專利名稱：后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，且特別涉及一種半導(dǎo)體影像感測裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，后側(cè)照光傳感器(backside-illuminated sensors)用于感測照射在基底后側(cè)表面的光線。上述后側(cè)照光傳感器也可形成于基底的前側(cè)，此時基底需經(jīng)薄化而使得照射于基底的后側(cè)光可抵達(dá)傳感器。然而，經(jīng)薄化的基底將可能劣化傳感器的感測能力。舉例來說，長波長的光線可能會穿透傳感器而無法造成有效的吸收。因此，便需要改善后側(cè)照光傳感器及其應(yīng)用的基底。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供了一種后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體基底，具有前側(cè)表面與后側(cè)表面；感測元件，位于該半導(dǎo)體裝置的前側(cè)表面上；以及反光層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底之上，其中該反光層具有面對該感測元件的反射面，而該反射面大體對應(yīng)該感測元件80％的表面，其中該反光層用以反射朝向該后側(cè)表面以及穿透該感測元件的光線。
在前述裝置中，該反光層可反射照射透過該感測元件區(qū)域的光線80％以上。該反光層也可反射至少照射于其上的光線30％以上。該反光層具有介于50埃至20微米的厚度。該反光層擇自由金屬、介電材料以及上述材料的組合所組成族群。金屬材料擇自由鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、金屬硅化物以及上述材料的組合所組成族群。介電材料擇自由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介電常數(shù)介電材料及上述材料所組成的組群。上述介電材料的反射率低于半導(dǎo)體基底的反射率。該反光層可為多膜層結(jié)構(gòu)。該反光層可設(shè)置于或共構(gòu)于多膜層內(nèi)連物結(jié)構(gòu)中。該反光層可包括部分的多膜層內(nèi)連物。該感測元件擇自由互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)傳感器、電耦合裝置(CCD)傳感器、有源型像素傳感器、無源型像素傳感器或上述傳感器的組合。該傳感器可包括設(shè)置于該反光層下方的感光區(qū)。該感光區(qū)可具有介于1014～1021原子/每平方厘米的摻雜濃度。該感光區(qū)可大體對應(yīng)該感測元件的像素區(qū)的10～80％。該感光區(qū)包括N型摻雜區(qū)及/或P型摻雜區(qū)。
因此，本發(fā)明提供了一種后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基底，具有前側(cè)表面與后側(cè)表面；多個感測元件，位于該半導(dǎo)體裝置的前側(cè)表面上；以及多個金屬反射構(gòu)件，設(shè)置于這些感測元件之上，以反射朝向該半導(dǎo)體基底后側(cè)表面的光線以及分別通過這些感測元件的光線80％以上。這些金屬反射構(gòu)件擇自由鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、金屬硅化物以及上述材料的組合所組成族群。金屬反射構(gòu)件則可設(shè)置于位于半導(dǎo)體基底前側(cè)表面的多膜層內(nèi)連物中并順應(yīng)其設(shè)置。這些金屬反射構(gòu)件可為部分的多膜層內(nèi)連物。這些金屬反射構(gòu)件可設(shè)置于該多膜層內(nèi)連物內(nèi)的一個或多個膜層內(nèi)。
本發(fā)明提供了一種后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基底，具有前側(cè)表面與后側(cè)表面；多個感測元件，位于該半導(dǎo)體裝置的前側(cè)表面上；以及介電反射層，設(shè)置于覆蓋這些感測元件上的層間介電層中，以反射朝向該半導(dǎo)體基底后側(cè)表面的光線以及分別通過這些感測元件的光線80％以上。該介電反射擇自由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介電常數(shù)介電材料及上述材料所組成的組群。
