專利名稱：薄膜晶體管面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種面板的制造方法，特別是一種薄膜晶體管面板的制造 方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示面板(TFT-LCD)發(fā)明于1960年，經(jīng)過不斷的 改良，在1991年成功的商業(yè)化為筆記本電腦用面板，從此進入TFT-LCD 的時代。如今，TFT-LCD為一種常見的平面顯示面板，由于具有體積小、 分辨率高以及低耗電等優(yōu)點，已被廣泛地運用在各種電子產(chǎn)品的信息顯 示裝置上。
TFT-LCD的制程技術(shù)，可分為非晶硅(amorphous silicon; a-Si)與 多晶硅(poly silicon; p-Si)兩種。多晶硅面板中薄膜晶體管的反應(yīng)時間 比非晶硅面板快10倍以上，同時因為電子的移動速度比非晶硅快，因此 在相同的分辨率下，多晶硅面板的寬度可以縮小。多晶硅面板的薄膜晶 體管的面積可以做得比非晶硅小，并可提供高精細、高分辨率的液晶面 板。加上，多晶硅面板的驅(qū)動IC可以直接制作在玻璃基板上，省去將驅(qū) 動IC與液晶面板相結(jié)合的組裝手續(xù)，可縮小面板的厚度約10% 20%， 達成小型化的產(chǎn)品要求。此外，在相同的發(fā)光亮度下，多晶硅面板可以 采用低瓦數(shù)的背光源，達到低耗電量的要求。也就是說，若采用同瓦數(shù) 的背光源，多晶硅可以提供較非晶硅更高發(fā)光亮度的液晶面板。因此多 晶硅TFT-LCD的制程技術(shù)，已逐漸成為TFT-LCD發(fā)展的趨勢。
請參照圖1，為習知技術(shù)的多晶硅薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在
玻璃基板Al上形成多晶硅層A2，且多晶硅層A2具有兩個重摻雜(heavily doped)的n+區(qū)A3、 A4，分別對應(yīng)源極(source) A5以及漏極(drain) A6。玻璃基板A1以及多晶硅層A2上并形成絕緣層A7，僅曝露出兩重 摻雜的n+區(qū)A3、 A4用以與源極A5以及漏極A6接觸的窗口。柵極A8 則形成于兩n+區(qū)A3、 A4之間的多晶硅層A2上，介于柵極A8與多晶硅 層A2之間則為柵極絕緣層(gate oxide) A9。傳統(tǒng)的制程上，由于受限 于該玻璃基板Al所能承受的溫度的限制，而無法使用高溫制程直接在該 玻璃板上長出高電子移動速度的多晶硅層。通常多晶硅層A2是由非晶硅 層經(jīng)由雷射再結(jié)晶技術(shù)所形成。其做法是先在玻璃基板A1上，采用例如 氣相沉積法沉積非晶硅層，然后再以準分子雷射退火(Excimer Laser Annealing; ELA)的方式，使非晶硅層產(chǎn)生再結(jié)晶而變成為多晶硅層。 然而，由于雷射再結(jié)晶技術(shù)在制程上并非十分穩(wěn)定，再加上要在非晶質(zhì) (amorphous)的玻璃基板上長出高質(zhì)量的結(jié)晶薄膜原本就有其先天上的 限制。因此利用雷射再結(jié)晶技術(shù)所制造出的多晶硅層均勻性差，表面粗 糙度高，容易產(chǎn)生柵極絕緣層漏電的情形，而造成薄膜晶體管組件的失 效，降低薄膜晶體管面板的可靠度。
另一種方式如臺灣專利申請案號90113766《薄膜晶體管面板的制造 方法》。在硅晶圓正面形成透明絕緣層，然后在透明絕緣層上表面形成多 晶硅薄膜，以作成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。在硅晶圓正面形成透明絕緣層的目 的在于將硅晶圓由背面研磨蝕刻除去時，該透明絕緣層當作蝕刻停止層 使用，可易于研磨蝕刻制程中的停止點(endpoint)掌控。但是此方法同 樣是采用多晶硅，仍然會有上述產(chǎn)生柵極絕緣層漏電，造成薄膜晶體管 組件失效，而降低薄膜晶體管面板可靠度的情形。
