專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，特別涉及一種三次光刻工藝制作的薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前在常規(guī)薄膜晶體管液晶顯示器件制造的方法中，陣列工藝使用五次光刻掩模版的方法，一部分采用四次光刻掩模版的方法，其中四次光刻掩模版主要采用灰色調(diào)(Gray Tone)掩模版的技術(shù)對(duì)薄膜晶體管的溝道部分的源漏金屬電極和有源層部分進(jìn)行刻蝕。
此結(jié)構(gòu)的在常規(guī)四次光刻掩模版的工藝順序包括首先，利用常規(guī)的柵工藝形成柵層，然后沉積柵絕緣層。
接著，沉積半導(dǎo)體有源層、摻雜層和源漏金屬層。利用Gray Tone掩模版形成薄膜晶體管的小島，進(jìn)行灰化工藝，暴露溝道部分，刻蝕溝道部分的金屬層，刻蝕溝道部分的摻雜層、有源層。在此步工藝中由于需要對(duì)有源層，金屬層，還有摻雜層的刻蝕，所以在光刻工藝中需要對(duì)Gray Tone溝道部分的光刻膠的控制相當(dāng)嚴(yán)格，另外刻蝕的選擇比和均勻性均有很高的要求。所以對(duì)于工藝的容差要求非常高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提出一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列結(jié)構(gòu)及其三次光刻工藝制作該結(jié)構(gòu)的辦法，其能夠降低對(duì)工藝容差的要求以及簡(jiǎn)化薄膜晶體管的設(shè)計(jì)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其中柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、有源層和摻雜層；柵線上有一截?cái)嗖郏浣財(cái)鄸啪€上的摻雜層和有源層；第二絕緣層覆蓋在截?cái)嗖奂皷啪€和柵電極外的玻璃基板上；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數(shù)據(jù)線下方保留有像素電極層；鈍化層覆蓋在像素電極之外的部分。
上述方案中，所述柵線和柵電極為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。所述第一絕緣層或第二絕緣層為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。所述源電極、數(shù)據(jù)線或漏電極為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明同時(shí)提供一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟1，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層，摻雜層，采用第一塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無光刻膠區(qū)域形成柵線和柵小島圖形；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出柵線上的部分摻雜層，接著對(duì)摻雜層和有源層進(jìn)行刻蝕，得到柵線上的截?cái)嗖郏唤又练e第二絕緣層，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離掉柵線和柵小島上方的第二絕緣層；步驟2，在完成步驟1基板上依次沉積像素電極層和源漏金屬層，采用第二塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域、保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無光刻膠區(qū)域形成薄膜晶體管溝道、并得到像素電極及其一體的漏電極圖形、及數(shù)據(jù)線和一體的源電極圖形；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出像素電極及其一體的漏電極區(qū)域的源漏金屬層，并接著對(duì)像素電極和漏電極區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，得到像素電極；完成刻蝕后，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離數(shù)據(jù)線和源電極上方的光刻膠；步驟3，在完成步驟2基板上沉積鈍化層薄膜，采用第三塊掩模版進(jìn)行掩模、曝光并進(jìn)行蝕刻，露出像素電極部分圖形。
上述方案中，所述步驟1中第一塊掩膜版經(jīng)過曝光顯影后無光刻膠的區(qū)域?yàn)樾纬蓶啪€和柵小島以外的區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域?yàn)樾纬蓶啪€上的截?cái)嗖蹍^(qū)域。所述步驟1中刻蝕無光刻膠區(qū)域包括刻蝕摻雜層、有源層、第一柵絕緣層和柵金屬層。所述步驟2中第二塊掩膜版經(jīng)過曝光顯影后保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線及其一體的源電極；保留部分光刻膠區(qū)域包括形成像素電極及其一體的漏電極區(qū)域；其他部分為無光刻膠區(qū)域。所述步驟2中刻蝕無光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管溝道部分包括源漏金屬層刻蝕、像素電極層刻蝕和摻雜層的刻蝕。
本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，由于利用灰色調(diào)掩模版并結(jié)合離地剝離工藝形成了柵線和柵電極、有源層、摻雜層、第二絕緣層以及柵線上的截?cái)嗖?；并且本發(fā)明同時(shí)利用灰色調(diào)掩模版形成了溝道、源漏金屬層和像素電極。因此，本發(fā)明節(jié)約了陣列工藝的成本和占機(jī)時(shí)間，提高了產(chǎn)能。
