專利名稱：包括設置在凹部中的led的光源的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光源，其包括具有第一側和相對的第二側的基 板，設置在所述基板的所述第一側中的至少一個凹部，至少部分設置 在所述基板上的電路，以及至少一個設置在所述至少一個凹部中并與 所述電路連接的LED。
背景技術：
當前考慮采用高效和高亮度的LED陣列作為光源。為了使其可行， 必須將多個單獨的LED以細微的間距組裝在基板上。
在多個LED應用中，幾個LED以細微間距位于基板上的，還希望 避免LED之間的串擾，即從多個LED側壁發(fā)出的光與相鄰LED (任選 不同顏色)相耦合并且在那里#1吸收。
防止LED之間串擾的一種方法是將LED放置在凹部中，使得凹部 的壁防止LED之間的串擾。
例如，已經建議在單獨的LED周圍用光刻法(lithographically)
構建壁以防止串擾。
在多個LED應用中存在的另一個問題是LED且特別是高功率的LED
在發(fā)射光時耗散大量的熱能。
所述熱耗散呈現了對LED能夠工作多長時間或LED可以用何種功 率工作的限制。因此， 一定非常希望獲得從LED發(fā)出的良好熱傳輸。
EP125 365 0A中描述了 一種解決相鄰LED之間熱耗散和串擾問題的 方法，其涉及一種光源，該光源包括基板和平臺，所述基板限定在笫 一側和相對的笫二側之間延伸的孔，所述平臺覆蓋鄰近笫一表面的孔 的開口。通過將LED放置在基板的孔中，解決了位于分離的孔中的相 鄰LED之間的串擾。通過將LED安置設置于基板一側上的平臺上，該
成而不影響熱通路。
然而，在這個方法中，需要在基板的背側上設置這個平臺并且關 注LED與該適當地由金屬化合物制成的平臺電絕緣。這就使得附加的
制造步驟有必要，這是不想要的。
因此，仍然需要一種基于LED的發(fā)光裝置，其易于制造并可以提 供改進的遠離LED的熱傳輸。特別是，需要這種在相鄰LED之間的串 擾減少的裝置。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個目的是克服至少一部分現有技術的問題，并提供一 種使單獨的LED之間的串擾減小并使散熱得以改進的多LED光源。
因此，在本發(fā)明的一個方面中提供一種光源，其包括具有第一側 和相對的第二側的基板。在所述基板的第一側中設置至少一個凹部， 在所述基板上設置電路，并且在所述至少一個凹部中設置至少一個 LED，并使所述LED與所述電路連接。該LED和該電路與該基板電絕緣。
在本發(fā)明的光源中，至少一個凹部的表面是連續(xù)的并且與一個接 一個的基板材料(substrate-by-substrate material)的第二側物 理分離。
本發(fā)明的一個優(yōu)點是將LED設置于基板的凹部中可以減少在分離 的凹部中的相鄰LED之間的串擾。
另一個優(yōu)點是減小了 LED和第二側之間的熱通路，并由此減小了 熱阻，使得更好地散熱。
再一個優(yōu)點是或者是電介質基板材料或是具有電絕緣表面層的導 電或半導電材料的基板材料使設置于凹部中的LED與基板的第二側電 絕緣。
在本發(fā)明的實施例中，將散熱片設置在所述基板的第二側上，通 過基板材料，LED與所述散熱片至少部分地熱接觸，其中所述基板材料 將凹部的表面與基板的第二側分離開。
根據該實施例的光源的一個優(yōu)點是由于LED與散熱片之間的電介 質基板材料，散熱片會與LED電絕緣，并且這避免了對LED和散熱片 之間的額外絕緣層的需求。
所述實施例的另 一個優(yōu)點是散熱片通過形成凹部底部的基板材料 的薄壁與LED熱接觸。
在本發(fā)明的實施例中，凹部的側壁或至少部分凹部側壁是錐形 的，使得朝向基板第一側的開口比凹部的底部區(qū)域大。優(yōu)選地，朝向 基板第一側向外呈錐形的該側壁是反射表面。
