專利名稱：光散射層、結(jié)結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于電子器件的光散射層、包括所述光散射層的電結(jié)結(jié)構(gòu)(electric junction structure)及其形成方法，更具體而言，涉及一種包括納米顆粒的用于電子器件的光散射層、由保護(hù)層-光散射層-保護(hù)層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
常規(guī)薄膜晶體管器件采用在光纖內(nèi)放大信號的技術(shù)。很多研究工作集中在如何采用光學(xué)非線性效應(yīng)在光纖內(nèi)放大信號上。但是，為了提高放大靈敏度，必須使光纖增長加寬，因此增大了含有光纖的放大器主體的尺寸。在電子器件的制造極為強調(diào)微型化的今天，這一點是非常不利的。
此外，就電子電路領(lǐng)域而言，在過去的幾十年里已經(jīng)開發(fā)出了采用PNP-NPN結(jié)和Josephsen結(jié)的各種技術(shù)。PNP-NPN結(jié)與雙極晶體管結(jié)合使用，采用諸如電子和空穴的兩種載流子放大信號。Josephsen結(jié)與超導(dǎo)體結(jié)合使用。采用PNP-NPN結(jié)和Josephsen結(jié)的技術(shù)主要是電子電路領(lǐng)域的成就。在這些技術(shù)當(dāng)中，Josephsen結(jié)的制造及其在電子電路中的應(yīng)用最為常見。Josephsen結(jié)采用具有9.2K的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc的低溫超導(dǎo)體Nb和具有93K的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Tc的高溫超導(dǎo)體Y1Ba2Cu3O7-x(YBCO)。在高溫超導(dǎo)體YBCO薄膜中，在液氮的沸點之上發(fā)生超導(dǎo)轉(zhuǎn)變。由于YBCO薄膜的能隙大于低溫超導(dǎo)體內(nèi)的能隙，因此YBCO薄膜有利于應(yīng)用到高速電子電路當(dāng)中。但是，由于YBCO薄膜在其復(fù)雜的結(jié)構(gòu)的影響下對氧摻雜敏感，因此難以一致地制造大量的結(jié)，并且難以將其應(yīng)用在集成電路的制造當(dāng)中。
作為利用常規(guī)結(jié)技術(shù)采用Josephsen結(jié)的方法的例子，有人提出了一種采用YBCO的三層結(jié)結(jié)構(gòu)。這一常規(guī)技術(shù)在真空中淀積下部YBCO薄膜，采用Ar等離子體重整(reform)YBCO薄膜的表面，并連續(xù)淀積上部YBCO薄膜，由此形成了具有三層結(jié)構(gòu)的Josephsen結(jié)。但是，由于Josephsen結(jié)對復(fù)合氧化物材料的敏感性，通過這一常規(guī)方法難以復(fù)制具有Josephsen結(jié)形式的標(biāo)準(zhǔn)結(jié)，從而難以將其應(yīng)用于集成電子電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于電子器件的光散射層，其具有改善的規(guī)則性和可再現(xiàn)性。
本發(fā)明還提供了一種形成用于電子器件的光散射層的方法，所述光散射層具有改善的規(guī)則性和可再現(xiàn)性。
本發(fā)明還提供了一種包括用于電子器件的光散射層的薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)，其具有改善的規(guī)則性和可再現(xiàn)性，可以以應(yīng)用于集成電子電路當(dāng)中的適當(dāng)級別實現(xiàn)對其的規(guī)則制造，其通過光散射放大信號，并且可以將其直接應(yīng)用于微型化集成電子器件的制造。
本發(fā)明還提供了一種形成包括用于電子器件的光散射層的薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)的方法，其可以直接用來制造微型化的集成電子器件，并且所述方法簡單。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種用于電子器件的光散射層，其包括含有由Si或金屬構(gòu)成的納米顆粒的碳化物-半金屬或碳化物-金屬。所述納米顆?？梢园⊿i、Ta、W或Mo。所述光散射層可以包括由(MC)1-xMx表示的材料(其中M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種形成用于電子器件的光散射層的方法，包括在襯底上形成由(MC)1-xMx表示的層(其中，M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1)；以及對所述層進(jìn)行熱處理，從而在所述層內(nèi)生成包括M的納米顆粒。
