(jù)使用釬焊接合的焊錫量及釬焊的種類(釬焊球的形狀或焊錫薄片的形狀)來決定的。在將釬焊球用于釬焊接合時(shí)，開口形狀設(shè)定為例如圓形。
第1電極板30如圖2和圖4所示，具有由例如銅材等導(dǎo)電性材料形成為板狀的基板主體31。銅材是因?yàn)閺膬r(jià)格、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性的方面較好而被使用的，但并不限于此(另外，關(guān)于其他導(dǎo)電性材料在后面敘述)。在基板主體31的IGBT元件20側(cè)的對(duì)置面31a上，形成有向IGBT元件20側(cè)突起、用來與IGBT元件20的射電極22接觸并電連接的突起部(第1電力電極)32(參照?qǐng)D4)。
第2電極板40如圖2所示，具有由例如銅材等導(dǎo)電性材料形成為板狀的基板主體41。該基板主體41的IGBT元件20側(cè)的對(duì)置面(第2電力電極)41a與IGBT元件20的集電極26接觸，第2電極板40與集電極26電連接。另外，基板主體41的材料既可以為與基板主體31相同的材料，也可以是不同的材料。
絕緣基板50如圖2、圖3及圖4所示，具有由玻璃環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂等形成為板狀的基板主體51。在基板主體51上，設(shè)有第1電極板30的突起部32穿過、形成為與突起部32相同的平面形狀且大一些的相似形狀的開口部(貫通開口)52。第1電極板30的突起部32嵌合在開口部52中。此外，在基板主體51上形成有從IGBT元件20、第1電極板30、以及第2電極板40的各外周緣向外側(cè)突出的引出部(突出部)51a(參照?qǐng)D3和圖4)。進(jìn)而，在基板主體51的第2電極板40側(cè)(IGBT元件20側(cè))的表面上設(shè)有連接焊盤51b(參照?qǐng)D4)。此外，在基板主體51的第1電極板30側(cè)的表面上，設(shè)有用來固定第1電極板30的固定焊盤51c(參照?qǐng)D2和圖3)。該固定焊盤51c被定位在比IGBT元件20的外周緣靠外側(cè)的位置。
在基板主體51上，如圖3和圖4所示，連接焊盤(控制電極)53、54分別與IGBT元件20的門電極23和射感電極24對(duì)置設(shè)置。進(jìn)而，在基板主體51上，設(shè)有分別與各連接焊盤53、54連接的布線55、56，分別與這些布線55、56連接的外部連接端子57、58定位設(shè)置在引出部51a上。
另外，除了連接焊盤53、54以及外部連接端子57、58的連接部以外，都被用來防止焊錫流的阻焊膜(未圖示)覆蓋。保護(hù)膜的材質(zhì)及種類沒有特別的限制。阻焊膜的開口形狀根據(jù)在釬焊接合中使用的焊錫量及釬焊的種類(釬焊球的形狀或薄片的形狀)而決定。在將釬焊球用于釬焊接合時(shí)，開口形狀設(shè)定為例如圓形。
接著，對(duì)這些IGBT元件20、第1電極板30、第2電極板40、以及絕緣基板50相互間的電連接結(jié)構(gòu)及接合結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
如圖3和圖4所示，IGBT元件20的射電極22和第1電極板30的突起部32通過釬焊接合而接合，如圖6所示，在IGBT元件20與突起部32之間形成有焊錫層70。由此，射電極22與第1電極板30的突起部32被電連接。
此外，如圖3所示，IGBT元件20的門電極23與絕緣基板50上的連接焊盤54通過由釬焊球60進(jìn)行的釬焊接合而接合，在IGBT元件20與絕緣基板50之間形成有焊錫層。由此，門電極23與連接焊盤54被電連接。同樣，如圖3所示，IGBT元件20的射感電極24與絕緣基板50上的連接焊盤53通過由釬焊球60進(jìn)行的釬焊接合而接合，如圖6所示，在IGBT元件20與絕緣基板50之間形成有焊錫層71。由此，射感電極24與連接焊盤53被電連接。
進(jìn)而，如圖2所示，IGBT元件20的集電極26與第2電極板40的對(duì)置面41a通過釬焊接合而接合，如圖6所示，在IGBT元件20與第2電極板40之間形成有焊錫層72。由此，集電極26與第2電極板40被電連接。
如圖5所示，第2電極板40與絕緣基板50的連接焊盤51b通過由焊錫包覆球(襯墊)61的釬焊接合而接合。焊錫包覆球61具有作為使第2電極板40和絕緣基板50之間保持一定空間的功能。焊錫包覆球61配置在連接焊盤51b上，通過將其表面熔融來進(jìn)行第2電極板40與絕緣基板50的釬焊接合。另外，焊錫包覆球61是通過如下形成的在金屬制的芯材的表面、或塑料等非金屬材料的芯材表面上包覆金屬材料，在這樣制成的部件的表面上涂敷焊錫。
如圖2所示，第1電極板30與絕緣基板50的固定焊盤51c通過釬焊接合而接合，第1電極板30固定在絕緣基板50上。另外，第1電極板30與第2電極板40通過絕緣基板50電氣絕緣。此外，固定焊盤51c由與釬焊之間的可潤(rùn)性較好的材料形成，為了不增加絕緣基板50的制造過程，由與連接焊盤51b相同的材料在同一制造工序中制造。
