專利名稱：具有邊模抑制的半導(dǎo)體激光器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域。更具體的，本發(fā)明涉及一種用于抑制半導(dǎo)體激光器中二階模的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
激光器是光學(xué)網(wǎng)絡(luò)的一些主要組件。例如，其經(jīng)常用于光學(xué)收發(fā)器中以產(chǎn)生經(jīng)由光學(xué)網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)墓鈱W(xué)信號。激光器也用于激勵(pump)各種類型的光學(xué)放大器，諸如拉曼(Raman)放大器和摻鉺(erbium-doped)放大器。
邊發(fā)射型激光器，諸如琺布里-珀羅(Fabry-Perot)激光器、分布式反饋激光器(DFB激光器)和分布式布拉格反射激光器(DBR激光器)等，是在光學(xué)環(huán)境下使用的半導(dǎo)體激光器的例子。脊波導(dǎo)(Ridge waveguide)型激光器是具有被蝕刻的脊的邊發(fā)射型激光器的一種形式。
半導(dǎo)體激光器，諸如邊發(fā)射型激光器，的輸出光譜通常與激光腔的長度有關(guān)。由于邊發(fā)射型激光器趨于具有相對較長的腔，所以存在幾種可以在腔內(nèi)發(fā)出激光的波長。結(jié)果，許多邊發(fā)射型激光器經(jīng)常被稱為多縱模(MLM)激光器。
MLM激光器的輸出光譜可以具有10納米左右的光譜寬度，但是光譜寬度可能會因激光器的不同而變化。盡管MLM激光器可能在各種應(yīng)用中都有用，但是隨著光學(xué)網(wǎng)絡(luò)速度的增加，該MLM激光器效用減弱。換句話說，在高速光學(xué)網(wǎng)絡(luò)中使用MLM激光器通常導(dǎo)致色散。另外，當(dāng)使用MLM激光器時，波分復(fù)用(WDM)系統(tǒng)會承受巨大的色度亮度干擾。
減小半導(dǎo)體激光器的光譜寬度的一種方法是在諸如分布式反饋激光器(DFB激光器)或DBR激光器中使用分布式反射器。DFB激光器或DBR激光器通常都具有小于簡易琺布里-珀羅激光器的光譜寬度。在一些激光器中，也可以通過蝕刻掉部分半導(dǎo)體激光器而形成臺面(mesa)或者脊。該脊也有助于使半導(dǎo)體激光器發(fā)出單一模式。
事實(shí)上，可以通過臺面或者脊的寬度影響由激光器發(fā)出的模式。如果脊太寬，則激光器可以支持二階橫模，使得對于各縱模存在兩種模式。不幸的是，可以導(dǎo)致更窄光譜寬度的窄寬度具有缺點(diǎn)，諸如較高閾值電流和較高電壓的降低的光學(xué)局限。通過激光器的材料增益也能夠制造單一模式激光器。在較低的溫度下，半導(dǎo)體激光器的材料增益趨于藍(lán)移(移向較短的波長)。由于激光器的二階橫模位于半導(dǎo)體激光器的基模的藍(lán)色邊，該二階模可能影響半導(dǎo)體激光器的性能。

發(fā)明內(nèi)容
通過本發(fā)明的實(shí)施方式可以克服這些和其他缺點(diǎn)，本發(fā)明涉及一種用于從半導(dǎo)體激光器中減小或移除光學(xué)模的系統(tǒng)和方法。包括分布式反饋(DFB)激光器和DBR激光器的半導(dǎo)體激光器可以展現(xiàn)出較小(poor)的邊模抑制比，并且通過除去或減小二階模，本發(fā)明的實(shí)施方式改變了邊模抑制比。由于在較低溫度下材料的增益趨于移向較短的波長(藍(lán)移)，半導(dǎo)體激光器的較小的邊模抑制比在較低溫度下變得更加突出。二階模位于基模的短波長邊上。結(jié)果，向較短波長的移動可以導(dǎo)致較小的邊模抑制比。
在一實(shí)施方式中，在半導(dǎo)體激光器中包括波導(dǎo)層，諸如平面板層波導(dǎo)層。該波導(dǎo)層可以位于激光器結(jié)構(gòu)的有源區(qū)域之下，使得其可以橫向自由(unbounded)。通常波導(dǎo)層為與激光器的結(jié)構(gòu)匹配的晶格，并且也配置該波導(dǎo)層使其支持的模相速對應(yīng)于有源區(qū)域的二階模的相速。同時，與波導(dǎo)層相關(guān)的相速進(jìn)一步遠(yuǎn)離基模的相速。結(jié)果，在波導(dǎo)層與二階模之間的光學(xué)耦合強(qiáng)度比波導(dǎo)層與基?；蛑髂Ｖg的光學(xué)耦合強(qiáng)度強(qiáng)。
