專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置。
背景技術(shù)：
近來，由于有機發(fā)光二極管(OLED)裝置所需的功率低、質(zhì)量輕、形狀薄、視角廣、響應(yīng)速度快等，它已經(jīng)在平板顯示裝置的工業(yè)中吸引了注意和興趣。
OLED裝置包括絕緣基底、形成在絕緣基底上的顯示元件和與絕緣基底連接的電路基底。電路基底與絕緣基底疊置，從而減小OLED裝置的尺寸。電路基底對顯示元件提供諸如驅(qū)動信號、驅(qū)動電壓和共電壓的信號，并包括諸如從電路基底突出的電阻器的電子元件。然而，在電路基底上突出的電子元件會接觸其它元件，從而導(dǎo)致OLED裝置中的故障。
另外，OLED裝置可使用多個電路基底。電路基底與絕緣基底疊置，以減小OLED裝置的尺寸。然而，電路基底會相互接觸，從而在電路基底中產(chǎn)生電缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種顯示裝置，該顯示裝置可以減少由于從電路基底突出的電子元件而導(dǎo)致的問題。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置可以減少由于電路基底之間的接觸而導(dǎo)致的缺陷。
將在接下來的描述中闡述本發(fā)明另外的特點，一部分通過描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過本發(fā)明的實施而得知。
本發(fā)明公開了一種顯示裝置，該顯示裝置包括基底，包括上表面和與所述上表面相對的下表面；顯示元件，布置在所述上表面上，并包括第一電極、所述第一電極上的發(fā)光層以及所述發(fā)光層上的第二電極；第一膜，連接到所述上表面的第一側(cè)；第一電路基底，連接到所述第一膜，包括面向所述顯示元件的第一表面、與所述第一表面相對的第二表面以及從所述第二表面突出的電子元件。
本發(fā)明還公開了一種顯示裝置，該顯示裝置包括基底，具有上表面和與所述上表面相對的下表面；顯示元件，布置在所述上表面上，并包括第一電極、所述第一電極上的發(fā)光層以及所述發(fā)光層上的第二電極；第一膜，連接到所述上表面的第一側(cè)；第一電路基底，連接到所述第一膜并面向所述基底；第二膜，連接到所述上表面的第二側(cè)；第二電路基底，連接到所述第二膜，并與所述第一電路基底至少部分地疊置；絕緣構(gòu)件，布置在所述第一電路基底和所述第二電路基底之間，所述絕緣構(gòu)件防止所述第一電路基底和所述第二電路基底相互直接接觸。
應(yīng)該理解，上述總體描述和以下的詳細解釋都是示例性和說明性的，并意圖對權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進一步說明。


包含附圖是為了提供對本發(fā)明的進一步理解，附圖被包含于此并組成了本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與描述部分一起來解釋本發(fā)明的原理。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的顯示裝置的等效電路圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面正視圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面后視圖。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的顯示裝置的平面圖。
圖5是沿圖4中的線V-V截取的顯示裝置的剖視圖。
圖6是沿圖4中的線VI-VI截取的顯示裝置的剖視圖。
圖7是沿圖4中的線VII-VII截取的顯示裝置的剖視圖。
圖8是圖5中的區(qū)域“A”的放大圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的包括殼體的顯示裝置的剖視圖。
圖10是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面正視圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面正視圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。
圖13是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面正視圖。
圖14是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面后視圖。
圖15是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的顯示裝置的平面圖。
圖16是沿圖15中的線XVI-XVI截取的顯示裝置的剖視圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖來更充分地描述本發(fā)明，本發(fā)明的實施例示出在附圖中。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式來實施，不應(yīng)該被理解為局限于在此提出的實施例。提供這些實施例使本公開將是徹底和完全的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
