專(zhuān)利名稱(chēng)：晶片電阻的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種種晶片電阻的制造方法，尤指一種規(guī)格為長(zhǎng)度0.60mm、寬度0.30mm與厚度0.23mm以下晶片電阻的制造方法。
背景技術(shù)：
由于電子產(chǎn)品的制作有日漸微小化的趨勢(shì)，故所有主、被動(dòng)元件亦均必須隨著電路板尺寸的縮小而縮小體積，以因應(yīng)電子產(chǎn)品微小化的潮流。
以被動(dòng)元件的晶片電阻而言，隨者電路板尺寸的縮小，目前規(guī)格為長(zhǎng)度0.60mm、寬度0.30mm、厚度0.23mm的晶片電阻已大量被使用，因晶片電阻其體積小，所以能夠容許的尺寸誤差極為嚴(yán)格，一般均在0.03mm以?xún)?nèi)；若以另一種規(guī)格為長(zhǎng)度0.40mm、寬度0.20mm、厚度0.23mm的晶片電阻而言，其所能容許的尺寸誤差將更為嚴(yán)格；故對(duì)于如此小尺寸且單價(jià)又低的被動(dòng)元件而言，產(chǎn)品的良率及生產(chǎn)效率往往即是生產(chǎn)廠商生存競(jìng)爭(zhēng)的法寶。
目前一般廠商晶片電阻器的制作流程，請(qǐng)參閱圖3A～K所示，其包括下列步驟于一空白陶瓷基板20的頂面與底面預(yù)先以刀具設(shè)有數(shù)條相互交錯(cuò)的橫向折斷線21與縱向折斷線22，該橫向折斷線21與縱向折斷線22均切割入基板20有一定深度，一般上下相對(duì)應(yīng)的橫向折斷線21或縱向折斷線22深度以不超過(guò)基板20厚度的一半為佳，而在相鄰的橫向折斷線21與縱向折斷線22之間定義出復(fù)數(shù)個(gè)元件區(qū)23(如圖3A所示)；于該等元件區(qū)23的頂面及底面分別印刷有兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的主電極24，該主電極24分別印刷于各元件區(qū)23的兩相對(duì)縱向折斷線22的邊緣上，以長(zhǎng)度0.60mm、寬度0.30mm、厚度0.23mm規(guī)格的晶片電阻為例，主電極24的寬度為0.15mm，待主電極24干燥后燒結(jié)以固定于元件區(qū)23(如圖3B所示)；在元件區(qū)23頂面的二主電極24之間印刷有一電阻層25，待電阻層25干燥后燒結(jié)以固定于元件區(qū)23頂面(如圖3C所示)；于前述電阻層25上印刷一玻璃護(hù)層26，待玻璃護(hù)層26干燥后燒結(jié)而固定于電阻層25上(如圖3D所示)；以激光對(duì)電阻層25進(jìn)行修整，以調(diào)整電阻值(如圖3E所示)；于玻璃護(hù)層26上再涂上一外保護(hù)層26，待外保護(hù)層26干燥后燒結(jié)以固定之(如圖3F所示)；用治具依序沿各個(gè)縱向折斷線22將基板20折斷，形成數(shù)個(gè)條狀基板20’，并將條狀基板20’相互堆疊(如圖3G所示)；以真空濺鍍方式于元件區(qū)23頂面與底面的主電極24以及該等主電極24之間基板20’側(cè)面濺鍍上內(nèi)層電極28(如圖3H所示)，該內(nèi)層電極28是用以連接元件區(qū)23頂面與底面的主電極24；將各條狀基板20’沿橫向折斷線21折斷，形成多個(gè)晶片電阻單元個(gè)體30(如圖3I所示)；將該等晶片電阻單元個(gè)體30放入電鍍槽(圖中未示)的電鍍筒31中并使電鍍筒31轉(zhuǎn)動(dòng)，俾以滾鍍方式進(jìn)行電鍍，使晶片電阻單元個(gè)體30與電鍍筒31內(nèi)的電極珠金屬粒32不停碰撞接觸，而將晶片電阻單元個(gè)體30的內(nèi)層電極28上鍍上外層電極29(如圖3J所示)后，即形成一個(gè)個(gè)的晶片電阻(如圖3K所示)。
然而此種晶片電阻制造方法具有如下缺點(diǎn)1、該橫向折斷線21與縱向折斷線22均切割入基板20有一定深度，因此在基礎(chǔ)制程上所必需花費(fèi)的時(shí)間較多，且同時(shí)設(shè)有橫向折斷線21與縱向折斷線22對(duì)基板20的強(qiáng)度容易造成破壞，致使在后續(xù)進(jìn)行印刷主電極24、電阻層25程序時(shí)，易因必須以滾筒于基板20表面滾動(dòng)印刷，造成基板20無(wú)法負(fù)荷滾筒滾動(dòng)的壓力因而碎裂，影響生產(chǎn)效率及產(chǎn)品良率。
2、由于陶瓷材質(zhì)的基板20受其分子結(jié)晶的限制，故于將基板20折斷成條狀基板20’時(shí)，其斷面必不易平整(如圖4所示)，除會(huì)影響產(chǎn)品成形后長(zhǎng)度的誤差外，且進(jìn)行真空濺鍍時(shí)，將造成濺鍍形成的內(nèi)層電極28凹凸不平，更使得進(jìn)行后續(xù)滾鍍式電鍍后被鍍上的外層電極29厚度不易均勻，進(jìn)而降低晶片電阻的生產(chǎn)良率。
