專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)與方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)與方法，特別是涉及一種半導(dǎo)體制程中疊對(duì)量測(cè)的系統(tǒng)與方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路工業(yè)經(jīng)歷了快速的成長(zhǎng)。集成電路材料與設(shè)計(jì)的技術(shù)性發(fā)展已生產(chǎn)了許多世代的集成電路，而每個(gè)世代的集成電路都較前一世代擁有更小的尺寸與更復(fù)雜的電路。
目前，半導(dǎo)體元件是經(jīng)由圖案化連續(xù)的圖案層和非圖案層加以制造，且連續(xù)的圖案層之間，其特征是彼此相關(guān)的。在制造過(guò)程中，每一個(gè)圖案層必須和前一圖案層精確對(duì)準(zhǔn)。因此，圖案識(shí)別是成功的微影技術(shù)的關(guān)鍵部分。
常見(jiàn)的圖案識(shí)別是以一圖案校正技術(shù)完成。一較低的(前一個(gè))圖案層包括一疊對(duì)標(biāo)的，如此位于一較高的(下一個(gè))圖案層的第二個(gè)圖案才能加以校正。然而，此校正技術(shù)于確認(rèn)疊對(duì)標(biāo)的時(shí)有困難之處，特別是鑲嵌制程或雙鑲嵌制程等制造技術(shù)。其他制程亦有相同的困難。
由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程在制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程存在的問(wèn)題，相關(guān)廠(chǎng)商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒(méi)有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)和方法，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)和方法，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述和其他的問(wèn)題，并且達(dá)到本發(fā)明所主張的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)與方法，以改善既有技術(shù)的操作性能。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體制造的方法，至少包括下列步驟形成一疊對(duì)標(biāo)的，該疊對(duì)標(biāo)的包括以一第一遮罩層與一鄰近層所形成的圖案；以及以輻射線(xiàn)照射該疊對(duì)標(biāo)的，該疊對(duì)標(biāo)的藉此能反射光線(xiàn)并定位該疊對(duì)標(biāo)的的位置。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的半導(dǎo)體制造的方法，其更包括了以下步驟分別由該圖案與該鄰近層偵測(cè)出第一反射光線(xiàn)和第二反射光線(xiàn)，其中該第一反射光線(xiàn)和該第二反射光線(xiàn)是為不同的光線(xiàn)；以及依該第一反射光線(xiàn)和該第二反射光線(xiàn)來(lái)定位該圖案的位置。
前述的半導(dǎo)體制造的方法，其中所述的圖案是為一盒中盒(box-in-box)校正圖案中的外盒。
前述的半導(dǎo)體制造的方法，其更包括了形成該盒中盒校正圖案中的內(nèi)盒。
前述的半導(dǎo)體制造的方法，其中所述的內(nèi)盒與該外盒由兩個(gè)不同的遮罩層所形成。
前述的半導(dǎo)體制造的方法，其中所述的內(nèi)盒包括一光阻層。
前述的半導(dǎo)體制造的方法，其中所述的外盒包括至少一栓塞層。
前述的半導(dǎo)體制造的方法，其更包括了加入至少一種對(duì)比加強(qiáng)材料于該圖案或該鄰近層中。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)，至少包括一產(chǎn)生器，是以輻射線(xiàn)照射一疊對(duì)標(biāo)的；以及一偵測(cè)器，是用以偵測(cè)該疊對(duì)標(biāo)的的反射光線(xiàn)，其中該反射光線(xiàn)是作為疊對(duì)量測(cè)之用，且該反射光線(xiàn)包括至少兩束不同的光線(xiàn)。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)，其中所述的疊對(duì)標(biāo)的包括一盒中盒校正圖案。