專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及附著于半導(dǎo)體裝置的檢測(cè)圖案，該檢測(cè)圖案用于檢測(cè)在操作中探針的位移，該半導(dǎo)體裝置具有形成于硅襯底上且由諸如晶體管的元件和用于探測(cè)的焊盤(pad)區(qū)形成的多個(gè)IC芯片。
背景技術(shù)：
常規(guī)上，一般在制造后為普通IC進(jìn)行探針測(cè)試來檢查電特性。
此外，使探針測(cè)試中所用的焊盤之間的間距最小化能夠降低具有很多焊盤的IC的芯片尺寸，且對(duì)于降低IC成本是必不可少的。
盡管常常使用細(xì)探測(cè)針執(zhí)行探針測(cè)試，但是在具有很多焊盤的IC中針位移對(duì)探測(cè)的影響較大，因?yàn)楹副P間距小。
預(yù)先檢測(cè)探針的位移以防止可能出現(xiàn)的誤差在探測(cè)過程中是一個(gè)重要的主題。例如，JP 06-45419 A披露了一種技術(shù)，其中在進(jìn)行測(cè)量時(shí)提供了用于檢測(cè)探針在探測(cè)期間的位移的焊盤。
不過，如上所述，由于焊盤間距小，探針位移對(duì)探測(cè)的影響在具有很多焊盤的IC中較大，因此造成探針測(cè)試不精確、獲得錯(cuò)誤特性等問題。為了解決這些問題，例如公開了一種技術(shù)，其中在執(zhí)行測(cè)量時(shí)提供用于檢測(cè)探針在操作中的位移的多個(gè)特殊焊盤。不過，這種技術(shù)具有以下問題焊盤占據(jù)的面積大，不能檢測(cè)位移方向等。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決這些問題，根據(jù)本發(fā)明，按照下述構(gòu)造一種半導(dǎo)體裝置。
將用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案設(shè)置在與IC芯片區(qū)相鄰的劃線區(qū)中。
在IC芯片的每個(gè)中提供一對(duì)用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案。
為在探測(cè)過程中同時(shí)測(cè)量的每組IC芯片提供一對(duì)用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案。
此外，用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案由內(nèi)導(dǎo)體和距內(nèi)導(dǎo)體微小距離設(shè)置的外導(dǎo)體構(gòu)成，內(nèi)導(dǎo)體和外導(dǎo)體二者設(shè)置在同心圓上，且外導(dǎo)體可以被分成多個(gè)部分。
利用這些手段，可以獲得一種半導(dǎo)體裝置，其具有占據(jù)面積小的用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案，該半導(dǎo)體裝置不僅能夠檢測(cè)位移的發(fā)生而且能夠檢測(cè)位移的方向。


在附圖中圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施例的示意性平面圖；圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第二實(shí)施例的示意性平面圖；圖3為示出用于在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案的實(shí)施例的示意性平面圖；以及圖4為示出用于在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案的另一實(shí)施例的示意性平面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第一實(shí)施例的示意性平面圖。
該半導(dǎo)體裝置包括多個(gè)IC芯片101和劃線區(qū)301。該多個(gè)IC芯片101均具有多個(gè)焊盤區(qū)201，并且劃線區(qū)301形成于該多個(gè)IC芯片101之間且充當(dāng)切割各個(gè)IC芯片時(shí)所用的界限。在劃線區(qū)301中形成用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401。
在圖1中，為彼此隔開的每個(gè)IC芯片101提供一對(duì)用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401。
成對(duì)地形成用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401以便在探測(cè)期間檢測(cè)沿θ方向的位移(在半導(dǎo)體晶片的旋轉(zhuǎn)方向上的位移)。為了改善靈敏度，優(yōu)選如此設(shè)置該對(duì)圖案401，使得其間的空間盡可能大。在圖1中，為一個(gè)IC芯片101設(shè)置一對(duì)圖案401。在同時(shí)探測(cè)多個(gè)IC芯片101期間，可以通過為被同時(shí)探測(cè)的該多個(gè)IC芯片101共同提供一對(duì)圖案401來進(jìn)一步減小檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401所占據(jù)的面積。
圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的第二實(shí)施例的示意性平面圖。
第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于，用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401被設(shè)置在IC芯片101中，而圖1所示的第一實(shí)施例具有在劃線區(qū)301中的圖案401。
為了防止由于用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401所占據(jù)的面積而使IC芯片101的面積增大，優(yōu)選如圖1所示在劃線區(qū)301中形成圖案401。不過，在IC芯片101的面積和制造成本都有裕度的時(shí)候，可以在IC芯片101中形成圖案401。對(duì)于其它元件，使用相同的附圖標(biāo)記表示與圖1中所示的相同的元件，并省略其描述。
圖3為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中的用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401的示意性平面圖。