所述實施例的優(yōu)點是凹部中的LED發(fā)射的光通過朝向基板第一側 的開口而從凹部中傳輸出來，即使光沿著平行于基板的表面的方向發(fā) 射或者向下發(fā)射到凹部中。這提高了光源的效率。
在本發(fā)明的實施例中，將光學元件，例如透鏡，準直器和/或顏色 轉換器，設置于覆蓋凹部的基板的第一側上，并由此將任意的LED設 置于該凹部中以接收至少部分由該LED發(fā)射的光。
在本發(fā)明的實施例中，上述光學元件包括凹部，光源的基板設置 在該凹部中。
所述實施例的優(yōu)點是所述凹部使得光學元件可以簡單地以預定位 置和/或取向設置于基板上。另一個優(yōu)點是光學元件沿著基板的外圍側 面向下延伸的部分可以收集LED以傾斜的角度或平行于基板表面發(fā)出 的光。這樣提高了光源的效率，因為使更多的出射光得到利用。
在本發(fā)明的實施例中，LED通過基板的第二側連接到或可以連接到 LED驅動器，即具有位于基板第二側上的部分并與LED連接的電路。該 位于基板的第一側上的LED與基板的第二側之間的連接可以通過例如 從第一到第二側的孔或者通過基板的邊緣側來實現。
所述實施例的優(yōu)點是可以將任選地設置在基板的頂部的元件，例 如光學透鏡，濾色器和準直器等，設計成具有沿著基板邊緣側向下延 伸的部分而不會妨礙光源與LED驅動器的連接。所述的一個例子是上 述具有凹部的光學元件，基板設置在該凹部中。
在本發(fā)明的實施例中，LED和電路之間的連接位于所述凹部內。
所述實施例的優(yōu)點是如果LED的上表面位于基板第一側平面的下 面，那么例如上面所描述的光學元件可以直接設置于基板的表面上。
在本發(fā)明的實施例中，發(fā)光化合物設置于所述凹部中，至少部分 覆蓋在凹部中設置的LED以接收由該LED發(fā)出的光。
這種發(fā)光化合物可以用于將由LED發(fā)出的光的顏色轉變?yōu)椴煌?顏色。
所述實施例的優(yōu)點是發(fā)光化合物可以設置為覆蓋LED的頂部和側 面。這使得LED發(fā)出的基本上所有的光在發(fā)出光源之前都會經過發(fā)光 化合物由此具有良好的效率。
所述實施例的另一個優(yōu)點是發(fā)光化合物在凹部中的設置不會影響 在基板的頂部上設置光學元件的可能性，如上所述。
6在本發(fā)明的實施例中，第一 LED設置于第一凹部中且第二 LED設 置于第二凹部中。
所述實施例的優(yōu)點是減小了設置于分離的凹部中的LED之間的串 擾，使得更好地控制由光源發(fā)出的全部的光。
所述實施例的另一個優(yōu)點是每個凹部為發(fā)光化合物提供輪廓分明 的沉積區(qū)域，并且相鄰的凹部可以填充具有低交叉污染風險的不同的 發(fā)光化合物。由此，利用這個方法和僅具有一種顏色的多個LED但是
在本發(fā)明的實施例中，基板包括具有電絕緣表面層的導電或半導 電材料，該電絕緣表面層使至少LED和電路與基板絕緣。在散熱片是 導電材料的情況下，有利的是散熱片也通過這樣的電絕緣表面層與基 板絕緣。
這種半導電材料的例子包括硅，其具有相當高的導熱性。硅可以 使得LED與散熱片之間的熱接觸良好，相對便宜，并且能夠很容易與 薄的電絕緣層電絕緣，例如與熱生長的Si02層電絕緣，同時提供在凹 部表面和基板的第二側之間的所希望的絕緣。此外，如果采用硅，可 以將有源電路，例如晶體管，二極管(例如光電二極管)和熱傳感器 等集成在基板中。
在本發(fā)明的實施例中，凹部的表面和基板的第二側由至少10-100 pm、優(yōu)選25 - 75 的基板材料分離開。
在這個范圍內的厚度使得通過基板的熱傳輸良好并且與此同時， 整個結構的機械穩(wěn)定性良好。
現在將參照顯示本發(fā)明示例性實施例的附圖更加詳細地描述本發(fā) 明的這個方面和其它方面，其中不同附圖中共同的特征具有相同的附 圖標記，且附圖并非照尺寸繪制。


圖1示出根據本發(fā)明的光源的一部分的橫截面。
圖2示出根據本發(fā)明的光源的透視圖。
圖2a示出設置在LED之前的基板。