本發(fā)明還提供一種后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體基底，具有前側(cè)表面與后側(cè)表面；感測元件，位于該半導(dǎo)體基底的前側(cè)表面上，其中該感測元件包括感光區(qū)；以及反光層，設(shè)置于該感測區(qū)之上，其中該反光層反射光線至該感光區(qū)。
本發(fā)明的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置中的反光層可反射照射透過該感測元件區(qū)域的光線80％以上，反光層也可反射至少照射于其上的光線30％以上。
為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1至圖3分別顯示了多種半導(dǎo)體裝置，這些半導(dǎo)體裝置包括多個依據(jù)本發(fā)明實施例所制成的后側(cè)照光傳感器。
其中，附圖標(biāo)記說明如下100、200、300 半導(dǎo)體裝置；110 半導(dǎo)體基底；120、120a、120b、120c 感測元件；130 反光層；130a、130b、130c 介電反光構(gòu)件；130d 反光表面；140 多膜層內(nèi)連物；142 第一金屬層；142a、142b 導(dǎo)線構(gòu)件；144 第二金屬層；144a、144b 導(dǎo)線構(gòu)件；144c 假金屬構(gòu)件；150 光線。
具體實施例方式
圖1顯示了依據(jù)本發(fā)明實施例中建構(gòu)有多個后側(cè)照光的傳感器的半導(dǎo)體裝置100的剖面圖。
在此，半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基底110。半導(dǎo)體基底110可包括元素態(tài)半導(dǎo)體，例如硅、鍺、或鉆石。半導(dǎo)體基底110也可包括化合物半導(dǎo)體，例如碳化硅、砷化鎵、砷化銦、磷化銦。半導(dǎo)體基底110也可包括多個P型摻雜區(qū)及/或N型摻雜區(qū)。上述摻雜區(qū)可通過如離子布植或擴(kuò)散方式在不同工藝中形成。半導(dǎo)體基底110也可包括橫向的絕緣構(gòu)件，用以隔離形成在基底上的不同裝置。
半導(dǎo)體裝置100可包括多個形成在半導(dǎo)體基底110前側(cè)表面上的感測元件120。在一個實施例中，感測元件可設(shè)置于前側(cè)表面上并延伸于半導(dǎo)體基底110中。這些感測元件120可分別包括感光區(qū)(或光子感應(yīng)區(qū))，其可為通過如擴(kuò)散或離子布植的方法形成于半導(dǎo)體基底110內(nèi)且具有N型及或P型摻質(zhì)的摻雜區(qū)。感光區(qū)可具有介于1014～1021原子/每平方厘米的摻雜濃度。感光區(qū)可具有對應(yīng)于相關(guān)感測元件10～80％的表面區(qū)，因而用于接收抵達(dá)其上的照光。感測元件120例如為感測二極管、互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)影像傳感器、電耦合裝置(CCD)傳感器、有源型像素傳感器、無源型像素傳感器及/或其它經(jīng)擴(kuò)散或其它方式形成于基底110中的傳感器。如前所述，感測元件120可包括公知及/或未來發(fā)展的影像感測裝置。感測元件120可包括采用感測陣列或其它適當(dāng)方式所設(shè)置的多個像素，其中這些感測像素可具有不同感測方式。舉例來說，這些感測像素可包括部分的CMOS感測像素與部分的無源型傳感器。再者，感測元件120可包括彩色影像傳感器及/或單色影像傳感器。感測元件120還可包括或耦接其它構(gòu)件，例如一個電子電路構(gòu)件，并在連接后操作感測元件120并對應(yīng)照光而產(chǎn)生適當(dāng)反應(yīng)。在操作時，半導(dǎo)體裝置100用于接收射向半導(dǎo)體基板110后側(cè)表面的光線150，由于不存在有柵極構(gòu)件與金屬線等會對于光路造成阻礙等對象，因而對于照光而言可得到最大的照射效果。半導(dǎo)體基底110可經(jīng)由薄化而使得照射于其后側(cè)表面的光線有效地抵達(dá)感測元件120。