這樣，根據(jù)第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10，通過將IGBT元件20的門電極23及射感電極24、與絕緣基板50的各連接焊盤53、54設(shè)置在對(duì)置位置上，能夠通過釬焊接合將它們連接，而不需要通過引線接合來接合。由此，不需要確保用來進(jìn)行引線接合的接合空間，還不需要確保用來防止因接合線造成的短路的間隔距離，所以能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體封裝10的小型化。因而，能夠不使用引線接合而進(jìn)行對(duì)IGBT元件20的連接，由此能夠使半導(dǎo)體封裝10小型化。此外，由于不需要用來進(jìn)行引線接合的接線機(jī)設(shè)備，所以能夠削減制造設(shè)備投資及生產(chǎn)設(shè)備的空間。
進(jìn)而，絕緣基板50具有從IGBT元件20、第1電極板30以及第2電極板40的各外周緣向外側(cè)突出的引出部51a，在該引出部51a上具備與連接焊盤53、54連接的外部連接端子57、58，所以不用引線接合，而能夠?qū)⒖刂撇季€引出到封裝外。
此外，第1電極板30具備作為第1電力電極而向IGBT元件20側(cè)突起的突起部32，絕緣基板50具備突起部32穿過的開口部52，所以能夠容易地進(jìn)行第1電極板30與IGBT元件20的射電極22的連接。
此外，絕緣基板50在與第1電極板30對(duì)置的表面上具有固定焊盤51c，第1電極板30與固定焊盤51c通過釬焊接合而接合，所以能夠以高強(qiáng)度將絕緣基板50與第1電極板30固定。
此外，第2電極板40以及絕緣基板50的各外周緣設(shè)定在比IGBT元件20的外周緣靠外側(cè)，具有例如焊錫包覆球61，其被定位設(shè)置在第2電極板40與絕緣基板50之間比IGBT元件20的外周緣靠外側(cè)，作為將第2電極板40與絕緣基板50之間的間隔距離保持為一定的襯墊，由此將第2電極板40與絕緣基板50之間保持為一定，所以能夠防止來自外部的沖擊等造成的IGBT元件20的損壞。結(jié)果，能夠提高半導(dǎo)體封裝10的部件可靠性。
進(jìn)而，襯墊至少在表面上具有金屬材料，例如為焊錫包覆球61，通過釬焊接合接合在第2電極板40及絕緣基板50的至少其一上，所以通過進(jìn)行釬焊接合的裝置能夠?qū)⒁r墊接合在第2電極板40及絕緣基板50的至少其一上，因?yàn)橹胁恍枰O(shè)置用于襯墊接合的新的裝置，所以能夠削減制造設(shè)備投資以及生產(chǎn)設(shè)備的空間。
另外，作為襯墊，在制造焊錫包覆球61較困難的情況下，可以使用市售的陶瓷密封或樹脂密封的電無源元件。例如，可以利用電阻、電容、或電感等芯片部件作為襯墊。芯片部件由于其大小被規(guī)格化、容易收集相同高度的部件，所以能夠以較高的平行度進(jìn)行第2電極板40與絕緣基板50的貼合。此外，內(nèi)裝這種電無源元件的芯片部件在兩端部具有釬焊鍍層的電極部。由于能夠使用該電極部進(jìn)行對(duì)基板的焊接，所以容易組裝。此時(shí)，用作襯墊的內(nèi)裝有電無源元件的芯片部件不需要被用作本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電路的一部分。
另外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式。例如，在上述實(shí)施方式中，第1電極板30和第2電極板40的材質(zhì)為銅材，但并不限于此，只要是導(dǎo)電性材料就可以，從成形性、比重、以及熱膨脹率等觀點(diǎn)出發(fā)，也可以是鋁、鉬、銅鉬合金、以及銅鎢合金等。進(jìn)而，第1電極板30和第2電極板40的材質(zhì)也可以為各種材料的包層材料(clad)，為了提高釬焊接合的可潤(rùn)性也可以用其他材料將表面鍍層。
此外，通過壓力壓印加工形成第1電極板30的突起部32，但并不限于此，例如在使用燒結(jié)材料作為第1電極板30的材料、即突起部32的材料時(shí)，也可以通過燒結(jié)來形成。
此外，在釬焊接合中使用的焊錫材料也可以是通常的Sn-Pb共晶焊錫、無鉛焊錫、富Pb高溫焊錫等各種焊錫材料。此外，作為供給到集電極26與第2電極板40之間、以及射電極22與第1電極板30之間的釬焊，可以使用切斷成預(yù)定尺寸的焊錫薄片、通過印刷法印刷的焊錫糊、通過鍍層或蒸鍍成膜的焊錫等。進(jìn)而，作為供給到門電極23及射感電極24與各連接焊盤53、54之間的焊錫，雖然可以使用焊錫球、通過印刷法印刷的焊錫糊、通過配發(fā)而供給的焊錫糊等，但焊錫球的使用是最簡(jiǎn)便的，是優(yōu)選的。
此外，作為絕緣基板50，在通過釬焊接合進(jìn)行與第1電極板30的固定時(shí)使用兩面板，而在只通過粘接或機(jī)械固定進(jìn)行與第1電極板30的固定時(shí)可以使用單面板。進(jìn)而，作為絕緣基板50，可以使用柔性基板或撓性基板等，特別在要求耐熱性時(shí)，可以使用BT樹脂·酰亞胺(BTレジン.イミド)基板等。
此外，在絕緣基板50上設(shè)有突起部32穿過的開口部52，但并不限于此，例如也可以設(shè)置突起部32穿過的切口部。