圖2b示出在凹部中提供有LED的圖2a中的基板。
具體實施例方式
在圖1中示出了根據本發(fā)明的光源的示意性實施例。
提供硅基板l，具有Si02的電絕緣表面層10，且在基板的前側提 供凹部2。在凹部2中設置發(fā)光二極管(LED) 3。該凹部2是錐形的， 具有比底部區(qū)域大的開口區(qū)域。
LED3與電路4連接，設置在基板1上并位于凹部2中。LED3和 電路4之間的連接由LED底側上的焊塊來提供。
電路4經過基板的一個側邊緣，并通過在基板1背側上的接觸來 連接到LED驅動單元6。
設置光準直器8以便準直由LED3發(fā)出的光，并且該光準直器包括 凹部，在該凹部中設置基板1，使得該準直器8部分地沿著基板1的邊 緣側向下延伸。
散熱片9也設置在基板的背側，處于與LED3的位置對應的位置， 以便將LED所散發(fā)的熱遠離光源的熱敏部件傳輸，例如LED3本身。
在圖l所示的實施例中，基板l是硅基板。由于硅是半導電材料， 因此基板的表面提供有Si02的絕緣層IO來將電路、LED和該光源的其 它部件絕緣以避免短路。Si(h是硅基板上絕緣層的很有吸引力的候
珪材料的相;高二"導性。對本:域:術人員二ir很明顯，也可以
使用其它基板材料。例如，可以使用本領域技術人員公知的介電基板 材料，如像AL03或A1N的陶資基板，且在這種情況下，可以省略電絕 緣層IO。此外，可以提供具有電絕緣表面層的其他導電或半導電材料 可以用作本發(fā)明光源中的基板材料。
提供具有絕緣表面層的半導電或導電基板材料的方法對于本領域 技術人員是公知的。在硅基板的情況下，這種方法包括在硅基板的表 面上生長(例如熱學地)氧化層(即提供表面改性)的方法，以及沉 積氧化層(即提供涂層)的方法。因此，絕緣表面層包括表面改性和 涂層。
在半導電或導電基板材料的情況下，至少電路和LED與基板絕緣， 但是通常，基本上整個基板都被提供具有絕緣表面。
通常，基板大約是200 Mm厚，但是該厚度可以隨著例如LED的類
型和厚度以及所使用的區(qū)域而大范圍地變化。
基板1中的凹部2通常通過從該基板中除去材料來形成，例如通 過蝕刻或鉆孔。該凹部對于基板的前側是敞開的，并且該凹部的表面
是連續(xù)的，在該意義上其不受向基板背側的開口的限制。
凹部的深度通常是這樣的，使得存在范圍在10-lOOym,例如25 -75 n m范圍中的基板材料，該基板材料將凹部的最深點與基板的背側 相分離。這種厚度的基板材料可以在LED和散熱片之間的熱通路中提 供低的熱阻。這種厚度的基板材料還在安裝的LED的位置處提供良好 的機械穩(wěn)定性。
該凹部通常具有錐形的形狀，該錐形具有比底部區(qū)域大的開口區(qū) 域。這導致凹部的側壁朝著前側向外傾斜。通過將該凹部中的基板材 料處理成為反射性表面或通過將該側壁涂敷反射性涂層，該側壁還可 以是反射性的。即使光本來是朝向側壁發(fā)出的，但是由于凹部中LED 發(fā)出的光被反射出凹部，因此反射性側壁提高了光源的效率。
通常，凹部的深度使得設置在凹部中的LED的頂側低于基板前側 的平面。因此凹部起到準直器的作用，且在平行于基板平面的方向上 發(fā)出的光或者被反射出該凹部或者由基板材料所吸收。
設置于凹部2中的LED3可以是本領域技術人員公知的任何類型的
LED。
如這里所使用的，術語"發(fā)光二極管"或"LED"包括所有類型的 發(fā)光二極管，包括激光二極管，無機基LED和有機LED，如聚LED和 OLED，其能夠發(fā)射從紅外線到紫外線的波長或波長間隔的光。
在本申請的上下文中，下面兩種類型的LED之間存在區(qū)別(i) 具有與位于LED—側上的陽極和陰極相連的兩個連接器的LED( —般稱 作"倒裝晶片"LED)和(ii )具有與位于LED兩側的陽極和陰極相連 的連接器的LED (這里表示"引線接合，，LED)。