同時(shí)，本發(fā)明由于在第一塊灰色調(diào)掩模版中采用第二絕緣層實(shí)現(xiàn)了工藝的平坦化，為后面的工藝增大了工藝容差。
再者，本發(fā)明采用透明金屬電極作為薄膜晶體管的漏極，避免了接觸電阻的問題。
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步更為詳細(xì)地說明。


圖1a是本發(fā)明采用第一塊灰色調(diào)(Gray-Tone)掩模版光刻后得到的圖形；圖1b是本發(fā)明采用第一塊掩模版進(jìn)行曝光后圖1a中A-A′部位的截面圖形；圖1c是本發(fā)明采用第一塊掩模版進(jìn)行曝光后圖1a中B-B′部位的截面圖形；圖1d是本發(fā)明采用第一塊掩模版對(duì)無光刻膠區(qū)刻蝕后圖1a中A-A′部位的截面圖形；圖1e是本發(fā)明采用第一塊掩模版對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝后圖1a中A-A′部位的截面圖形；圖1f是本發(fā)明采用第一塊掩模版對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝后圖1a中B-B′部位的截面圖形；圖1g是本發(fā)明采用第一塊掩模版對(duì)有源層刻蝕后圖1a中B-B′部位的截面圖形；圖1h是本發(fā)明第二絕緣層沉積后圖1a中A-A′部位的截面圖形；圖1i是本發(fā)明采用第一塊掩模版進(jìn)行離地剝離(Lift-Off)工藝后圖1a中A-A′部位的截面圖形；圖1j是本發(fā)明采用第一塊掩模版進(jìn)行第二絕緣層沉積和離地剝離(Lift-Off)后圖1a中B-B′部位的截面圖形；圖1k是本發(fā)明采用第一層掩模版整個(gè)工藝完成后完整的像素平面圖形；圖2a是本發(fā)明第二塊灰色調(diào)(GrayTone)掩模版光刻后的圖形；圖2b是本發(fā)明第二塊灰色調(diào)(GrayTone)曝光后圖2a中C-C′部位的截面圖形；圖2c是本發(fā)明第二塊灰色調(diào)(GrayTone)曝光后無光刻膠區(qū)域刻蝕完成后圖2a中C-C′部位的截面圖形；
圖2d是本發(fā)明第二塊灰色調(diào)(GrayTone)曝光后光刻膠灰化后圖2a中C-C′部位的截面圖形；圖2e是本發(fā)明第二塊灰色調(diào)(GrayTone)曝光后漏極金屬刻蝕后圖2a中C-C′部位的截面圖形；圖2f是本發(fā)明第二塊灰色調(diào)(GrayTone)曝光后光刻膠剝離后圖2a中C-C′部位的截面圖形；圖3a是本發(fā)明第三塊常規(guī)掩模版光刻后平面圖形；圖3b是本發(fā)明第三塊常規(guī)掩模版曝光后圖3a中D-D′部位的截面圖形；圖3c是本發(fā)明第三塊常規(guī)掩模版鈍化層刻蝕和光刻膠剝離后圖3a中D-D′部位的截面圖形。
圖中標(biāo)記20、玻璃基板；21、柵電極；22、第一柵絕緣層；23、半導(dǎo)體有源層；24、半導(dǎo)體摻雜層；25、第一次光刻光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠(Gray Tone)；25’、第一次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠(Full Tone)；26、第二絕緣層；27、源漏金屬電極層；28、第二次光刻光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠((Gray Tone)；28’、第二次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠(Full Tone)；29、透明像素電極；30、第三次光刻形成光刻膠；31、鈍化層。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括基板、柵線、柵電極、第一絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層等部分，這些組成部分與現(xiàn)有技術(shù)沒有差異，其與現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)相區(qū)別的特征在于柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、有源層和摻雜層；柵線上有一截?cái)嗖?，其截?cái)鄸啪€上的摻雜層和有源層；第二絕緣層覆蓋在截?cái)嗖奂皷啪€和柵電極外的玻璃基板上；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數(shù)據(jù)線下方保留有透明像素電極層；鈍化層覆蓋在像素電極之外的部分。
本發(fā)明柵線和柵電極可以為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
本發(fā)明第一絕緣層或第二絕緣層可以為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
本發(fā)明的源電極、數(shù)據(jù)線或漏電極為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