半導(dǎo)體裝置100還可包括形成于半導(dǎo)體基底110前側(cè)表面的反光層130。反光層130可設(shè)置于形成于半導(dǎo)體基底110上感測元件120之上，用以使得朝向半導(dǎo)體基底110的后側(cè)表面的光線以及穿透感測元件120后的光線可經(jīng)反射而至感測元件120處，因而改善其感測度。經(jīng)由適當(dāng)設(shè)計與設(shè)置，反光層130可使得后側(cè)的照射可有效地反射至感測區(qū)。在一個實施例中，可使得通過感測區(qū)的80％以上之后側(cè)照射光可有效地經(jīng)反射而回照。在一個實施例中，反光層130對于后側(cè)照射光具有大體30％以上的反射率。反光層130可具有面對對應(yīng)感測元件的反射表面，且該反射表面約占對應(yīng)的相關(guān)感測元件表面大體80％以上。反光層130可具有介于50埃至20微米的厚度。反光層130可較為靠近感測元件120，用以最佳化其效率與表現(xiàn)。在一個實施例中，反光層130形成于金屬內(nèi)連物及/或?qū)娱g介電層(ILD)中。反光層130可具有連續(xù)反射表面以反光后側(cè)照射光至多個感測元件120處?；蛘?，反光層130可包括多個反光的分隔/連接構(gòu)件，其經(jīng)圖案化并設(shè)置于相同膜層或分散設(shè)置于不同膜層中。舉例來說，反光層130的一部分可設(shè)置于第一金屬層中，而其它部分則可設(shè)置于第二金屬層中。在其它范例中，對應(yīng)于感測區(qū)的反射表面可包括一個或一個以上的反射構(gòu)件。反光層130可包括用于半導(dǎo)體裝置100中的功能元件，例如接觸物、介層物與金屬導(dǎo)線等。這些功能性構(gòu)件除了其本身功能外，其經(jīng)由適當(dāng)設(shè)置后則可有效地反射光線。舉例來說，可經(jīng)由重新設(shè)置金屬導(dǎo)線且/或加寬的而無須改變其原始功能。反光層130可包金屬、介電材料、其它工藝/制造用料及/或其組合。反光層130可采用如鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、金屬硅化物或其組合等金屬?；蛘撸垂鈱?30可采用如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、低介電常數(shù)材料、或其組合的介電材料。在一個實施例中，反光層130中的介電層可具有少于2的消光系數(shù)。在另一個實施例中，反光層130中的可包括具有彎曲表面反光構(gòu)件，用以聚焦并有效反射光線。反光層130可包括具有堆疊多重膜層結(jié)構(gòu)的反光構(gòu)件，例如為包括插入在兩個第二類型膜層間的第一類型膜層的三明治結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體裝置100可包括形成于半導(dǎo)體基底110與感測元件120之上的多膜層內(nèi)連物140。多膜層內(nèi)連物140可沿著反光層130而設(shè)置。半導(dǎo)體裝置100還可包括黏附于半導(dǎo)體基底110的背面的透光層(未顯示)，用以機(jī)械地支撐半導(dǎo)體裝置100并光學(xué)地允許后側(cè)照射光通過。半導(dǎo)體裝置100還可包括設(shè)置于半導(dǎo)體基底110后側(cè)表面的彩色濾光層(未顯示)，用以應(yīng)用于彩色顯像。再者，半導(dǎo)體裝置100還包括多個微透鏡(未顯示)，其設(shè)置于半導(dǎo)體基底110后側(cè)表面，或者在使用彩色濾光層時介于彩色濾光層與半導(dǎo)體基底的后側(cè)表面間，還或者在使用于半導(dǎo)體基底的后側(cè)表面與彩色濾光層之上，以使得后側(cè)照光可聚焦至感測區(qū)。反光層130可通過應(yīng)用具有較高反射率的材料及/或采用堆疊型多膜層結(jié)構(gòu)以更加改善其反射率。堆疊型多膜層結(jié)構(gòu)可經(jīng)過設(shè)計與設(shè)置，使得其中個別膜層的厚度與反射系數(shù)皆經(jīng)過良好調(diào)整而使得來自不同膜層的反射光可建設(shè)性地干涉并因而加強(qiáng)反射光。個別膜層的反射系數(shù)需經(jīng)過仔細(xì)的挑選或調(diào)較以最大化來自于堆疊型多膜層結(jié)構(gòu)的反射。反光層130可通過多種工藝所制成，并可通過整合如雙鑲嵌工藝的傳統(tǒng)制成技術(shù)所制成。反光層130的制作方法例如為化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法、原子層沉積法、電鍍法、旋轉(zhuǎn)涂布法、以及其它適當(dāng)程序。上述方法也可搭配如研磨/平坦化、蝕刻、光刻以及熱工藝等其它工藝一起應(yīng)用。值得注意的，可最佳化所采用工藝步驟的配方而得到所期望的反射系數(shù)與厚度。