應(yīng)該理解的是，當元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ芭c另一元件或?qū)舆B接或結(jié)合”時，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?、“與另一元件或?qū)又苯舆B接或結(jié)合”或者也可以存在中間元件或中間層。相反，當元件被稱作“直接”在另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到或結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。相同的標號始終表示相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列的項目的任意組合和所有組合。
應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分并不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
在這里可使用空間相對術(shù)語，如“下面的”、“在…下方”、“在…下面”、“在…上方”“上面的”等，用來方便地描述如圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附圖中裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為其它元件或特征“下面的”或“在”其它元件或特征“下方”的元件隨后將被定位為“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“下面的”可包括上面的和下面的兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述符。
這里使用的術(shù)語僅為了描述特定實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組合。
在此參照作為本發(fā)明的理想實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示例性示例的剖視圖來描述本發(fā)明的實施例。這樣，預(yù)計會出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差的變化引起的示例的形狀變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)該被理解為限制于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而應(yīng)該包括例如由制造導(dǎo)致的形狀變形。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域在其邊緣通常具有倒圓或曲線的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣地，通過注入形成的掩埋區(qū)域可導(dǎo)致在掩模區(qū)域和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中出現(xiàn)一定程度的注入。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實際形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。
除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。將進一步理解，除非這里明確定義，否則術(shù)語例如在通用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的意思相同的意思，而不是理想地或者過于正式地解釋它們的意思。。
以下，將參照附圖詳細描述本發(fā)明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的顯示裝置中的像素的等效電路圖。
如圖1所示，像素包括多條信號線。信號線包括柵極線，傳輸掃描信號；數(shù)據(jù)線，傳輸數(shù)據(jù)信號；電源線，傳輸驅(qū)動電壓。數(shù)據(jù)線與電源線平行設(shè)置并彼此相鄰。柵極線基本上垂直于數(shù)據(jù)線和電源線延伸。
每個像素包括有機發(fā)光元件LD、開關(guān)薄膜晶體管Tsw、驅(qū)動薄膜晶體管Tdr和電容器C。
驅(qū)動薄膜晶體管Tdr包括控制端、輸入端和輸出端?？刂贫诉B接到開關(guān)薄膜晶體管Tsw，輸入端連接到電源線，輸出端連接到有機發(fā)光元件LD。
有機發(fā)光元件LD包括陽極和陰極，其中，陽極連接到驅(qū)動薄膜晶體管Tdr的輸出端，陰極連接到共電壓Vcom。有機發(fā)光元件LD根據(jù)來自驅(qū)動薄膜晶體管Tdr的輸出電流發(fā)射強度可變的光，從而顯示圖像。來自驅(qū)動薄膜晶體管Tdr的電流的強度根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管Tdr的控制端和輸出端之間的電壓而變化。
開關(guān)薄膜晶體管Tsw包括控制端、輸入端和輸出端。控制端連接到柵極線，輸入端連接到數(shù)據(jù)線，輸出端連接到驅(qū)動薄膜晶體管Tdr的控制端。開關(guān)薄膜晶體管Tsw根據(jù)施加到柵極線的掃描信號，將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)津?qū)動薄膜晶體管Tdr。
電容器C連接在驅(qū)動薄膜晶體管Tdr的控制端和輸入端之間?？墒褂幂斎氲津?qū)動薄膜晶體管Tdr的控制端的數(shù)據(jù)信號對電容器C進行充電，并保持它。