可以在100～1000℃的溫度下執(zhí)行所述熱處理，在執(zhí)行所述熱處理的過程中可以施加激光功率。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)，包括第一保護(hù)層，其包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx構(gòu)成的集合中選出的一種碳化物(其中0＜x＜1)；光散射層，其形成于所述第一保護(hù)層上，并且具有包括納米顆粒的碳化物-半金屬或碳化物-金屬，所述納米顆粒包括Si或金屬；以及第二保護(hù)層，其形成于所述光散射層上，并且包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx構(gòu)成的集合中選出的一種碳化物(其中0＜x＜1)。
所述用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)還可以包括第一帽蓋層，其形成于所述第一保護(hù)層和所述光散射層之間，并且包括摻有硅或金屬的碳化物層；以及第二帽蓋層，其形成于所述光散射層和所述第二保護(hù)層之間，并且包括摻有硅或金屬的碳化物層。
所述第一帽蓋層和所述第二帽蓋層可以分別包括從由M1-y((ZnS)1-x(SiC)x)y、M1-y(W1-xCx)y、M1-y(Ta1-xCx)y和M1-y(Mo1-xCx)y構(gòu)成的集合中選出的一種摻雜碳化物(其中，0＜x＜1、0＜y＜1，并且M為Si、Ta、W或Mo)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種形成用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)的方法，包括在襯底上形成第一保護(hù)層，其包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx構(gòu)成的集合中選出的一種碳化物(其中0＜x＜1)；在所述第一保護(hù)層上形成光散射層，其包括(MC)1-xMx(其中，M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1)；對所述光散射層進(jìn)行熱處理，由此在所述光散射層內(nèi)產(chǎn)生包括M的納米顆粒；以及在所述光散射層上形成第二保護(hù)層，其包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx構(gòu)成的集合中選出的一種碳化物(其中0＜x＜1)。
所述形成用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)的方法還可以包括在形成所述光散射層之前在所述第一保護(hù)層上形成第一帽蓋層，所述第一帽蓋層包括摻有硅或金屬的碳化物層。此外，所述形成用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)的方法還可以包括在對所述光散射層實施所述熱處理之前在所述光散射層上形成第二帽蓋層，所述第二帽蓋層包括摻有硅或金屬的碳化物層。
在不破壞在先過程的真空狀態(tài)的情況下，在執(zhí)行形成每一層的在先過程之后，就地依次形成所述第一保護(hù)層、所述第一帽蓋層、所述光散射層和所述第二帽蓋層。
根據(jù)本發(fā)明，采用包括碳化物-半金屬或碳化物-金屬，即(MC)1-xMx(其中M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1)的光散射層實現(xiàn)微型化集成電子器件。出于這一目的，形成包括保護(hù)層-光散射層-保護(hù)層的三層結(jié)構(gòu)，形成包括保護(hù)層-帽蓋層-光散射層-帽蓋層-保護(hù)層的五層結(jié)構(gòu)，由此使在光散射層內(nèi)生成納米顆粒變得容易，并防止產(chǎn)生不規(guī)則結(jié)，所述不規(guī)則結(jié)有可能產(chǎn)生于保護(hù)層-帽蓋層-光散射層的每一界面內(nèi)。此外，在采用所述的包括光散射層的結(jié)結(jié)構(gòu)制造光散射薄膜晶體管時，所述薄膜晶體管的信號放大效果是現(xiàn)有的雙極晶體管的信號放大效果的60倍或更高，可以通過顯著降低結(jié)結(jié)構(gòu)的厚度制造微型化的集成電子電路。


通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點將變得顯而易見，附圖中圖1A到圖1G是按順序過程示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)的形成方法的截面圖，所述薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)包括用于電子器件的光散射層。
具體實施例方式
在下文中，將參考附圖更為充分地描述本發(fā)明，附圖中展示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖1A到圖1G是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)的形成方法的截面圖，所述薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)包括可以應(yīng)用于電子器件當(dāng)中的光散射層。
參考圖1A，襯底10包括從由GaN、Al2O3、SiC、ZnO、LiAlO2、LiGaO2、MgO和SrTiO3或者其組合構(gòu)成的集合中選出的任何一種。
在襯底10上形成第一保護(hù)層20。第一保護(hù)層20包括碳化物，其形成厚度為10～300nm左右。第一保護(hù)層20包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx(其中，各x均滿足0＜x＜1)構(gòu)成的集合中選出的至少一種碳化物。