(第2實(shí)施方式)參照?qǐng)D7至圖9說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。
本發(fā)明的第2實(shí)施方式基本上與第1實(shí)施方式相同，在第2實(shí)施方式中，對(duì)與第1實(shí)施方式不同的部分進(jìn)行說明。另外，在第2實(shí)施方式中，與由第1實(shí)施方式說明的部分相同的部分用相同的標(biāo)號(hào)表示，省略其說明(其他實(shí)施方式也同樣)。
第2實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)為，如圖7所示，第1電極板30的IGBT元件20側(cè)的對(duì)置面(第1電力電極)31a成為平面，IGBT元件20與第1電極板30的釬焊接合、IGBT元件20與絕緣基板50的釬焊接合、以及IGBT元件20與第2電極板40的釬焊接合為擴(kuò)散接合。
這里，擴(kuò)散接合是將材料彼此加熱到小于等于熔點(diǎn)的溫度并使之加壓密接、通過相互的原子的相互擴(kuò)散而以固相的狀態(tài)接合的接合方法。另外，由于第1電極板30的IGBT元件20側(cè)的對(duì)置面31a為平面，所以第1電極板30沒有上述圖4所示的突起部32的結(jié)構(gòu)。
IGBT元件20上的射電極22與第1電極板30的對(duì)置面31a是通過用釬焊的擴(kuò)散接合而接合的(參照?qǐng)D2)，如圖7所示，在IGBT元件20與第2電極板40之間形成有焊錫層70。由此，將射電極22與第1電極板30電連接。
此外，IGBT元件20上的門電極23與絕緣基板50上的連接焊盤54是通過用釬焊的擴(kuò)散接合而接合的(參照?qǐng)D3)，在IGBT元件20與絕緣基板50之間形成有焊錫層。由此，將門電極23與連接焊盤54電連接。同樣，IGBT元件20上的射感電極24與絕緣基板50上的連接焊盤53是通過用釬焊的擴(kuò)散接合而接合的(參照?qǐng)D3)，如圖7所示，在IGBT元件20與絕緣基板50之間形成有焊錫層71。由此，將射感電極24與連接焊盤53電連接。
進(jìn)而，IGBT元件20的集電極26與第2電極板40的對(duì)置面41a是通過用釬焊的擴(kuò)散接合而接合的(參照?qǐng)D2)，如圖7所示，在IGBT元件20與第2電極板40之間形成有焊錫層72。由此，將集電極26與第2電極板40電連接。
接著，說明半導(dǎo)體封裝10的組裝過程。
首先，如圖8所示，將焊錫薄片72a載置在第2電極板40上，將IGBT元件20載置在該焊錫薄片72a上。另外，焊錫薄片72a由Sn類的焊錫形成，在第2電極板40的對(duì)置面41a上及IGBT元件20的背面21b的集電極26(參照?qǐng)D2)上，為了提高與焊錫的可潤(rùn)性而實(shí)施Ni/Au鍍層。將層疊后的第2電極板40與IGBT元件20設(shè)置在減壓擠壓機(jī)內(nèi)，在預(yù)定的條件(例如擠壓壓力為4MPa、溫度為210℃、減壓小于等于10Torr)進(jìn)行減壓擠壓。該條件根據(jù)所使用的焊錫薄片72a的焊錫組成等而設(shè)定。另外，在第2實(shí)施方式中，設(shè)定為例如擠壓壓力在0.5MPa～10MPa的范圍、溫度在150℃～300℃的范圍、減壓為小于等于50Torr的范圍內(nèi)。通過減壓擠壓，第2電極板40的對(duì)置面41a上及IGBT元件20的集電極26上的Au擴(kuò)散，并且Ni與Sn擴(kuò)散反應(yīng)。由此，第2電極板40的對(duì)置面41a與IGBT元件20的集電極26接合(參照?qǐng)D2)。
接著，如圖9所示，將絕緣基板50載置在第1電極板30上，將焊錫薄片70a嵌入到絕緣基板50的開口部52中，并且將與IGBT元件20的門電極23(參照?qǐng)D3)同尺寸的小片狀的焊錫薄片71a載置在絕緣基板50的連接焊盤53(參照?qǐng)D3)上，將與IGBT元件20的射感電極24(參照?qǐng)D3)同尺寸的小片狀的焊錫薄片71a載置在絕緣基板50的連接焊盤53(參照?qǐng)D3)上。另外，焊錫薄片70a為比絕緣基板50的厚度厚的薄片，焊錫薄片71a為具有焊錫薄片70a與絕緣基板50的厚度之差相同的厚度的薄片。此外，焊錫薄片70a、71a是由Sn類的焊錫形成的，在第1電極板30的對(duì)置面31a上、進(jìn)而在IGBT元件20的表面21a的射電極22、門電極23、以及射感電極24的各電極上，為了提高與焊錫的可潤(rùn)性而實(shí)施Ni/Au鍍層。
然后，經(jīng)由焊錫薄片70a與焊錫薄片71a，將接合后的IGBT元件20與第2電極板40載置在在絕緣基板50上，使IGBT元件20與絕緣基板50對(duì)置。此時(shí)，進(jìn)行定位，以使焊錫薄片70a與IGBT元件20的射電極22對(duì)置，使焊錫薄片71a與IGBT元件20的門電極23及射感電極24對(duì)置(參照?qǐng)D3)。將層疊后的IGBT元件20、第1電極板30、第2電極板40、以及絕緣基板50設(shè)置在減壓擠壓機(jī)內(nèi)，在與上述條件相同的條件下進(jìn)行減壓擠壓。通過減壓擠壓，第1電極板30的對(duì)置面31a上以及IGBT元件20的各電極上的Au擴(kuò)散，并且Ni與Sn擴(kuò)散反應(yīng)。由此，第1電極板30的對(duì)置面31a與IGBT元件20的射電極22接合，絕緣基板50的各連接焊盤53、54分別與IGBT元件20的門電極23及射感電極24接合(參照?qǐng)D3)。這樣，就完成了圖7所示那樣的半導(dǎo)體封裝10。
