專利名稱：同軸電纜的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種柔軟穩(wěn)相的同軸電纜。
背景技術：
隨著現(xiàn)代電子技術的飛躍發(fā)展，尤其是軍事電子學的迅猛發(fā)展，對電纜的相位溫度穩(wěn)定性提出了更高的使用要求，其使用頻率已從分米波發(fā)展到厘米波、毫米波，其使用環(huán)境也更為嚴酷，因而發(fā)展出多種結構形式的穩(wěn)相電纜產品，在相控陣雷達、軍用電子戰(zhàn)裝備、數字化高級電子系統(tǒng)等領域獲得了越來越廣泛的應用。
聚四氟乙烯(PTFE)廣泛用作高性能同軸電纜組件的非傳導傳播介質，由于PTFE固有的物理性能，在+18℃(65F)左右材料會發(fā)生分子相變，材料的介電常數將會發(fā)生“階梯函數”變化，在溫度—相位曲線圖上會出現(xiàn)“膝蓋”現(xiàn)象，從而使得使用PTFE的電纜的穩(wěn)定性僅僅能減小到有限程度。這樣從尋找新型材料出發(fā)是另一條解決辦法的路子。很快，二氧化硅介質也被非常成功使用了。但用SiO2作為介質就不可能生產柔軟電纜。這類電纜只能生產成剛性、半剛性結構。

發(fā)明內容本實用新型的目的是解決現(xiàn)有電纜存在的“膝蓋”現(xiàn)象及彎曲性能問題，提供一種具有極低的相位溫度變化、低損耗、重量輕、柔軟同軸電纜。
為此，本實用新型采取以下技術方案一種同軸電纜，由內向外依次由同軸的內導體、絕緣層、外導體和護套層復合而成，所述絕緣層內設有微孔，所述微孔的孔徑不超過50微米。
所述內導體的外表面鍍有銀層。
所述的外導體的外表面鍍有銀層。
所述絕緣層內的微孔規(guī)則排布。
所述外導體包括有鍍銀銅帶層和鍍銀銅絲層，所述鍍銀銅帶為繞包結構，所述鍍銀銅絲層包覆在鍍銀銅帶層表面。
所述絕緣層采用微孔聚四氟乙烯。
所述的護套層采用氟化乙丙稀。
本實用新型的優(yōu)點是1、絕緣層內布滿孔徑為10-50微米的、排布均勻的微孔，大大改變了產品性能，其絕緣性能及溫度變化穩(wěn)定性好，有效避免或削弱了“膝蓋”現(xiàn)象；2、在內外導體的外表面鍍上銀層，同步降低了衰減損耗；3、外導體采用繞包加編織形式，結構簡單，彎曲性能好。


圖1為本實用新型剖視圖。
具體實施方式
參照附圖1，一種同軸電纜，由內向外依次由同軸的內導體1、絕緣層2、外導體和護套層4復合而成，所述絕緣層內設有微孔，所述微孔的孔徑不超過50微米。所述內導體的外表面鍍有銀層。所述的外導體的外表面鍍有銀層。所述外導體包括有鍍銀銅帶層31和鍍銀銅絲層32，所述鍍銀銅帶為繞包結構，所述鍍銀銅絲層包覆在鍍銀銅帶層表面。所述絕緣層內的微孔排布均勻。所述絕緣層采用微孔聚四氟乙烯。所述的護套層采用氟化乙丙稀。
權利要求1.一種同軸電纜，由內向外依次由同軸的內導體、絕緣層、外導體和護套層復合而成，其特征在于所述絕緣層內設有微孔，所述微孔的孔徑不超過50微米。
2.如權利要求1所述的同軸電纜，其特征在于所述內導體的外表面鍍有銀層。
3.如權利要求2所述的同軸電纜，其特征在于所述的外導體的外表面鍍有銀層。
4.如權利要求3所述的同軸電纜，其特征在于所述絕緣層內的微孔規(guī)則排布。
5.如權利要求4所述的同軸電纜，其特征在于所述外導體包括有鍍銀銅帶層和鍍銀銅絲層，所述鍍銀銅帶為繞包結構，所述鍍銀銅絲層包覆在鍍銀銅帶層表面。
6.如權利要求1～5之一所述的同軸電纜，其特征在于所述絕緣層采用微孔聚四氟乙烯。
7.如權利要求6所述的同軸電纜，其特征在于所述的護套層采用氟化乙丙稀。
專利摘要一種同軸電纜，由內向外依次由同軸的內導體、絕緣層、外導體和護套層復合而成，所述絕緣層內設有微孔，所述微孔的孔徑不超過50微米。所述內導體的外表面鍍有銀層。所述的外導體的外表面鍍有銀層。所述絕緣層內的微孔規(guī)則排布。所述外導體包括有鍍銀銅帶層和鍍銀銅絲層，所述鍍銀銅帶為繞包結構，所述鍍銀銅絲層包覆在鍍銀銅帶層表面。本實用新型絕緣層內布滿孔徑為10－50微米的、排布均勻的微孔，大大改變了產品性能，其絕緣性能及溫度變化穩(wěn)定性好，有效避免或削弱了“膝蓋”現(xiàn)象；在內外導體的外表面鍍上銀層，同步降低了衰減損耗；外導體采用繞包加編織形式，結構簡單，彎曲性能好。
文檔編號H01B3/44GK2916862SQ20062010313
公開日2007年6月27日 申請日期2006年4月28日 優(yōu)先權日2006年4月28日
發(fā)明者丁宗富, 杜柏林, 陳曉霖, 于賢明, 朱家興, 童孌明, 張國慶 申請人:浙江天杰實業(yè)有限公司