3.因晶片電阻單元個(gè)體30體積小，故于電鍍筒31內(nèi)進(jìn)行電鍍時(shí)，電極珠金屬粒32接觸碰撞到內(nèi)層電極28的機(jī)率極小，因此電鍍晶片電阻單元個(gè)體30時(shí)不但必須花費(fèi)較多時(shí)間，且還會(huì)因電鍍不均勻而影響到外層電極29的電鍍品質(zhì)。
4.當(dāng)晶片電阻單元個(gè)體30于電鍍筒31內(nèi)以滾鍍方式進(jìn)行電鍍時(shí)，晶片電阻單元個(gè)體30之間易因靜電粘著在一起，或晶片電阻單元個(gè)體30之間易因外層電極29成形時(shí)互相粘結(jié)在一起，或晶片電阻單元個(gè)體30易被卡在電鍍筒31內(nèi)縫隙間等缺點(diǎn)亦會(huì)影響制程的效率與產(chǎn)品的良率。
因此，此種晶片電阻制程尚有待謀求改進(jìn)的方法。
由此可見(jiàn)，現(xiàn)有的晶片電阻的制造方法顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決晶片電阻的制造方法存在的問(wèn)題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般制造方法又沒(méi)有能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的晶片電阻的制造方法，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于現(xiàn)有的晶片電阻的制造方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的晶片電阻的制造方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的晶片電阻的制造方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的晶片電阻的制造方法存在的缺陷，而提供一種新的晶片電阻的制造方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其可有效提升晶片電阻的生產(chǎn)效率及產(chǎn)品良率，以提高制程的效率與產(chǎn)品的良率，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的晶片電阻的制造方法，其主要包括下列步驟于一基板的頂面形成有復(fù)數(shù)條相互平行的橫向分離線；于基板上各二相鄰分離線之間形成有復(fù)數(shù)個(gè)具有一定間距且同時(shí)與分離線交叉的平整穿槽，并定義基板上各二相對(duì)穿槽及二分離線之間是一元件區(qū)；在基板的頂面及底面分別印刷有數(shù)個(gè)相對(duì)應(yīng)的主電極，該等主電極是分別印刷于元件區(qū)兩側(cè)的穿槽邊緣；于每一元件區(qū)頂面的兩主電極之間印刷有一與主電極構(gòu)成電接觸的電阻層；于各元件區(qū)的頂面印刷一第一保護(hù)層以覆蓋電阻層；于基板的頂面與底面分別印刷一第二保護(hù)層，僅露出主電極；以整片基板進(jìn)行電鍍，將內(nèi)層電極電鍍于穿槽的側(cè)壁及基板頂面與底面的主電極上；將第二保護(hù)層剝離并進(jìn)行清洗；再以整片基板進(jìn)行電鍍，將外層電極電鍍以覆蓋內(nèi)層電極；沿分離線將基板分離為一粒粒的晶片電阻。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的晶片電阻的制造方法，其中所述的分離線切割入基板的深度是不超過(guò)基板厚度的一半。
前述的晶片電阻的制造方法，其中在所述的印刷第一保護(hù)層后，進(jìn)一步以激光對(duì)修整電阻層，以調(diào)整電阻值；再印刷一電阻保護(hù)層覆蓋因前述修整而外露的電阻層。
前述的晶片電阻的制造方法，其中所述的電阻保護(hù)層于印刷后先待其干燥再燒結(jié)固定。
前述的晶片電阻的制造方法，其中所述的內(nèi)層電極是以真空濺鍍所鍍上。
前述的晶片電阻的制造方法，其中所述的內(nèi)層電極是以蒸氣沉積所鍍上。
前述的晶片電阻的制造方法，其中所述的外層電極是以掛鍍方式電鍍而成。
前述的晶片電阻的制造方法，其中所述的主電極對(duì)、電阻層與第一保護(hù)層于印刷后均先待其干燥再燒結(jié)固定。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明晶片電阻的制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、因基板僅于頂面設(shè)有分離線，且穿槽間具有一定間距，因此不致對(duì)基板的強(qiáng)度造成破壞，故于進(jìn)行主電極以及電阻層印刷時(shí)，基板可具有較大強(qiáng)度負(fù)荷滾筒滾動(dòng)的壓力。