這樣，根據(jù)第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10，通過使連接各電極間的釬焊接合為擴(kuò)散接合，能夠防止焊錫的熔融，能夠控制焊錫層70、71、72的厚度，所以能夠保持半導(dǎo)體封裝10所具有的第1電極板30與第2電極板40的平行度，還能夠使半導(dǎo)體封裝10的厚度為一定。作為其結(jié)果，在將多個(gè)半導(dǎo)體封裝10組合并模塊化時(shí)，也能夠不產(chǎn)生與各半導(dǎo)體封裝10所具有的第1電極板30與第2電極板40的平行度的不均勻及各半導(dǎo)體封裝10的厚度不均勻等依存的不良狀況，從而來制造半導(dǎo)體模塊。
(第3實(shí)施方式)參照?qǐng)D10說明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。
本發(fā)明的第3實(shí)施方式基本上與第2實(shí)施方式相同，對(duì)在第3實(shí)施方式中與第2實(shí)施方式不同的部分加以說明。
第3實(shí)施方式與第2實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，如圖10所示，在半導(dǎo)體封裝10中，在第1電極板30與第2電極板40之間具有樹脂部80，其圍住IGBT元件20。
通過將樹脂填充到第1電極板30與第2電極板40之間的空間中，將樹脂部80設(shè)在IGBT元件20的周圍。由此，將第1電極板30與第2電極板40固接，通過樹脂部80將IGBT元件20的周圍覆蓋。
這樣，根據(jù)第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10，通過在第1電極板30與第2電極板40之間的空間中設(shè)置樹脂部80，提高了半導(dǎo)體封裝10的機(jī)械強(qiáng)度，所以能夠防止因來自外部的沖擊等造成的IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠提高半導(dǎo)體封裝10的部件可靠性。
(第4實(shí)施方式)參照?qǐng)D11說明本發(fā)明的第4實(shí)施方式。
本發(fā)明的第4實(shí)施方式基本上與第1實(shí)施方式相同，對(duì)在第4實(shí)施方式中與第1實(shí)施方式不同的部分進(jìn)行說明。
第4實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，如圖11所示，在IGBT元件20與第1電極板30之間具備具有應(yīng)力緩和特性及導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層85，第2電極板40具備具有應(yīng)力緩和特性及導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層86。
應(yīng)力緩和層85作為第1電極板30的基板主體31上的突起部32而設(shè)在基板主體31上，作為突起部主體32a、32b的中間層被突起部主體32a、32b夾住。突起部主體32a通過釬焊接合接合到基板主體31上。由此，在突起部主體32a與基板主體31之間形成有焊錫層73。此外，應(yīng)力緩和層86作為中間層設(shè)置在第2電極板40的基板主體41中。
應(yīng)力緩和層85、86由銅等具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電性材料形成。此外，應(yīng)力緩和層85、86通過將線材設(shè)置成網(wǎng)眼狀而形成剖面網(wǎng)眼形狀，但并不限于此。該應(yīng)力緩和層85、86柔和地(柔軟地)緩和應(yīng)力。
這樣，根據(jù)第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10，通過設(shè)置應(yīng)力緩和層85、86，能夠緩和應(yīng)力，所以能夠防止因應(yīng)力造成的IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠提高半導(dǎo)體封裝10的部件可靠性。
此外，在半導(dǎo)體封裝10的制造工序中，如圖8和圖9所示，即使在施加了外力等情況下，也能夠防止因該外力造成IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠抑制制造半導(dǎo)體封裝10時(shí)的制造上的成品率的降低。