用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401由內(nèi)導(dǎo)體501和外導(dǎo)體502形成，內(nèi)導(dǎo)體501由鋁等制成，外導(dǎo)體502由鋁等制成且與內(nèi)導(dǎo)體501間隔微小距離設(shè)置，二者都設(shè)置在同心圓上。
這里，描述使用圖案401檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移。
在探測(cè)期間，與普通焊盤區(qū)同時(shí)地探測(cè)用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401，其中盡管圖中未示出，用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401的內(nèi)導(dǎo)體501和外導(dǎo)體502分別電連接到不同的焊盤區(qū)。
內(nèi)導(dǎo)體501和外導(dǎo)體502之間的距離被設(shè)計(jì)為小于探針與焊盤接觸的探針尖端的尺寸。
正確定位探針使得探針在與檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401接觸處僅與內(nèi)導(dǎo)體接觸，并且定位探針時(shí)的位移使得探針在與圖案401的接觸處與內(nèi)導(dǎo)體501和外導(dǎo)體502都接觸。測(cè)量圖案401的內(nèi)導(dǎo)體501和外導(dǎo)體502(二者分別連接到不同的焊盤區(qū))之間的電特性能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)探針位移的判斷。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中的用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401的另一實(shí)施例的示意性平面圖。
圖4所示的實(shí)施例與圖3所示的實(shí)施例的不同之處在于將用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401的外導(dǎo)體502分成多個(gè)部分。
雖然未示出，用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401的內(nèi)導(dǎo)體501和被分成該多個(gè)部分的外導(dǎo)體502分別電連接到不同的焊盤區(qū)。
與圖3所示的實(shí)施例的情況類似，在探測(cè)期間，與普通焊盤區(qū)同時(shí)地探測(cè)圖案401。
將內(nèi)導(dǎo)體501和外導(dǎo)體502之間的距離設(shè)計(jì)成小于探針尖端的尺寸。
正確定位探針使得探針在與檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案401接觸處僅與內(nèi)導(dǎo)體接觸，并且定位探針時(shí)的位移使得探針在與圖案401的接觸處與內(nèi)導(dǎo)體501和外導(dǎo)體502都接觸。
檢測(cè)它們的電特性能夠檢測(cè)出探針位移的方向，因?yàn)橥鈱?dǎo)體502被分成分別電連接到不同焊盤區(qū)的該多個(gè)部分。
對(duì)于其它元件，使用相同的附圖標(biāo)記表示與圖3所示的元件相似或相同的元件，并省略其描述。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括硅襯底；形成于所述硅襯底上且包括晶體管和焊盤區(qū)的多個(gè)IC芯片；以及用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案，其包括內(nèi)導(dǎo)體和與所述內(nèi)導(dǎo)體隔開一定距離設(shè)置的外導(dǎo)體，所述內(nèi)導(dǎo)體和所述外導(dǎo)體彼此同心。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述外導(dǎo)體被分成多個(gè)部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案被提供于和所述IC芯片相鄰的劃線區(qū)中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述IC芯片的每個(gè)中提供一對(duì)用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中為在探測(cè)過程中同時(shí)測(cè)量的每組所述IC芯片提供一對(duì)用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述IC芯片的每個(gè)中提供一對(duì)用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述內(nèi)導(dǎo)體和所述外導(dǎo)體分別電連接到不同的焊盤區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述內(nèi)導(dǎo)體和被分成所述多個(gè)部分的所述外導(dǎo)體分別電連接到不同的焊盤區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述距離小于用于探測(cè)的探針尖端的尺寸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。提供了占據(jù)小面積的用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案，在探測(cè)中當(dāng)探針發(fā)生位移時(shí)該圖案能夠檢測(cè)位移的方向。用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案成對(duì)地設(shè)置于與IC芯片相鄰的劃線區(qū)中，用于檢測(cè)探測(cè)時(shí)的位移的圖案由同心地形成的內(nèi)導(dǎo)體和距內(nèi)導(dǎo)體微小距離設(shè)置的外導(dǎo)體形成，并且該外導(dǎo)體被分成多個(gè)部分。
文檔編號(hào)H01L23/544GK101090113SQ20071011008
公開日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2007年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月14日
發(fā)明者鷹巢博昭 申請(qǐng)人:精工電子有限公司