多晶硅TFT-LCD的制程技術(shù)，雖然為目前發(fā)展的趨勢，但由于多晶 硅TFT-LCD仍然有其缺點，例如容易產(chǎn)生柵極絕緣層漏電，造成薄膜晶 體管組件失效等，所以仍然具有改善的空間。然而，當硅材整體的原子 結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)規(guī)則性排列，此硅材稱之為單晶硅(singlecrystal),例如硅半導 體技術(shù)中所使用的硅晶圓即為單晶硅。由于單晶硅中硅材整體的原子結(jié) 構(gòu)排列規(guī)則，較多晶硅結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，因此將其應(yīng)用于TFT-LCD的制程中， 將可避免多晶硅所產(chǎn)生的問題。
因此，更有另一種方式為直接使用單晶硅絕緣基板(Silicon-on-insulator，簡稱SOI)，其絕緣層也可當作蝕刻停止層使用。雖然直接使用 單晶硅絕緣基板不會造成柵極絕緣層容易產(chǎn)生漏電的情形，但是，單晶 硅絕緣基板價格昂貴，導致面板的成本相對較高。
因此，實有必要提出一種新的薄膜晶體管面板的制造方法，可以同 時達到易于控制蝕刻停止、不易產(chǎn)生漏電的優(yōu)點與解決基板高成本的問 題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于解決傳統(tǒng)多晶硅薄膜晶體管質(zhì)量不佳 及使用單晶硅絕緣基板高成本的問題，而提出一種新的薄膜晶體管面板 的制造方法。
本發(fā)明的薄膜晶體管面板的制造方法是在一硅晶圓正面直接形成磊 晶層，之后再形成晶體管結(jié)構(gòu)以及透明電極。由于本發(fā)明在硅晶圓上直 接形成單晶硅的磊晶層，并于磊晶層摻雜制作晶體管薄膜，故可適用于 高溫制程，而獲得高電子移動速度以及高均勻性的薄膜晶體管，所制作 出的薄膜晶體管為單晶硅，解決多晶硅薄膜晶體管制程的缺點。
再將透明基板接合于硅晶圓正面，之后再由硅晶圓背面以濕蝕刻及 電化學蝕刻停止方式將硅晶圓蝕刻除去，并留下磊晶層，如此可獲得能 透光的薄膜晶體管面板。其中，電化學蝕刻停止方式，是利用p型半導體材料與n型半導體材料的pn接口 (pn junction)在特定電壓下進行濕 蝕刻時的蝕刻速率(etch rate)差異特性，而以使該pn接口做為蝕刻停 止層(stop layer),如此可易于掌控蝕刻制程的停止點。因此運用電化學 蝕刻停止方式的濕蝕刻制程可將p型的硅晶圓除去，而易于控制蝕刻停 止于n型的磊晶層。
本發(fā)明包含下列步驟提供硅晶圓，該硅晶圓為p型半導體材料； 形成磊晶層于硅晶圓正面，該磊晶層為n型半導體材料；形成多數(shù)個晶 體管結(jié)構(gòu)以及多數(shù)個透明電極于磊晶層層內(nèi)部與上表面；接合透明基板 于硅晶圓正面；除去硅晶圓；形成透明絕緣層于磊晶層下表面；最后， 蝕刻磊晶層曝露出透明電極。
本發(fā)明也可視需要將濾色層(color filter layer)整合于制程中，可在 接合透明基板前，先將濾色層形成于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層上。
另外，本發(fā)明也可在接合透明基板前，將黑色遮光層(black matrix layer)先形成于薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層上。黑色遮光層可定義出薄膜晶體管 面板每一圖素的透光范圍，也就是所謂的光罩(photo mask),并遮住薄 膜晶體管面板可能產(chǎn)生露光問題的部分。并在蝕刻磊晶層曝露出透明電 極時，利用背面曝光方式(亦即由透明基板側(cè)進行光線曝照)，將涂布于 磊晶層下表面的正光阻曝開。如此不需額外的光罩即能進行黃光制程， 而在磊晶層蝕出適當?shù)拈_口，將透明電極由磊晶層側(cè)曝露出來，有利于 制程的簡化，提高生產(chǎn)效率。
本發(fā)明的薄膜晶體管面板的制造方法，解決了多晶硅薄膜晶體管質(zhì) 量不佳，與使用單晶硅絕緣基板材料昂貴的缺點。達到高電子移動速度 與高可靠性的薄膜晶體管，為一種高穩(wěn)定度、高良率、高生產(chǎn)效率與低 成本的薄膜晶體管面板的制造方法。
有關(guān)本發(fā)明的較佳實施例及其功效，茲配合圖式說明如后。