進(jìn)而，在將多個(gè)半導(dǎo)體封裝10組合而模塊化時(shí)，也能夠防止在該半導(dǎo)體模塊的制造工序中因施加給半導(dǎo)體封裝10的外力而造成的半導(dǎo)體封裝10的損壞，特別是能夠防止IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠抑制制造半導(dǎo)體模塊時(shí)的制造上的成品率的降低。
此外，由于應(yīng)力緩和層85、86形成為剖面網(wǎng)眼狀，所以能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)柔和地緩和應(yīng)力。
(第5實(shí)施方式)參照?qǐng)D12說明本發(fā)明的第5實(shí)施方式。
本發(fā)明的第5實(shí)施方式基本上與第1實(shí)施方式相同，對(duì)在第5實(shí)施方式中與第1實(shí)施方式不同的部分進(jìn)行說明。
第5實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，如圖12所示，第1電極板30具備具有應(yīng)力緩和特性及導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層85，第2電極板40具備具有應(yīng)力緩和特性及導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層86。
應(yīng)力緩和層85作為中間層設(shè)置在第1電極板30的基板主體31中，起到作為基板主體31上的突起部32的功能。此外，應(yīng)力緩和層86作為中間層設(shè)置在第2電極板40的基板主體41中。
應(yīng)力緩和層85、86由銅等具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電性材料形成。此外，應(yīng)力緩和層85、86通過將線材設(shè)置成網(wǎng)眼狀而形成剖面網(wǎng)眼形狀，但并不限于此。該應(yīng)力緩和層85、86柔和地(柔軟地)緩和應(yīng)力。
這樣，根據(jù)第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10，通過設(shè)置應(yīng)力緩和層85、86，能夠緩和應(yīng)力，所以能夠防止因應(yīng)力造成的IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠提高半導(dǎo)體封裝10的部件可靠性。
此外，在半導(dǎo)體封裝10的制造工序中，如圖8和圖9所示，即使在施加了外力等情況下，也能夠防止因該外力造成IGBT元件20的損壞。結(jié)果，能夠抑制制造半導(dǎo)體封裝10時(shí)的制造上的成品率的降低。
進(jìn)而，在將多個(gè)半導(dǎo)體封裝10組合而模塊化時(shí)，能夠防止在該半導(dǎo)體模塊的制造工序中因施加給半導(dǎo)體封裝10的外力而造成的半導(dǎo)體封裝10的損壞，特別是能夠防止IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠抑制制造半導(dǎo)體模塊時(shí)的制造上的成品率的降低。
(第6實(shí)施方式)參照?qǐng)D13說明本發(fā)明的第6實(shí)施方式。
本發(fā)明的第6實(shí)施方式基本上與第1實(shí)施方式相同，對(duì)在第6實(shí)施方式中與第1實(shí)施方式不同的部分進(jìn)行說明。
第6實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，如圖13所示，在IGBT元件20與第1電極板30之間具備具有應(yīng)力緩和特性及導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層87，在IGBT元件20與第2電極板40之間具備具有應(yīng)力緩和特性及導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層88。
應(yīng)力緩和層87作為第1電極板30的基板主體31上的突起部32而設(shè)在基板主體31上，作為突起部主體32a、32b的中間層被突起部主體32a、32b夾住。突起部主體32a通過釬焊接合接合到基板主體31上。由此，在突起部主體32a與基板主體31之間形成有焊錫層73。
此外，應(yīng)力緩和層88作為中間層設(shè)置在應(yīng)力緩和電極41b中。應(yīng)力緩和電極41b通過釬焊接合接合在IGBT元件20與第2電極板40之間。由此，在IGBT元件20與應(yīng)力緩和電極41b之間形成有焊錫層72，在第2電極板40和應(yīng)力緩和電極41b之間形成有焊錫層74。
應(yīng)力緩和層87、88由銅等具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電性材料形成。此外，應(yīng)力緩和層87、88通過將細(xì)銅線像布那樣編織而形成為細(xì)銅線帶，但并不限于此。該應(yīng)力緩和層87、88柔和地(柔軟地)緩和應(yīng)力，特別是緩和因IGBT元件20、第1電極板30、及第2電極板40的熱膨脹產(chǎn)生的應(yīng)力。