因?yàn)椴▽?dǎo)層與次模之間的耦合很強(qiáng)，所以減小了次模對激光器有源區(qū)域的局限，并且將次模從激光器的波導(dǎo)層中有效去除。同時，因?yàn)榛５牟▽?dǎo)層和有源區(qū)域之間的耦合比較弱，所以并沒有有效減小基模式的光學(xué)局限。結(jié)果，改善了邊模抑制比。
在如下的說明書中將對本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行闡述，并且部分可以通過說明書顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而獲得。通過在所附權(quán)利要求書中所具體指出的方式和組合可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)。通過如下的描述和所附的權(quán)利要求書將使本發(fā)明的所述和其他特征更加顯而易見，或者通過實(shí)施以下描述的本發(fā)明了解本發(fā)明的這些和其他特征。


為了更清晰地闡明本發(fā)明的上述及其他優(yōu)點(diǎn)和特征，將通過參照附圖中所示的具體實(shí)施方式
對本發(fā)明進(jìn)行具體描述。應(yīng)該理解，這些附圖僅描述了本發(fā)明的典型實(shí)施方式，因此并非用于限定本發(fā)明的范圍，通過采用附圖對本發(fā)明的附加特征和細(xì)節(jié)進(jìn)行描述和說明，其中圖1示出了半導(dǎo)體激光器中基模和次模的實(shí)施例；圖2A示出了具有與次模光學(xué)藕合的波導(dǎo)層的半導(dǎo)體激光器的實(shí)施例；圖2B示出了包括波導(dǎo)層以減小邊模抑制比的半導(dǎo)體激光器的有源區(qū)域的一個實(shí)施方式；圖3示出了用于減小邊模抑制比的波導(dǎo)層的另一實(shí)施方式；圖4示出了用于減小邊模抑制比的波導(dǎo)層的再一實(shí)施方式；圖5A示出了基模和次模的波導(dǎo)層的模態(tài)指數(shù)相對于有源區(qū)域的模態(tài)指數(shù)與波長的函數(shù)曲線圖；圖5B示出了在半導(dǎo)體激光器的有源區(qū)域中基光學(xué)模和次光學(xué)模的局限曲線圖。
具體實(shí)施例方式
包括邊發(fā)射型激光器的半導(dǎo)體激光器通常發(fā)出多于一個縱模。為了減少例如與色散及色度亮度干擾相關(guān)的問題，需要生產(chǎn)具有窄波長光譜的激光器。換句話說，通常需要生產(chǎn)發(fā)出單一模式的激光器。然而，如上所述，邊發(fā)射型激光器通常具有可以支持多縱模的相對較長的腔。
在抑制或過濾其它模式的同時，使用邊模抑制比(SMSR)可以量化產(chǎn)生特定模式的半導(dǎo)體激光器的能力。例如，SMSR可以確定相對于激光器的主?；蚧⒍A模(或其它模)抑制的程度。
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及用于改善包括邊發(fā)射型激光器和/或脊波導(dǎo)型激光器的半導(dǎo)體激光器的SMSR的系統(tǒng)和方法。在一個實(shí)施方式中，當(dāng)材料增益藍(lán)移使得基模相對于次?；蚨A模具有減小的增益時，本發(fā)明在低溫下改善了半導(dǎo)體的SMSR。邊發(fā)射型激光器和/或脊波導(dǎo)型激光器的實(shí)施例還可以包括，但是并不局限于，琺布里-珀羅激光器、DFB激光器、DBR激光器、外部腔激光器等等。
圖1示出了半導(dǎo)體激光器的基模和次模的曲線圖。曲線100示出了基模102?；?02對應(yīng)于縱模并在該實(shí)施例中以1310納米左右的波長發(fā)出。該實(shí)施例示出了朝向較短的波長邊或基模102的藍(lán)邊的次模104的出現(xiàn)(onset)。如前所述，在諸如WDM系統(tǒng)的系統(tǒng)中，次模可能導(dǎo)致色度亮度干擾以及色散。
在低溫下，半導(dǎo)體激光器的材料增益藍(lán)移或移到較短的波長。結(jié)果，次模104中的功率在低溫下增加。次模104的出現(xiàn)會減小如前所述的半導(dǎo)體激光器的SMSR。