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體制造的方法，至少包括下列步驟形成一疊對(duì)標(biāo)的，其中該疊對(duì)標(biāo)的包括了一圖中圖(figure-in-figure)校正圖案的外圖和一鄰近的介電層，其中該外圖包括一由栓塞材料形成的開(kāi)口；加入至少一種對(duì)比加強(qiáng)材料以形成該外圖或該介電層；以輻射線(xiàn)照射該疊對(duì)標(biāo)的；分別由該外圖與該鄰近介電層偵測(cè)出第一反射光線(xiàn)和第二反射光線(xiàn)，該第一和第二反射光線(xiàn)是為不同的光線(xiàn)；基于該第一和第二反射光線(xiàn)定位該外圖的位置；以及形成該圖中圖校正圖案中的內(nèi)圖，其中該內(nèi)圖與該外圖由兩個(gè)不同的遮罩層所形成。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體制造的方法，以第一遮罩層與鄰近層形成一疊對(duì)標(biāo)的，此疊對(duì)標(biāo)的包括了一圖中圖校正圖案的外圖和鄰近的介電層，其中該外圖包括由栓塞材料形成的開(kāi)口；在該外圖或該介電層中加入至少一種對(duì)比加強(qiáng)材料；再以輻射線(xiàn)將此疊對(duì)標(biāo)的曝光；由該外圖與該介電層偵測(cè)出不同的第一反射光線(xiàn)和第二反射光線(xiàn)，而此外圖位置可經(jīng)由上述的兩反射光線(xiàn)確認(rèn)之；且此圖中圖校正圖案的內(nèi)圖與外圖是由兩個(gè)不同的遮罩層所形成。
另外，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明另提供了一種在半導(dǎo)體制程中，一疊對(duì)標(biāo)的量測(cè)的系統(tǒng)。此系統(tǒng)主要包括將一疊對(duì)標(biāo)的以輻射線(xiàn)曝光的一輻射產(chǎn)生器，和偵測(cè)該疊對(duì)標(biāo)的的反射光線(xiàn)的一偵測(cè)器，且該反射光線(xiàn)包括至少兩束不同的光線(xiàn)。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明提供一半導(dǎo)體制造的方法，包括由一第一遮罩層與一鄰近層形成一有圖案的疊對(duì)標(biāo)的。此疊對(duì)標(biāo)的以輻射線(xiàn)照射。因此，反射的光線(xiàn)可由其圖案和鄰近層所偵測(cè)出來(lái)，且此圖案的位置可經(jīng)由反射光線(xiàn)而確認(rèn)之。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)與方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)習(xí)知的圖案校正技術(shù)應(yīng)用于各種半導(dǎo)體制造技術(shù)時(shí)，于確認(rèn)圖案校正程序中必要的疊對(duì)標(biāo)的，有實(shí)際上的困難。此困難可藉由本發(fā)明中偵測(cè)由疊對(duì)標(biāo)的所反射的不同光線(xiàn)而定位該疊對(duì)標(biāo)的的確切位置，進(jìn)而提升各種半導(dǎo)體制造技術(shù)(如微影制程)的良率。
綜上所述，本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法或功能上皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有較大進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1a是繪示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一盒中盒校正圖案。
圖1b是繪示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一疊對(duì)量測(cè)的方法。
圖2a-2b是繪示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包含疊對(duì)標(biāo)的的部分半導(dǎo)體元件。
圖3是繪示依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包含疊對(duì)標(biāo)的的半導(dǎo)體元件。
10方法 12形成一疊對(duì)標(biāo)的的步驟
14以輻射線(xiàn)照射疊對(duì)標(biāo)的16由此疊對(duì)標(biāo)的偵測(cè)反射光線(xiàn)的步驟18確認(rèn)此疊對(duì)標(biāo)的的外盒的步驟 100盒中盒校正圖案102內(nèi)盒 104外盒106介電層 107疊對(duì)標(biāo)的108剖面線(xiàn) 200部分半導(dǎo)體元件202金屬層間介電層 204基材300部分的半導(dǎo)體元件具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)與方法其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、制造方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