這樣，根據(jù)第6實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10，通過設(shè)置應(yīng)力緩和層87、88，能夠緩和應(yīng)力，所以能夠防止因應(yīng)力造成的IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠提高半導(dǎo)體封裝10的部件可靠性。
此外，在半導(dǎo)體封裝10的制造工序中，如圖8和圖9所示，即使在施加了外力等情況下，也能夠防止因該外力造成IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠抑制制造半導(dǎo)體封裝10時(shí)的制造上的成品率的降低。
進(jìn)而，在將多個(gè)半導(dǎo)體封裝10組合而模塊化時(shí)，能夠防止在該半導(dǎo)體模塊的制造工序中因施加給半導(dǎo)體封裝10的外力而造成的半導(dǎo)體封裝10的損壞，特別是能夠防止IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠抑制制造半導(dǎo)體模塊時(shí)的制造上的成品率的降低。
(第7實(shí)施方式)參照?qǐng)D14和圖15說明本發(fā)明的第7實(shí)施方式。另外，在第7實(shí)施方式中，說明具有上述第1至第6中的任一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10的半導(dǎo)體模塊11的一個(gè)例子。
如圖14和圖15所示，第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊11具有第1至第6中的任一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10；多個(gè)FRD元件(高速用整流元件)12；第1導(dǎo)電部件91和第2導(dǎo)電部件92，具有導(dǎo)電性，設(shè)置為夾持各半導(dǎo)體封裝10及各FRD元件12；散熱板94，該第1導(dǎo)電部件91和第2導(dǎo)電部件92經(jīng)由絕緣薄片或絕緣板等絕緣體93而被設(shè)置。
半導(dǎo)體封裝10與導(dǎo)電部件91、92通過釬焊接合而接合，將半導(dǎo)體封裝10與導(dǎo)電部件91、92電連接。此外，F(xiàn)RD元件12與導(dǎo)電部件91、92通過釬焊接合而接合，將FRD元件12與導(dǎo)電部件91、92電連接。由此，在半導(dǎo)體封裝10與導(dǎo)電部件91、92之間形成有焊錫層75，在FRID元件12與導(dǎo)電部件91、92之間也形成有焊錫層75。這里，釬焊接合為熔融接合。
導(dǎo)電部件91、92具有導(dǎo)電性，起到作為各半導(dǎo)體封裝10及各FRD元件12的共同的電極部件的功能，還具有熱傳導(dǎo)性，起到作為散熱部件的功能。這里，第1導(dǎo)電部件91與半導(dǎo)體封裝10的第1電極板30(參照?qǐng)D1)連接，起到作為射電極區(qū)的作用。此外，第2導(dǎo)電部件92與半導(dǎo)體封裝10的第2電極板40(參照?qǐng)D1)連接，起到作為集電極區(qū)的作用。
這樣，根據(jù)第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊11，能夠得到與由第1至第6任一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10得到的效果相同的效果。
(第8實(shí)施方式)參照?qǐng)D16和圖17說明本發(fā)明的第8實(shí)施方式。
本發(fā)明的第8實(shí)施方式基本上與第7實(shí)施方式相同，在第8實(shí)施方式中，說明與第7實(shí)施方式不同的部分。
第8實(shí)施方式與第7實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，在半導(dǎo)體模塊11中，形成焊錫層75的釬焊接合為擴(kuò)散接合。
這里，說明半導(dǎo)體模塊11的組裝過程。
首先，如圖16所示，經(jīng)由焊錫薄片75a將多個(gè)半導(dǎo)體封裝10及多個(gè)FRD元件12載置在第2導(dǎo)電部件92上，再經(jīng)由焊錫薄片75a將第1導(dǎo)電部件91載置在各半導(dǎo)體封裝10和各FRD元件12上。將該層疊后的第1導(dǎo)電部件91、半導(dǎo)體封裝10、FRD元件12、以及第2導(dǎo)電部件92設(shè)置在減壓擠壓機(jī)內(nèi)，在預(yù)定的條件(例如擠壓壓力為4MPa、溫度為210℃、減壓小于等于10Torr)下進(jìn)行減壓擠壓。該條件根據(jù)所使用的焊錫薄片75a的焊錫組成等而設(shè)定。另外，在第6實(shí)施方式中，例如擠壓壓力在0.5MPa～10MPa的范圍、溫度在150℃～300℃的范圍、加壓為小于等于50Torr的范圍內(nèi)設(shè)定。通過由減壓擠壓進(jìn)行的擴(kuò)散接合，將各半導(dǎo)體封裝10及各FRD元件12接合到導(dǎo)電部件91、92上。
