專利名稱：為光束提供輸出耦合器的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的涉及光學(xué)器件，尤其涉及輸出耦合器。
背景技術(shù)：
對快速有效的光學(xué)基礎(chǔ)技術(shù)的需要隨著因特網(wǎng)數(shù)據(jù)通信量的增速超過電話業(yè)務(wù)而日益增加，這就推動了對纖維光學(xué)通信的需要。在密集波分多路復(fù)用(DWDM)系統(tǒng)中經(jīng)由相同光纖的多光學(xué)信道傳輸給出使用由纖維光學(xué)提供的空前容量(信號帶寬)的簡單方法。通常在所述系統(tǒng)中使用的光學(xué)組件包括激光器、WDM發(fā)射器和接收器、以及諸如衍射光柵、薄膜濾波器、光纖布拉格(Bragg)光柵、陣列波導(dǎo)光柵和光學(xué)上行/下行(add/drop)多路復(fù)用器的光學(xué)濾波器。
激光器是經(jīng)由受激發(fā)射發(fā)光而產(chǎn)生頻率范圍從紅外到紫外的相干光束并可被廣泛應(yīng)用的已知器件。在光學(xué)通信或網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中，半導(dǎo)體激光器能夠用于生成可編碼并傳輸數(shù)據(jù)或其他信息的光束。


在各附圖中以示意性而非限制性的方式說明本發(fā)明。
圖1是示出了具有在其中光束通過布拉格光柵透射的輸出的激光器框圖。
圖2A是示出了激光腔內(nèi)光束腔內(nèi)頻譜的圖表。
圖2B是示出了光束透射通過激光器的布拉格光柵的透射頻譜的圖表。
圖2C是示出了透射通過了激光器的布拉格光柵的所得光束的輸出頻譜。
圖3是示出了具有帶兩個激光器光束輸出的瞬逝輸出耦合器的分布式反饋激光器的框圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明教示示出了一個具有與反射器相結(jié)合的瞬逝輸出耦合器實施例的一個激光器實施例的框圖。
圖5A是根據(jù)本發(fā)明教示示出了激光腔內(nèi)一個光束內(nèi)腔頻譜實施例的圖表。
圖5B是根據(jù)本發(fā)明教示示出了包括在激光器內(nèi)的一個與反射器相結(jié)合的瞬逝輸出耦合器實施例所輸出光束的所得輸出頻譜的圖表。
圖6是包括光學(xué)發(fā)射器、光學(xué)接收器以及根據(jù)本發(fā)明實施例的光學(xué)器件的一個系統(tǒng)實施例的框圖。
具體實施例方式
在此公開了從瞬逝耦合器中輸出光束的方法和裝置。在隨后的描述中將闡明許多特定的細節(jié)以提供對本發(fā)明的透徹理解。然而對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見的是無需這些特定細節(jié)也可以實現(xiàn)本發(fā)明。在其他的實例中沒有詳細描述已知的材料或方法以避免淡化本發(fā)明的主題。
參考說明，“一個實施例”或“某個實施例”意指包括在本發(fā)明至少一個實施例中聯(lián)系實施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或性能。于是，出現(xiàn)在說明書各處的短語“在一個實施例中”或“在某個實施例中”無需全部表示同一實施例。此外，還能在一個或多個實施例中以任何合適的方式組合所述的特定特征、結(jié)構(gòu)或性能。
圖1是包括置于反射器105和107之間的增益介質(zhì)103的外腔(ECL)激光器101。激光腔109被分別位于其相對兩端的反射器105和107所限定。操作中，首先使用增益介質(zhì)103在激光腔109內(nèi)將電流轉(zhuǎn)換成光。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該認識到，例如可以通過半導(dǎo)體(增益介質(zhì))內(nèi)的電流注入以創(chuàng)建電子-空穴對，使得光通過電子-空穴輻射再結(jié)合過程得以產(chǎn)生光的方法來產(chǎn)生激光腔109內(nèi)的光。此光如圖1所示作為從增益介質(zhì)103中發(fā)出的在激光腔109內(nèi)的光束111。在圖1所示的實例中，反射器105作為增益介質(zhì)103的寬波段分解或高反射性涂覆面示出而反射器107則作為具有布拉格波長的布拉格光柵示出，其中的布拉格波長是至少一部分被反射光束111的波長。于是，光束111被反射部分的波長就與反射器107的布拉格波長基本相等。光束111在反射器105和107之間連續(xù)地來回反射從而在激光腔109內(nèi)出現(xiàn)激光作用或者光受激發(fā)射的放大。激光器101的輸出則源于透射通過作為激光腔109端鏡的反射器107的光。
