專利名稱：：半導(dǎo)體制造方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造方法及使用這些半導(dǎo)體制造方法的相關(guān)系統(tǒng)。技術(shù)背景隨著電子產(chǎn)品的進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)被廣泛使用于制造存儲(chǔ)器、中央處理單元(CPU)、液晶顯示裝置(LCD)、發(fā)光二極管(LED)、激光二極管以及其他裝置或芯片組。為了達(dá)到高整合以及高速的目的，半導(dǎo)體集成電路的尺寸也持續(xù)不斷地縮小。因此提出了各種材料以及技術(shù)，以達(dá)到上述高整合以及高速的目的，并克服制造過(guò)程上的相關(guān)障礙。此外，由于晶圓尺寸由6英寸、8英寸、12英寸甚至于16英寸或18英寸逐步地增加，使得一片晶圓上可形成更多的晶粒(die)。舉例來(lái)說(shuō)，一片12英寸晶圓可提供約8英寸晶圓所能形成晶粒數(shù)的2.25倍的晶粒數(shù)。然而，此增加的晶圓尺寸將造成維持晶圓上所形成的層級(jí)(layer)以及結(jié)構(gòu)的各種特性(例如薄膜厚度、蝕刻速率、電阻值等等)的均勻性(uniformity)的能力的考慮。由于基底特性的非均勻性，在同一晶圓但位于不同位置上(例如；中央?yún)^(qū)以及外圍區(qū)(peripheralregion))所形成的元件、二極管或電路可能具有不同的電子特性。然而，如果晶粒的電子特性不同于預(yù)設(shè)的電位或超出既定的規(guī)格時(shí)，這些晶粒將被視為失敗的晶粒，并且基底的合格率也下降。因此，基底特性的均勻性已經(jīng)變成本領(lǐng)域中一個(gè)極欲解決的問(wèn)題。圖1顯示已知的調(diào)整工藝條件方法的示意圖。圖1中提供了一個(gè)機(jī)臺(tái)(too1)100，例如物理氣相沉積(CVD)機(jī)臺(tái)。晶圓(未示出)置放于CVD機(jī)臺(tái)100上，用以在晶圓上形成薄膜層。歩驟110應(yīng)用工藝條件(recipe)至機(jī)臺(tái)100，以對(duì)此晶圓進(jìn)行加工(processing)。在薄膜層形成之后，晶圓接著被傳送到測(cè)量機(jī)臺(tái)(measuringtool)(未示出)，并執(zhí)行步驟120。于步驟120中，測(cè)量機(jī)臺(tái)測(cè)量薄膜層的厚度。接著，薄膜層的厚度被拿來(lái)與期望的薄膜層的厚度進(jìn)行比對(duì)。于步驟130中，此比對(duì)結(jié)果在被送回步驟110，以調(diào)整后續(xù)基底的工藝條件。假設(shè)測(cè)量到的厚度大于或小于上述期望的厚度，工藝條件將被調(diào)整以于后續(xù)的基底上形成符合期望值的薄膜層的厚度。然而，此已知方法是非常費(fèi)時(shí)的。舉例來(lái)說(shuō)，一個(gè)第二晶圓必須等到收集到第一晶圓的測(cè)量厚度，以使得第二晶圓上可形成符合期望值的薄膜層的厚度。換言之，除非收集到測(cè)量到的厚度，否則第二晶圓或后續(xù)的晶圓將無(wú)法被進(jìn)行加工。假設(shè)每次單一晶圓制造過(guò)程都必須經(jīng)由如圖1所示的流程，當(dāng)緊接地后續(xù)晶圓閑置于等待由最后被加工的晶圓的測(cè)量厚度時(shí)，時(shí)間將被浪費(fèi)掉。此外，機(jī)臺(tái)100并不能動(dòng)態(tài)地調(diào)整工藝條件以提供均一的基底特性。舉例來(lái)說(shuō)，用以形成薄膜層的氣體或等離子均一地分布在晶圓上。當(dāng)發(fā)現(xiàn)晶圓上的基底特性發(fā)生非均勻性(non-imifomiity)時(shí)，均一地提供氣體或等離子的電極或電板(plate)被移除，且換上對(duì)應(yīng)測(cè)量到的非均勻性厚度的另一電極或氣體分布板。然而，若收集到另一測(cè)量到的非均勻性時(shí)，與其對(duì)應(yīng)的另一電極或分布電板應(yīng)被組合到機(jī)臺(tái)100。不僅機(jī)臺(tái)100無(wú)法隨著非均勻性的檔案的改變而動(dòng)態(tài)地調(diào)整，同時(shí)拆除以及組合不同電極或氣體分布電板也會(huì)增加制造所需的時(shí)間。因此，需要一種制造晶圓的方法以及執(zhí)行此制造方法的系統(tǒng)。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的即在于提供制造晶圓的方法以及執(zhí)行此制造方法的系統(tǒng)?；谏鲜瞿康?，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體制造方法，包括在第一設(shè)備(apparatus)上對(duì)第一基底(substrate)進(jìn)行加工，同時(shí)檢測(cè)到第一制造參數(shù)的至少一個(gè)數(shù)值。分析上述第一制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一預(yù)測(cè)參數(shù)值。比對(duì)上述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值與第一既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一比對(duì)結(jié)果。應(yīng)用對(duì)應(yīng)上述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第一工藝條件(redpe)，以在上述第一設(shè)備上對(duì)第二基底進(jìn)行加工。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，其中所述第一制造參數(shù)包括制造溫度、氣體的類型、所述氣體的流動(dòng)速率、壓力、制造時(shí)間、電壓、電流、射頻(RF)功率、功率、注入能量、注入劑量、光刻曝光能量、光刻曝光時(shí)間、光阻旋涂速率、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)旋轉(zhuǎn)速率以及化學(xué)機(jī)械拋光下壓力的至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，其中所述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值包括厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、均勻性、硬度、彈性、面積以及間距的至少一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，還包括在預(yù)約保養(yǎng)步驟之后且在對(duì)所述第一襯底進(jìn)行加工之前，對(duì)第三襯底進(jìn)行加工，同時(shí)立即地檢測(cè)到第二制造參數(shù)；測(cè)量所述第三襯底，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)值；比對(duì)所述第一測(cè)量參數(shù)值與第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第二比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以對(duì)所述第一襯底進(jìn)行加工。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，還包括對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工，同時(shí)檢測(cè)到對(duì)應(yīng)所述第一工藝條件的至少一個(gè)第二制造參數(shù)值；分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值；以及判斷與所述第二襯底相關(guān)的數(shù)字是否等于既定值，其中所述數(shù)字表示從預(yù)約保養(yǎng)操作而被進(jìn)行加工的累計(jì)襯底數(shù)量或是從所述預(yù)約保養(yǎng)操作后的累計(jì)時(shí)間量，且其中若所述數(shù)字不等于所述既定值時(shí)，所述方法還包括比對(duì)所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果，以對(duì)第三襯底進(jìn)行加工，且其中若所述數(shù)字等于所述既定值時(shí)，所述方法還包括測(cè)量所述第二襯底，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)值；比對(duì)所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三比對(duì)結(jié)果，其中若所述第三比對(duì)結(jié)果不大于或等于所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值的至少一個(gè)的既定百分比時(shí)，所述方法還包括應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第三比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)第三襯底進(jìn)行加工，且其中若所述第三比對(duì)結(jié)果大致上等于或高于所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值的至少一個(gè)的所述既定百分比時(shí)，所述方法還包括修正模擬軟件，以產(chǎn)生修正的預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述修正的預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第三既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生第四比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第四比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第三工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)所述第三襯底進(jìn)行加工。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，還包括以對(duì)應(yīng)所述第一工藝條件的至少一個(gè)第二制造參數(shù)值，對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工；分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值；以及判斷所述第一設(shè)備的制造時(shí)間是否大于或等于既定制造時(shí)間，其中若所述第一設(shè)備的所述制造時(shí)間不大于或不等于所述既定制造時(shí)間時(shí)，所述方法還包括比對(duì)所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果，以對(duì)第三襯底進(jìn)行加工，且其中若所述第一設(shè)備的所述制造時(shí)間大于或等于所述既定制造時(shí)間時(shí)，所述方法還包括測(cè)量所述第二襯底，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)值；比對(duì)所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三比對(duì)結(jié)果，其中若所述第三比對(duì)結(jié)果不大于或不等于所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值的至少一個(gè)的既定百分比時(shí)，所述方法還包括應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第三比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)第三襯底進(jìn)行加工，且其中若所述第三比對(duì)結(jié)果大致上等于或多于上述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值的至少一個(gè)的所述既定百分比時(shí)，所述方法還包括修正模擬軟件，以產(chǎn)生修正的預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述修正的預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第三既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生第四比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第四比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第三工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)所述第三襯底進(jìn)行加工。