圖2A示出了用于減小二階模的本發(fā)明的一個實(shí)施方式。激光器200包括襯底212，其中在該襯底212上方排列有各種層。在該實(shí)施例中，n型半導(dǎo)體層210排列在襯底212上方，并且有源區(qū)域204排列在半導(dǎo)體層210之上。在有源區(qū)域204之上排列或形成有P型半導(dǎo)體層208。
例如，激光器200可以是DFB或DBR激光器，并且激光器200也可以包括光柵206。在蝕刻或者限定光柵206之后，可以再生InP或其它適當(dāng)?shù)牟牧?，然后使用?biāo)準(zhǔn)的脊波導(dǎo)工藝制造激光器。在脊波導(dǎo)工藝期間，光柵206用作蝕刻停止層。
有源區(qū)域204有效地位于p-n結(jié)處。在一實(shí)施方式中，有源區(qū)域204包括多量子阱結(jié)構(gòu)。在該實(shí)施例中量子阱的材料系統(tǒng)為InGaAlAs。盡管本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，可以使用更多或更少的量子阱實(shí)施本發(fā)明并且其它材料也可以用于量子阱，但是有源區(qū)域204可以包括插入有7個阻擋層中的6個量子阱。
在各阻擋層具有8.5nm數(shù)量級的厚度時，各量子阱可以具有5nm數(shù)量級的厚度。在一些實(shí)施方式中，可以張力應(yīng)變或壓力應(yīng)變該阻擋層和/或量子阱。在一實(shí)施方式中，壓力應(yīng)變量子阱而張力應(yīng)變阻擋層。在該實(shí)施例中，有源區(qū)域204的光致發(fā)光在1300nm數(shù)量級。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，有源區(qū)域的光致發(fā)光可以大一些或小一些。
圖2B示出了有源區(qū)域204的一個實(shí)施方式。更具體地，在圖2B中，有源區(qū)域204還可以包括分級指數(shù)單獨(dú)限制異質(zhì)結(jié)構(gòu)(GRINSCH)層222、226。GRINSCH層222、26將多量子阱結(jié)構(gòu)224夾入其中間，并且各GRINSCH層222、226的厚度都在120nm的數(shù)量級。對于各GRINSCH層222、226，能帶隙從960納米到850納米有多量子阱結(jié)構(gòu)116離開向兩側(cè)下降。各GRINSCH層222、226都具有50到100納米厚的InAlAs層220、228。
因此，可以在層210上形成InAlAs層228。在該實(shí)施例中，在另一InAlAs層222上形成有P型半導(dǎo)體層208。通常，P型半導(dǎo)體層208由InP形成。光柵層206在層208上形成或生成，并且接著形成帽層，在蓋帽層中執(zhí)行脊波導(dǎo)工藝以在激光器100中形成脊。光柵層206作為蝕刻停止層。在一實(shí)施方式中，在形成脊之后，可以沉積或形成金屬接觸層。
如圖2所示，激光器200還包括波導(dǎo)層202。通常，波導(dǎo)層形成在有源區(qū)域204之下。在InP基的激光器中，波導(dǎo)可以是與InP匹配的InGaAsP晶格?？梢园凑杖缦滤龈淖儾▽?dǎo)層202的具體成分或其它參數(shù)以改善SMSR。
圖3和圖4示出了本發(fā)明的另一實(shí)施方式。在圖3中，激光器300的波導(dǎo)層302包括多層。在一實(shí)施方式中，波導(dǎo)層302中的多層為分布式布拉格層。圖4示出了激光器陣列400。在圖4中，在橫向臨近脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)403處形成脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)401。結(jié)構(gòu)402包括可以與結(jié)構(gòu)403的有源區(qū)域404光學(xué)耦合的波導(dǎo)層402。為了產(chǎn)生光學(xué)耦合，波導(dǎo)層402充分靠近有源區(qū)域403。