本發(fā)明提供了許多不同的實(shí)施例或范例以完成本發(fā)明所揭露的不同特征。特定范例的元件及安排乃描述于后以簡(jiǎn)化本發(fā)明的揭露內(nèi)容。當(dāng)然，此些范例僅為例舉之用而非為限制。另外，本發(fā)明的揭露內(nèi)容可能在各范例中重復(fù)參考數(shù)字及/或字母。此重復(fù)是為了使范例更簡(jiǎn)單明了，而并非在不同的實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間存在一特定的關(guān)連性。而且，在敘述中一第一特征的結(jié)構(gòu)覆蓋或位于一第二特征的上方，這可能包括了此第一和第二特征為直接接觸的實(shí)施例，但可能也包括了此第一和第二特征之間插入額外特征的實(shí)施例，即表示此第一和第二特征并非直接接觸。
本發(fā)明所提供的改良式圖案識(shí)別技術(shù)是利用鄰近介電層間由于組成材料不同，因而產(chǎn)生不同反射率。所以，藉由外盒及其鄰近介電層間不同的反射比，即可確認(rèn)外盒的精確位置。
請(qǐng)參閱圖1a所示，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的盒中盒(box-in-box)圖案識(shí)別技術(shù)，利用一內(nèi)盒102以校正一疊對(duì)標(biāo)的104。于本發(fā)明的范例中，此疊對(duì)標(biāo)的為一外盒。此范例的目的，是表示此外盒104形成于一較低的(前一個(gè))圖案層且此內(nèi)盒102形成于一較高的(下一個(gè))圖案層。而上述兩者之間可能存在一個(gè)以上的非圖案層。
在一范例中，此內(nèi)盒102的寬度約介于5微米至30微米之間，此外盒104的寬度約介于10微米至40微米之間。因此，一介于盒子102與104間的距離h1約介于5微米至20微米之間。要注意的是，本發(fā)明所揭露的內(nèi)容亦考慮了盒子102與104的其他尺寸。同樣可理解地，范例中所使用的是方形，而其他圖案如三角形，矩形，圓形和其余形狀亦可使用。
請(qǐng)參閱圖1b所示，一疊對(duì)量測(cè)方法10由步驟12開(kāi)始，此步驟是為形成一疊對(duì)標(biāo)的。隨后的步驟14，以輻射線(xiàn)將此疊對(duì)標(biāo)的曝光。隨后的步驟16，由此疊對(duì)標(biāo)的偵測(cè)反射光線(xiàn)，而此外盒104(圖1a)可由方法10的步驟18識(shí)別之。一旦此外盒104被確認(rèn)，則內(nèi)盒102的位置即可據(jù)此校正。
制造各式各樣的半導(dǎo)體元件時(shí)均可利用此方法10(不論是否使用鑲嵌技術(shù))，如記憶體元件(包含但不限于靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM))，邏輯元件(包含但不限于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體(MOSFET))，及/或其他元件。此方法10將進(jìn)一步地描述與繪示于圖2a-2b和圖3中的部分半導(dǎo)體元件。
請(qǐng)參閱圖2a所示，其中繪示了一部份的盒中盒校正圖案100的視圖。在此實(shí)施例中，外盒104已經(jīng)由第一微影制程所形成，而內(nèi)盒(未繪示于圖中)由第二微影制程所形成。
請(qǐng)參閱圖2b所示，其中繪示了一部分半導(dǎo)體元件200的截面視圖(沿著圖2a中的一剖面線(xiàn)108)，圖中包括了圖2a里部分的盒中盒校正圖形100。在本實(shí)施例中，此部分半導(dǎo)體元件200包括一基材204，一疊對(duì)標(biāo)的107(包括了一介電層106與外盒104)，與一金屬層間介電層202。此包括了介電層106與外盒104的疊對(duì)標(biāo)的107可依據(jù)方法10中的步驟12形成。
在一范例中，此基材204可能包括了一單一元素的半導(dǎo)體，如單晶硅，多晶硅，非晶硅及/或鍺；一化合物半導(dǎo)體，如碳化硅及/或砷化鎵；一摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體，如硅鍺，磷砷化鎵，砷化銦鋁及/或磷化鎵銦(SiGe，GaAsP，AlInAs，and/or GaInP)。而且，此基材204可能包括基體半導(dǎo)體(bulksemiconductor)，如基體硅，且此基體半導(dǎo)體可能包括一磊硅晶層。或者它也可能包括一絕緣半導(dǎo)體的基材，如硅絕緣體(SOI)基材，或一薄膜電晶體(TFT)基材。此基材204或者也可能包括復(fù)合的硅結(jié)構(gòu)或一多層的化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