本發(fā)明同時(shí)提供了該像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟1，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層，摻雜層，采用第一塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；其中無光刻膠的區(qū)域?yàn)樾纬蓶啪€和柵小島以外的區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域?yàn)樾纬蓶啪€上截?cái)嗖蹍^(qū)域。刻蝕無光刻膠區(qū)域形成柵線和柵小島圖形，此步驟中的刻蝕包括刻蝕摻雜層、有源層、第一柵絕緣層和柵金屬層。完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出柵線上的部分摻雜層，接著對(duì)摻雜層和有源層進(jìn)行刻蝕，得到柵線上的截?cái)嗖?。最后，接著沉積第二絕緣層，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離掉柵線和柵小島上方的第二絕緣層；步驟2，在完成步驟1基板上依次沉積透明像素電極層和源漏金屬層，采用第二塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；其中保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線及其一體的源電極；保留部分光刻膠區(qū)域包括形成透明像素電極及其一體的漏電極區(qū)域；其他部分為無光刻膠區(qū)域。刻蝕無光刻膠區(qū)域形成薄膜晶體管溝道、并得到像素電極及其一體的漏電極圖形、及數(shù)據(jù)線和一體的源電極圖形；本步刻蝕包括源漏金屬層刻蝕、像素電極層刻蝕和摻雜層的刻蝕。完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出像素電極及其一體的漏電極區(qū)域的源漏金屬層，并接著對(duì)像素電極和漏電極區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，得到像素電極。最后，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離數(shù)據(jù)線和源電極上方的光刻膠；步驟三，在完成步驟2基板上沉積鈍化層薄膜，采用第三塊掩模版進(jìn)行掩模、曝光并進(jìn)行蝕刻，露出像素電極部分圖形。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述，如圖1a至圖3f所示。
首先，先在潔凈的玻璃基板20上沉積柵金屬21(Mo，Al/Nd，Cu等)，在柵金屬上再沉積第一層絕緣層22(SiNx)，在第一層絕緣層上沉積半導(dǎo)體有源層23(a-Si，p-Si等)，然后再沉積半導(dǎo)體摻雜層24(摻雜B，P等)。采用第一塊灰色調(diào)掩模版(Gray Tone)進(jìn)行掩模曝光后得到柵小島圖形，如圖1a所示、圖1b是A-A′部位的截面圖形，圖1c是B-B′部位的截面圖形，由圖可見柵線和柵電極外的其他區(qū)域沒有光刻膠，柵線上形成隔斷槽部位為第一次光刻光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠25，柵線上其他區(qū)域和柵電極部分為第一次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠25’。然后進(jìn)行刻蝕，將未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域刻蝕掉，圖1a中A-A′部位的截面圖形如圖1d所示。然后進(jìn)行光刻膠灰化工藝，圖1a中A-A′部位的截面圖形如圖1e所示，圖1b中B-B′部位的截面圖形如圖1f所示，由圖1f可見，柵線上隔斷槽位置上的摻雜層露出，接著對(duì)該摻雜層和其下的有源層進(jìn)行刻蝕，得到柵線上的隔斷槽，如圖1g所示。沉積第二絕緣層對(duì)柵電極進(jìn)行保護(hù)，如圖1h所示；圖1a中A-A′部位剝離后暴露摻雜層，如圖1i所示；圖1b中B-B′部位的有源層被第二絕緣層26所覆蓋，如圖1j所示。
然后，依次沉積透明像素電極層29(氧化銦錫等)和源漏金屬電極層27(Mo，Al，Cu等)，采用第二塊灰色調(diào)(Gray Tone)掩模版，曝光后形成數(shù)據(jù)線和像素電極的形狀的光刻膠，如圖2a所示。在源電極和數(shù)據(jù)線一側(cè)形成比較厚的光刻膠，即第二次光刻光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠((Gray Tone)28，在漏極和像素電極區(qū)域形成比較薄的光刻膠，即第二次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠(Full Tone)28’，如圖2b所示。對(duì)沒有被光刻膠保護(hù)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕(源漏金屬電極層、透明像素電極層和摻雜層的刻蝕)，如圖2c所示。接著進(jìn)行光刻膠灰化工藝，如圖2d所示，將漏電極和像素電極位置的源漏金屬電極層27暴露出來，然后進(jìn)行此位置金屬層的刻蝕，如圖2e所示，露出透明像素電極29及其一體的漏電極。由于源極和數(shù)據(jù)線區(qū)域的光刻膠在灰化工藝中仍然有一定厚度的剩余，所以此時(shí)得到了光刻膠的保護(hù)而保留下來。接著進(jìn)行剝離工藝將此部位的光刻膠，如圖2f所示。圖中2b至2f均為圖2a中C-C’部位的截面圖。
最后，沉積鈍化層31(SiNx等)，并利用第三次常規(guī)光刻掩模版曝光后形成圖形，即第三次光刻形成光刻膠30，如圖3a所示，圖3a中D-D’部位的截面圖如圖3b所示。進(jìn)行鈍化層刻蝕和光刻膠剝離工藝形成最終的圖形，如圖3c所示。
本實(shí)施例中由于利用第一塊灰色調(diào)掩模版并離地剝離工藝形成了柵線和柵電極、有源層、摻雜層、第二絕緣層以及柵線上的截?cái)嗖?；同時(shí)利用第二塊灰色調(diào)掩模版形成了溝道、源漏金屬層和透明像素電極，因此節(jié)約了陣列工藝的成本和占機(jī)時(shí)間，提高了產(chǎn)能。另外，由于本實(shí)施例在第一塊灰色調(diào)掩模版中采用第二絕緣層實(shí)現(xiàn)了工藝的平坦化，為后面的工藝增大了工藝容差。再者，由于本實(shí)施例中采用透明金屬電極作為薄膜晶體管的漏極，避免了接觸電阻的問題。