回到圖2，波導(dǎo)層218具有厚度218(t)。當(dāng)t＝0或當(dāng)波導(dǎo)層202不存在時，并且對于臺面214的典型寬度值，激光器200會支持可能導(dǎo)致如前所述的SMSR失效的二階模。隨著厚度218增加，波導(dǎo)層中的光速(或相速)接近二階模的相速。結(jié)果，二階模與波導(dǎo)層202耦合。在該實(shí)施例中，波導(dǎo)層可以具有約115納米的厚度并具有大約1200納米的光致發(fā)光峰值。
在該實(shí)施例中，波導(dǎo)層202為平面波導(dǎo)，而二階模在波導(dǎo)層202中有效耦合。換句話說，當(dāng)厚度218等于零時，二階模的光局限減小。由于波導(dǎo)層的相速進(jìn)一步遠(yuǎn)離基模的相速，所以不影響基模的光學(xué)局限。
在圖5A中進(jìn)一步示出了波導(dǎo)層對有源區(qū)域的光學(xué)模局限的影響。圖5A繪出了波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的模的模態(tài)指數(shù)(相速)以及有源區(qū)域的模的模態(tài)指數(shù)與波長的函數(shù)曲線圖。波導(dǎo)層和有源區(qū)域模之間的耦合強(qiáng)度可以依賴于波長或者獨(dú)立于波長。通常配置波導(dǎo)層，使得在圖5A中所示的模態(tài)指數(shù)曲線與有源區(qū)域的曲線近似平行。當(dāng)波導(dǎo)層的曲線與有源區(qū)域的曲線近似平行時，光耦合獨(dú)立于波長。
曲線504和502分別對應(yīng)于激光器有源區(qū)域的基模和次模。曲線512對應(yīng)于波導(dǎo)層的模。由于次模的模態(tài)指數(shù)曲線502與波導(dǎo)層512的模態(tài)指數(shù)曲線502靠近，有源區(qū)域的次模與波導(dǎo)層很好耦合。在點(diǎn)508處，耦合強(qiáng)度最強(qiáng)，并且在該點(diǎn)處次模的局限損失最小。如曲線504所示，由于基模的模態(tài)指數(shù)，該基模不會與波導(dǎo)層512的模態(tài)指數(shù)很好匹配，該基模不會與波導(dǎo)層512的模態(tài)指數(shù)很好匹配。這表明在減小二階模的光學(xué)局限時，基本上不減小基模的光學(xué)局限?；：痛文Ｒ圆煌牟ㄩL發(fā)出激光，但是在比基激光波長和次激光波長的間隔更大的波長范圍內(nèi)滿足上述條件，上述間隔通常為5到10nm。
圖5B繪出了對于有源區(qū)域的基模和次模的局限圖。圖5B繪出了在厚度218＝0其值歸一的有源區(qū)域的基模和次模的局限圖。在該實(shí)施例中，圖2A中的距離216(D)為1.2微米，而波導(dǎo)層具有1200納米的能帶隙。曲線550對應(yīng)于光學(xué)局限，曲線552對應(yīng)于次模的光學(xué)局限，而曲線554對應(yīng)于基模。由于當(dāng)波導(dǎo)層的厚度在100納米數(shù)量級時，相位不匹配從零變?yōu)檎?，次模的模局限基本上為零。隨著厚度的增加，波導(dǎo)層開始影響基模。一個結(jié)果是波導(dǎo)層允許有源區(qū)域?yàn)樵趥鹘y(tǒng)的波導(dǎo)激光器的寬度限制之上的有效的單一模式。
也可以調(diào)整反饋層的各個參數(shù)以影響模式局限。參數(shù)的例子包括但不局限于，波導(dǎo)層的厚度、波導(dǎo)層相對于有源區(qū)域(例如，層106的厚度)的位置、波導(dǎo)層的組成和形成、波導(dǎo)層的折射率、波導(dǎo)層的模態(tài)指數(shù)及其任何結(jié)合。另外的參數(shù)可以是波導(dǎo)層中層的數(shù)目和類型。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員也可以理解可以通過調(diào)整有源區(qū)域的形成以影響有源區(qū)域的模式局限和/或材料增益。