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，其中所述應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的所述第一工藝條件的步驟包括由工藝條件選擇表(RST)中選出所述第一工藝條件。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，其中所述第一工藝條件用以提供所述第二襯底的至少一個(gè)大致地均一特征。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，還包括以對(duì)應(yīng)所述第一工藝條件的至少一個(gè)第二制造參數(shù)值，在所述第一設(shè)備上對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工；分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值；對(duì)所述第一襯底進(jìn)行加工，同時(shí)在第二裝置上檢測(cè)到對(duì)應(yīng)所述第一制造參數(shù)的至少一個(gè)第三制造參數(shù)值；分析所述第三制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述第三預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一加工結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一加工結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第二設(shè)備上對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造方法，還包括以對(duì)應(yīng)所述第二工藝條件的至少一個(gè)第四制造參數(shù)值，在所述第二設(shè)備上對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工；分析所述第四制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第四預(yù)測(cè)參數(shù)值；以至少一個(gè)第五制造參數(shù)值，在第三設(shè)備上對(duì)所述第一襯底進(jìn)行加工；分析所述第五制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第五預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述第五預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第三既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三比對(duì)結(jié)果；分析所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值、所述第四預(yù)測(cè)參數(shù)值與所述第三比對(duì)結(jié)果，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二加工結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第二加工結(jié)果所產(chǎn)生的第三工藝條件，以在所述第三設(shè)備上對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體制造方法，包括對(duì)第一襯底進(jìn)行加工，同時(shí)在第一設(shè)備上檢測(cè)到至少一個(gè)第一制造參數(shù)的第一制造參數(shù)值；分析所述第一制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值與第一既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一比對(duì)結(jié)果；應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第一工藝條件，以對(duì)第二襯底進(jìn)行加工，同時(shí)在所述第一設(shè)備上檢測(cè)到至少一個(gè)第二制造參數(shù)值；分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值；對(duì)所述第一襯底進(jìn)行加工，同時(shí)在第二設(shè)備上檢測(cè)到至少一個(gè)第三制造參數(shù)的第三制造參數(shù)值；分析所述第三制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三預(yù)測(cè)參數(shù)值；分析所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值與第三預(yù)測(cè)參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一加工結(jié)果；比對(duì)所述第一加工結(jié)果與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第二比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第二設(shè)備上對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工，其中所述第一工藝條件與所述第二工藝條件的至少一個(gè)用以提供所述第二襯底的至少一個(gè)大致地均一特征。于一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，包括第一設(shè)備以及至少一個(gè)第一處理器耦接至上述第一設(shè)備。第一設(shè)備用以對(duì)第一基底進(jìn)行加工，并同時(shí)檢測(cè)到第一制造參數(shù)的至少一個(gè)第一制造參數(shù)值。第一處理器用以分析上述第一制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一預(yù)測(cè)參數(shù)值、比對(duì)上述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值與第一既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一比對(duì)結(jié)果、以及控制上述第一設(shè)備來(lái)應(yīng)用對(duì)應(yīng)上述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第一工藝條件，以在上述第一設(shè)備上對(duì)第二基底進(jìn)行加工。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，還包括第一測(cè)量設(shè)備，其中所述第一設(shè)備還用以在預(yù)約保養(yǎng)步驟之后且在對(duì)所述第一襯底進(jìn)行加工之前，立即地以至少一個(gè)第二制造參數(shù)對(duì)第三襯底進(jìn)行加工；其中所述第一測(cè)量設(shè)備測(cè)量所述第三襯底，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)值，并且其中所述第一處理器還用以比對(duì)所述第一測(cè)量參數(shù)值與第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果、以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第二比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以對(duì)所述第一襯底進(jìn)行加工。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，還包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器耦接至所述第一處理器，用以儲(chǔ)存工藝條件選擇表，其中所述第一工藝條件由所述工藝條件選擇表中選出。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，還包括第二設(shè)備；以及至少一個(gè)第二處理器，耦接至所述第二設(shè)備以及所述第一處理器，其中所述第一設(shè)備還用以在所述第一設(shè)備上對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工，并同時(shí)檢測(cè)到對(duì)應(yīng)所述第一工藝條件的至少一個(gè)第二制造參數(shù)值，其中所述第一處理器還用以分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值，其中所述第二處理器還用以對(duì)所述第一襯底進(jìn)行加工，并同時(shí)檢測(cè)到至少一個(gè)第三制造參數(shù)值，且其中所述第一處理器與所述第二處理器的至少一個(gè)用以分析所述第三制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三預(yù)測(cè)參數(shù)值、比對(duì)所述第三預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果、分析所述第二比對(duì)結(jié)果與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一加工結(jié)果，以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一加工結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第二設(shè)備上對(duì)所述第二襯底進(jìn)行加工。為使本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖1是顯示已知調(diào)整制造條件方法示意圖。圖2A是顯示示范的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)示意圖。圖2B是顯示在單一設(shè)備的示范的半導(dǎo)體制造方法的制造流程示意圖。圖2C-1與圖2C-2是顯示緊接在預(yù)約保養(yǎng)步驟之后的示范的半導(dǎo)體制造方法的流程圖。圖2D-1與圖2D-2是顯示用以利用至少一個(gè)測(cè)量參數(shù)來(lái)調(diào)整制造條件的示范的半導(dǎo)體制造方法的流程圖。圖2E-1與圖2E-2是顯示用以利用至少一個(gè)測(cè)量參數(shù)來(lái)調(diào)整制造條件的示范的半導(dǎo)體制造方法的另一流程圖。圖2F是顯示由圖2A-2E所示的方法與由已知方法所調(diào)整的設(shè)備條件曲線圖的曲線示意圖。圖3A是顯示包括兩種設(shè)備的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的區(qū)塊示意圖。圖3B是顯示示范方法的流程圖，用以依據(jù)在系統(tǒng)200中產(chǎn)生的第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值與在系統(tǒng)300中產(chǎn)生的第j個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值來(lái)對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。圖4A是顯示包括三種設(shè)備的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的區(qū)塊示意圖。圖4B-1與圖4B-2是顯示示范方法的流程圖，用以依據(jù)在系統(tǒng)200中產(chǎn)生的第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值、在系統(tǒng)300中產(chǎn)生的第j+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值與在系統(tǒng)400中產(chǎn)生的第k個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值來(lái)對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。