在一實(shí)施例中，此介電層106可能以化學(xué)汽相沈積法(CVD)，電漿增強(qiáng)型化學(xué)汽相沈積法(PECVD)，物理汽相沈積法(PVD)，離子化物理汽相沈積法(I-PVD)，原子層沈積法(ALD)，旋轉(zhuǎn)涂布及/或其他制程沈積于基材204的表面上。此介電層106可能包括低介電常數(shù)材料，碳摻雜氧化硅，二氧化硅，聚亞酰胺，旋轉(zhuǎn)涂布氧化硅(SOG)，摻氟硅玻璃(FSG)，黑鉆石(是位于加州圣克拉拉的應(yīng)用材料公司的產(chǎn)品)，干膠(Xerogel)，氣膠(Aerogel)，非晶態(tài)摻氟碳化物(amorphous fluorinated carbon)，及/或其他材料。在一范例中，此低介電常數(shù)材料可能是多孔隙的，及/或介電常數(shù)在約2.8以下。
此介電層106可能包括一單層或復(fù)數(shù)個(gè)層。在一范例中，此介電層106的厚度約介于100奈米和2微米之間。然而，本發(fā)明所揭露的內(nèi)容中此介電層106的厚度亦可考慮為其他厚度。
外盒104為以微影，蝕刻及/或其他方法在介電層106中形成的一開(kāi)口。此外盒104可能為一介層孔，一溝渠及/或任何其他開(kāi)口。此外盒104可填入一個(gè)以上的栓塞，栓塞的材料可能包括一種以上的導(dǎo)電材料，如鋁，鋁合金，銅，銅合金，鎢，及/或其他導(dǎo)電材料。
在一實(shí)施例中，一種以上的對(duì)比加強(qiáng)材料(contrast enhancingmaterial)可選擇性地用于此疊對(duì)標(biāo)的107中的介電層106或外盒104上。此一種以上的對(duì)比加強(qiáng)材料可包括多種材料，如一種以上的染料，及/或其他材料。此染料可包括一種以上的有機(jī)及/或無(wú)機(jī)材料。此一種以上的對(duì)比加強(qiáng)材料可具有吸收性及/或反射性。
根據(jù)此方法10的步驟14，疊對(duì)標(biāo)的107可以習(xí)知技術(shù)中合適的產(chǎn)生器所產(chǎn)生的輻射線(xiàn)照射。此輻射線(xiàn)可能為可見(jiàn)光，不可見(jiàn)光，螢光，及/或偏極光(此輻射線(xiàn)可能包含一單一模態(tài)或復(fù)數(shù)個(gè)模態(tài))。此輻射線(xiàn)可具有一單一波長(zhǎng)或復(fù)數(shù)個(gè)波長(zhǎng)。
在一范例中，此產(chǎn)生器可包括一不可見(jiàn)光電磁波產(chǎn)生器，其可產(chǎn)生多種不可見(jiàn)光的電磁波，如X射線(xiàn)，紫外線(xiàn)(UV)，遠(yuǎn)紫外線(xiàn)(DUV)，及/或其他電磁波。此外，此產(chǎn)生的電磁波可能為螢光及/或偏極光(此電磁波可能包含一單一模態(tài)或復(fù)數(shù)個(gè)模態(tài))，且可具有一單一波長(zhǎng)或復(fù)數(shù)個(gè)波長(zhǎng)。
根據(jù)此方法10的步驟16，由此疊對(duì)標(biāo)的107產(chǎn)生的反射光線(xiàn)可由一偵測(cè)器所偵測(cè)，此偵測(cè)器可包括一波長(zhǎng)散布分析儀(wavelength dispersivespectrometer)，一能量散布分析儀(energy dispersive spectrometer)，及或其它偵測(cè)器。因?yàn)橛纱私殡妼?06所產(chǎn)生的反射光線(xiàn)與由外盒104所產(chǎn)生的反射光線(xiàn)并不相同，因此可確認(rèn)外盒104的位置。如此，一內(nèi)盒(圖3)可被放置于適當(dāng)?shù)奈恢谩４瞬襟E16可由一線(xiàn)上或離線(xiàn)的疊對(duì)標(biāo)的量測(cè)系統(tǒng)所完成。
請(qǐng)參閱圖3所示，其是根據(jù)本發(fā)明所揭露的一個(gè)以上的實(shí)施例，繪示了一進(jìn)一步形成的部分半導(dǎo)體元件300。在一實(shí)施例中，此部分半導(dǎo)體元件300包括一內(nèi)盒102，其是由另一習(xí)知的微影制程所形成。在此范例中，此內(nèi)盒102可為一光阻層，其可包括一正光阻，負(fù)光阻，電子束光阻，及/或其他型態(tài)的光阻。
本發(fā)明已考慮多種可能的變化范例。在一范例中，于步驟14之前，除了加入一種以上可選用的加強(qiáng)對(duì)比材料于外盒104或介電層106中，也可加入第一對(duì)比加強(qiáng)材料于外盒104中，而第二對(duì)比加強(qiáng)材料則加入介電層106中。在第二范例中，此方法10可能被應(yīng)用于其他的疊對(duì)標(biāo)的設(shè)計(jì)中，如框架中的框架(frame-in-frame)，區(qū)段框架(segment-frame)，先進(jìn)成像量測(cè)(advanced imaging metrology)，及短游標(biāo)尺(short vernier)。在第三范例中，除了依靠由外盒104及介電層106所產(chǎn)生的不同反射光線(xiàn)外，也可利用缺少兩者之一的反射光線(xiàn)來(lái)確認(rèn)此外盒104的位置。