圖1:習知技術(shù)的多晶硅薄膜晶體管組件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2A 2I:本發(fā)明第一實施例制造流程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3:本發(fā)明的對位標記示意圖。
圖4:本發(fā)明第一實施例，增加黑色遮光層(blackmatrix)示意圖。
圖5A 5J:本發(fā)明第二實施例制造流程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
主要組件符號說明
Al:玻璃基板
A2:多晶硅層
A3:重摻雜區(qū)
A4:重摻雜區(qū)
A5:源極
A6:漏極
A7:絕緣層
A8:柵極
A9:柵極絕緣層
10:硅晶圓
12: 幕晶層14:晶體管薄膜
16:柵極絕緣層
18:透明電極
20:柵極電極
22:層間絕緣層
24:金屬導線層
26:保護層
28:濾色層
30:透明基板
32:對位標記
34:黑色遮光層
36:接觸窗口
38:光線
40:正光阻
42:透明絕緣層
101磊晶層側(cè)102:透明基板側(cè)
具體實施例方式
本發(fā)明所揭露薄膜晶體管面板的制造方法的第一實施例，請參照圖
2A 2I的制造流程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖來加以說明。首先提及，圖中僅以硅 晶圓上的其中一個膜薄晶體管結(jié)構(gòu)及一個透明電極來做說明，熟習該項 技術(shù)者應(yīng)知，在硅晶圓上當可以同樣方式形成多數(shù)個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以 及多數(shù)個透明電極。
請參照圖2A所示，在硅晶圓(silicon wafer) 10的正面形成磊晶層 (Epitaxial layer) 12。磊晶層12的厚度約介于5微米到0.01微米之間，
為n-type半導體材料，其材質(zhì)可為單晶硅(c-Si)、單晶鍺(c-Ge)、單晶 硅鍺(c-SiGe)或其它類似的半導體材料。接著以摻雜制程(doping)在 磊晶層12形成圖案化(patterned)的晶體管薄膜14。晶體管薄膜14用 來做為薄膜晶體管的導電通道(conducting channel)。由于本發(fā)明在硅晶 圓10上直接形成單晶的磊晶層12，并于磊晶層12摻雜形成圖案化的晶 體管薄膜14，由于晶體管薄膜14為單晶半導體材料，可解決多晶硅薄膜 晶體管制程的缺點。其中該摻雜制程是在該磊晶層12摻雜形成適當?shù)脑?極區(qū)域(source region)與漏極區(qū)域(drain region),該摻雜制程應(yīng)為熟習 該項技術(shù)者所熟知，故在此不加贅述。
接著，如圖2B所示，在晶體管薄膜14上形成柵極絕緣層(gate insulator) 16。然后在柵極絕緣層16上對應(yīng)晶體管薄膜14的適當位置， 采用例如濺鍍(sputtering)的方式，形成柵極電極20與透明電極18。其 中透明電極18可為銦錫氧(ITO)透明電極，而柵極電極20可為金屬或 單晶半導體。在此步驟中透明電極18與柵極電極20的形成順序并沒有 限定，可先形成透明電極18再形成柵極電極20，或先形成柵極電極20 再形成透明電極18。
接著，如圖2C所示，形成層間緣絕層(mterlayer) 22覆蓋于透明電 極18、柵極電極20以及柵極絕緣層16上。然后如圖2D所示，可經(jīng)由 黃光與蝕刻制程開出對應(yīng)透明電極18以及晶體管薄膜14的接觸窗口。 接著在層間絕緣層22上，形成適當?shù)慕饘賹Ь€層24，以達成透明電極 18與晶體管薄膜14間的電性連接，以及晶體管薄膜14對外的電性連接。 至此，即在硅晶圓10上完成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)與相對應(yīng)的透明電極。
然后，如圖2E所示，可在金屬導線層24上形成保護層26 (passivation)。保護層26可為氧化硅或氮化硅等。接著，可將用于彩色 顯示面板的彩色濾光片整合至本發(fā)明的方法中，如圖2F所示。將濾色層
(color filter layer)28形成于保護層26上對應(yīng)透明電極18的位置。其中， 濾色層28并非必要，所以制造的步驟中也可不加入濾色層28。