2、因穿槽的側(cè)壁平整，故內(nèi)層電極可平整地被鍍?cè)诖┎鄣膫?cè)壁上，使電鍍于內(nèi)層電極上的外層電極厚度均勻。
3、因該穿槽的設(shè)置，使元件區(qū)的尺寸因此而固定，不致于分離基板為一粒粒的晶片電阻過(guò)程時(shí)造成晶片電阻尺寸誤差超出容許誤差范圍。
4、因僅需于內(nèi)層電極與外層電極均電鍍完成后延分離線進(jìn)行一次基板分離即可，故可有效提高制程效率。
綜上所述，本發(fā)明新穎的晶片電阻的制造方法，能夠有效提升晶片電阻的生產(chǎn)效率及產(chǎn)品良率，提高了制程的效率與產(chǎn)品的良率。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不論在制造方法上或功能上皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有較大進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的晶片電阻的制造方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是本發(fā)明的流程圖。
圖2是以本發(fā)明制造出的晶片電阻的剖面圖。
圖3是習(xí)用制造晶片電阻方法的流程圖。
圖4是習(xí)用制造晶片電阻方法過(guò)程中將基板折斷所形成條狀基板的斷面示意圖。
10基板11分離線12穿槽120元件區(qū)13主電極 14電阻層15第一保護(hù)層 151修整槽16電阻保護(hù)層 16第二保護(hù)層
18內(nèi)層電極 19外層電極20基板 20’條狀基板21橫向折斷線22縱向折斷線23元件區(qū)24主電極25電阻層26玻璃護(hù)層26外保護(hù)層 28內(nèi)層電極29外層電極 30晶片電阻單元個(gè)體31電鍍筒32電極珠金屬粒具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的晶片電阻的制造方法其具體實(shí)施方式
、制造方法、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
關(guān)于本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，請(qǐng)參閱圖1A～K所示，其包括下列步驟于一基板10頂面的預(yù)定范圍內(nèi)預(yù)先以刀具形成有數(shù)條相互平行的橫向分離線11，再于基板10上各二相鄰分離線11之間形成有復(fù)數(shù)個(gè)具有一定間距且同時(shí)與兩分離線11交叉的穿槽12，其中該分離線11是被切割入基板10有一定深度，以不超過(guò)基板10深度的一半為限，而該穿槽12的內(nèi)壁平整，并定義基板10上各二穿槽12及分離線11之間是形成一元件區(qū)120(如圖1A所示)；在基板10的頂面與底面分別印刷有相對(duì)應(yīng)的主電極13，該等主電極13是分別印刷于元件區(qū)120兩側(cè)的穿槽12邊緣(如圖1B所示)；于每一元件區(qū)120頂面的兩主電極13之間印刷有一與主電極13構(gòu)成電接觸的電阻層14(如圖1C所示)；于各元件區(qū)120的頂面印刷一第一保護(hù)層15以覆蓋電阻層14；以激光于第一保護(hù)層15切割出一修整槽151，以修整電阻層14而調(diào)整其電阻值(如圖1E所示)；印刷一電阻保護(hù)層16覆蓋因前述修整而外露的電阻層14(如圖1F所示)；印刷一第二保護(hù)層16覆蓋于基板10的頂面與底面，僅露出主電極13(如圖1G所示)；將整片基板10以吊掛方式用真空濺鍍或或蒸氣沉積于穿槽12的側(cè)壁及基板10頂面與底面的主電極13濺鍍上內(nèi)層電極18(如圖1H所示)；將第二保護(hù)層16自基板10上剝離去除，并以超音波清洗(如圖1I所示)；將整片基板10置入電鍍槽(圖中未示)內(nèi)，以掛鍍式電鍍于內(nèi)層電極18上電鍍上外層電極19(如圖1J所示)；沿分離線11切割基板10，即可得到一個(gè)個(gè)的晶片電阻(如圖1K與圖2所示)。
由于本方法是先在基板10上設(shè)有穿槽12后，再將主電極13印刷于元件區(qū)120兩側(cè)的穿槽12邊緣，故本發(fā)明制造方法有如下的優(yōu)點(diǎn)1.該基板10僅于頂面設(shè)有分離線11，且穿槽12間具有一定間距，因此不致對(duì)基板11的強(qiáng)度造成破壞，故于后續(xù)印刷主電極13、電阻層14時(shí)，不致因基板10無(wú)法負(fù)荷滾筒滾動(dòng)的壓力而造成基板10碎裂，可提高生產(chǎn)效率及產(chǎn)品良率。