以下將參照圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8和圖9來描述根據(jù)第一示例性實施例的顯示裝置。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面正視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面后視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面圖；圖5是沿圖4中的線V-V截取的顯示裝置的剖視圖；圖6是沿圖4中的線VI-VI截取的顯示裝置的剖視圖；圖7是沿圖4中的線VII-VII截取的顯示裝置的剖視圖；圖8是圖5中的區(qū)域“A”的放大圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的在殼體中的顯示裝置的剖視圖。圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8示出了沒有殼體的顯示裝置，而圖9示出了容納在殼體中的顯示裝置。
根據(jù)第一示例性實施例的顯示裝置可包括絕緣基底110；顯示元件，形成在絕緣基底110上；包封基底200，與絕緣基底110結(jié)合并覆蓋顯示元件。將吸濕劑210設(shè)置在包封基底200的內(nèi)表面上，用于保護顯示元件不受濕氣的影響。
首先，將參照圖2和圖3描述與絕緣基底110連接的元件。在下面的描述中，顯示裝置的“左側(cè)”和“右側(cè)”是基于圖2的。
絕緣基底110可由絕緣材料(如玻璃、石英、陶瓷或塑料)制成。絕緣基底110包括形成有顯示元件的上表面110a和與上表面110a相對的下表面110b。
將第一膜401和電源傳輸膜411設(shè)置在顯示區(qū)域上方的非顯示區(qū)域中。第一膜401的第一側(cè)和電源傳輸膜411的第一側(cè)與上表面110a連接，第一膜401的第二側(cè)和電源傳輸膜411的第二側(cè)與第一電路基底501連接。第一膜401將數(shù)據(jù)驅(qū)動信號傳輸?shù)斤@示元件，電源傳輸膜411將驅(qū)動電壓傳輸?shù)斤@示元件。
可利用各向異性的導(dǎo)電膜(未示出)將第一膜401和電源傳輸膜411連接到絕緣基底110和第一電路基底501。
將驅(qū)動芯片421設(shè)置在第一膜401上。第一膜401可以是柔性的?？稍诘谝荒?01上形成導(dǎo)線(未示出)，以將驅(qū)動芯片421與顯示元件和第一電路基底501連接。
第一電路基底501接收功率和驅(qū)動信號，并適當?shù)剞D(zhuǎn)換接收到的功率和驅(qū)動信號以將它們供給到顯示元件。第一電路基底501包括第一表面501a和與第一表面501a相對的第二表面501b。如圖2和圖3所示，第一表面501a和上表面110a面向相同的方向，第二表面501b和下表面110b面向相同的方向。
在第一電路基底501上形成電子元件521，以轉(zhuǎn)換功率和驅(qū)動信號。電子元件521可包括電阻器、電容器等。電子元件521從第一電路基底501上突出。在第一示例性實施例中，將電子元件521設(shè)置在第二表面501b上。從而由于沒有在第一表面501a上設(shè)置電子元件521，所以第一表面501a可以是基本平坦的。
第一電路基底501的第一側(cè)連接到第一膜401和電源傳輸膜411，第一電路基底501的第二側(cè)連接到外部連接器511。
在顯示區(qū)域的左側(cè)的非顯示區(qū)域中，將第二膜402和共電壓傳輸膜412設(shè)置在上表面110a上。第二膜402的第一側(cè)和共電壓傳輸膜412的第一側(cè)連接到上表面110a，第二膜402的第二側(cè)和共電壓傳輸膜412的第二側(cè)連接到第二電路基底502。第二膜402將柵極驅(qū)動信號傳輸?shù)斤@示元件，共電壓傳輸膜412將共電壓傳輸?shù)斤@示元件。
可利用各向異性的導(dǎo)電膜(未示出)將第二膜402和共電壓傳輸膜412連接到絕緣基底110和第二電路基底502。
在第二膜402上形成驅(qū)動芯片422。第二膜402可以是柔性的?？稍诘诙?02上形成導(dǎo)線(未示出)，以將驅(qū)動芯片422與顯示元件和第二電路基底502連接。
第二電路基底502接收功率和驅(qū)動信號，并適當?shù)剞D(zhuǎn)換接收到的功率和驅(qū)動信號以將它們供給到顯示元件。第二電路基底502包括第一表面502a和與第一表面502a相對的第二表面502b。如圖2和圖3所示，第一表面502a和上表面110a面向相同的方向，第二表面502b和下表面110b面向相同的方向。
在第二電路基底502上形成電子元件522，以轉(zhuǎn)換功率和驅(qū)動信號。電子元件522可包括電阻器、電容器等。電子元件522從第二電路基底502上突出。在第一示例性實施例中，將電子元件522設(shè)置在第二表面502b上。將與外部元件連接的連接器512也設(shè)置在第二表面502b上。因此，在沒有將電子元件522和連接器512設(shè)置在第一表面502a上的情況下，第一表面502a可是基本平坦的。
在第二電路基底502的第一表面502a的上部上設(shè)置絕緣帶600。絕緣帶600可防止第一電路基底501和第二電路基底502之間的電干擾，這將在后面詳細描述。
如圖2所示，在顯示區(qū)域的下側(cè)和右側(cè)不需要連接元件。