圖1中激光器101配置的一大缺點是用輸出反射器107的透射功能修改腔內(nèi)頻譜，而這會引發(fā)輸出的邊模抑制比(SMSR)相較于腔內(nèi)有所減少。為舉例說明，圖2A示出了激光腔109內(nèi)光束111的腔內(nèi)頻譜201的一個實施例，圖2B示出了通過反射器107的光束111的透射頻譜203的一個實施例，而圖2C則示出了從激光器101的反射器107中輸出的光束111的輸出頻譜205的一個實施例。如實例所示，圖2A中光束111的激光產(chǎn)生出現(xiàn)在約1550nm處，而圖2B的實例則示出了反射器107的布拉格波長約為1550nm。由以上概括可知，當光束111通過反射器107從激光器101中輸出時，該光束111的腔內(nèi)頻譜201由反射器107的透射函數(shù)修改。于是如圖2C的輸出頻譜205所示，因為光束111對反射器107的單程通過就導(dǎo)致了光束111的SMSR在1550nm處的降低。
圖3是DFB激光器301的另一個實例的圖示，該實例能夠解決上述激光器101的SMSR降低問題。如圖3所示，激光器303包括包括置于反射器305和307之間的增益介質(zhì)303。激光腔309被限定在反射器305和307之間。光束311從激光腔309內(nèi)的增益介質(zhì)303中發(fā)出并且該光束311的一部分的波長與被反射的反射器35和307的布拉格波長基本相等。光束311在反射器305和307之間持續(xù)地來回反射，從而在激光腔309內(nèi)出現(xiàn)激光產(chǎn)生或者光受激發(fā)射的放大。
圖3中示出的實例激光器301包括置于激光腔309內(nèi)的瞬逝耦合器313。在示出的實例中，瞬逝耦合器313是具有響應(yīng)于光束111的平坦波長或頻譜的輸出耦合器。這樣就能解決圖1中SMSR的降低問題。在另一個諸如自由空間激光系統(tǒng)的實例中，可在激光腔內(nèi)部放置成角板并將來自該激光腔內(nèi)所置成角板的光反射提供激光器的輸出。在所述的這些激光器輸出實例中，若諸如瞬逝耦合器313或自由空間激光系統(tǒng)中成角板的光學(xué)耦合器具有平坦的波長響應(yīng)，則輸出的SMSR將類似于腔內(nèi)頻譜。然而，這種方法的問題是內(nèi)腔光束分支總是產(chǎn)生兩個輸出光束，這就使得光束311的強度或功率被分給了多個輸出。
為了舉例說明，圖3的瞬逝耦合器313包括在圖3中示出作為激光腔309的第一光程，以及在圖3中示出作為光波導(dǎo)315的第二光程。在示出的實例中，激光腔309與瞬逝耦合器313中的光波導(dǎo)317瞬逝耦合。通過如圖3實例所示的激光腔309和光波導(dǎo)315之間的瞬逝耦合，光束311的瞬逝耦合從激光腔309被導(dǎo)入光波導(dǎo)315。在圖3的實例中，虛線317示出了位于瞬逝耦合器313中央的對稱面。在示出的實例中，在瞬逝耦合器313的對稱面處，光束311模式的約一半在激光腔309內(nèi)而光束311模式的約一半在光波導(dǎo)315內(nèi)。
如示出的實例所示，在圖3中從左向右傳播的部分光束311傳導(dǎo)至瞬逝耦合器313中的光波導(dǎo)315，并且最終將該部分光束311從光波導(dǎo)315的一端導(dǎo)出。在圖3中從右向左傳播的部分光束311傳導(dǎo)至瞬逝耦合器313中的光波導(dǎo)315，并且最終將該部分光束311從光波導(dǎo)315相對的一端導(dǎo)出。這樣，圖3的瞬逝耦合器313在光波導(dǎo)315相對的兩端就具有兩個輸出。于是光束311的光功率就被分為兩個強度或功率大致只有一半的輸出。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的教示示出了包括一個瞬逝耦合器413實施例的激光器401的一個實施例。在一個實施例中，激光器401是包括置于反射器405和407之間的增益介質(zhì)403的ECL激光器。激光腔409被限定在反射器405和407之間。