請參照圖2，顯示了依據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的設(shè)置有多個后側(cè)照光傳感器的半導(dǎo)體裝置200。半導(dǎo)體裝置200可包括半導(dǎo)體基底110、如感測元件120a、120b與120c的多個感測元件120，以及如彩色濾光層與微透鏡等大體相似于半導(dǎo)體裝置100中所應(yīng)用構(gòu)件的其它適當(dāng)構(gòu)件。
半導(dǎo)體裝置200包括多膜層內(nèi)連物140與反光層130。多膜層內(nèi)連物140可包括至少一內(nèi)連物層。舉例來說，圖2所示的多膜層內(nèi)連物包括兩個金屬層，例如第一金屬層142以及第二金屬層144。第一金屬層142包括導(dǎo)線構(gòu)件142a與142b，而第二金屬層144則包括導(dǎo)線構(gòu)件144a、144b與假(dummy)金屬構(gòu)件144c。多膜層內(nèi)連物140內(nèi)可設(shè)置有垂直介層物(未圖示)并將其連接于第一金屬層142與半導(dǎo)體基底110之間。多膜層內(nèi)連物140內(nèi)還可設(shè)置有垂直介層物(未圖示)并將的連接于不同金屬膜層間，例如連接于第一金屬層142與第二金屬層144之間。除了作為一般電性連接用途之外，多膜層內(nèi)連物140也可設(shè)計并作為部分的反光層130。舉例來說，導(dǎo)線構(gòu)件142a可于設(shè)置并加寬它，以有效地反射后側(cè)照射光至對應(yīng)的感測元件120a。在另一個范例中，多膜層內(nèi)連物140可包括多重金屬構(gòu)件(形成于同一膜層或不同膜層之中)，例如解說用的導(dǎo)線構(gòu)件142b與144b，經(jīng)過設(shè)置后其可使得所形成的結(jié)合結(jié)構(gòu)(在范例中的142b與144b)可有效地反射后側(cè)照射光至對應(yīng)的感測元件120b。在另一個范例中，多膜層內(nèi)連物140可包括假結(jié)構(gòu)(dummy structure)，例如假金屬層144c，以使得其或其與其它構(gòu)件(在本實施例中的142b)的結(jié)合可有效地反射后側(cè)照射光至對應(yīng)的感測元件120c。在另一個實施例中，可更額外地采用接觸/介層構(gòu)件以單獨地或經(jīng)結(jié)合其它構(gòu)件后用于加強(qiáng)光反射。經(jīng)過設(shè)計，所有反光構(gòu)件較佳地為緊密靠近于感測區(qū)，用以有效地反射光線。
多膜層內(nèi)連物140可包括公知內(nèi)連物結(jié)構(gòu)，因而可通過公知方法所制成。在一個實施例中，多膜層內(nèi)連物140可利用鋁技術(shù)所制成。在另一個實施例中，多膜層內(nèi)連物140可利用銅工藝所制成。應(yīng)用鋁技術(shù)所制成的多膜層內(nèi)連物140可包括鋁、鋁硅銅合金、鈦、氮化鈦、鎢、金屬硅化物或其組合。應(yīng)用鋁技術(shù)所制成的多膜層內(nèi)連物可包括多膜層結(jié)構(gòu)。舉例來說，多膜層結(jié)構(gòu)可包括含如鈦/氮化鈦材料的阻障/黏著層以及含鋁合金的鋁膜層。接觸介層構(gòu)件可包括相似的阻障黏著膜層以及鎢塞。應(yīng)用鋁技術(shù)所制成的多膜層內(nèi)連物可通過濺鍍、化學(xué)氣相沉積或上述方法的組合方法所形成。也可采用如光刻與蝕刻的其它工藝以圖案化用于垂直連接(介層物與接觸物)以及水平連接(金屬導(dǎo)線)的金屬材料。應(yīng)用銅工藝所制成的多膜層內(nèi)連物可包括銅、銅合金、鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鎢、金屬硅化物、鉭鈷磷或其結(jié)合。銅工藝所制成的多膜層內(nèi)連物可采用雙鑲嵌工藝，例如為溝槽先行形成或介層物先行形成的工藝。在上述雙鑲嵌工藝中，則可采用電鍍與化學(xué)機(jī)械研磨等工藝。