最后應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)按照需要可使用不同材料和設(shè)備實(shí)現(xiàn)之，即可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其特征在于柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、有源層和摻雜層；柵線上有一截?cái)嗖?，其截?cái)鄸啪€上的摻雜層和有源層；第二絕緣層覆蓋在截?cái)嗖奂皷啪€和柵電極外的玻璃基板上；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數(shù)據(jù)線下方保留有像素電極層；鈍化層覆蓋在像素電極之外的部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述柵線和柵電極為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一絕緣層或第二絕緣層為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述源電極、數(shù)據(jù)線或漏電極為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
5.一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括步驟1，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層，摻雜層，采用第一塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無光刻膠區(qū)域形成柵線和柵小島圖形；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出柵線上的部分摻雜層，接著對(duì)摻雜層和有源層進(jìn)行刻蝕，得到柵線上的截?cái)嗖?；接著沉積第二絕緣層，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離掉柵線和柵小島上方的第二絕緣層；步驟2，在完成步驟1基板上依次沉積像素電極層和源漏金屬層，采用第二塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域、保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無光刻膠區(qū)域形成薄膜晶體管溝道，并得到像素電極及其一體的漏電極圖形、及數(shù)據(jù)線和一體的源電極圖形；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出像素電極及其一體的漏電極區(qū)域的源漏金屬層，并接著對(duì)像素電極和漏電極區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，得到像素電極；完成刻蝕后，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離數(shù)據(jù)線和源電極上方的光刻膠；步驟3，在完成步驟2基板上沉積鈍化層薄膜，采用第三塊掩模版進(jìn)行掩模、曝光并進(jìn)行蝕刻，露出像素電極部分圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述步驟1中第一塊掩膜版經(jīng)過曝光顯影后無光刻膠的區(qū)域?yàn)樾纬蓶啪€和柵小島以外的區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域?yàn)樾纬蓶啪€上的截?cái)嗖蹍^(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制造方法，其特征在于所述步驟1中刻蝕無光刻膠區(qū)域包括刻蝕摻雜層、有源層、第一柵絕緣層和柵金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述步驟2中第二塊掩膜版經(jīng)過曝光顯影后保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線及其一體的源電極；保留部分光刻膠區(qū)域包括形成像素電極及其一體的漏電極區(qū)域；其他部分為無光刻膠區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求5或8所述的制造方法，其特征在于所述步驟2中刻蝕無光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管溝道部分包括源漏金屬層刻蝕、像素電極層刻蝕和摻雜層的刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其中柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、有源層和摻雜層；柵線上有一截?cái)嗖?，其截?cái)鄸啪€上的摻雜層和有源層；第二絕緣層覆蓋在截?cái)嗖奂皷啪€和柵電極外的玻璃基板上；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數(shù)據(jù)線下方保留有透明像素電極層；鈍化層覆蓋在像素電極之外的部分。本發(fā)明同時(shí)公開了該像素結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明利用三次光刻掩模版形成薄膜晶體管的方法，可以節(jié)約陣列工藝的成本和占機(jī)時(shí)間，提高產(chǎn)能。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1959509SQ20061014511
公開日2007年5月9日 申請(qǐng)日期2006年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月10日
發(fā)明者邱海軍, 王章濤, 閔泰燁 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司