在一個實施例中，激光腔409被限定在置于半導(dǎo)體材料419內(nèi)的光波導(dǎo)內(nèi)。在一個實施例中，半導(dǎo)體材料419包括硅，并且可被包括在絕緣體為襯底的硅(silicon-on-insulator)(SOI)晶片的硅外延層內(nèi)。在這一實施例中，SOI晶片的掩埋氧化物層起到將光約束在激光腔409內(nèi)的包層的作用。應(yīng)該認識到在其它實施例中可以使用其他合適的材料用于激光腔409，包括但不限于其他的半導(dǎo)體材料、III-V材料、氧化物、由硅石等制成的光纖或者其他合適的透光材料。在激光腔409包括光纖的實施例中，半導(dǎo)體材料419可代替地包括激光光纖409可放置其中的合適材料。
在示出的實施例中，應(yīng)該注意到示出的增益介質(zhì)403與半導(dǎo)體材料419分離。例如，在半導(dǎo)體材料419包括硅的實施例中，增益介質(zhì)403可以利用例如包括III-V材料(諸如GaAs、InP、InPGaAs或其他合適材料)的獨立增益介質(zhì)二極管。在一個實施例中，增益介質(zhì)403發(fā)出光的波長與增益介質(zhì)403內(nèi)使用的材料相關(guān)。例如在一個使用GaAs的實施例中，增益介質(zhì)發(fā)出的光具有范圍約800nm的波長。在另一個使用InP的實施例中，增益介質(zhì)發(fā)出的光具有范圍約1500nm的波長。在又一個實施例中，可配置基于InPGaAs的增益介質(zhì)發(fā)出波長范圍在約800nm至約1500nm之間的光。當然提出這些波長僅處于示意性的目的，也可以根據(jù)本發(fā)明的教示利用其他的波長。
在增益介質(zhì)403包括二極管的一個典型實施例中，增益介質(zhì)403的二極管中可以如圖4的實例所示包括分解表面以形成用作反射器403的面。在這一實施例中，增益介質(zhì)403的二極管與半導(dǎo)體材料419對接耦合(butt-coupled)，從而光學(xué)耦合增益介質(zhì)403發(fā)出的光是使其可被包括在激光腔409內(nèi)的光程接收。
在另一個實施例中，增益介質(zhì)403可以包括在半導(dǎo)體材料419內(nèi)或直接與其集成。在這一實施例中，根據(jù)本發(fā)明的教示可以提供帶有放置在激光腔409內(nèi)反射器405和407之間的增益介質(zhì)403的完全集成單片電路方案。
在操作中，光如圖4中的光束411所示從增益介質(zhì)403射入激光腔409。在圖4所示的實施例中，示出的反射器407是放置在激光腔409一端的布拉格光柵。在另一個實施例中，可以認為反射器407是另一種合適類型的反射器，包括但不限于形成反射面的分解表面。在一個實施例中，反射器407具有至少是光束411被反射部分波長的布拉格波長。這樣就使得光束411的被反射部分的中央波長與反射器407的布拉格波長基本相等。光束411在反射器405和407之間持續(xù)地來回反射，從而在激光腔409內(nèi)出現(xiàn)在中心波長處的激光或者光受激發(fā)射的放大。
在一個實施例中，反射器407是包括沿著激光腔409的光程放置在半導(dǎo)體材料419內(nèi)的交替區(qū)，從而能沿著激光腔409的光程提供有效折射率的周期性或準周期性攝動。例如在一個實施例中，反射器407可以包括具有不同折射率的交替區(qū)域。
列出的非詳盡實例包括硅、多晶硅、硅-鍺、氮氧化硅、氧化物或其他具有可變密度的合適材料的組合，使用這些都可導(dǎo)致沿著限定布拉格光柵的激光腔409的有效折射率的周期性或準周期性攝動。在又一個實施例中，反射器407的布拉格光柵可與光纖直接結(jié)合以限定激光腔409的一端。
如上述實施例所示，激光腔401根據(jù)本發(fā)明的教示還包括激光器401的光束411可從中輸出的瞬逝輸出耦合器413。在一個實施例中，瞬逝輸出耦合器413根據(jù)本發(fā)明的教示包括與兩個瞬逝耦合光程集成的反射器407。在圖4所示的實施例中，瞬逝輸出耦合器413的兩個瞬逝耦合光程包括激光腔409的光程和另一個示出作為放置在半導(dǎo)體材料419內(nèi)的光波導(dǎo)415的光程。在一個實施例中，光波導(dǎo)415是瞬逝耦合器413的輸出。在另一個實施例中，光波導(dǎo)415可以是與激光腔409瞬逝耦合的光纖并與瞬逝輸出耦合器413的反射器407集成。