圖4C-1、圖4C-2與圖4C-3是顯示另一示范方法的流程圖，用以依據(jù)在系統(tǒng)200中產(chǎn)生的第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值、在系統(tǒng)300中產(chǎn)生的第j+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值與在系統(tǒng)400中產(chǎn)生的第k個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值來(lái)對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下100機(jī)臺(tái)；110、120、130步驟；200制造系統(tǒng)；205設(shè)備；208裝置；209檢測(cè)裝置；210處理器；215儲(chǔ)存介質(zhì)；220測(cè)量設(shè)備；221、222、223、224、226、228、232、234、236、237、237a、238步驟；229、239比對(duì)結(jié)果；241、242、243、244、244a、244b步驟;243a、245比對(duì)結(jié)果；UCL上臨界電位；LCL下臨界電位；246-249a、249c步驟；248a、249b比對(duì)結(jié)果；252、254、256~曲線；300制造系統(tǒng)；305設(shè)備；308裝置；309檢測(cè)裝置；310處理器；315儲(chǔ)存介質(zhì)；320測(cè)量設(shè)備；332、334、336、338、342、344、346、347、348~步驟;337預(yù)測(cè)參數(shù)；339比對(duì)結(jié)果；349加工結(jié)果；400制造系統(tǒng)；405設(shè)備；408~裝置；409檢測(cè)裝置；410處理器；415儲(chǔ)存介質(zhì)；420測(cè)量設(shè)備；432、434、436、438、442、444、446、448~歩驟;437、447預(yù)測(cè)參數(shù)；452、454、456、457、458、462、464、466、468步驟;459加工結(jié)果；467a、437a預(yù)測(cè)參數(shù)；432a、434a、436a、438a步驟;439比對(duì)結(jié)果。具體實(shí)施方式圖2A是顯示示范的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)的示意圖。制造系統(tǒng)200中包括設(shè)備(apparatus)205以及與設(shè)備205耦接的處理器210。設(shè)備205可包括蝕刻設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜設(shè)備(例如鍋爐(furnace)、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、電氣化學(xué)式電鍍?cè)O(shè)備、無(wú)極電鍍?cè)O(shè)備或其類似的設(shè)備)、注入(implantation)設(shè)備、熱處理設(shè)備、清潔設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)機(jī)臺(tái)及其組合或類似的設(shè)備。于部分實(shí)施例中，設(shè)備205中可包含一個(gè)裝置(device)208，此裝置208可用以改變基底的至少一個(gè)制造條件(例如制造溫度、氣體的類型、上述氣體的流動(dòng)速率(flowmte)、壓力、制造時(shí)間、電壓、電流、射頻(RF)功率、功率、注入能量、注入劑量、光刻(photolithographic)曝光能量、光刻曝光時(shí)間、光阻旋涂速率、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)損耗或旋轉(zhuǎn)速率以及化學(xué)機(jī)械拋光下壓力(downwardforce))，以達(dá)成此基底的加工結(jié)果的預(yù)期的均勻性。換言之，裝置208可在基底的不同位置上分布不同的電位、氣體數(shù)量或制造條件。舉例來(lái)說(shuō)，裝置208可包括可調(diào)整的電極、氣體分布設(shè)備、CMP焊墊(pad)或類似的設(shè)備。于部分實(shí)施例中，裝置208可包括美國(guó)專利公開號(hào)第11/335,455號(hào)專利中所描述的類型，細(xì)節(jié)請(qǐng)共同參考上述專利的內(nèi)容，不在此贅述。處理器210用以執(zhí)行以下操作的至少一個(gè)步驟，包括分析不同制造參數(shù)(processingparameter)與測(cè)量參數(shù)、比對(duì)各種測(cè)量參數(shù)與既定參數(shù)值、比對(duì)各種預(yù)測(cè)參數(shù)值與既定參數(shù)值、比對(duì)各種制造參數(shù)與既定參數(shù)值或其他類似的步驟。舉例來(lái)說(shuō)，處理器210可包括數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、微處理器、計(jì)算機(jī)及其組合或其他類似的裝置的至少一個(gè)。于部分實(shí)施例中，處理器210還用以應(yīng)用對(duì)應(yīng)比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的工藝條件以對(duì)基底進(jìn)行加工。詳細(xì)說(shuō)明如下。參見圖2A，制造系統(tǒng)200還可以包括至少一個(gè)儲(chǔ)存介質(zhì)215，其耦接至處理器210。舉例來(lái)說(shuō)，儲(chǔ)存介質(zhì)215可包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、軟盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、快閃存儲(chǔ)裝置、光盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、數(shù)字影音光盤只讀存儲(chǔ)器(DVD-ROM)、硬盤、高密度(例如ZIP)可擦除式磁盤或是任何其他機(jī)器可讀取(如計(jì)算機(jī)可讀取)儲(chǔ)存介質(zhì)的至少一個(gè)。儲(chǔ)存介質(zhì)215還可用以儲(chǔ)存制造參數(shù)、測(cè)量參數(shù)、加工結(jié)果(processingresult)、比對(duì)結(jié)果、工藝條件、既定參數(shù)及其組合或任何其他類似的參數(shù)。于部分實(shí)施例中，制造系統(tǒng)200耦接至測(cè)量設(shè)備220。測(cè)量設(shè)備220耦接至處理器210，以測(cè)量物理或電氣特性，例如厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻(sheetresistance)、折射系數(shù)(refractiveindex)、介電常數(shù)(dielectricconstant)、硬度、彈性(elasticity)、面積以及間距(space)，因此可計(jì)算出這些特性的均勻性。于部分實(shí)施例中，測(cè)量設(shè)備220整合或嵌入于制造系統(tǒng)中，以有效地加工或收集基底上的參數(shù)。圖2B顯示在單一設(shè)備上的示范的半導(dǎo)體制造方法的加工流程的流程圖。于圖2B中的加工流程顯示了用以對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工的示范步驟，以便依據(jù)第i+l個(gè)工藝參數(shù)，產(chǎn)生參數(shù)條件以對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。于部分實(shí)施例中，在第i個(gè)基底進(jìn)行加工之前，有基底數(shù)字為第i-l個(gè)的基底將被進(jìn)行加工。在第i-l個(gè)基底進(jìn)行加工之后，第i-l個(gè)比對(duì)結(jié)果可由處理器210(如圖2A所示)所產(chǎn)生，并傳回至工藝參數(shù)應(yīng)用步驟232。舉例來(lái)說(shuō)，基底可為硅基底、m-V合成基底、顯示基底例如液晶顯示裝置(LCD)、等離子顯示、有電激發(fā)光(EL)燈管顯示裝置或發(fā)光二極管基底。參見圖2B，于步驟232中，處理器210可應(yīng)用對(duì)應(yīng)第i-l個(gè)比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第i個(gè)工藝條件。第i-l個(gè)比對(duì)結(jié)果來(lái)自第i-l個(gè)基底的參數(shù)。于部分實(shí)施例中，工藝參數(shù)應(yīng)用步驟232可包括從多個(gè)工藝條件或一個(gè)工藝條件選擇表(recipeselectiontable,RST)中選出對(duì)應(yīng)于第i-1個(gè)比對(duì)結(jié)果的工藝條件。第i個(gè)工藝條件被選出來(lái)，使得第i個(gè)工藝條件的制造參數(shù)可對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工，以便產(chǎn)生具有期望的均勻性的至少一個(gè)基底特性。于一個(gè)實(shí)施例中，制造系統(tǒng)200包括薄膜沉積(例如CVD)反應(yīng)室。處理器210應(yīng)用第i個(gè)工藝條件以在第i個(gè)基底上沉積薄膜(未示出)，例如氧化層、氮化層、氮氧化(oxynitride)層及其組合或類似。為了在第i個(gè)基底上沉積薄膜層，處理器210產(chǎn)生對(duì)應(yīng)第i個(gè)工藝條件的至少一個(gè)信號(hào)至設(shè)備205，以便在第i個(gè)基底上以至少一個(gè)期望的基底特性沉積薄膜層。于步驟234，設(shè)備205(如圖2A所示)使用第i個(gè)工藝條件，以對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工，同時(shí)可檢測(cè)到至少一個(gè)第i個(gè)制造參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，這些制造參數(shù)可包括至少一個(gè)制造溫度的參數(shù)值分布、氣體的類型、上述氣體的流動(dòng)速率、壓力、制造時(shí)間、電壓、電流、射頻(RF)功率、功率、注入能量、注入劑量、光刻曝光能量、光刻曝光時(shí)間、光阻旋涂速率、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)旋轉(zhuǎn)速率以及化學(xué)機(jī)械拋光下壓力的至少一個(gè)。為了檢測(cè)這些參數(shù)，設(shè)備205(如圖2A所示)可包括至少一個(gè)檢測(cè)裝置209，例如多感應(yīng)器、檢測(cè)器、壓力計(jì)、流動(dòng)率計(jì)、電壓表、電流表、功率計(jì)、旋轉(zhuǎn)測(cè)量單元及其組合或類似。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)形成薄膜層的實(shí)施例而言，制造參數(shù)可包括至少一個(gè)氣體的一個(gè)類型的一個(gè)參數(shù)分布、上述氣體的流動(dòng)速率、壓力、制造時(shí)間、電壓、功率及其組合或類似。舉例來(lái)說(shuō)，如上述的圖2A，裝置208可提供不同的氣體數(shù)量在第i個(gè)基底的不同區(qū)域。因此，裝置208可通過(guò)在第i個(gè)基底的不同區(qū)域提供不同的氣體數(shù)量，以提供在第i個(gè)基底上的薄膜層的期望的均勻性，例如厚度。于步驟236，處理器210可對(duì)第i個(gè)制造參數(shù)進(jìn)行分析，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第i個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，預(yù)測(cè)參數(shù)可包括預(yù)測(cè)的物理或電氣特性例如厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、硬度、彈性、面積、間距以及這些特性的均勻性。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)形成薄膜層的實(shí)施例而言，預(yù)測(cè)參數(shù)可包括預(yù)測(cè)的厚度以及跨于基底的厚度的均勻性。預(yù)測(cè)參數(shù)可由至少一個(gè)度量方法(metrology)來(lái)產(chǎn)生，例如模型軟件、模擬軟件或虛擬度量技術(shù)。