參考圖1B，在第一保護(hù)層20上形成第一帽蓋層30。
第一帽蓋層30包括摻有Si或金屬的碳化物層，其形成厚度為大約0.5～2nm。例如，第一帽蓋層30包括從由M1-y((ZnS)1-x(SiC)x)y、M1-y(W1-xCx)y、M1-y(Ta1-xCx)y和M1-y(Mo1-xCx)y(其中，0＜x＜1、0＜y＜1，M為Si、Ta、W或Mo)構(gòu)成的集合中選出的至少一種摻雜碳化物。
參考圖1C，在第一帽蓋層30上形成光散射層(light scattering layer)40。光散射層40包括碳化物-半金屬(semimetal)或碳化物-金屬，即(MC)1-xMx(其中，M為Si、Ta、W或Mo，0＜x＜1)。
形成第一保護(hù)層20和第一帽蓋層30的材料(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx與形成光散射層40的材料(MC)1-xMx具有相同的晶體結(jié)構(gòu)，并且具有幾乎相同的晶格常數(shù)，從而確保光散射層40的外延生長是沿直線前進(jìn)的(straightforward)。此外，形成光散射層40的原子M，即Si、Ta、W和Mo，具有非常短的擴散距離，因而有可能利用低功率激光產(chǎn)生納米量級的光散射顆粒。
將光散射層40形成為具有大約2～50nm的厚度。
參考圖1D，采用與參考圖1B描述的第一帽蓋層30的形成方法相同的方式在光散射層40上形成第二帽蓋層50。將第二帽蓋層50形成為具有大約0.5～2nm的厚度。例如，第二帽蓋層包括從由M1-y((ZnS)1-x(SiC)x)y、M1-y(W1-xCx)y、M1-y(Ta1-xCx)y和M1-y(Mo1-xCx)y(其中，0＜x＜1、0＜y＜1，M為Si、Ta、W或Mo)構(gòu)成的集合中選出的至少一種摻雜碳化物。
通過諸如濺射、脈沖激光淀積、化學(xué)氣相淀積、雙離子束淀積、電子束蒸發(fā)或旋涂的方法形成按照參考圖1A到圖1D的描述形成的第一保護(hù)層20、第一帽蓋層30、光散射層40和第二帽蓋層50。為了在形成第一保護(hù)層20、第一帽蓋層30、光散射層40和第二帽蓋層50所采用的淀積過程中獲得外延多層結(jié)構(gòu)，采用處于25～400℃的處理溫度。
此外，在不破壞每一在先過程中的真空狀態(tài)的情況下，就地(in-situ)依次淀積第一保護(hù)層20、第一帽蓋層30、光散射層40和第二帽蓋層50。這種就地形成第一保護(hù)層20、第一帽蓋層30、光散射層40和第二帽蓋層50的方法不允許這些層在其形成過程中暴露至空氣當(dāng)中，由此防止了由污染引起的結(jié)不規(guī)則，并提高了采用這種方法形成的結(jié)的可再現(xiàn)性。因此，可以在沒有污染的情況下，采用相對直接的方法以良好的可再現(xiàn)性形成可用于集成電子電路中的保持一致的結(jié)。
參考圖1E，在形成第二帽蓋層50之后，對圖1D所示的所得結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱處理60，由此生成光散射層40內(nèi)的納米顆粒42，所形成的納米顆粒42用于對光進(jìn)行散射。納米顆粒42具有幾納米到幾十納米的平均直徑，并且包括從由形成光散射層40的材料(即Si、Ta、W和Mo)構(gòu)成的集合中選出的一種材料。
在大約100～1000℃的溫度下執(zhí)行熱處理60。在執(zhí)行熱處理60時，可以向包括光散射層40的結(jié)構(gòu)施加具有大約1～20mW的功率的激光。向光散射層40施加激光加速了納米顆粒42的產(chǎn)生，所形成的納米顆粒42的作用在于對光進(jìn)行散射。
之后，對熱處理60之后所得的結(jié)構(gòu)的第二帽蓋層50、光散射層40和第一帽蓋層30進(jìn)行構(gòu)圖，由此形成具有預(yù)期圖案的布線電路結(jié)構(gòu)(未示出)。通過普通光刻工藝和離子銑削(ion milling)工藝執(zhí)行構(gòu)圖。在執(zhí)行形成布線電路結(jié)構(gòu)的構(gòu)圖過程時，如果有必要也可以對第一保護(hù)層20構(gòu)圖。
參考圖1F，采用與參考圖1A描述的第一保護(hù)層20的形成方法相同的方式在第二帽蓋層50上形成第二保護(hù)層70。所形成的第二保護(hù)層70具有大約10～300nm的厚度。第二保護(hù)層70包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx(其中，各x均滿足0＜x＜1)構(gòu)成的集合中選出的至少一種碳化物。通過濺射法、脈沖激光淀積法、化學(xué)氣相淀積、雙離子束淀積法、電子束蒸發(fā)法或旋涂法形成第二保護(hù)層70。在執(zhí)行形成第二保護(hù)層70的淀積過程時，采用大約25～400℃的處理溫度。
參考圖1G，去除第二保護(hù)層70和第二帽蓋層50的部分以暴露光散射層40的上表面的一部分。之后，在光散射層40的暴露部分上形成電極焊盤80。電極焊盤80包括，例如，Pt、Ag、Mg、In、Al、Au、Ag、W、Mo、Ta、Ti、Co、Ni或Pd。