這兩種類型的LED都適用于本發(fā)明。然而，在本發(fā)明的某些應用 中，優(yōu)選"倒裝晶片，，型，因為這種類型呈現基本上平坦的前表面并 具有起伏不大的外形(lowprofile)。目前，在"倒裝晶片"設計中 可以提供藍色和綠色LED而在"引線接合"設計中只能提供紅色LED。
將電路4設置在基板1上以便為LED提供接觸區(qū)域并且為連接到 LED驅動器提供接觸區(qū)域。通常，該電路4由通過本領域技術人員公知 的方法施加在基板上的導電圖形構成。該電路一般使用的材料包括例 如Al， Cu， Au， Ag等的導電金屬，以及包括這樣的金屬的導電合金和化 合物，還包括導電的非金屬化合物。 在凹部中以及在凹部周圍的電路的設計取決于將要與該電路連接
的LED的類型。通常，對于"倒裝晶片"LED,可以將用于LED的陽極 和陰極的連接設置于凹部的底部中，形成"腳印"，LED與該"腳印" 適配并與其連接。對于"引線接合，，LED,可以將用于陽極的連接設置 于凹部的底部中，而用于陰極的連接(金屬線)提供在到凹部的邊緣 上。然而，如果該凹部足夠大，那么還可以將用于陰極的連接提供在 凹部的底部或側壁上。
在本發(fā)明的一些實施例中，該電路通過基板的背側連接或可連接 到LED驅動單元。如圖1所示，該電路設置在基板的前側上，沿著基 板的邊緣側向下直到背側。解決該問題的一種可選擇的方法是將該電 路設置在從基板的前側到背側的孔中。
在背側上設置部分電路提供光源與副底座(sub-mount)的簡單連 接。此外，其也允許光學元件，如圖1中所示的準直器，沿著基板的 邊緣側向下延伸。
在基板上設置多個LED的情況中，或者在相同的凹部或者在分離 開的凹部中，電路都可以為每個LED提供單獨尋址。
在例如硅基板的情況下，可以通過集成電路的制造領域中公知的 方法在硅基板材料中結合電路的有源部件，例如晶體管，二極管和傳 感器。
通常使用一般公知的導電焊接材料，通過焊接將該LED與電路相 連接。
LED驅動單元6為其所連接的LED提供驅動電壓，該LED驅動單 元6是本領域技術人員公知的任意類型。如果需要，LED驅動單元可 以允許各個LED的單獨尋址。
如圖1中所示，準直器8設置于基板1上以便準直由LED3發(fā)出的 光。然而，其它光學元件也可以單獨地或與其它光學元件結合地設置 在該基板上。這種光學元件包括，但是不局限于，透鏡，濾色器，色 彩轉換器，漫射器等。例如可以將用于使光聚焦的透鏡設置于準直器 的頂部上，首先收集由該裝置發(fā)射的光并隨后將其沿某一方向引導或 將其聚焦在某點上。
可以提供濾色器來選擇由光源發(fā)出的某 一 波長或波長間隔。
色彩轉換器可以用于將LED發(fā)出的光轉換為所希望的波長。這種
色彩轉換器可以例如是包括發(fā)光材料的透明的或半透明的元件。
如圖1中所示，部分準直器部分地沿著基板的周邊側向下延伸。 這是可選擇的，但是在一些情況下提高了光源的總效率，因為甚至以 非常傾斜的角度發(fā)出的光都可以由該準直器接收。
該散熱片9設置在基板1的背側以將工作中的LED耗散的熱遠離 該裝置的熱敏部件(例如LED本身)傳輸。通常，該散熱片是具有高 導熱性的材料，例如金屬。例子包括一般的金屬，例如，但是并不限 于，Cu， W， Al，以及這些具有高導熱性的金屬和材料的合金，如AlSiC。
該散熱片適于設置在基板的背側上與凹部中LED的位置相對應的 位置，這樣使從LED到散熱片的熱通路最小化。然而，也可適于在基 板和散熱片之間設置接觸層以便將它們物理地和/或熱學地適當接合 在一起。此外，由于該電路主要設置在基板的前側上，基本上整個背 側都可以用作與散熱片的接觸區(qū)域，提供良好的散熱特性。
發(fā)光材料可以設置在凹部2中，至少部分地覆蓋設置于該凹部中 的(多個)LED。該發(fā)光材料可以用于將LED發(fā)出的光轉變?yōu)樗D變的 顏色，并且對于第一和第二顏色的大量組合來說，用于將第一顏色轉 變?yōu)榈诙伾陌l(fā)光材料對該領域技術人員是已知的。當將較短波長 的光(例如UV或藍光)轉變?yōu)檩^長波長的光(例如綠光或紅光)時， 色彩轉變的效率是最高的。