正如描述的實施例所示，反射器407被限定在瞬逝輸出耦合器413內(nèi)的對稱面417處的瞬逝輸出耦合器413內(nèi)。在一個實施例中，放置在反射器407布拉格光柵的半導(dǎo)體材料419中的材料交替區(qū)延伸通過了激光腔409以及瞬逝耦合器413的瞬逝耦合中的光波導(dǎo)415，從而使得布拉格光柵與瞬逝耦合器413的兩個光程都集成。當光束411在圖4中沿著激光腔409從左向右傳播，光束411的模式就被開始從激光腔409傳導(dǎo)通過瞬逝輸出耦合器413的瞬逝耦合直至光波導(dǎo)415。在光束411達到瞬逝輸出耦合器413對稱面417的時刻，約有一半的光束111的模式從激光腔409傳導(dǎo)至光波導(dǎo)415。然而通過在瞬逝輸出耦合器413對稱面417處定義的反射器407，因為光束411由反射器407反射，從而根據(jù)本發(fā)明的教示能夠瞬逝耦合剩下一半的光束模式，或?qū)⑵鋸募す馇?09導(dǎo)入光波導(dǎo)415。
通過使用上述與激光腔409的光程和光波導(dǎo)415的光程集成的反射器407，就能根據(jù)本發(fā)明的教示在相同的時間空間反射光束411同時從激光腔409瞬逝耦合至瞬逝耦合器413的光波導(dǎo)415。通過使用在瞬逝輸出耦合器413中央的對稱面417處限定的反射器407，瞬逝輸出耦合器413就能根據(jù)本發(fā)明的教示被有效地折成兩半。通過前述實施例中折成兩半的瞬逝輸出耦合器413，光束411的反射就能能根據(jù)本發(fā)明的教示結(jié)合從激光腔409至光波導(dǎo)415的光束411的瞬逝耦合而形成。此外根據(jù)本發(fā)明的教示，來自激光腔409并通過光波導(dǎo)415的光束411輸出只有一個。
因此，來自瞬逝耦合器413的光束411的輸出未被分為多個輸出，并且沒有透射通過具有反射或阻礙部分輸出光束的透射功能的布拉格光柵。于是根據(jù)本發(fā)明的教示，從瞬逝輸出耦合器413中輸出的光束411的輸出頻譜503就比前述激光器的輸出頻譜具有更高的強度和功率。
為了舉例說明，圖5A示出了激光腔409內(nèi)光束411的腔內(nèi)頻譜501的一個實例而圖5B則根據(jù)本發(fā)明的教示示出了來自瞬逝耦合器413的光波導(dǎo)415的光束411的輸出頻譜503。如圖5A描述的腔內(nèi)頻譜501所示，光束111的激光產(chǎn)生出現(xiàn)在約1550nm處。而如5B所示，來自光波導(dǎo)415的光束411輸出頻譜503具有強于上述輸出頻譜205或者被分成多個輸出的光束311的輸出頻譜的功率強度。應(yīng)該認識到提供這些波長僅出于解釋的目的，并且光束411可以根據(jù)本發(fā)明的教示具有不同的波長。
重新參考圖4中描述的實施例，在本發(fā)明的一個實施例中可任選地在半導(dǎo)體材料419中包括光學(xué)器件421。在一個實施例中，可任選地耦合光學(xué)器件421以接收通過光波導(dǎo)415的光束411。在一個實施例中，光學(xué)器件421可以包括單片集成至半導(dǎo)體材料419的光子器件。在一個實施例中，可耦合光學(xué)器件421用以接收信號423。在一個實施例中，光學(xué)器件421可以包括一個或多個光移相器、一個或多個光調(diào)制器、一個或多個光開關(guān)或其他已知合適器件或在可用于操作光束411的在將來出現(xiàn)的技術(shù)。例如在一個實施例中，光學(xué)器件421是用于響應(yīng)信號423調(diào)整光束411的光調(diào)制器。在另一個實施例中，光學(xué)器件421不包括在半導(dǎo)體材料內(nèi)，而是代替地被放置在被光學(xué)耦合以接收光束411的分立芯片內(nèi)。
圖6大致示出了帶有根據(jù)本發(fā)明實施例的光學(xué)器件并包括光學(xué)發(fā)射器和光學(xué)接收器的一個系統(tǒng)實施例框圖。更具體地，圖6示出了包括光學(xué)發(fā)射器的光學(xué)系統(tǒng)601，其中的光學(xué)發(fā)射器示出作為發(fā)出由光學(xué)接收器607接收的光束611的激光器603。在一個實施例中，激光器603類似于激光器401。在一個實施例中，光學(xué)系統(tǒng)601還可包括在激光器503和光學(xué)接收器607之間光學(xué)耦合的光學(xué)器件605。在一個實施例中，光學(xué)器件605可以代替圖4的光學(xué)器件421。在另一個實施例中，光學(xué)器件421可用于代替光學(xué)器件605。在又一個實施例中，可同時包括光學(xué)器件605和光學(xué)器件421。在另一個實施例中，可同時不包括光學(xué)器件605和光學(xué)器件421。