于步驟238，處理器210比對(duì)第i個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與至少一個(gè)第i個(gè)既定參數(shù),以便產(chǎn)生至少一個(gè)第i個(gè)比對(duì)結(jié)果，以對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。此既定參數(shù)可包括物理或電氣特性例如厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、硬度、彈性、面積、間距以及這些特性的均勻性。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)形成薄膜層的實(shí)施例而言，既定參數(shù)可包括厚度以及其均勻性。舉例來(lái)說(shuō)，處理器210可比對(duì)預(yù)測(cè)的厚度與既定的厚度。于步驟238中，處理器210可產(chǎn)生比對(duì)結(jié)果239，例如厚度差。比對(duì)結(jié)果239接著傳回應(yīng)用步驟232，其中包括至少一個(gè)第i+l個(gè)制造參數(shù)的第i+l個(gè)工藝條件應(yīng)用于對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。于這些實(shí)施例中，在步驟234或236中第i個(gè)基底將被加工時(shí)，可以檢索到第i個(gè)制造參數(shù)。此檢索到的第i個(gè)制造參數(shù)接著于步驟236中進(jìn)行分析，以產(chǎn)生第i個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)。接著，第i個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與第i個(gè)既定參數(shù)的比對(duì)結(jié)果239將被傳回，以對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。換言之，在步驟234中對(duì)第i個(gè)基底加工完成前，第i+l個(gè)工藝條件可準(zhǔn)備好，以對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。因此，對(duì)第i+l個(gè)工藝條件的加工不需等待第i個(gè)基底的實(shí)際測(cè)量參數(shù)來(lái)得到第i個(gè)比對(duì)結(jié)果。制造周期時(shí)間可因而減少，進(jìn)而可實(shí)現(xiàn)對(duì)后續(xù)的基底的一個(gè)期望的制造條件調(diào)整。再者，步驟238所產(chǎn)生的比對(duì)結(jié)果239可與裝置208(參見圖2A)合作，以更提供在第i+l個(gè)基底上的期望的特性均勻性。舉例來(lái)說(shuō)，若步驟238所產(chǎn)生的比對(duì)結(jié)果239表示第i個(gè)基底在中央?yún)^(qū)具有厚的部分且在外圍區(qū)具有薄的部分，處理器210(參見圖2A)可應(yīng)用第i+l個(gè)工藝條件，其將調(diào)整，例如，由裝置208在第i+l個(gè)基底上的不同區(qū)域中提供的氣體數(shù)量，使得在第i+l個(gè)基底上形成大致地均一薄膜層。圖2C-1與圖2C-2是顯示緊接在預(yù)約保養(yǎng)(PM)步驟之后的示范的半導(dǎo)體制造方法的流程圖。圖2C-2接續(xù)圖2C-1。步驟222、223、226、228、232、234、236與238可由如圖2A中的系統(tǒng)200所執(zhí)行。步驟224則由測(cè)量設(shè)備220(參見圖2A)所執(zhí)行。步驟221表示預(yù)約保養(yǎng)(PM)步驟。預(yù)約保養(yǎng)步驟221可能發(fā)生于正常關(guān)機(jī)、周期性關(guān)機(jī)、不當(dāng)?shù)牟僮髦蠡蛉魏涡枰{(diào)整如圖2A所示的設(shè)備205時(shí)。在設(shè)備205的預(yù)約保養(yǎng)(PM)步驟221之后，步驟222可在設(shè)備205上對(duì)第1個(gè)基底進(jìn)行加工。于部分實(shí)施例中，由于第1個(gè)基底于PM步驟221之后緊接地被進(jìn)行加工，此時(shí)最后的基底無(wú)法提供任何有效的比對(duì)結(jié)果以對(duì)第1個(gè)基底進(jìn)行加工。因此，第1個(gè)基底可依據(jù)預(yù)設(shè)的制造參數(shù)進(jìn)行加工，其中此預(yù)設(shè)的制造參數(shù)可形成具有期望的厚度與厚度均勻性的薄膜層。于部分實(shí)施例中，步驟223可分析由步驟222所檢測(cè)到的制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一預(yù)測(cè)參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，此第一預(yù)測(cè)參數(shù)可為預(yù)測(cè)的物理或電氣特性例如厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、硬度、彈性、面積、間距以及這些特性的均勻性。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)形成一薄膜層的實(shí)施例而言，第一預(yù)測(cè)參數(shù)可包括在第1個(gè)基底上所形成的薄膜層的預(yù)測(cè)厚度及其預(yù)測(cè)厚度均勻性。于步驟224，測(cè)量設(shè)備220(參見圖2A)收集被加工的第1個(gè)基底的至少一個(gè)基底特性，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，此第一測(cè)量參數(shù)可包括物理或電氣特性，例如厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、硬度、彈性、面積、間距以及這些特性的均勻性。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)形成一薄膜層的實(shí)施例而言，第一測(cè)量參數(shù)可包括在第1個(gè)基底上所形成的薄膜層的厚度及其厚度均勻性。于步驟226，處理器210可比對(duì)第1個(gè)測(cè)量參數(shù)值、第l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值或至少一個(gè)第1個(gè)既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第1個(gè)比對(duì)結(jié)果229。舉例來(lái)說(shuō)，此第一既定參數(shù)可包括物理或電氣特性，例如厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、硬度、彈性、面積、間距以及這些特性的均勻性。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)形成一薄膜層的實(shí)施例而言，第一既定參數(shù)可包括在薄膜層的既定厚度及其厚度均勻性。此外，比對(duì)結(jié)果229可包括第一薄膜層的厚度差及其均勻性差。于步驟228，處理器210可應(yīng)用對(duì)應(yīng)于第1次比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第2個(gè)工藝條件，以對(duì)接續(xù)的第2個(gè)基底進(jìn)行加工。舉例來(lái)說(shuō)，若步驟228所產(chǎn)生的比對(duì)結(jié)果229表示第1個(gè)基底上形成的第一薄膜層在中央?yún)^(qū)具有厚的部分且在外圍區(qū)具有薄的部分，處理器210(參見圖2A)可應(yīng)用第2個(gè)工藝條件，其將調(diào)整，例如，由裝置208在第2個(gè)基底上提供的氣體數(shù)量，使得在第2個(gè)基底上將形成期望的均一薄膜層。在步驟228完成后，于步驟234，設(shè)備205依據(jù)第2個(gè)工藝條件，對(duì)第2個(gè)基底以至少一個(gè)第2個(gè)制造參數(shù)進(jìn)行加工。因此，如圖2C-l和圖2C-2所示的流程，即圖2B所示的流程，被執(zhí)行以產(chǎn)生比對(duì)結(jié)果，以對(duì)第3個(gè)基底與后續(xù)的基底加工。圖2D-1與圖2D-2是顯示示范的半導(dǎo)體制造方法的流程圖，用于以至少一個(gè)測(cè)量參數(shù)調(diào)整制造條件。圖2D-2接續(xù)圖2D-1。參見圖2B，由于對(duì)基底的加工依據(jù)比對(duì)預(yù)測(cè)參數(shù)與既定參數(shù)的比對(duì)結(jié)果239來(lái)進(jìn)行，此處沒(méi)有應(yīng)用任何實(shí)際的測(cè)量參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)形成薄膜層的部分實(shí)施例而言，基底的既定參數(shù)可為預(yù)設(shè)或固定的厚度。于步驟238，若第i個(gè)基底由沉積工藝所控制時(shí)所檢測(cè)到的制造參數(shù)產(chǎn)生大致上符合既定參數(shù)的預(yù)測(cè)參數(shù)時(shí)，后續(xù)的制造參數(shù)也將變成固定。在沒(méi)有實(shí)際監(jiān)控設(shè)備205及/或在基底上形成的薄膜層的特性的情形下，由預(yù)測(cè)參數(shù)得到的比對(duì)結(jié)果239可能無(wú)法反應(yīng)設(shè)備205的環(huán)境及/或在基底上的薄膜層的厚度或均勻性。因此，以固定制造參數(shù)進(jìn)行加工的后續(xù)基底可能無(wú)法提供期望的薄膜層物理或電氣特性。為了避免上述情形發(fā)生，于部分實(shí)施例中將加入檢査的步驟。參見圖2D-1和圖2D-2，步驟237加入于工藝步驟236與238之間。其中，"M"表示設(shè)備205在兩個(gè)連續(xù)的檢查步驟之間所進(jìn)行加工的基底數(shù)量。換言之，"M"也表示由設(shè)備205所進(jìn)行加工的第M個(gè)基底。舉例來(lái)說(shuō)，"M"可為120(5批次的晶圓)、240(10批次的晶圓)、360、...、120x及其組合或類似中的至少一個(gè)。于部分實(shí)施例中，"M"可依據(jù)制造歷史紀(jì)錄來(lái)選出，其中此制造歷史紀(jì)錄可儲(chǔ)存于儲(chǔ)存介質(zhì)215(參見圖2A)。舉例來(lái)說(shuō)，設(shè)備205的制造歷史紀(jì)錄可表示設(shè)備205的制造條件的傾向，使得設(shè)備205于測(cè)量間所進(jìn)行加工的基底數(shù)量不會(huì)使得設(shè)備205的環(huán)境高過(guò)或低于不期望的規(guī)格。值得注意的是，"M"的設(shè)定可隨著設(shè)備205的類型及/或其所執(zhí)行的工藝而改變。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在讀過(guò)本說(shuō)明書之后，皆可容易地調(diào)整或選出期望的數(shù)字"M"，以檢查設(shè)備205及/或進(jìn)行加工中的基底的特性。如圖2D-l和圖2D-2所示，如果i不等于M，執(zhí)行步驟238并且重復(fù)執(zhí)行圖2B所示的流程。當(dāng)i等于M時(shí)，第M個(gè)基底被送到測(cè)量設(shè)備220(參見圖2A)，以收集其物理及/或電氣特性，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第M個(gè)測(cè)量參數(shù)于步驟241中。其中，第M個(gè)測(cè)量參數(shù)相同或類似于圖2A所提的測(cè)量參數(shù)。于步驟242，處理器210可比對(duì)第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與第M個(gè)測(cè)量參數(shù)，以便產(chǎn)生第一次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果。此第一次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果提供與來(lái)自實(shí)際測(cè)量參數(shù)值的預(yù)測(cè)參數(shù)值的誤差相關(guān)的信息。這個(gè)信息可被傳回以改變度量方法(metrology)，例如前述圖2A所描述的虛擬度量技術(shù)或模擬軟件沐示出)。于步驟243，處理器210可判斷第一次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果是否大于或等于第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值與第M個(gè)測(cè)量參數(shù)值中的較高者的既定百分比(例如1%)。