接著，如圖2G所示，接合(bonding)透明基板30于硅晶圓10正 面(即形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的那一面)。其中，透明基板30可為玻璃基 板、高分子基板或其它適合的透明材質(zhì)板。
接著，如圖2H所示，由硅晶圓10的背面進行濕蝕刻，并將蝕刻停 止于硅晶圓IO與磊晶層12的接口，將不透明的硅晶圓IO除去，使磊晶 層12的下表面露出。由于硅晶圓與磊晶層之間的pn接口具有電化學的 特性，在特定電位范圍下，當蝕刻到達pn接面時，n型半導體材料的蝕 刻速度(etch rate)極低，使得蝕刻制程可易于被停止在pn半導體材料 的交接口，也就是硅晶圓10與磊晶層12的交界面。由于硅晶圓10為p 型半導體材料所以會被蝕刻除去，而磊晶層12為n型半導體材料所以會 被留下。
上述除去硅晶圓IO的步驟可以采用另一種方式。先利用化學機械研 磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)的方式，磨除部分的硅晶圓 10。因此，大部分的硅晶圓IO可藉由化學機械研磨先除去。接著再采用 濕蝕刻的方式，將尚未磨除的硅晶圓IO除去，并以電化學蝕刻停止方式， 將蝕刻停止于硅晶圓10與磊晶層12的界面，以除去硅晶圓10并留下磊 晶層12。
當除去硅晶圓10后，形成透明絕緣層42于磊晶層12的下表面。其 中，透明絕緣層42可以為氧化硅或氮化硅。
最后，如圖2I所示，蝕刻透明絕緣層42、磊晶層12、以及柵極絕緣 層16，以開出曝露透明電極18的窗口。如此，完成本發(fā)明的第一實施例
的薄膜晶體管面板。由于除去了不透光的硅晶圓io使得本發(fā)明的薄膜晶體管面板可以透光。
上述的步驟于圖2B中，可在形成柵極電極20的同時，在柵極絕緣層16上形成對位標記(alignmentkey) 32，如圖3的硅晶圓上視圖所示。 如此，在硅晶圓10被移除后，對位標記32便可由薄膜晶體管面板的磊 晶層12側(cè)顯露出。因而可有利于由磊晶層12側(cè)進行黃光制程 (photolithography)。
如上所述本發(fā)明也可不形成濾色層28。請參照圖4所示，在接合透 明基板30的歩驟前，先將黑色遮光層34形成于保護層26上。黑色遮光 層34可用以定義出薄膜晶體管面板每一圖素的透光范圍，并遮住薄膜晶 體管面板可能產(chǎn)生露光問題的部分。并且在蝕刻磊晶層曝露出透明電極 的步驟時，可利用黑色遮光層34為光罩(photomask),以背面曝光方式 (亦即由薄膜晶體管面板的透明基板側(cè)102以光線38進行曝照)，將涂 布于磊晶層12下表面的正光阻40曝開。如此，可不需額外的光罩，即 可以黃光制程在磊晶層12開出對應(yīng)透明電極18的適當?shù)拇翱?，而使?明電極18由薄膜晶體管面板的磊晶層側(cè)101曝露出，因而有利于制程的 簡化，提高生產(chǎn)效率。
請參照圖5A 5J，為本發(fā)明第二實施例制造流程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。 透明電極以及濾色層形成于薄膜晶體管面板的磊晶層側(cè)，同時也可將黑 色遮光層整合于制程中。
首先如圖5A所示，在硅晶圓10上形成磊晶層12。其中，磊晶層12 厚度約介于5微米到0.01微米之間，其材質(zhì)為n-type半導體材料，其材 質(zhì)可為單晶硅(c-Si)、單晶鍺(c-Ge)、單晶硅鍺(c-SiGe)或其它類似 的半導體材料。接著以摻雜制程在磊晶層12形成圖案化的晶體管薄膜14。
晶體管薄膜14用來做為薄膜晶體管的導電通道。
接著，如圖5B所示，在晶體管薄膜14上形成柵極絕緣層16。然后 在柵極絕緣層16上對應(yīng)晶體管薄膜14的適當位置，采用例如濺鍍的方 式形成柵極電極20。
接著，如圖5C所示，形成層間緣絕層(interiayer) 22于柵極電極 20與柵極絕緣層16上。然后如圖5D所示，可經(jīng)由黃光與蝕刻制程開出 對應(yīng)晶體管薄膜14的接觸窗口。接著在層間絕緣層22上，形成適當?shù)?金屬導線層24，以形成晶體管薄膜14的源極區(qū)域與漏極區(qū)域?qū)ν獾倪B接 線路。至此，即在硅晶圓IO上完成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。