2.由于穿槽12的側(cè)壁平整，故內(nèi)層電極18可平整地被鍍?cè)诖┎?2的側(cè)壁上，使后續(xù)電鍍的外層電極19厚度均勻，且因該穿槽12的設(shè)置使元件區(qū)120的尺寸固定，不致因?qū)⒒?0分離為一粒粒的晶片電阻時(shí)，造成晶片電阻尺寸誤差超出容許誤差范圍。
3.本發(fā)明的方法于整個(gè)制程中，僅需于內(nèi)層電極18與外層電極19均電鍍完成后，再延分離線11進(jìn)行一次基板10分離即可，因此可有效提高制程效率。
4.由于基板10是整片以掛鍍方式電鍍外層電極19，因此不致如習(xí)用因先成形晶片電阻單元個(gè)體，致使以滾鍍方式進(jìn)行電鍍時(shí)，發(fā)生電鍍不均勻、晶片電阻單元個(gè)體之間因靜電而粘著、晶片電阻單元個(gè)體之間因外層電極成形時(shí)而互相粘結(jié)或晶片電阻單元個(gè)體易被卡在電鍍筒內(nèi)縫隙間等缺點(diǎn)，故可有效提高制程效率與產(chǎn)品品質(zhì)。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶片電阻的制造方法，其特征在于其主要是包括下列步驟于一基板的頂面形成有復(fù)數(shù)條相互平行的橫向分離線；于基板上各二相鄰分離線之間形成有復(fù)數(shù)個(gè)具有一定間距且同時(shí)與分離線交叉的平整穿槽，并定義基板上各二相對(duì)穿槽及二分離線之間是一元件區(qū)；在基板的頂面及底面分別印刷有數(shù)個(gè)相對(duì)應(yīng)的主電極，該等主電極是分別印刷于元件區(qū)兩側(cè)的穿槽邊緣；于每一元件區(qū)頂面的兩主電極之間印刷有一與主電極構(gòu)成電接觸的電阻層；于各元件區(qū)的頂面印刷一第一保護(hù)層以覆蓋電阻層；于基板的頂面與底面分別印刷一第二保護(hù)層，僅露出主電極；以整片基板進(jìn)行電鍍，將內(nèi)層電極電鍍于穿槽的側(cè)壁及基板頂面與底面的主電極上；將第二保護(hù)層剝離并進(jìn)行清洗；再以整片基板進(jìn)行電鍍，將外層電極電鍍以覆蓋內(nèi)層電極；沿分離線將基板分離為一粒粒的晶片電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電阻的制造方法，其特征在于其中所述的分離線切割入基板的深度是不超過(guò)基板厚度的一半。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電阻的制造方法，其特征在于于印刷第一保護(hù)層后，進(jìn)一步以激光對(duì)修整電阻層，以調(diào)整電阻值；再印刷一電阻保護(hù)層覆蓋因前述修整而外露的電阻層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片電阻的制造方法，其特征在于其中所述的電阻保護(hù)層于印刷后先待其干燥再燒結(jié)固定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電阻的制造方法，其特征在于其中所述的內(nèi)層電極是以真空濺鍍所鍍上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電阻的制造方法，其特征在于其中所述的內(nèi)層電極是以蒸氣沉積所鍍上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電阻的制造方法，其特征在于其中所述的外層電極是以掛鍍方式電鍍而成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的晶片電阻的制造方法，其特征在于其中所述的主電極對(duì)、電阻層與第一保護(hù)層于印刷后均先待其干燥再燒結(jié)固定。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種晶片電阻的制造方法，主要是于基板上形成有復(fù)數(shù)橫向的分離線及復(fù)數(shù)穿槽，并定義各二相對(duì)穿槽及二分離線之間是一元件區(qū)，各元件區(qū)內(nèi)分別印刷有主電極及電阻層，將印刷有主電極與電阻層的基板整片進(jìn)行電鍍程序，完成主電極及穿槽內(nèi)壁的內(nèi)、外層電極，最后再沿分離線將各元件區(qū)分離為一粒粒的晶片電阻，如此一來(lái)，可有效令晶片電阻的生產(chǎn)過(guò)程具有更高的良率以及更佳的效率。
文檔編號(hào)H01C17/00GK1822251SQ20061005836
公開(kāi)日2006年8月23日 申請(qǐng)日期2006年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月3日
發(fā)明者陸秀強(qiáng), 郭俊雄 申請(qǐng)人:華新科技股份有限公司