若否，模擬軟件將不會(huì)被修正。第一次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果243a接著被送到步驟232，以對(duì)第M+1個(gè)(即第i+l個(gè))基底進(jìn)行加工。然而，若第一次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果約等于或高于第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值與第M個(gè)測(cè)量參數(shù)值的既定百分比(例如1%)時(shí)，如步驟244，度量方法(未示出)將被修正或更正。于步驟244，處理器210可修正度量方法，例如軟件，以產(chǎn)生修正的第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)，并比對(duì)修正的第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與第M個(gè)既定參數(shù)，以便產(chǎn)生第二次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果。舉例來(lái)說(shuō)，設(shè)備205可包括CVD反應(yīng)室。第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值為厚度約5000埃(二)，而第M個(gè)測(cè)量參數(shù)值為厚度約4950埃。因此，第一次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果顯示約50埃的差，其高于兩者間較高者(即第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值)的10%。于步驟244，處理器210可接著修正模擬軟件，例如參考表，此參考表提供了各種制造參數(shù)(例如沉積速率、溫度、壓力、氣體、氣體流動(dòng)率極其組合或類似)與其對(duì)應(yīng)的厚度值。處理器210可修正對(duì)應(yīng)的厚度值，并重新以步驟234檢測(cè)到的第M個(gè)制造參數(shù)分析，使得修正的第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)大致上與第M個(gè)測(cè)量參數(shù)相同。換言之，度量方法的修正可如預(yù)期地監(jiān)控設(shè)備205(參見圖2A)的環(huán)境條件。于步驟244，處理器210也可比對(duì)修正的第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與第M個(gè)既定參數(shù)，以便產(chǎn)生第二次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果。由于修正的第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值由修正的度量方法所產(chǎn)生，此修正的第M個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)值可反映出實(shí)際的測(cè)量值。換言之，第二次第M個(gè)比對(duì)結(jié)果245反映出來(lái)自第M個(gè)既定參數(shù)的第M個(gè)測(cè)量參數(shù)的實(shí)際誤差。因此，就算步驟238所產(chǎn)生的比對(duì)結(jié)果239不能如預(yù)期地反映出設(shè)備205的實(shí)際環(huán)境條件及/或基底的特性，步驟237、241-244可提供對(duì)度量方法的期望地修正，使得對(duì)應(yīng)至少一個(gè)第M+1個(gè)制造參數(shù)的期望的第M+l個(gè)(即第i+l個(gè))工藝條件可應(yīng)用于步驟232中接續(xù)的第M+l個(gè)基底。于步驟244a,處理器210可判斷送到設(shè)備205的對(duì)應(yīng)于第二次比對(duì)結(jié)果的總合的補(bǔ)償值(offsetvalue)是否等于或超過(guò)既定極限。若是，執(zhí)行PM步驟244b。若否，第M個(gè)比對(duì)結(jié)果245傳回至步驟232以對(duì)后續(xù)的基底進(jìn)行加工。舉例來(lái)說(shuō)，此既定極限可能對(duì)應(yīng)于如下圖2F所示的上臨界電位(uppercriticallayer,UCL)與下臨界電位(lowercriticallayer,LCL)。如前述的步驟244，比對(duì)結(jié)果245被提供且將被傳回以調(diào)整或修正設(shè)備205，使得調(diào)整后的設(shè)備205可對(duì)后續(xù)的基底進(jìn)行加工，在基底上產(chǎn)生期望的均勻性。然而，對(duì)設(shè)備205的調(diào)整的好處是有限的。舉例來(lái)說(shuō)，由設(shè)備205在多基底上所形成的介電層，影響這些基底的厚度均勻性的參數(shù)，例如，為設(shè)備205的上電極以及基底間的距離。步驟243與244可修正每120基底制造周期的度量方法，并且設(shè)備205的上電極以及基底間的距離也可對(duì)應(yīng)度量方法的修正而進(jìn)行調(diào)整。于部分實(shí)施例中，在數(shù)個(gè)對(duì)應(yīng)設(shè)備205的多次監(jiān)控的距離修正之后，設(shè)備205的上電極可被調(diào)整接近至基底，使得設(shè)備205的上電極可能破壞基底。因此，步驟244a提供安全的監(jiān)控，使得對(duì)設(shè)備205的整體調(diào)整不超過(guò)既定極限。圖2E-1與圖2E-2顯示另一示范的半導(dǎo)體制造方法的流程圖，用于以至少一個(gè)測(cè)量參數(shù)調(diào)整制造條件。圖2E-2接續(xù)圖2E-1。于這些實(shí)施例中，步驟246-249a與249c分別類似于步驟241-244a與244b。比對(duì)結(jié)果248a與24%分別類似于比對(duì)結(jié)果243a與245。于步驟237a，處理器210(參見圖2A)可判斷設(shè)備205的制造時(shí)間是否大于或等于既定制造時(shí)間。若否，執(zhí)行如前述的步驟238。若制造時(shí)間大于或等于既定制造時(shí)間時(shí)，執(zhí)行步驟246-249a與249c，并且第一次與第二次第n個(gè)比對(duì)結(jié)果248a與24%分別地被用來(lái)應(yīng)用第n個(gè)工藝條件，以對(duì)第n+l個(gè)基底進(jìn)行加工。于部分實(shí)施例中，制造時(shí)間于如圖2C-1和圖2C-2所示的PM步驟之后測(cè)量而得。舉例來(lái)說(shuō)，制造時(shí)間的單位可包括秒、分、日、周、月及其組合或類圖2F為示意圖，顯示由圖2A-2E-2所示的方法與由已知方法所調(diào)整的設(shè)備條件曲線圖。參見圖2F，點(diǎn)狀線252與254表示在單一機(jī)臺(tái)的已知方法的連續(xù)流程的基底特性的曲線。點(diǎn)狀線256表示如前述的示范的調(diào)整方法的基底特性的曲線。坐標(biāo)系統(tǒng)(未標(biāo)示)中包括水平軸與垂直軸，其中水平軸表示基底數(shù)或制造時(shí)間，垂直軸表示監(jiān)控資料?；讛?shù)與制造時(shí)間分別對(duì)應(yīng)于圖2D-1和圖2D-2所示的數(shù)字"M"與圖2E-1和圖2E-2所示的制造時(shí)間。上臨界電位(UCL)與下臨界電位(LCL)表示基底特性的期望電位。一般而言，在曲線252與254分別達(dá)到UCL與LCL之前，PM步驟或PM周期作用于設(shè)備。由于沒(méi)有提供對(duì)設(shè)備條件的調(diào)整，PM步驟或PM周期必須作用于固定周期時(shí)間的結(jié)束時(shí)。不同于已知曲線252與254，依據(jù)圖2A-2E所示的示范方法提供介于UCL與LCL間的中間修正。曲線256的每一區(qū)段對(duì)應(yīng)于圖2D-1和圖2D-2與圖2E-1和圖2E-2所示的設(shè)備調(diào)整步驟237、-237a、242、244、247與249。利用這些調(diào)整步驟，設(shè)備條件及/或基底特性可在每個(gè)區(qū)段的開始時(shí)如預(yù)期般地調(diào)整。換言之，設(shè)備條件及/或基底特性被調(diào)整回到每個(gè)區(qū)段的第1個(gè)基底的條件。因此，如前述的示范方法中的PM周期可被延長(zhǎng)且可較己知的PM周期長(zhǎng)。于圖2D-1和圖2D-2所示的部分實(shí)施例中，當(dāng)對(duì)設(shè)備205的調(diào)整或修正等于或超過(guò)既定極限時(shí)，提供PM步驟249來(lái)修正設(shè)備205，使得設(shè)備205可如預(yù)期般地運(yùn)作。圖3A是顯示制造系統(tǒng)的區(qū)塊示意圖，其中此制造系統(tǒng)包括如圖2A所示的兩個(gè)設(shè)備。參見圖3A，設(shè)備305可包括至少一個(gè)如圖2A所示的設(shè)備205。處理器310可相同或類似于處理器210。于部分實(shí)施例中，處理器210與310可彼此耦接。于另一些實(shí)施例中，處理器210與310可整合或嵌入于單一裝置或機(jī)臺(tái)，以執(zhí)行以下描述的功能。測(cè)量設(shè)備320可相同或類似于測(cè)量設(shè)備220。裝置308與儲(chǔ)存介質(zhì)315可分別相同或類似于如前述的裝置208與儲(chǔ)存介質(zhì)215。檢測(cè)裝置309可相同或類似于如圖2A所示的檢測(cè)裝置209。圖3B是顯示示范方法的流程圖，用以依據(jù)在系統(tǒng)200中產(chǎn)生的第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與在系統(tǒng)300中產(chǎn)生的第j個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)來(lái)對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。于部分實(shí)施例中，設(shè)備205可為CVD設(shè)備以及設(shè)備305可為CMP設(shè)備、設(shè)備205可為CVD設(shè)備以及設(shè)備305可為蝕刻設(shè)備、設(shè)備205可為光刻設(shè)備以及設(shè)備305可為蝕刻設(shè)備、或者設(shè)備205以及設(shè)備305可為提供相關(guān)基底特性的設(shè)備。參見圖3B，步驟332、334、336與338類似于圖2B中所示的步驟232、234、236與238。圖2B與圖3B兩者的流程差異在于圖3B還包括產(chǎn)生第i+l次比對(duì)結(jié)果339以對(duì)第i+2個(gè)基底進(jìn)行加工的步驟。在步驟336完成之后，第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)337可被儲(chǔ)存于儲(chǔ)存介質(zhì)215、315、兩者的組合或另一儲(chǔ)存介質(zhì)。于步驟342，處理器310可應(yīng)用第j個(gè)工藝條件,以對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工。步驟342類似于前述圖2B中的步驟232。于步驟344，設(shè)備305可對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工，同時(shí)檢測(cè)到至少一個(gè)第j個(gè)制造參數(shù)。步驟344類似于前述圖2B中的步驟234。于步驟346，處理器310可分析第j個(gè)制造參數(shù)的影響，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第j個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)。步驟346類似于前述圖2B中的步驟236。于步驟347，處理器310可比對(duì)第j個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與第j個(gè)既定參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第j個(gè)比對(duì)結(jié)果。比對(duì)步驟347類似于前述圖2B中的比對(duì)步驟238，差異在于此時(shí)尚未提供第j個(gè)比對(duì)結(jié)果，以對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。