重新參考所示的實施例，激光器603適于發(fā)射將由光學(xué)器件605接收的光束611。在一個實施例中，光學(xué)器件605可響應(yīng)于信號609調(diào)制光束611。在另一個實施例中，光學(xué)器件605能夠響應(yīng)于信號609移相光束611。在這一實施例中，光學(xué)器件605作為響應(yīng)于信號609的光學(xué)延遲。如示出的實施例中所示，光束611隨后被導(dǎo)入光學(xué)接收器607。在根據(jù)本發(fā)明教示的各實施例中，應(yīng)該認識到公開的光學(xué)器件的實施例可以在包括多處理器、電信、網(wǎng)絡(luò)的各種高帶寬應(yīng)用中使用，還能在正如光學(xué)延遲線、開關(guān)、調(diào)制器、上行/下行等高速光學(xué)應(yīng)用中使用。
在以上的詳細說明中，業(yè)已參考了本發(fā)明的特定實施例對本發(fā)明的方法和裝置進行了描述。但顯而易見的是由此可做出各種修改和變化而不背離本發(fā)明的廣泛精神和范圍。由此應(yīng)該認為所呈的說明書和附圖僅是示意性而非限制性的。
權(quán)利要求
1.一種裝置，包括第一和第二光程，光束被引導(dǎo)通過所述第一光程；包括所述第一和第二光程的瞬逝耦合器，所述瞬逝耦合器與所述第一和第二光程瞬逝耦合；以及包括在所述瞬逝耦合器內(nèi)的第一反射器，所述第一反射器與所述第一和第二光程集成，以使在被引導(dǎo)通過所述第一光程的光束在從所述第一光程瞬逝耦合至所述第二光程的同時被所述第一反射器反射。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一反射器被限定在所述瞬逝耦合器中央的對稱面處。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一反射器在所述第一光程的第一端，所述裝置還包括在所述光程第二端的第二反射器；以及包括被限定在第一和第二反射器之間的增益介質(zhì)的激光腔。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述瞬逝耦合器輸出的所述光束的輸出頻譜類似于被引導(dǎo)通過所述激光腔的光束的腔內(nèi)頻譜。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二光程以及所述第一反射器都被放置在一半導(dǎo)體材料內(nèi)。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述增益介質(zhì)被放置在所述半導(dǎo)體材料內(nèi)。
7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述激光腔包括被放置在所述半導(dǎo)體材料中的第一光波導(dǎo)，而所述第二光程被包括在放置于所述半導(dǎo)體材料內(nèi)的第二光波導(dǎo)中。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，還包括單片集成在所述半導(dǎo)體襯底中并被光學(xué)耦合以接收來自所述第二光波導(dǎo)的光束的光子器件。
9.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二光程包括光纖。
10.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料包括硅。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一反射器包括包含在所述瞬逝耦合器內(nèi)并與所述第一和第二光程集成的布拉格光柵。