接著，如圖17所示，經(jīng)由絕緣體93，將夾持著半導(dǎo)體封裝10及FRD元件12的各導(dǎo)電部件91、92載置在散熱板94上。將該層疊狀態(tài)的散熱板94設(shè)置在加熱擠壓機(jī)內(nèi)，在預(yù)定的條件下進(jìn)行加熱擠壓。通過由加熱擠壓對(duì)絕緣體93的熔融，將各導(dǎo)電部件91、92與散熱板94接合。由此，完成了圖14及圖15所示那樣的半導(dǎo)體模塊11。
這樣，根據(jù)第8實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊11，能夠得到與由第1至第6任一種實(shí)施方式的半導(dǎo)體封裝10得到的效果相同的效果。進(jìn)而，通過由釬焊的擴(kuò)散接合將半導(dǎo)體封裝10與導(dǎo)電部件91、92接合，從而能夠防止焊錫的熔融，能夠防止在通過熔融釬焊接合將半導(dǎo)體封裝10與導(dǎo)電部件91、92接合時(shí)因焊錫的凝固收縮而導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝10的損壞，特別是能夠防止IGBT元件20的損壞。其結(jié)果，能夠抑制在制造半導(dǎo)體模塊11時(shí)的制造上的成品率的降低。
(第9實(shí)施方式)參照?qǐng)D18說明本發(fā)明的第9實(shí)施方式。
本發(fā)明的第9實(shí)施方式基本上與第7或第8實(shí)施方式相同，在第9實(shí)施方式中，說明與第7或第8實(shí)施方式不同的部分。
第9實(shí)施方式與第7或第8實(shí)施方式的不同點(diǎn)是，如圖18所示，在半導(dǎo)體模塊11中，在第1導(dǎo)電部件91和第2導(dǎo)電部件92之間具有包圍半導(dǎo)體模塊11而設(shè)置的樹脂部81。
樹脂部81通過將樹脂填充到第1導(dǎo)電部件91和第2導(dǎo)電部件92之間的空間中，設(shè)置在各半導(dǎo)體封裝10及各FRD元件12(參照?qǐng)D15)的周圍。由此，將第1導(dǎo)電部件91與第2導(dǎo)電部件92固接，各半導(dǎo)體封裝10及各FRD元件12的周圍被樹脂部81覆蓋。另外，樹脂在進(jìn)行半導(dǎo)體封裝10與各導(dǎo)電部件91、92的接合(參照?qǐng)D16)之后、進(jìn)行加熱擠壓(參照?qǐng)D17)之前，被填充到第1導(dǎo)電部件91與第2導(dǎo)電部件92之間的空間中。
這樣，根據(jù)第9實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊11，通過在第1導(dǎo)電部件91與第2導(dǎo)電部件92之間的空間中設(shè)置樹脂部81，提高了半導(dǎo)體模塊11的機(jī)械強(qiáng)度，所以能夠防止因來自外部的沖擊等造成半導(dǎo)體封裝10的損壞，特別是能夠防止IGBT元件20的損壞。作為其結(jié)果，能夠提高半導(dǎo)體模塊11的部件可靠性。
特別是，在將接合后的半導(dǎo)體封裝10以及各導(dǎo)電部件91、92設(shè)置在散熱板94上并進(jìn)行加熱擠壓之前，將樹脂部81設(shè)置到第1導(dǎo)電部件91與第2導(dǎo)電部件92之間的空間中，所以，能夠防止因加熱擠壓造成半導(dǎo)體封裝10的損壞，特別是能夠防止IGBT元件20的損壞。。其結(jié)果，能夠抑制在制造半導(dǎo)體模塊11時(shí)的制造上的成品率的降低。
最后，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，不言而喻，可以在不脫離其主旨的范圍內(nèi)做各種改變。此外，通過對(duì)上述實(shí)施方式中所示的多個(gè)結(jié)構(gòu)要素進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕M合，可以形成各種發(fā)明。例如，也可以從上述實(shí)施方式所示的所有結(jié)構(gòu)要素中除去某幾個(gè)結(jié)構(gòu)要素。進(jìn)而，也可以將不同實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)要素適當(dāng)?shù)亟M合。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，具有板狀的半導(dǎo)體元件，在主面上具有第1電力端子和控制端子，在與上述主面對(duì)置的背面上具有第2電力端子；第1電極板，與上述半導(dǎo)體元件的上述主面對(duì)置設(shè)置，具有通過釬焊接合與上述第1電力端子連接的第1電力電極；第2電極板，與上述半導(dǎo)體元件的上述背面對(duì)置設(shè)置，具有通過釬焊接合與上述第2電力端子連接的第2電力電極；以及絕緣基板，設(shè)在上述半導(dǎo)體元件與上述第1電極板之間，具有通過釬焊接合與上述控制端子連接的控制電極。