在根據(jù)本發(fā)明的實施例的包括可用于電子器件當(dāng)中的光散射層的薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)的形成方法中，可以不執(zhí)行圖1B和圖1D所示的形成第一帽蓋層30和第二帽蓋層50的過程。
如上所述，根據(jù)本實施例的包括用于電子器件的光散射層的薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)為P-L-P結(jié)，所述P-L-P結(jié)是采用保護(hù)層(P)-光散射層(L)-保護(hù)層(P)的結(jié)結(jié)構(gòu)，以及采用光散射層40形成的，光散射層40包括碳化物-半金屬或碳化物-金屬，即(MC)1-xMx(其中，M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1)。就地執(zhí)行P-L-P結(jié)的形成過程，并且依次生長所有的層。由于就地依次淀積多個層，因而防止了各層由于受到暴露而被空氣污染，由此能夠形成更具有可再現(xiàn)性的結(jié)結(jié)構(gòu)。
此外，在按照圖1A到圖1G圖示的過程形成由保護(hù)層-帽蓋層-光散射層-帽蓋層-保護(hù)層構(gòu)成的五層結(jié)構(gòu)時，在光散射層內(nèi)更易于生成納米顆粒，從而更易于避免形成不規(guī)則結(jié)，這種不規(guī)則結(jié)很可能形成于由保護(hù)層-帽蓋層-光散射層構(gòu)成的結(jié)結(jié)構(gòu)內(nèi)的層與層之間。這是因為在保護(hù)層和帽蓋層之間形成了避免產(chǎn)生成分不規(guī)則性的化學(xué)配比(stoichiometric)層。在采用圖1G所示的結(jié)結(jié)構(gòu)制造光散射薄膜晶體管時，其信號放大效果比現(xiàn)有雙極晶體管的信號放大效果強大約60倍以上。此外，由于所述結(jié)結(jié)構(gòu)的總厚度為大約十納米到幾百納米，因此有可能采用本發(fā)明的結(jié)結(jié)構(gòu)制造微型化電子電路。
根據(jù)本發(fā)明，采用包括碳化物-半金屬或碳化物-金屬，即(MC)1-xMx(其中M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1)的光散射層實現(xiàn)微型化集成電子器件。在包括生成納米顆粒的碳化物-半金屬材料或碳化物-金屬材料的光散射層中，由于Si、Ta、W或Mo原子能夠與碳良好地成鍵，因此易于實現(xiàn)材料的適當(dāng)定量比。而且，由于所述層具有良好的規(guī)則性和可再現(xiàn)性，因此相對較容易實現(xiàn)結(jié)結(jié)構(gòu)。在包括所述光散射層的保護(hù)層-光散射層-保護(hù)層三層結(jié)結(jié)構(gòu)的制造方法中，就地依次生長每一層，由此防止層暴露于空氣當(dāng)中并受到污染，由此以高可再現(xiàn)性完成結(jié)的制造。此外，保護(hù)層-帽蓋層-光散射層-帽蓋層-保護(hù)層的五層結(jié)結(jié)構(gòu)使得在光散射層內(nèi)生成納米顆粒更為容易，并防止了在保護(hù)層-帽蓋層-光散射層內(nèi)的每一界面處形成不規(guī)則結(jié)。這是因為可以在保護(hù)層和帽蓋層之間形成避免產(chǎn)生成分不規(guī)則性的化學(xué)配比層。在采用根據(jù)本發(fā)明實施例的包括光散射層的結(jié)結(jié)構(gòu)制造光散射薄膜晶體管時，其信號放大效果比現(xiàn)有雙極晶體管的信號放大效果強大約60倍以上。此外，由于所述結(jié)結(jié)構(gòu)的總厚度大約為十納米到幾百納米，因此有可能制造出微型化的集成電子電路。
盡管已經(jīng)參考其示范性實施例特別展示和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將要理解，可以在其中做出多種形式和細(xì)節(jié)上的變化而不脫離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍。
本申請要求2005年12月8日提交的韓國專利申請No.10-2005-0119474和2006年4月4日提交的韓國專利申請No.10-2006-0030508的權(quán)益，在此將其全文引入以供參考。
權(quán)利要求
1.一種用于電子器件的光散射層，其包括具有碳化物-半金屬或碳化物-金屬的層，所述碳化物-半金屬或碳化物-金屬含有包括Si或金屬的納米顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光散射層，其中，所述納米顆粒包括Si、Ta、W或Mo。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光散射層，其中，所述層包括由(MC)1-xMx表示的材料，其中，M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1。
4.一種形成用于電子器件的光散射層的方法，包括在襯底上形成由(MC)1-xMx表示的層，其中，M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1；以及對所述層進(jìn)行熱處理，由此在所述光散射層內(nèi)產(chǎn)生包括M的納米顆粒。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在100～1000℃的溫度下執(zhí)行所述熱處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，在實施所述熱處理的過程中，向所述層上照射激光。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在執(zhí)行所述熱處理的過程中施加具有1～20mW的功率的激光。