于步驟347，處理器310可獲取在系統(tǒng)200上產(chǎn)生的第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)337并分析第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)337與第j個(gè)比對(duì)結(jié)果，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第j個(gè)加工結(jié)果349，以對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。舉例來(lái)說(shuō)，設(shè)備205可為CVD設(shè)備以及設(shè)備305可為CMP設(shè)備。于步驟334，CVD設(shè)備205在第i+l個(gè)基底上形成第i+l個(gè)薄膜層。接著，步驟336對(duì)步驟334的制造參數(shù)(例如制造氣體的分布、氣體流動(dòng)率、制造溫度、制造壓力、功率極其組合或類似情形)進(jìn)行加工，以便產(chǎn)生第i+l個(gè)基底的預(yù)測(cè)厚度及/或其均勻性337。舉例來(lái)說(shuō)，預(yù)測(cè)的厚度337可被儲(chǔ)存于儲(chǔ)存介質(zhì)215中。于步驟344，CMP設(shè)備305對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工，同時(shí)檢測(cè)到第j個(gè)制造參數(shù)(例如旋轉(zhuǎn)速率、下壓力的分布、研漿、研漿量及其組合或類似)。于步驟346，處理器310接著分析第j個(gè)制造參數(shù),以便產(chǎn)生第j個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)(例如預(yù)測(cè)的移除速率或移除厚度與均勻性)。于步驟347，處理器310可比對(duì)第j個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)第j個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)(也就是說(shuō)，預(yù)測(cè)的移除速率或移除厚度及其均勻性)與第j個(gè)既定參數(shù)(也就是說(shuō)，既定的移除速率或移除厚度及其均勻性),以便產(chǎn)生第j次比對(duì)結(jié)果(例如預(yù)測(cè)的移除速率誤差或來(lái)自既定移除速率的厚度及/或其均勻性的誤差)。于步驟348，處理器310可分析由系統(tǒng)200上所得到的預(yù)測(cè)厚度337與第j個(gè)比對(duì)結(jié)果(例如預(yù)測(cè)的移除速率誤差或來(lái)自既定移除速率的厚度及/或其均勻性的誤差)，以便產(chǎn)生第j個(gè)加工結(jié)果349(例如預(yù)測(cè)的剩余厚度及其均勻性)，以在設(shè)備305上對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。第j個(gè)加工結(jié)果349接著被傳回至步驟342，以更進(jìn)一步對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。值得注意的是，如圖2C-1和圖2C-2所示的步驟222、224、226與228、如圖2D-1和圖2D-2所示的步驟237與241-244及/或如圖2E-1和圖2E-2所示的步驟237a與246-249可個(gè)別或同時(shí)應(yīng)用于系統(tǒng)200與300，以實(shí)現(xiàn)期望的制造流程。此外，裝置208與308可更進(jìn)一步提供至少一個(gè)期望的均一的基底特性(例如厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、硬度、彈性、面積、間距以及這些特性的均勻性等等)。利用這些期望的均一的基底特性，在基底的外圍區(qū)與中央?yún)^(qū)所形成的晶?？梢栽谄谕囊?guī)格中且具有近似電氣特性(例如電阻值、電流、臨界電壓或其類似)來(lái)形成。依據(jù)前述的示范方法，基底可提供更多通過(guò)可接受標(biāo)準(zhǔn)的晶粒。因此，可提高晶粒的生產(chǎn)率與合格率。圖4A是顯示具有三個(gè)設(shè)備的制造系統(tǒng)的區(qū)塊示意圖。參見圖4A，設(shè)備405可包括至少一個(gè)如圖2A所示的設(shè)備205。處理器410可相同或類似于處理器210。于部分實(shí)施例中，處理器210、310與410可彼此耦接。于另一些實(shí)施例中，處理器210、310與410中的至少兩個(gè)可整合或嵌入于單一裝置或機(jī)臺(tái)，以執(zhí)行以下描述的功能。測(cè)量設(shè)備420可相同或類似于測(cè)量設(shè)備220。裝置408與儲(chǔ)存介質(zhì)415可分別相同或類似于如前述的裝置208與儲(chǔ)存介質(zhì)215。檢測(cè)裝置409可相同或類似于如圖2A所示的檢測(cè)裝置209。圖4B-1與圖4B-2顯示示范方法的流程圖，用以依據(jù)在系統(tǒng)200中產(chǎn)生的第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)、在系統(tǒng)300中產(chǎn)生的第j+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與在系統(tǒng)400中產(chǎn)生的第k個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)來(lái)對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。圖4B-2是圖4B-1的接續(xù)圖。于部分實(shí)施例中，設(shè)備205可為CVD設(shè)備、設(shè)備305可為CMP設(shè)備以及設(shè)備405可為蝕刻設(shè)備、設(shè)備205可為CVD設(shè)備、設(shè)備305可為蝕刻設(shè)備以及設(shè)備405可為金屬CVD設(shè)備、設(shè)備205可為光刻設(shè)備、設(shè)備305可為蝕刻設(shè)備以及設(shè)備405可為CVD設(shè)備、或者設(shè)備205、設(shè)備305以及設(shè)備405中至少二個(gè)可為提供至少一個(gè)影響相關(guān)基底特性的設(shè)備。參見圖4B-1與圖4B-2，步驟432、434、436、438、442、444、446與448類似于圖2B中所示的步驟232、234、236與238。圖2B與圖4B-1和圖4B-2的流程差異在于圖4B-1與圖4B-2還包括產(chǎn)生第i+l次與第j+l次比對(duì)結(jié)果，以在系統(tǒng)400上對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工的歩驟。在圖2A與圖3A的實(shí)施例中，系統(tǒng)200與系統(tǒng)300不相關(guān)，例如，且由系統(tǒng)200所產(chǎn)生的預(yù)測(cè)參數(shù)，并不提供至系統(tǒng)300使其對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。在步驟436與446完成之后，第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)437與第j+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)447可被儲(chǔ)存于儲(chǔ)存介質(zhì)215、315、415、三者的組合或另一儲(chǔ)存介質(zhì)。于步驟452，處理器410可應(yīng)用第k個(gè)工藝條件,以對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工。步驟452類似于前述圖2B中的步驟232。于步驟454，設(shè)備405可對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工，同時(shí)檢測(cè)到至少一個(gè)第k個(gè)制造參數(shù)。步驟454類似于前述圖2B中的步驟234。于步驟456，處理器410可分析第k個(gè)制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第k個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)。步驟456類似于前述圖2B中的步驟246。于步驟457，處理器410可比對(duì)第k個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)與第k個(gè)既定參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第k個(gè)比對(duì)結(jié)果。比對(duì)步驟457類似于前述圖2B中的比對(duì)步驟238，差異在于此時(shí)尚未提供第k個(gè)比對(duì)結(jié)果，以對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行于步驟458，處理器410可獲取在系統(tǒng)200上產(chǎn)生的第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)437以及第j+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)447，并分析第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)437、第j+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)447與第k個(gè)比對(duì)結(jié)果，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第k個(gè)加工結(jié)果459，以對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。舉例來(lái)說(shuō)，設(shè)備205可為CVD設(shè)備、設(shè)備305可為CMP設(shè)備以及設(shè)備305可為蝕刻設(shè)備。于圖4A中，由設(shè)備205所產(chǎn)生的基底特性，例如，并不影響由設(shè)備305所產(chǎn)生的基底特性。因此，由步驟436所產(chǎn)生的預(yù)測(cè)參數(shù)437并不提供至系統(tǒng)300以產(chǎn)生加工結(jié)果。舉例來(lái)說(shuō)，于步驟434，CVD設(shè)備205可在第i+l個(gè)基底上形成薄膜層。接著，步驟436對(duì)歩驟434的制造參數(shù)(例如制造氣體的分布、氣體流動(dòng)率、制造溫度、制造壓力、功率極其組合或類似情形)進(jìn)行加工，以便產(chǎn)生第i+l個(gè)基底的預(yù)測(cè)厚度437。舉例來(lái)說(shuō)，預(yù)測(cè)厚度437可被儲(chǔ)存于儲(chǔ)存介質(zhì)215中。舉例來(lái)說(shuō)，于步驟444，CMP設(shè)備305可以利用第j+l個(gè)制造參數(shù)(例如旋轉(zhuǎn)速率、下壓力的分布、研漿、研漿量及其組合或類似)，對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。處理器310接著分析第j+l個(gè)制造參數(shù),以便產(chǎn)生第j+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)(例如預(yù)測(cè)的移除速率或移除厚度與均勻性)。舉例來(lái)說(shuō)，預(yù)測(cè)的移除速率或移除厚度與移除均勻性可儲(chǔ)存于儲(chǔ)存介質(zhì)315中。于系統(tǒng)400中，例如，蝕刻設(shè)備405可移除部分的薄膜層，其對(duì)應(yīng)于在薄膜層上形成的圖案化的光阻層(未示出)，以形成介層/接觸孔、鑲嵌溝槽(damascenetrench)、鑲嵌孔或其類似。于步驟452，處理器310可應(yīng)用第k個(gè)工藝條件至蝕刻設(shè)備405，以對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工。于步驟454，蝕刻設(shè)備405接著對(duì)第i個(gè)基底進(jìn)行加工，同時(shí)由檢測(cè)裝置409(參見圖4A)檢測(cè)到至少一個(gè)第k個(gè)制造參數(shù)。于步驟456，處理器410接著分析第k個(gè)制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第k個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)(例如預(yù)測(cè)的蝕刻速率或蝕刻厚度，即，蝕刻深度及其均勻性)。