12.一種方法，包括沿著第一光程引導(dǎo)光束；使用放置在所述第一光程內(nèi)的第一反射器反射所述光束；以及瞬逝耦合所述光束并將所述光束從所述第一光程反射進第二光程，所述第一反射器與包括所述第一和第二光程的瞬逝耦合器相集成。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，反射所述光束包括在所述瞬逝耦合器中央的對稱面處使用所述第一反射器來反射所述光束。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，還包括從包括在所述第一光程內(nèi)的增益介質(zhì)中激勵所述光束的發(fā)射；以及在被限定在第一和第二反射器之間的激光腔內(nèi)的第一和第二反射器之間反射所述光束，以在所述激光腔內(nèi)進一步激勵所述光束的發(fā)射。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一反射器包括具有布拉格波長的布拉格光柵，其中在所述第一和第二反射器之間被反射的光束的中心波長與所述布拉格光柵的布拉格波長基本相等。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，瞬逝耦合所述光束并將所述光束從所述第一光程反射進第二光程包括將從所述激光腔中輸出的光束引導(dǎo)入所述瞬逝耦合器的光學(xué)輸出。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，還包括將由所述第一反射器反射的所述光束從所述瞬逝耦合器的輸出引導(dǎo)入被放置在半導(dǎo)體材料內(nèi)的光學(xué)器件，其中所述瞬逝耦合器包括所述第一和第二光程，并且所述第一反射器也被放置在所述半導(dǎo)體材料中。
18.一種系統(tǒng)，包括激光器，所述激光器具有包括被限定在第一和第二反射器之間的增益介質(zhì)的激光腔以及與所述激光腔光學(xué)耦合的瞬逝輸出耦合器，所述瞬逝輸出耦合器包括所述第一反射器，所述第一反射器與所述激光腔和所述瞬逝輸出耦合器的輸出集成，以使激光腔內(nèi)的光束在被瞬逝耦合至所述瞬逝耦合器的輸出的同時，從所述第一反射器反射；以及被光學(xué)耦合以接收由所述瞬逝耦合器輸出的光束的光學(xué)接收器。
19.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一反射器包括布拉格光柵。
20.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一反射器被限定在所述瞬逝耦合器中央的對稱面處。
21.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其特征在于，包括所述第一反射器的所述瞬逝耦合器被放置在半導(dǎo)體材料內(nèi)。
22.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括在所述瞬逝耦合器的輸出和所述光學(xué)接收器之間被光學(xué)耦合的光學(xué)器件。
23.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)器件被放置在所述半導(dǎo)體材料內(nèi)。
24.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)器件包括適用于響應(yīng)于一信號來調(diào)制所述光束的光調(diào)制器。
25.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述激光器包括外腔激光器(ECL)。
26.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料包括硅。
全文摘要
一種光學(xué)輸出耦合器具有與瞬逝耦合器結(jié)合的反射器。在本發(fā)明的一個方面，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的裝置包括第一和第二光程。光束被引導(dǎo)通過所述第一光程。該裝置還包括瞬逝耦合器，所述瞬逝耦合器與所述第一和第二光程瞬逝耦合。該裝置還包括在所述瞬逝耦合器內(nèi)并與所述第一和第二光程相結(jié)合的反射器。在將所述光束同時從所述第一光程瞬逝耦合至所述第二光程的情況下，被引導(dǎo)通過所述第一光程的所述光束能夠被所述反射器反射。
文檔編號H01S5/12GK1930505SQ200580006973
公開日2007年3月14日 申請日期2005年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者R·瓊斯 申請人:英特爾公司