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述絕緣基板具有從上述半導(dǎo)體元件、上述第1電極板和第2電極板的各外周緣向外側(cè)突出的突出部，在該突出部上具備與上述控制端子連接的外部連接端子。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述第1電力電極是向上述半導(dǎo)體元件側(cè)突起的突起部；上述絕緣基板具備上述突起部穿過的開口部或切口部。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述絕緣基板在與上述第1電極板對(duì)置的表面上具有固定焊盤，上述第1電極板與上述固定焊盤通過釬焊接合而接合。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述第2電極板及上述絕緣基板的各外周緣設(shè)在比上述半導(dǎo)體元件的外周緣靠外側(cè)；在上述第2電極板及上述絕緣基板之間具有襯墊，該襯墊定位設(shè)置在比上述半導(dǎo)體元件的各外周緣靠外側(cè)，并將上述第2電極板及上述絕緣基板之間的間隔距離保持為一定。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述襯墊在表面上具有金屬材料，通過釬焊接合與上述第2電極板及上述絕緣基板中的至少一個(gè)接合。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述襯墊為內(nèi)裝有電氣電無源元件的芯片部件。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述釬焊接合為擴(kuò)散接合。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，在上述第1電極板與上述第2電極板之間還具有包圍上述半導(dǎo)體元件而設(shè)置的樹脂部。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，還具備具有應(yīng)力緩和特性和導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述第1電極板具備具有應(yīng)力緩和特性和導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述第2電極板具備具有應(yīng)力緩和特性和導(dǎo)電性的應(yīng)力緩和層。
13.如權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，上述應(yīng)力緩和層形成為剖面網(wǎng)眼狀。
14.一種半導(dǎo)體模塊，其特征在于，具有權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝；以及第1導(dǎo)電部件及第2導(dǎo)電部件，具有導(dǎo)電性，分別夾持上述半導(dǎo)體封裝而設(shè)置。
15.如權(quán)利要求14半導(dǎo)體模塊，其特征在于，上述半導(dǎo)體封裝與上述第1導(dǎo)電部件通過釬焊接合而連接；上述半導(dǎo)體封裝與上述第2導(dǎo)電部件通過釬焊接合而連接；上述釬焊接合為擴(kuò)散接合。
16.如權(quán)利要求14半導(dǎo)體模塊，其特征在于，在上述第1導(dǎo)電部件與上述第2導(dǎo)電部件之間還具有包圍上述半導(dǎo)體封裝而設(shè)置的樹脂部。
全文摘要
提供一種通過不使用引線接合而進(jìn)行對(duì)半導(dǎo)體元件的連接從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的半導(dǎo)體封裝及具有該半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體模塊。具有IGBT元件(20)，在表面(21a)上具有射電極(22)、門電極(23)、以及射感電極，在背面(21b)上具有集電極(26)；第1電極板(30)，與IGBT元件(20)的表面(21a)對(duì)置設(shè)置，具有通過釬焊接合與射電極(22)連接的突起部；第2電極板(40)，與IGBT元件(20)的背面(21b)對(duì)置設(shè)置，具有通過釬焊接合與集電極(26)連接的對(duì)置面(41b)；絕緣基板(50)，設(shè)在第1電極板(30)與IGBT元件(20)之間，具有通過釬焊接合與門電極(23)及射感電極連接的連接焊盤。
文檔編號(hào)H01L23/488GK1783471SQ20051012855
公開日2006年6月7日 申請(qǐng)日期2005年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月30日
發(fā)明者吉岡心平, 池谷之宏, 渡邊尚威, 田多伸光, 新留正和 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