于步驟457，處理器410可比對(duì)第k個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)(也就是說(shuō)，預(yù)測(cè)的蝕刻速率或蝕刻厚度，即，蝕刻深度及其均勻性)與第k個(gè)既定參數(shù)(也就是說(shuō)，既定蝕刻速率或蝕刻厚度及其均勻性)，以便產(chǎn)生第k次比對(duì)結(jié)果(例如預(yù)測(cè)的蝕刻速率誤差或來(lái)自既定蝕刻速率或厚度及其均勻性的均勻性誤差)。于步驟458，處理器410可分析由系統(tǒng)200上所得到的預(yù)測(cè)厚度437與第k個(gè)比對(duì)結(jié)果(例如預(yù)測(cè)的蝕刻速率誤差或來(lái)自既定蝕刻速率或厚度及其均勻性的均勻性誤差)，以及/或由系統(tǒng)300上所得到的預(yù)測(cè)的移除速率或移除厚度447，即蝕刻深度及/或其均勻性，以便產(chǎn)生第k個(gè)加工結(jié)果459(例如預(yù)測(cè)的深度)，以在設(shè)備405上對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。第k個(gè)加工結(jié)果459接著被傳回至步驟452，以更進(jìn)一步對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。值得注意的是，如圖2C-1和圖2C-2所示的步驟222、223、224、226與228、如圖2D-1和圖2D-2所示的步驟237與241-244及/或如圖2E-1和圖2E-2所示的步驟237a與246-249與249c可個(gè)別或同時(shí)應(yīng)用于系統(tǒng)200與300，以實(shí)現(xiàn)期望的制造流程。此外，裝置208與308及/或408可更進(jìn)一步提供至少一個(gè)期望的均一的基底特性(例如厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、硬度、彈性、面積、間距以及這些特性的均勻性等等)。利用這些期望的均一的基底特性，在基底的外圍區(qū)與中央?yún)^(qū)所形成的晶粒可以在期望的規(guī)格中且具有近似電氣特性(例如電阻值、電流、臨界電壓或其類似)來(lái)形成。依據(jù)前述的示范方法，基底可提供更多通過(guò)可接受標(biāo)準(zhǔn)的晶粒。因此，可提高晶粒的生產(chǎn)率與合格率。圖4C-1、圖4C-2與圖4C-3是顯示示范方法的流程圖，用以依據(jù)在系統(tǒng)200中產(chǎn)生的第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)437、在系統(tǒng)300中產(chǎn)生的第j+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)467a與在系統(tǒng)400中產(chǎn)生的第k個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)來(lái)對(duì)第i+l個(gè)基底進(jìn)行加工。圖4C-2與圖4C-3接續(xù)圖4C-1。于圖4C-1、圖4C-2與圖4C-3中，由系統(tǒng)200與300所產(chǎn)生的基底特性是相關(guān)的。步驟432a、434a、436a與438a分別地類似于步驟432、434、436與438。步驟432a、434a、436a與438a用以產(chǎn)生第i+2個(gè)比對(duì)結(jié)果439a，以對(duì)第i+3個(gè)基底進(jìn)行加工，而步驟432、434、436與438用以產(chǎn)生第i+l個(gè)比對(duì)結(jié)果439，以對(duì)第i+2個(gè)基底進(jìn)行加工。換言之，如圖4C-1、圖4C-2與圖4C-3中所示的系統(tǒng)200的制造流程是圖2B中所示的制造流程的擴(kuò)展制造流程，以較佳顯示出第i+l個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)437提供至步驟458以產(chǎn)生第k個(gè)加工結(jié)果，而第i+2個(gè)預(yù)測(cè)參數(shù)437a提供至步驟468以產(chǎn)生第j+l個(gè)加工結(jié)果。步驟462、464、466、467與468類似于如圖3B所示的步驟342、344、346、347與348。本發(fā)明的方法，或特定型態(tài)或其部分，可以以程序代碼的型態(tài)包含于實(shí)體介質(zhì)，如軟盤、光盤、硬盤、或是任何其他機(jī)器可讀取(如計(jì)算機(jī)可讀取)儲(chǔ)存介質(zhì)，其中，當(dāng)程序代碼被機(jī)器，如計(jì)算機(jī)載入且執(zhí)行時(shí)，此機(jī)器變成用以參與本發(fā)明的裝置或設(shè)備。本發(fā)明的方法與設(shè)備也可以以程序代碼形式通過(guò)一些傳送介質(zhì)，如電線或電纜、光纖、或是任何傳輸方式進(jìn)行傳送，其中，當(dāng)程序代碼被機(jī)器，如計(jì)算機(jī)接收、載入且執(zhí)行時(shí)，此機(jī)器變成用以參與本發(fā)明的裝置或設(shè)備。當(dāng)在一般用途處理器應(yīng)用時(shí)，程序代碼結(jié)合處理器提供操作類似于應(yīng)用特定邏輯電路的獨(dú)特裝置或設(shè)備。上述說(shuō)明提供數(shù)種不同實(shí)施例或應(yīng)用本發(fā)明的不同特性的實(shí)施例。實(shí)例中的特定元件以及工藝用以幫助闡釋本發(fā)明的主要精神及目的，當(dāng)然本發(fā)明不限于此。因此，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許變化與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體制造方法，包括在第一設(shè)備上對(duì)第一基底進(jìn)行加工，同時(shí)檢測(cè)到第一制造參數(shù)的至少一個(gè)數(shù)值；分析所述第一制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值與第一既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第一工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)第二基底進(jìn)行加工。2.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造方法，其中所述第一制造參數(shù)包括制造溫度、氣體的類型、所述氣體的流動(dòng)速率、壓力、制造時(shí)間、電壓、電流、射頻RF功率、功率、注入能量、注入劑量、光刻曝光能量、光刻曝光時(shí)間、光阻旋涂速率、化學(xué)機(jī)械拋光旋轉(zhuǎn)速率以及化學(xué)機(jī)械拋光下壓力的至少一個(gè)。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其中所述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值包括厚度、寬度、深度、長(zhǎng)度、直徑、電阻值、片電阻、折射系數(shù)、介電常數(shù)、均勻性、硬度、彈性、面積以及間距的至少一個(gè)。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，還包括在預(yù)約保養(yǎng)步驟之后且在對(duì)所述第一基底進(jìn)行加工之前，對(duì)第三基底進(jìn)行加工，同時(shí)立即地檢測(cè)到第二制造參數(shù)；測(cè)量所述第三基底，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)值；比對(duì)所述第一測(cè)量參數(shù)值與第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第二比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以對(duì)所述第一基底進(jìn)行加工。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，還包括對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工，同時(shí)檢測(cè)到對(duì)應(yīng)所述第一工藝條件的至少一個(gè)第二制造參數(shù)值；分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值；以及判斷與所述第二基底相關(guān)的數(shù)字是否等于既定值，其中所述數(shù)字表示從預(yù)約保養(yǎng)操作而被進(jìn)行加工的累計(jì)基底數(shù)量或是從所述預(yù)約保養(yǎng)操作后的且其中若所述數(shù)字不等于所述既定值時(shí)，所述方法還包括比對(duì)所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果，以對(duì)第三基底進(jìn)行加工，且其中若所述數(shù)字等于所述既定值時(shí)，所述方法還包括測(cè)量所述第二基底，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)值；比對(duì)所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三比對(duì)結(jié)果，其中若所述第三比對(duì)結(jié)果不大于或等于所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值的至少一個(gè)的既定百分比時(shí)，所述方法還包括應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第三比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)第三基底進(jìn)行加工，且其中若所述第三比對(duì)結(jié)果大致上等于或高于所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值的至少一個(gè)的所述既定百分比時(shí)，所述方法還包括修正模擬軟件，以產(chǎn)生修正的預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述修正的預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第三既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生第四比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第四比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第三工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)所述第三基底進(jìn)行加工。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，還包括以對(duì)應(yīng)所述第一工藝條件的至少一個(gè)第二制造參數(shù)值，對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工；分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值；以及判斷所述第一設(shè)備的制造時(shí)間是否大于或等于既定制造時(shí)間，其中若所述第一設(shè)備的所述制造時(shí)間不大于或不等于所述既定制造時(shí)間時(shí)，所述方法還包括比對(duì)所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果，以對(duì)第三基底進(jìn)行加工，且其中若所述第一設(shè)備的所述制造時(shí)間大于或等于所述既定制造時(shí)間時(shí)，所述方法還包括測(cè)量所述第二基底，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)值；比對(duì)所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三比對(duì)結(jié)果，其中若所述第三比對(duì)結(jié)果不大于或不等于所述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值的至少一個(gè)的既定百分比時(shí)，所述方法還包括應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第三比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)第三基底進(jìn)行加工，且其中若所述第三比對(duì)結(jié)果大致上等于或多于上述第一測(cè)量參數(shù)值與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值的至少一個(gè)的所述既定百分比時(shí)，所述方法還包括修正模擬軟件，以產(chǎn)生修正的預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述修正的預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第三既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生第四比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第四比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第三工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)所述第三基底進(jìn)行加工。