然后，如圖5E所示，可在金屬導線層24上形成保護層26。其中保 護層26可為氧化硅或氮化硅。并可在保護層26上，形成適當圖案化的 黑色遮光層(black matrix) 34。
接著，如圖5F所示，接合透明基板30于硅晶圓IO的正面。其中， 透明基板30可為玻璃基板、高分子基板或其它適合的透明材質(zhì)板。
接著，如圖5G所示，由硅晶圓10的背面，以濕蝕刻及電化學蝕刻 停止方式，將蝕刻停止于硅晶圓10與磊晶層12的接口，將不透明的硅 晶圓10除去，使磊晶層12的下表面露出。
上述除去硅晶圓10的步驟可以先采用化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)的方式，磨除部分的硅晶圓10。接著再利 用濕蝕刻的方式，將尚未磨除的硅晶圓IO除去，并以電化學蝕刻停止方 式，將蝕刻停止于硅晶圓10與磊晶層12的界面，以除去硅晶圓10并留 下幕晶層12。
當除去硅晶圓10后，在磊晶層12的下表面形成透明絕緣層42。其 中，透明絕緣層42可為氧化硅或氮化硅等。
接著，如圖5H所示，形成濾色層28于透明絕緣層42下表面。然后， 如圖5I所示，以蝕刻方式開出該金屬導線層24的接觸窗口 36。
最后，如圖5J所示，在濾色層28上形成透明電極18。透明電極18 并藉由接觸窗口 36而與金屬導線層24相接觸，而與晶體管薄膜14達成 電性連接。其中透明電極18可為銦錫氧(ITO)透明電極。上述的步驟 中，也可不形成濾色層28，而直接將透明電極18形成于透明絕緣層42 下表面。
雖然本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容己經(jīng)以較佳實施例揭露如上，然其并非用以 限定本發(fā)明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神所作些許的更 動與潤飾，皆應(yīng)涵蓋于本發(fā)明的范疇內(nèi)，因此本發(fā)明的保護范圍當視申 請專利范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于包含下列步驟提供一硅晶圓，該硅晶圓為p型半導體材料；形成一磊晶層于該硅晶圓正面，該磊晶層為n型半導體材料；以該磊晶層為導電通道形成多數(shù)個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以及對應(yīng)該多數(shù)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的多數(shù)個透明電極；接合一透明基板于該硅晶圓正面；除去該硅晶圓；形成一透明絕緣層于該磊晶層下表面；及蝕刻曝露出該透明電極。
2、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于 其中形成該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以及該透明電極，包含下列步驟在該磊晶層形成圖案化的晶體管薄膜； 形成一柵極絕緣層覆蓋該磊晶層；在該柵極絕緣層上形成該透明電極，與對應(yīng)該晶體管薄膜的位置上 形成一柵極電極；形成一層間絕緣層覆蓋該透明電極、該柵極電極與該柵極絕緣層； 形成一金屬導線層于該層間絕緣層上；及 形成一保護層于該金屬導線層上。
3、 如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于 更包含下列步驟形成一對位標記于該柵極絕緣層上。
4、 如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于 更包含下列步驟形成一濾色層(color filter layer)于該保護層上。
5、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于其中除去該硅晶圓，包含下列步驟濕蝕刻該硅晶圓并以電化學蝕刻停止方式，將蝕刻停止于該硅晶圓 與磊晶層的界面，除去該硅晶圓并留下該磊晶層。