在顯示裝置中，電路基底501和502與絕緣基底110疊置，從而減小顯示裝置的尺寸。參照圖4、圖5、圖6和圖7，將描述電路基底501和502與絕緣基底110疊置的折疊狀態(tài)。
第一電路基底501的第一表面501a設(shè)置成面向上表面110a。第一膜401和電源傳輸膜411彎曲，使得第一表面501a面向上表面110a。將顯示元件和包封基底200設(shè)置在第一電路基底501和絕緣基底110之間。第一表面501a直接面向包封基底200，如圖5所示。由于第一表面501a可以是基本平坦的，所以即使第一電路基底501直接接觸包封基底200，也會減少對第一電路基底501的毀壞。因此，可以正確地操作第一電路基底501。另外，因為可將第一電路基底501設(shè)置成靠近包封基底200，所以顯示裝置會更薄。
將第二電路基底502的第一表面502a設(shè)置成面向上表面110a。將顯示元件和包封基底200設(shè)置在第二電路基底502和絕緣基底110之間。第一表面502a直接接觸包封基底200，如圖6所示，或者可靠近包封基底200布置。由于第一表面502a是基本平坦的，所以即使當?shù)诙娐坊?02直接接觸包封基底200，也會減小對第二電路基底502的毀壞。因此，可以正確地操作第二電路基底502。另外，因為可將第二電路基底502設(shè)置成靠近包封基底200，所以顯示裝置會更薄。
第一電路基底501和第二電路基底502在長度方向延伸，彼此部分疊置，并與絕緣基底110疊置。即，第一電路基底501的左部和第二電路基底502的上部彼此疊置。這里，將第二電路基底502設(shè)置在第一電路基底501上，因此，在疊置的區(qū)域中，第一電路基底501的第二表面501b面向第二電路基底502的第一表面502a。
當?shù)谝浑娐坊?01和第二電路基底502相互接觸時，在它們之間會產(chǎn)生短路。因此，電路基底501和502會變成有缺陷的。在第一示例性實施例中，將絕緣帶600設(shè)置在電路基底501和502的疊置區(qū)域中，以防止電路基底501和502相互短路。
可選擇地，可將絕緣帶600設(shè)置在兩個電路基底501和502的部分上，或設(shè)置在整個電路基底501和502上。另外，可在電路基底501和502上形成絕緣層來代替絕緣帶，或者也可使用絕緣元件，該絕緣元件不與電路基底501和502結(jié)合。
包封基底200可由玻璃、鋁等制成，并通過密封劑300與絕緣基底110結(jié)合。
如上所述，考慮到顯示裝置是顯示元件向絕緣基底110發(fā)光的底部發(fā)射型，電路基底501和502設(shè)置在顯示元件上方。換言之，在不發(fā)光處設(shè)置電路基底501和502。
將參照圖8描述顯示裝置的構(gòu)造。圖8示出驅(qū)動薄膜晶體管Tdr而沒有開關(guān)薄膜晶體管Tsw。
在絕緣基底110上形成柵電極121?？捎傻?SiNx)制成的柵極絕緣層131形成在絕緣基底110和柵電極121上。半導(dǎo)體層122和歐姆接觸層123順序地形成在設(shè)置有柵電極121的柵極絕緣層131上。半導(dǎo)體層122可由非晶硅制成，歐姆接觸層123可由被高度摻雜n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅制成。歐姆接觸層123分成兩個部分，柵電極121位于這兩個部分之間。
源電極124和漏電極125形成在歐姆接觸層123和柵極絕緣層131上。源電極124和漏電極125相互分隔開，柵電極121位于源電極124和漏電極125之間。
在源電極124、漏電極125以及源電極124和漏電極125之間暴露的半導(dǎo)體層122上形成鈍化層141。鈍化層141可由氮化硅(SiNx)制成。
在鈍化層141上形成平坦化層142，平坦化層142可由有機材料制成。平坦化層142可包含苯并環(huán)丁烯(BCB，benzocyclobutene)、石蠟、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺、特氟隆(tefron)、氟樹脂(cytop)和過氧環(huán)丁烷(perfluorocyclobutene(FCB)。
在平坦化層142和鈍化層141上形成接觸孔143，以暴露漏電極125。
在平坦化層142上形成像素電極151。像素電極151可向發(fā)光層172提供空穴。像素電極151可由透明的導(dǎo)電材料如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)制成，可通過濺射來形成像素電極151?？梢砸越凭匦蔚男螤顚⑾袼仉姌O151圖案化。
在像素電極151之間形成壁160，以限定像素區(qū)域。壁160防止源電極124和漏電極125與共電極180短路。壁160可由具有耐熱性和耐溶劑性的光阻材料(如丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂)制成。
在像素電極151上形成有機層170。有機層170可包括空穴注入層171和發(fā)光層172。
空穴注入層171可包含聚噻吩衍生物(如聚3，4-乙烯基二氧噻吩(PEDOT)等)和聚苯乙烯磺酸酯(PSS)等)的混合物。
發(fā)光層172可包括紅色發(fā)光層172a、綠色發(fā)光層172b和藍色發(fā)光層172c。
發(fā)光層172可包含聚芴(polyfluorene)衍生物、聚對亞乙烯基亞苯(poly(p-phenylene vinylene)衍生物、聚亞苯基衍生物、聚-N-乙烯基咔唑衍生物、聚噻吩衍生物；或摻雜有紫蘇烯基團(perillene group)的顏料、若丹明(rhodamine)、紅熒烯(rubrene)、紫蘇烯、9，10-二聯(lián)苯蒽、tetraphenylbuta、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、尼羅紅(Nile red)、香豆素6、喹吖酮等的上述衍生物的混合物。