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其中所述應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的所述第一工藝條件的步驟包括由工藝條件選擇表中選出所述第一工藝條件。8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其中所述第一工藝條件用以提供所述第二基底的至少一個(gè)大致地均一特征。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，還包括以對(duì)應(yīng)所述第一工藝條件的至少一個(gè)第二制造參數(shù)值，在所述第一設(shè)備上對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工；分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值；對(duì)所述第一基底進(jìn)行加工，同時(shí)在第二裝置上檢測(cè)到對(duì)應(yīng)所述第一制造參數(shù)的至少一個(gè)第三制造參數(shù)值；分析所述第三制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述第三預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一加工結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一加工結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第二設(shè)備上對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工。10.如權(quán)利要求9項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造方法，還包括以對(duì)應(yīng)所述第二工藝條件的至少一個(gè)第四制造參數(shù)值，在所述第二設(shè)備上對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工；分析所述第四制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第四預(yù)測(cè)參數(shù)值；以至少一個(gè)第五制造參數(shù)值，在第三設(shè)備上對(duì)所述第一基底進(jìn)行加工；分析所述第五制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第五預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述第五預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第三既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三比對(duì)結(jié)果；分析所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值、所述第四預(yù)測(cè)參數(shù)值與所述第三比對(duì)結(jié)果，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二加工結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第二加工結(jié)果所產(chǎn)生的第三工藝條件，以在所述第三設(shè)備上對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工。11.一種半導(dǎo)體制造方法，包括對(duì)第一基底進(jìn)行加工，同時(shí)在第一設(shè)備上檢測(cè)到至少一個(gè)第一制造參數(shù)的第一制造參數(shù)值；分析所述第一制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一預(yù)測(cè)參數(shù)值；比對(duì)所述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值與第一既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一比對(duì)結(jié)果；應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第一工藝條件，以對(duì)第二基底進(jìn)行加工，同時(shí)在所述第一設(shè)備上檢測(cè)到至少一個(gè)第二制造參數(shù)值；分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值；對(duì)所述第一基底進(jìn)行加工，同時(shí)在第二設(shè)備上檢測(cè)到至少一個(gè)第三制造參數(shù)的第三制造參數(shù)值；分析所述第三制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三預(yù)測(cè)參數(shù)值；分析所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值與第三預(yù)測(cè)參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一加工結(jié)果；比對(duì)所述第一加工結(jié)果與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果；以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第二比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第二設(shè)備上對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工，其中所述第一工藝條件與所述第二工藝條件的至少一個(gè)用以提供所述第二基底的至少一個(gè)大致地均一特征。12.—種半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，包括第一設(shè)備，其中所述第一設(shè)備用以以至少一個(gè)第一制造參數(shù)值，對(duì)第一基底進(jìn)行加工；以及至少一個(gè)第一處理器耦接至所述第一設(shè)備，其中所述第一處理器用以分析所述第一制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一預(yù)測(cè)參數(shù)值、比對(duì)所述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值與第一既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一比對(duì)結(jié)果、以及控制所述第一設(shè)備來(lái)應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第一工藝條件，以在所述第一設(shè)備上對(duì)第二基底進(jìn)行加工。13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，還包括第一測(cè)量設(shè)備，其中所述第一設(shè)備還用以在預(yù)約保養(yǎng)步驟之后且在對(duì)所述第一基底進(jìn)行加工之前，立即地以至少一個(gè)第二制造參數(shù)對(duì)第三基底進(jìn)行加工;其中所述第一測(cè)量設(shè)備測(cè)量所述第三基底，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一測(cè)量參數(shù)值，并且其中所述第一處理器還用以比對(duì)所述第一測(cè)量參數(shù)值與第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果、以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第二比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以對(duì)所述第一基底進(jìn)行加工。14.如權(quán)利要求12項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，還包括至少一個(gè)存儲(chǔ)器耦接至所述第一處理器，用以儲(chǔ)存工藝條件選擇表，其中所述第一工藝條件由所述工藝條件選擇表中選出。15.如權(quán)利要求12項(xiàng)所述的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)，還包括第二設(shè)備；以及至少一個(gè)第二處理器，耦接至所述第二設(shè)備以及所述第一處理器，其中所述第一設(shè)備還用以在所述第一設(shè)備上對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工，并同時(shí)檢測(cè)到對(duì)應(yīng)所述第一工藝條件的至少一個(gè)第二制造參數(shù)值，其中所述第一處理器還用以分析所述第二制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二預(yù)測(cè)參數(shù)值，其中所述第二處理器還用以對(duì)所述第一基底進(jìn)行加工，并同時(shí)檢測(cè)到至少一個(gè)第三制造參數(shù)值，且其中所述第一處理器與所述第二處理器的至少一個(gè)用以分析所述第三制造參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第三預(yù)測(cè)參數(shù)值、比對(duì)所述第三預(yù)測(cè)參數(shù)值與至少一個(gè)第二既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第二比對(duì)結(jié)果、分析所述第二比對(duì)結(jié)果與所述第二預(yù)測(cè)參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一加工結(jié)果，以及應(yīng)用對(duì)應(yīng)所述第一加工結(jié)果所產(chǎn)生的第二工藝條件，以在所述第二設(shè)備上對(duì)所述第二基底進(jìn)行加工。全文摘要本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體制造方法及系統(tǒng)，該方法包括在第一設(shè)備上對(duì)第一基底進(jìn)行加工，同時(shí)檢測(cè)到第一制造參數(shù)的至少一個(gè)數(shù)值。接著，分析上述第一制造參數(shù)，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一預(yù)測(cè)參數(shù)值。其次，比對(duì)上述第一預(yù)測(cè)參數(shù)值與第一既定參數(shù)值，以便產(chǎn)生至少一個(gè)第一比對(duì)結(jié)果。接著，應(yīng)用對(duì)應(yīng)上述第一比對(duì)結(jié)果所產(chǎn)生的第一工藝條件，以在上述第一設(shè)備上對(duì)第二基底進(jìn)行加工。本發(fā)明可提高晶粒的生產(chǎn)率與合格率。文檔編號(hào)H01L21/00GK101145501SQ20071010508公開日2008年3月19日申請(qǐng)日期2007年5月22日優(yōu)先權(quán)日2006年9月13日發(fā)明者余振華,柯俊成,蕭義理,許呈鏘申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司