6、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于 其中除去該硅晶圓，包含下列步驟以化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)方式磨除 部分該硅晶圓；及濕蝕刻尚未磨除的該硅晶圓，并以電化學蝕刻停止方式，將蝕刻停 止于該硅晶圓與磊晶層的界面，除去該硅晶圓并留下該磊晶層。
7、 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于 其中接合該透明基板的步驟之前，更包含下列步驟形成一黑色遮光層(black matrix layer)于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上。
8、 一種薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于包含下列步驟 提供一硅晶圓，該硅晶圓為p型半導體材料； 形成一磊晶層于該硅晶圓正面，該磊晶層為n型半導體材料； 以該磊晶層為導電通道形成多數(shù)個薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；接合一透明基板于該硅晶圓正面； 除去該硅晶圓；形成一透明絕緣層于該磊晶層下表面；及 形成多數(shù)個透明電極于該透明絕緣層下表面。
9、 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于其中形成該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包含下列步驟在該磊晶層形成圖案化的晶體管薄膜； 形成一柵極絕緣層覆蓋該磊晶層；形成一柵極電極于該柵極絕緣層上對應(yīng)該晶體管薄膜的位置； 形成一層間絕緣層覆蓋該柵極電極與該柵極絕緣層； 形成一金屬導線層于該層間絕緣層上；及 形成一保護層于該金屬導線層上。
10、 如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于 更包含下列步驟形成一對位標記于該柵極絕緣層上。
11、 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于 其中除去該硅晶圓，包含下列步驟濕蝕刻該硅晶圓并以電化學蝕刻停止方式，將蝕刻停止于該硅晶圓 與磊晶層的界面，除去該硅晶圓并留下該磊晶層。
12、 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于 其中除去該硅晶圓，包含下列步驟以化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)方式磨除 部分該硅晶圓；及濕蝕刻尚未磨除的該硅晶圓，并以電化學蝕刻停止方式，將蝕刻停 止于該硅晶圓與磊晶層的界面，除去該硅晶圓并留下該磊晶層。
13、 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于: 其中接合該透明基板的步驟之前，更包含下列步驟形成一黑色遮光層(black matrix layer)于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)上。
14、 如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管面板的制造方法，其特征在于:其中形成該透明電極的步驟之前，更包含下列步驟形成一濾色層(color filter layer)于該透明絕緣層下表面。
全文摘要
一種薄膜晶體管面板的制造方法，包含下列步驟形成n型磊晶層于p型硅晶圓正面；形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)以及透明電極于磊晶層內(nèi)部與上表面；接合透明基板于硅晶圓正面；濕蝕刻該硅晶圓并以電化學蝕刻停止方式，除去硅晶圓并留下磊晶層；形成透明絕緣層于磊晶層下表面；蝕刻磊晶層曝露出透明電極。
文檔編號H01L21/84GK101197331SQ20061016217
公開日2008年6月11日 申請日期2006年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月7日
發(fā)明者彭成鑑, 戴遠東 申請人:廣富群光電股份有限公司