在不脫離本發(fā)明精神和其實(shí)質(zhì)特性的情況下，可以通過其他具體形式實(shí)施本發(fā)明。某種程度上應(yīng)該認(rèn)識到，所述實(shí)施方式僅為示例性的而非限制性的。因此，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定而非由上述描述限定。所有落入權(quán)利要求的內(nèi)容和其等效范圍內(nèi)的變化均包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于減小二階模的半導(dǎo)體激光器，所述激光器包括襯底；在所述襯底上排列的有源區(qū)域，其中該有源區(qū)域包括一個或多個量子晶；以及在所述基板上方排列并至少具有厚度的波導(dǎo)層，其中通過該波導(dǎo)層減小在所述有源區(qū)域內(nèi)的二階模的局限，而基本上不減小在所述有源區(qū)域中的基模的局限。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，當(dāng)所述有源區(qū)域的光致發(fā)光為大約1300納米時，所述波導(dǎo)層具有115納米左右的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)層為InGaAsP并且為與InP匹配的晶格。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，還包括在所述有源區(qū)域之上排列的光柵；以及在所述光柵之上排列的脊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，在所述波導(dǎo)層和所述有源區(qū)域之間排列n型半導(dǎo)體層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的激光器，其特征在于，所述n型半導(dǎo)體層具有在1.3微米數(shù)量級的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，通過配置一個或多個參數(shù)確定位于所述波導(dǎo)層和所述有源區(qū)域之間用于減小所述二階模的局限的耦合強(qiáng)度，所述一個或多個參數(shù)包括所述波導(dǎo)層相對于所述有源區(qū)域的位置；所述波導(dǎo)層的材料組成；所述波導(dǎo)層的折射率；以及所述波導(dǎo)層的模態(tài)指數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)層還包括多層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的激光器，其特征在于，所述多層為分布式布拉格層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)在所述襯底之上排列的第一脊結(jié)構(gòu)中，而所述有源區(qū)域在所述第一脊結(jié)構(gòu)側(cè)面的第二脊結(jié)構(gòu)中并在所述襯底之上排列。
11.一種用于減小邊模抑制比的半導(dǎo)體激光器，所述半導(dǎo)體激光器包括襯底；在所述襯底之上排列的有源區(qū)域，該有源區(qū)域包括由阻擋層分開的多個量子阱；在所述有源區(qū)域之上排列的光柵；在所述光柵之上形成的脊；與所述有源區(qū)域隔開特定距離排列并具有特定厚度的波導(dǎo)層，其中對于所述有源區(qū)域的二階模的所述波導(dǎo)層的相速與所述二階模的相速相匹配，從而所述二階模在所述波導(dǎo)層中耦合以減小所述半導(dǎo)體激光器的邊模抑制比。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，通過一個或多個參數(shù)確定所述波導(dǎo)層的所述相速，所述一個或多個參數(shù)包括所述波導(dǎo)層的厚度；所述波導(dǎo)層相對于所述有源區(qū)域的距離；所述波導(dǎo)層的材料組成；所述波導(dǎo)層的折射率；以及所述波導(dǎo)層的模態(tài)指數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)層在所述有源區(qū)域和所述襯底之間排列，所述半導(dǎo)體激光器還包括在所述波導(dǎo)層和所述有源區(qū)域之間形成的第一半導(dǎo)體層；以及在所述有源區(qū)域和所述光柵之間形成的第二半導(dǎo)體層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)層在與包括所述有源區(qū)域的第二脊結(jié)構(gòu)橫向臨近的第一脊結(jié)構(gòu)中形成，所述第一脊結(jié)構(gòu)和所述第二脊結(jié)構(gòu)在所述基板上形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)層還包括分布式布拉格層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)層的所述相速依賴于波長。