這種發(fā)光材料的應用的一個例子是將藍光或綠光轉變?yōu)榧t光。如 上所述，目前，紅色LED在"倒裝晶片"設計中是無法得到的，但是 為了消除對提供紅光的"引線接合，，LED的需要，可以用藍-紅轉變材 料覆蓋藍色的倒裝晶片LED。
當發(fā)光材料設置于凹部中時，該凹部的壁形成了朝向任何相鄰凹 部的天然屏障。這使得分離的發(fā)光材料以較低的交叉污染的風險沉積 于相鄰的凹部中。
可以將發(fā)光材料沉積在凹部中來覆蓋該凹部中的(多個)LED并不 來填充該凹部。該發(fā)光材料可以形成在基板前側的平面之下或之中的 表面。在這樣的情況下，該發(fā)光材料不會對在基板頂部上設置如透鏡、 準直器等的光學元件形成任何障礙。然而，該發(fā)光材料還可以形成該 基板前側的平面之上的表面，例如凸面。在這種情況下，該發(fā)光材料 除了其色彩轉變特性之外本身還起到聚焦透鏡的作用。
本發(fā)明的第二個示意性實施例在圖2a和2b中示出，且包括具有 多個凹部2， 2' ， 2''的基板1和設置在每個凹部中的LED3， 3'， 3''。每個LED都與電路4連接，但是可單獨地尋址以便適合光源產 生的全部光。
三個LED3， 3' ， 3''都產生不同顏色，在這里分別例示為藍光， 綠光和紅光。
在圖2b示出的實施例中，所有的三個LED是藍色LED。然而，產 生綠光的LED是由藍到綠轉變的發(fā)光材料21覆蓋的藍色LED,產生紅 光的LED是由藍到紅轉變的發(fā)光材料22覆蓋的藍色LED。由于每個LED 都是被單獨驅動，所以這個實施例的光源表示顏色可變的RGB-像素。
在基板的背側(圖2中沒有示出)上，可以設置散熱片，所述散 熱片可以包括用于所有LED的一個公共的散熱片或者每個LED —個單 獨的散熱片。
在本發(fā)明的其它實施例中，沒有使用發(fā)光材料，且像素中的每種 顏色都是由自身發(fā)出這種顏色的LED產生的。
因此，基板中的凹部可以具有以下一個或多個效果(i )減少LED 和散熱片之間的熱阻而不需要通過穿過基板的孔的直接連接，(ii ) 減少位于相鄰凹部中的相鄰LED之間的光學串擾，(iii )至少在倒裝 晶片的情況下，在基板的前側上提供了平面表面，(iv)為發(fā)光材料 的沉積提供了輪廓分明的區(qū)域，以及(v)便于在光源的頂部上設置光 學元件。
來制造。
通常，在基板材料的大晶片(例如傳統(tǒng)的硅晶片)上制造或至少 部分平行地生產多個光源，隨后將該晶片適當地切成更小的單元。
首先，通過使硬蝕刻掩模(Si02/Si3NO形成圖案將凹部位置限定 在硅晶片一側上。將相同的掩模材料沉積在該晶片的背側，以便充分 地保護該側不受隨后的蝕刻。
通過KOH蝕刻從基板中蝕刻出這些凹部，比晶片的厚度小10-100 pm的深度，即并不完全穿透晶片，之后去掉蝕刻掩模。在該凹部底部 中殘留的晶片材料在完成的產品中將起到熱通路以及電絕緣的作用。
為了準備在基板的前側和背側之間的電連接，例如通過激光切除
而在這些連接的位置形成穿透基板的孔。這些孔例如可以是狹縫的形 式。
為了準備沉積該電路，使硅晶片的表面氧化(前側，背側，凹部 中和通孔中)以便提供電絕緣表面層。
將該電路在該凹部中、晶片的前側上、穿透基板的孔中和晶片的 后側上設置為所希望的圖案的鍍金屬。該電路的帶圖案的沉積例如可 以通過傳統(tǒng)的光刻技術在晶片的絕緣部分上將抗蝕劑層形成圖案，隨 后沉積金屬并接著除去該抗蝕劑來獲得。
任選的是，接著將該凹部的側壁處理成反射表面。
將LED設置在凹部中并通過焊接與電路連接，且將晶片切成單獨 的光源。通過貫穿晶片的狹縫切割晶片，在基板外圍邊緣處從前側到 后側曝露出側面接觸。
如上所述，可以在將晶片切成小片之前或之后利用發(fā)光材料來填 充該凹部。
優(yōu)選將光學元件設置在切割后的基板上，以便利用具有從前到后 的接觸的上述優(yōu)點。