在此，反光層130還可包括用于鄰近結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體工藝用的其它金屬材料。舉例來說，其可為制造半導(dǎo)體裝置200時的所需采用的半導(dǎo)體工藝所應(yīng)用的適當(dāng)金屬材料。在多膜層內(nèi)連物140結(jié)構(gòu)中還可設(shè)置有介電材料并填入于介于金屬構(gòu)件間的空隙中。其所應(yīng)用的介電材料大體相似于半導(dǎo)體裝置100中所采用的公知層間介電材料。舉例來說，介電材料可包括如碳摻雜氧化硅以及氟摻雜氧化硅的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介電常數(shù)材料、或上述材料的組合以及或其它適當(dāng)材料。
請參照圖3，顯示了依據(jù)本發(fā)明另一個實施例的具有多個后側(cè)照光傳感器的半導(dǎo)體裝置300的剖面圖。半導(dǎo)體裝置300包括半導(dǎo)體基底110、多個感測元件120，例如感測元件120a、120b、與120b，以及如彩色濾光層、微透鏡與內(nèi)連物等大體相似于半導(dǎo)體裝置200內(nèi)構(gòu)件的其它適當(dāng)構(gòu)件。
在此，半導(dǎo)體裝置300還包括設(shè)置于并整合于層間介電層中的介電反光層130。介電反光層130具有低于半導(dǎo)體基底110的反射率且具有不同于鄰近層間介電層的反射率。介電反光層130可包括如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低介電常數(shù)材料、其它適當(dāng)介電材料或上述材料的組合等介電材料。介電反光層130可包括多個圖案化的反光表面，例如介電反光構(gòu)件130a、130b以及130c，及/或具有連續(xù)的反光表面，如反光表面130d。介電反光層130可包括堆疊的多膜層結(jié)構(gòu)。堆疊的多膜層結(jié)構(gòu)可經(jīng)由設(shè)計而使得各膜層具有適當(dāng)厚度與反射率，用以改善反光效果。舉例來說，可經(jīng)由調(diào)整堆疊的多膜層結(jié)構(gòu)的厚度而使得反射光形成建設(shè)性干涉。此外，可更可仔細(xì)挑選或調(diào)整各別膜層的反射率，用以最佳化上述多膜層的反射情形。
此外，也可采用如薄膜光學(xué)的公知技術(shù)以改善反射效果。在一個實施例中，介電反光層130可具有包括第一介電材料的第一膜層、第二介電材料的第二膜層以及第三介電材料的第三膜層的三明治結(jié)構(gòu)，例如圖3所示的反光構(gòu)件130a、130b與130c。在另一個實施例中，介電反光層130包括雙膜層結(jié)構(gòu)，例如介電反光層130d。介電反光層130可通過如化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法、熱氧化法、原子層沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、其它適當(dāng)工藝或上述方法的組合所形成。也可搭配如化學(xué)機(jī)械研磨的其它工藝技術(shù)。在一個實施例中，可通過化學(xué)機(jī)械研磨程序的調(diào)整以最小化碟盤效應(yīng)與腐蝕效應(yīng)，用以產(chǎn)生平坦表面。在另一個實施例中，可通過化學(xué)機(jī)械研磨程序的調(diào)整而產(chǎn)生適度的碟盤效應(yīng)，用以產(chǎn)生曲化表面而有效且適用于聚焦反射。介電反光層130與多膜層內(nèi)連物140經(jīng)結(jié)合后可達(dá)到最大反射。在一個實施例中，介電反光構(gòu)件130b與導(dǎo)線構(gòu)件142b(電性功能導(dǎo)線/接觸物/介層物或假金屬線)經(jīng)結(jié)合而提至對應(yīng)的感測元件120的反射情形。在另一個實施例中，介電反光構(gòu)件130c與位于不同階層中的其它介電反光構(gòu)件130d經(jīng)結(jié)合后可對于對應(yīng)的感測元件120c提供較佳的反射效果。此外，依據(jù)本發(fā)明的實施例，也可采用其它用于改善反射的適當(dāng)結(jié)合情形與結(jié)合方式。