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)層為InGaAsP并為與InP匹配的晶格。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述波導(dǎo)層具有大約115納米的厚度和大約1200納米的光致發(fā)光峰值。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述有源區(qū)域的光致發(fā)光峰值為大約1300納米。
20.一種用于減小半導(dǎo)體激光器的邊模抑制比的方法，所述方法包括在襯底上制造半導(dǎo)體激光器，使得該半導(dǎo)體激光器包括至少與有源區(qū)域隔開特定距離的波導(dǎo)層；以及至少確定所述波導(dǎo)層的厚度，使得所述有源區(qū)域的二階模與所述波導(dǎo)層的耦合強(qiáng)度比所述有源區(qū)域的基模與所述波導(dǎo)層的耦合強(qiáng)度強(qiáng)，從而減小所述半導(dǎo)體激光器的邊模抑制比。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，至少確定所述波導(dǎo)層的厚度還包括確定下面的一個或多個確定所述波導(dǎo)層的模態(tài)指數(shù)；確定所述波導(dǎo)層的材料組成；確定所述波導(dǎo)層的折射率；以及確定所述波導(dǎo)層的光致發(fā)光。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，在襯底上制造半導(dǎo)體激光器還包括在所述襯底之上排列所述波導(dǎo)層；在所述波導(dǎo)層之上排列第一半導(dǎo)體層，該第一半導(dǎo)體層具有與在所述波導(dǎo)層和所述有源區(qū)域之間的距離基本上相等的厚度；以及在所述有源區(qū)域之上排列第二半導(dǎo)體層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，還包括在所述第二半導(dǎo)體層之上排列光柵層；以及蝕刻所述光柵層以使得所述光柵層為DFB光柵層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，還包括在所述光柵層之上制造脊波導(dǎo)，其中所述光柵層為用于制造脊波導(dǎo)的蝕刻停止層。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，還包括將所述半導(dǎo)體激光器匹配到所述波導(dǎo)層的晶格。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，還包括如下至少之一在所述有源區(qū)域中壓應(yīng)變各量子阱；以及在所述有源區(qū)域中張應(yīng)變各阻擋層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種從半導(dǎo)體激光器中去除光學(xué)模的系統(tǒng)和方法。該半導(dǎo)體激光器中包括波導(dǎo)層，該波導(dǎo)層通常在有源區(qū)域之下排列。將波導(dǎo)層配置為與二階模的相位相匹配。波導(dǎo)層基本上不與激光器的基光學(xué)模匹配。通過匹配二階模的相位，減小了二階模的局限并且二階模與波導(dǎo)層強(qiáng)烈耦合?；５墓鈱W(xué)局限基本上沒有減小。從而通過從有源區(qū)域去除二階模而改善了邊模抑制比。
文檔編號H01S5/00GK101076928SQ200580021415
公開日2007年11月21日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月30日
發(fā)明者理查德·P·拉特斯基, 阿詩士·K·維瑪, 拉斯·恩 申請人:菲尼薩公司