可以通過具有高導熱性的粘接層將散熱片設置在所切割的基板的
肖-m
3-匕側上
例。相反，在所附權利要求的范圍內可以進行多種改進和變化。例如， 可以通過采用藍色LED和采用藍到黃轉變發(fā)光材料或者作為沉積在凹 部中的發(fā)光化合物或者作為設置在基板上的光學元件中的發(fā)光材料來 產生白光的光源，其中白光可以通過黃色轉變的光和殘留的沒有轉變 的藍光來獲得。
此外，上述方法是針對硅基板。為了制造本發(fā)明的光源，其它的 基板材料可能需要不同的處理條件。例如，材料不同于硅的導電或半 導電基板材料可要求其它的方法來獲得電絕緣表面層，固有的電介質 基板材料可能根本不需要任何的電絕緣層。
權利要求
1.一種光源，包括具有第一側和相對的第二側的基板(1)，設置在所述基板的所述第一側中的至少一個凹部(2)，設置在所述基板(1)上的電路(4)，以及設置在所述至少一個凹部(2)中并與所述電路(4)連接的至少一個LED(3)，所述LED(3)和所述電路(4)與所述基板電絕緣，其特征在于所述至少一個凹部的表面是連續(xù)的并且通過基板材料與所述第二側物理分離。
2. 根據權利要求1的光源，其中散熱片(9)設置在所述基板(1) 的所述第二側上，且所述LED (3)至少部分地通過所述基板材料與所 述散熱片(9)熱接觸，所述基板材料將所述凹部(2)的所述表面與 所述基板(1)的所述第二側分離開。
3. 根據權利要求1或2所述的光源，其中所述凹部(2)包括朝向所述基板的所述第一側向外呈錐形的反射側壁。
4. 根據前述任一項權利要求所述的光源，其中在所述基板(l)的 所述第一側上設置光學元件(8 )以接收由所述至少一個LED ( 3 )發(fā)出 的至少部分光。
5. 根據權利要求4所述的光源，其中所述光學元件(8)包括凹部 (11 )，所述基板(1 )設置在所述光學元件(8 )的所述凹部(11 )中。
6. 根據前述任一項權利要求所述的光源，其中所述電路(4)通過 所述基板的所述第二側能連接到LED驅動器(6 )。
7. 根據前述任一項權利要求所述的光源，其中至少一個LED (3) 和所述電路(4)之間的連接位于所述凹部(2)內。
8. 根據前述任一項權利要求所述的光源，其中發(fā)光部件(21)設 置于所述凹部(2')中，至少部分覆蓋所述至少一個LED (3')以接 收由所述至少一個LED (3')發(fā)出的至少部分光。
9. 根據前述任一項權利要求所述的光源，包括設置于第一凹部(2) 中的第一LED ( 3)和設置于第二凹部(2')中的第二LED(3')， 根據前述任一項權利要求所述的光源，其中所述基板(l)包括具有電 絕緣表面層(10)的導電或半導電材料，該電絕緣表面層使至少所述 LED (3)和所述電路(4)與所述基板(1)絕緣。
10. 根據權利要求10所述的光源，其中所述基板(l)包括硅。
11. 根據前述任一項權利要求所述的光源，其中所述凹部(2)的 表面與所述基板的所述第二側由至少10- 100nm、優(yōu)選25 - " pm的基板材料分離開。
全文摘要
提供一種光源，包括具有第一側和相對的第二側的基板(1)，設置在所述基板的所述第一側中的至少一個凹部(2)，至少部分設置在所述基板(1)上的電路(4)，以及設置在所述至少一個凹部(2)中并與所述電路(4)連接的至少一個LED(3)。所述至少一個凹部(2)的表面是連續(xù)的并且通過基板材料與所述第二側物理隔離。通過在基板的所述凹部中設置LED，減少相鄰LED之間的串擾，保持光源良好的機械穩(wěn)定性以及減少經過基板的熱通路。
文檔編號H01L33/60GK101167193SQ200680014333
公開日2008年4月23日 申請日期2006年4月21日 優(yōu)先權日2005年4月28日
發(fā)明者K·范奧斯, M·A·德薩姆伯 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司