如前所述，在半導(dǎo)體基底前側(cè)上形成感測元件、反光層、保護(hù)層與其它結(jié)構(gòu)后可更工藝處理半導(dǎo)體基底110的后側(cè)表面。舉例來說，可經(jīng)由薄化后側(cè)表面以使得照射光可有效地抵達(dá)感測區(qū)。半導(dǎo)體基底厚度的降低可采用化學(xué)機(jī)械研磨及/或蝕刻等工藝。半導(dǎo)體基底110的后側(cè)表面還可由具有足夠厚度與機(jī)械強(qiáng)度的透光膜層所保護(hù)，用以支撐與保護(hù)半導(dǎo)體基底110。
在前述揭示的結(jié)構(gòu)與方法中，在應(yīng)用上照射光并非限定于可見光束，并可為其它光學(xué)光，例如紅外線、紫外線或其它適當(dāng)射線光束等。如此，經(jīng)由挑選與設(shè)計，反光層130將可有效地反射對應(yīng)的射線光束。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的修改與變更，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體基底，具有前側(cè)表面與后側(cè)表面；感測元件，位于該半導(dǎo)體裝置的前側(cè)表面上；以及反光層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底之上，其中該反光層具有面對該感測元件的反射面，而該反射面大體對應(yīng)該感測元件80％的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該感測元件包括有源型像素傳感器或無源型像素傳感器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該反光層對于后側(cè)照射光具有至少30％的反射率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該反光層具有介于50埃～20微米的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該反光層包括金屬或介電材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該介電材料具有低于2的消光系數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該反光層具有多膜層結(jié)構(gòu)。
8.一種后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體基底，具有前側(cè)表面與后側(cè)表面；感測元件，位于該半導(dǎo)體基底的前側(cè)表面上，其中該感測元件包括感光區(qū)；以及反光層，設(shè)置于該感測區(qū)之上，其中該反光層反射光線至該感光區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該感光區(qū)具有介于1014～1021原子/每平方厘米的摻雜濃度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該感光區(qū)大體對應(yīng)該感測元件的像素區(qū)的10～80％。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，其中該感光區(qū)包括N型摻雜區(qū)或P型摻雜區(qū)。
全文摘要
一種后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體基底，具有前側(cè)表面與后側(cè)表面；感測元件，位于該半導(dǎo)體裝置的前側(cè)表面上；以及反光層，設(shè)置于該感測元件之上，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底之上，其中該反光層具有面對該感測元件的反射面，而該反射面大體對應(yīng)該感測元件80％的表面，其中該反光層用以反射朝向該后側(cè)表面以及穿透該感測元件的光線。因此，本發(fā)明的后側(cè)照光的半導(dǎo)體裝置中的反光層可反射照射透過該感測元件區(qū)域的光線80％以上，反光層也可反射至少照射于其上的光線30％以上。
文檔編號H01L31/0216GK1897287SQ200610100018
公開日2007年1月17日 申請日期2006年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者許慈軒, 伍壽國, 楊敦年 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司