像素電極151提供的空穴和共電極180提供的電子在發(fā)光層172中彼此結(jié)合，變成激子，產(chǎn)生光的同時失去活性(inactivated)。
共電極180形成在壁160和發(fā)光層172上。共電極180向發(fā)光層172提供電子。共電極180可包括雙層，這雙層分別是氟化鋰層和鋁層。當共電極180由不透明的材料(如鋁、銀等)制成時，從發(fā)光層172發(fā)射的光向絕緣基底110發(fā)射。在這種情況下，顯示裝置是底部發(fā)射型。
在前述的顯示元件中，有機層170由聚合物制成?？蛇x擇地，有機層170可通過熱蒸發(fā)由分子量低的材料制成。發(fā)光層172可提供白光，在這種情況下，濾色器可設(shè)置在絕緣基底110和發(fā)光層172之間。
顯示裝置包括殼體700。如圖9所示，殼體700包括上殼體701和下殼體702。上殼體701具有開口703，以與顯示區(qū)域?qū)?yīng)。通過開口703暴露絕緣基底110的下表面110b。在下表面110b上顯示圖像。
圖10是了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面正視圖。在顯示區(qū)域右側(cè)的非顯示區(qū)域中設(shè)置共電壓傳輸膜413和第三電路基底503。第三電路基底503從外部接收共電壓，并通過共電壓傳輸膜413將共電壓供給顯示元件。共電壓傳輸膜413和第三電路基底503可保持共電壓在顯示元件中基本恒定。在第三電路基底503的上部和下部設(shè)置絕緣帶601。
在顯示區(qū)域下方的非顯示區(qū)域中設(shè)置電源傳輸膜414和第四電路基底504。第四電路基底504接收驅(qū)動電壓，通過電源傳輸膜414將接收的驅(qū)動電壓傳輸?shù)斤@示元件。電源傳輸膜414和第四電路基底504可保持驅(qū)動電壓在顯示元件中基本恒定。在第四電路基底504的左部設(shè)置絕緣帶602。
在第三電路基底503和第四電路基底504上沒有形成電子元件。第一電路基底501和第二電路基底502具有與第一示例性實施例中的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。
在第二示例性實施例中，將電路基底501、502、503和504設(shè)置成面向上表面110a。共電壓傳輸膜413和電源傳輸膜414彎曲。這里，按第一電路基底501、第二電路基底502、第四電路基底504和第三電路基底503的順序彎曲電路基底。絕緣帶602防止第二電路基底502直接接觸第四電路基底504。絕緣帶601防止第三電路基底503直接接觸第一電路基底501和第四電路基底504。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面正視圖，圖12是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。
與第一示例性實施例相反，在第三示例性實施例中，將驅(qū)動芯片421和422直接安裝在絕緣基底110的上表面110a上。另外，沒有提供電路基底來施加?xùn)艠O驅(qū)動信號?？稍谏媳砻?10a上形成導(dǎo)線(未示出)，以將柵極驅(qū)動信號和共電壓傳輸?shù)津?qū)動芯片422。
第一電路基底501的結(jié)構(gòu)與第一示例性實施例中的第一電路基底501的結(jié)構(gòu)相同，被設(shè)置成面向上表面110a。
用包封層220覆蓋顯示元件。包封層220可防止?jié)駳饣蜓鯕鉂B透到顯示元件中，包封層220可由無機層和/或有機層形成。第一電路基底501的第一表面501a面向包封層220，如圖12所示。
將參照圖13、圖14、圖15和圖16來描述根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的顯示裝置，圖13是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面正視圖，圖14是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面后視圖，圖15是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的顯示裝置在展開狀態(tài)下的平面圖，圖16是沿圖15中的線XVI-XVI截取的顯示裝置的剖視圖。
在第四示例性實施例中，電子元件521和522分別形成在各電路基底的第一表面501a和502a上。在第一表面502a上還形成第二電路基底502的連接器512。因此，電路基底501和502的第二表面501b和502b基本是平坦的。
在第二電路基底502的第二表面502b的上部設(shè)置絕緣帶603。
與第一示例性實施例相反，由于顯示裝置是向包封基底200發(fā)射光的頂部發(fā)射型，所以將電路基底501和502設(shè)置成面向絕緣基底110的下表面110b。在如圖8所示的顯示元件中，像素電極151可由反射金屬形成，共電極180可由透明材料形成。這里，共電極180可包含鎂和銀的合金或者鈣和銀的合金，它的厚度可為大約50nm至大約200nm。如果共電極180的厚度小于50nm，則阻抗可能會過高，使得不能有效地施加共電壓。另一方面，如果共電極180的厚度大于200nm，則它會變得不透明。