8.一種用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)，包括第一保護(hù)層，其包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx構(gòu)成的集合中選出的一種碳化物，其中0＜x＜1；光散射層，其形成于所述第一保護(hù)層上，并且具有包括納米顆粒的碳化物-半金屬或碳化物-金屬，所述納米顆粒包括Si或金屬；以及第二保護(hù)層，其形成于所述光散射層上，并且包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx構(gòu)成的集合中選出的一種碳化物，其中0＜x＜1。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)結(jié)構(gòu)，還包括第一帽蓋層，其形成于所述第一保護(hù)層和所述光散射層之間，并且包括摻有硅或金屬的碳化物；以及第二帽蓋層，其形成于所述光散射層和所述第二保護(hù)層之間，并且包括摻有硅或金屬的碳化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的結(jié)結(jié)構(gòu)，其中，所述第一和第二帽蓋層包括從由M1-y((ZnS)1-x(SiC)x)y、M1-y(W1-xCx)y、M1-y(Ta1-xCx)y和M1-y(Mo1-xCx)y構(gòu)成的集合中選出的一種摻雜碳化物，其中，0＜x＜1、0＜y＜1，并且M為Si、Ta、W或Mo。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)結(jié)構(gòu)，其中，所述襯底包括從由GaN、Al2O3、SiC、ZnO、LiAlO2、LiGaO2、MgO和SrTiO3構(gòu)成的集合中選出的一種材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)結(jié)構(gòu)，其中，所述光散射層具有2～50nm的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)結(jié)構(gòu)，其中，所述第一和第二保護(hù)層具有10～300nm的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的結(jié)結(jié)構(gòu)，其中，所述第一和第二帽蓋層具有0.5～2nm的厚度。
15.一種形成用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)的方法，包括在襯底上形成第一保護(hù)層，其包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx構(gòu)成的集合中選出的一種碳化物，其中0＜x＜1；在所述第一保護(hù)層上形成光散射層，其包括(MC)1-xMx，其中，M為Si、Ta、W或Mo，并且0＜x＜1；對所述光散射層進(jìn)行熱處理，由此在所述光散射層內(nèi)產(chǎn)生包括M的納米顆粒；以及在所述光散射層上形成第二保護(hù)層，其包括從由(ZnS)1-x(SiC)x、W1-xCx、Ta1-xCx和Mo1-xCx構(gòu)成的集合中選出的一種碳化物，其中0＜x＜1。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括在形成所述光散射層之前在所述第一保護(hù)層上形成第一帽蓋層，所述第一帽蓋層包括摻有硅或金屬的碳化物；以及在對所述光散射層實施所述熱處理之前在所述光散射層上形成第二帽蓋層，所述第二帽蓋層包括摻有硅或金屬的碳化物。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在執(zhí)行形成每一層的過程之后不破壞真空狀態(tài)的情況下，就地依次形成所述第一保護(hù)層、所述第一帽蓋層、所述光散射層和所述第二帽蓋層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在25～400℃的溫度下形成所述第一保護(hù)層、所述第一帽蓋層、所述光散射層和所述第二帽蓋層。
全文摘要
提供了一種包括納米顆粒的用于電子器件的光散射層、包括所述光散射層的用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)和及其形成方法。一種用于電子器件的光散射層包括含有由Si或金屬構(gòu)成的納米顆粒的碳化物－半金屬或碳化物－金屬。在根據(jù)本發(fā)明實施例的用于薄膜晶體管的結(jié)結(jié)構(gòu)內(nèi)，在包括(ZnS)
文檔編號H01L39/24GK1979909SQ20061016311
公開日2007年6月13日 申請日期2006年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月8日
發(fā)明者金相俠 申請人:韓國電子通信研究院