在第四范例中，在一雙鑲嵌制程里，一介層孔可能形成于一溝渠開(kāi)口形成之前或之后。因此，本發(fā)明所揭露的內(nèi)容已考慮許多變化的可能性。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其至少包括下列步驟形成一疊對(duì)標(biāo)的，該疊對(duì)標(biāo)的包括以一第一遮罩層與一鄰近層所形成的圖案；以及以輻射線(xiàn)照射該疊對(duì)標(biāo)的，該疊對(duì)標(biāo)的藉此能反射光線(xiàn)并定位該疊對(duì)標(biāo)的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其更包括了以下步驟分別由該圖案與該鄰近層偵測(cè)出第一反射光線(xiàn)和第二反射光線(xiàn)，其中該第一反射光線(xiàn)和該第二反射光線(xiàn)是為不同的光線(xiàn)；以及依該第一反射光線(xiàn)和該第二反射光線(xiàn)來(lái)定位該圖案的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其中該圖案是為一盒中盒校正圖案中的外盒。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其更包括了形成該盒中盒校正圖案中的內(nèi)盒。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其中該內(nèi)盒與該外盒由兩個(gè)不同的遮罩層所形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其中該內(nèi)盒包括一光阻層。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其中該外盒包括至少一栓塞層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其更包括了加入至少一種對(duì)比加強(qiáng)材料于該圖案或該鄰近層中。
9.一種半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)，其特征在于其至少包括一產(chǎn)生器，是以輻射線(xiàn)照射一疊對(duì)標(biāo)的；以及一偵測(cè)器，是用以偵測(cè)該疊對(duì)標(biāo)的的反射光線(xiàn)，其中該反射光線(xiàn)是作為疊對(duì)量測(cè)之用，且該反射光線(xiàn)包括至少兩束不同的光線(xiàn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)，其特征在于其中該疊對(duì)標(biāo)的包括一盒中盒校正圖案。
11.一種半導(dǎo)體制造的方法，其特征在于其至少包含下列步驟形成一疊對(duì)標(biāo)的，其中該疊對(duì)標(biāo)的包括了一圖中圖校正圖案的外圖和一鄰近的介電層，其中該外圖包括一由栓塞材料形成的開(kāi)口；加入至少一種對(duì)比加強(qiáng)材料以形成該外圖或該介電層；以輻射線(xiàn)照射該疊對(duì)標(biāo)的；分別由該外圖與該鄰近介電層偵測(cè)出第一反射光線(xiàn)和第二反射光線(xiàn)，該第一和第二反射光線(xiàn)是為不同的光線(xiàn)；基于該第一和第二反射光線(xiàn)定位該外圖的位置，以及形成該圖中圖校正圖案中的內(nèi)圖，其中該內(nèi)圖與該外圖由兩個(gè)不同的遮罩層所形成。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一半導(dǎo)體制造的系統(tǒng)與方法，包含由一第一遮罩層與一鄰近層形成一有圖案的疊對(duì)標(biāo)的。此疊對(duì)標(biāo)的以輻射線(xiàn)照射。因此，反射的光線(xiàn)可由其圖案和鄰近層所偵測(cè)出來(lái)，且此圖案的位置可經(jīng)由反射光線(xiàn)而確認(rèn)。本發(fā)明更包括一半導(dǎo)體制程的疊對(duì)標(biāo)的量測(cè)系統(tǒng)。此量測(cè)系統(tǒng)至少包括一產(chǎn)生器以及一偵測(cè)器，此產(chǎn)生器是以輻射線(xiàn)照射一疊對(duì)標(biāo)的；此偵測(cè)器是用以偵測(cè)疊對(duì)標(biāo)的反射光線(xiàn)。
文檔編號(hào)H01L21/68GK1917163SQ20061006657
公開(kāi)日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2006年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月6日
發(fā)明者陸曉慈, 林進(jìn)祥, 吳華書(shū), 林嘉祥, 陳桂順 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司