電路基底501和502沒有形成電子元件521和522的第二表面501b和502b直接面向絕緣基底110。因此，即使電路基底501和502直接接觸絕緣基底110，也可防止在電路基底501和502中形成缺陷。另外，可將電路基底501和502設(shè)置得靠近絕緣基底110，從而減小顯示裝置的厚度。
如上所述，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，在該顯示裝置中，可防止由電子元件從電路基底上突出所導(dǎo)致的問題。
另外，本發(fā)明提供了一種可減少由電路基底之間的接觸而導(dǎo)致的缺陷的顯示裝置。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下可以對本發(fā)明做出各種修改和變化。因此，意圖是本發(fā)明覆蓋落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括基底，包括上表面和與所述上表面相對的下表面；顯示元件，布置在所述上表面上，并包括第一電極、所述第一電極上的發(fā)光層以及所述發(fā)光層上的第二電極；第一膜，連接到所述上表面的第一側(cè)；第一電路基底，連接到所述第一膜，包括面向所述顯示元件的第一表面、與所述第一表面相對的第二表面以及從所述第二表面突出的電子元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一表面基本是平坦的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括位于所述顯示元件和所述第一電路基底之間的包封構(gòu)件，所述包封構(gòu)件包圍所述顯示元件。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一表面直接接觸所述包封構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一電路基底將驅(qū)動信號、驅(qū)動電壓或共電壓中的至少一個供給所述顯示元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述電子元件包括電阻器或電容器中的至少一個。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，還包括安裝在所述上表面上的驅(qū)動芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，還包括安裝在所述第一膜上的驅(qū)動芯片。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第二電極包含反射金屬。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，還包括第二膜，連接到所述上表面的第二側(cè)；第二電路基底，連接到所述第二膜，與所述第一電路基底至少部分地疊置；絕緣構(gòu)件，布置在所述第一電路基底和所述第二電路基底中的至少一個上，所述絕緣構(gòu)件防止所述第一電路基底和所述第二電路基底相互直接接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述絕緣構(gòu)件包括絕緣帶。
12.一種顯示裝置，包括基底，包括上表面和與所述上表面相對的下表面；顯示元件，布置在所述上表面上，并包括第一電極、所述第一電極上的發(fā)光層以及所述發(fā)光層上的第二電極；第一膜，連接到所述上表面的第一側(cè)；第一電路基底，連接到所述第一膜并面向所述基底；第二膜，連接到所述上表面的第二側(cè)；第二電路基底，連接到所述第二膜，并與所述第一電路基底至少部分地疊置；絕緣構(gòu)件，布置在所述第一電路基底和所述第二電路基底之間，所述絕緣構(gòu)件防止所述第一電路基底和所述第二電路基底相互直接接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述絕緣構(gòu)件包括絕緣帶。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述顯示元件在背離所述基底的方向提供光，所述第一膜和所述第二膜彎曲，所述第一電路基底和所述第二電路基底面向所述下表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其中，所述顯示元件在朝向所述基底的方向提供光，所述第一膜和所述第二膜彎曲，所述第一電路基底和所述第二電路基底面向所述顯示元件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其中，所述第一電路基底包括面向所述顯示元件的第一表面、與所述第一表面相對的第二表面以及從所述第二表面突出的電子元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其中，所述第一表面是基本平坦的。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括絕緣基底，具有上表面和與上表面相對的下表面；顯示元件，包括第一電極、所述第一電極上的有機發(fā)光層以及所述有機發(fā)光層上的第二電極；第一膜，連接到上表面的第一側(cè)；第一電路基底，連接到第一膜，第一電路基底包括面向顯示元件的第一表面、與第一表面相對的第二表面以及從第二表面突出的電子元件。
文檔編號H01L25/16GK101083252SQ20071000035
公開日2007年12月5日 申請日期2007年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月1日
發(fā)明者成始德, 高昞植 申請人:三星電子株式會社