專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器，特別涉及一種三次光刻工藝制作的 薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前在常規(guī)薄膜晶體管液晶顯示器件制造的方法中，陣列工藝使用五次 光刻掩模版的方法， 一部分采用四次光刻掩模版的方法，其中四次光刻掩模
版主要采用灰色調(diào)(Gray Tone)掩模版的技術(shù)對薄膜晶體管溝道部分的源 漏金屬電極和有源層部分進行刻蝕。
此結(jié)構(gòu)在常規(guī)四次光刻掩模版包括如下工藝順序 首先，利用常規(guī)的柵工藝形成柵層，然后沉積柵絕緣層。 接著，沉積半導(dǎo)體有源層，摻雜層，源漏金屬層。利用Gray Tone掩模 版形成薄膜晶體管的小島，進行灰化工藝，暴露溝道部分，刻蝕溝道部分的 金屬層，刻蝕溝道部分的摻雜層、有源層。在此步工藝中由于需要對有源層， 金屬層，還有摻雜層的刻蝕，所以在光刻工藝中需要對Gray Tone溝道部分 的光刻膠控制相當(dāng)嚴(yán)格，另外對刻蝕的選擇比和均勻性均有很高的要求。所 以對于工藝的容差要求非常高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種薄膜晶體管液晶顯示器 像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，通過在由于在第一層掩模版中采用第二絕緣層實現(xiàn) 工藝的平坦化，為后面的工藝增大工藝容差；同時，采用透明像素電極作為 薄膜晶體管的漏電極，避免接觸電阻的問題。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，
包括玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕
緣層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其中所述柵電極和柵
線上依次為第一柵絕緣層、有源層和摻雜層；所述柵線上有一截斷槽，其截 斷柵線上的摻雜層和有源層；所述第二絕緣層覆蓋在截斷槽及柵線和柵電極 外的玻璃基板上；所述像素電極與漏電極呈一體結(jié)構(gòu)，像素電極形成于第二 絕緣層上方，漏電極形成于摻雜層上方；源電極和數(shù)據(jù)線呈一體結(jié)構(gòu)，形成 于摻雜層和第二絕緣層上方；鈍化層覆蓋在像素電極及漏電極之外的部分。
上述方案中，所述柵線和柵電極為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr的單 層膜，或者為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。 所述第一柵絕緣層或第二絕緣層為SiNx、 Si0x或SiOxNy的單層膜，或者為 SiNx、 Si0x或Si0xNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。所述源電極、數(shù)據(jù) 線或漏電極為Mo、 MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、 MoW或Cr之一或任意組 合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明同時提供一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié) 構(gòu)的制造方法，包括
步驟1，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層， 摻雜層，釆用第一塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得 到無光刻膠區(qū)域、保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無光刻 膠區(qū)域形成柵線和柵電極圖形；完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部 去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域 的光刻膠，露出柵線上的部分摻雜層，接著對摻雜層和有源層進行刻蝕，得 到柵線上的截斷槽；接著沉積第二絕緣層，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離 掉柵線和柵電極上方除隔斷槽區(qū)域外的第二絕緣層；
步驟2，在完成步驟1基板上沉積像素電極層，采用第二塊掩模版，經(jīng) 過曝光顯影后得到像素電極及與像素電極一體的漏電極圖形；
步驟3，在完成步驟2基板上沉積源漏金屬電極層，采用第三塊掩^^莫版， 該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域、保留部分光 刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無光刻膠區(qū)域形成薄膜晶體管溝道； 完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻 膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出數(shù)據(jù)線及一體源 電極；接著沉積鈍化層，釆用光刻膠離地剝離工藝，剝離掉鈍化層，露出像 素電極及一體漏電極部分；最后進行源漏電極刻蝕，除去像素電極及一體漏 電極上方的源漏金屬電極層。
上述方案中，所述步驟1中第一塊掩膜版經(jīng)過曝光顯影后無光刻膠的區(qū) 域為形成才冊線和柵電極以外的區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域為形成柵線上的截 斷槽區(qū)域。所述步驟1中刻蝕無光刻膠區(qū)域包括刻蝕摻雜層、有源層、第一 柵絕緣層和柵金屬層。所述步驟3中第三塊掩膜版經(jīng)過曝光顯影后保留全部 光刻膠的區(qū)域包括形成像素電極及一體漏電極區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域包 括形成數(shù)據(jù)線及其一體的源電極區(qū)域；其他部分為無光刻膠區(qū)域。所述步驟 3中刻蝕無光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管溝道部分至少包括源漏金屬層刻蝕和 摻雜層的刻蝕。
本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)，由于利用灰色調(diào)掩模版并結(jié)合離地剝離工藝形 成了柵線和柵電極、有源層、摻雜層、第二絕緣層以及柵線上的截斷槽；并 且本發(fā)明同時利用灰色調(diào)掩模版和剝離技術(shù)相結(jié)合的方法形成了溝道和像素 電極以及鈍化層。因此，本發(fā)明節(jié)約了陣列工藝的成本和占機時間，提高了 產(chǎn)能。
同時，本發(fā)明由于在第一塊灰色調(diào)掩模版中采用第二絕緣層實現(xiàn)了工藝 的平坦化，為后面的工藝增大了工藝容差。
再者，本發(fā)明采用像素電極材料作為薄膜晶體管的漏電極直接與摻雜層 相接觸，避免了接觸電阻的問題。
下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行進一步更為詳細(xì)地說明。


圖la是本發(fā)明采用第一塊灰色調(diào)(Gray-Tone)掩模版光刻后得到的圖
形；
圖lb是本發(fā)明采用第一塊掩模版進行曝光后圖la中A-A'部位的截面
圖形；
圖lc是本發(fā)明采用第一塊掩模版進行曝光后圖la中B-B'部位的截面
圖形；
圖ld是本發(fā)明釆用第一塊掩模版對無光刻膠區(qū)刻蝕后圖la中A-A'部 位的截面圖形；
圖le是本發(fā)明采用第一塊掩模版對光刻膠進行灰化工藝后圖la中A - A' 部位的截面圖形；
圖lf是本發(fā)明采用第一塊掩模版對光刻膠進行灰化工藝后圖la中B-B' 部位的截面圖形；
圖lg是本發(fā)明采用第一塊掩模版對有源層刻蝕后圖la中B-B'部位的 截面圖形；
圖lh是本發(fā)明第二絕緣層沉積后圖la中A-A'部位的截面圖形；
圖li是本發(fā)明采用第一塊掩^f莫版進行離地剝離(Lift-Off )工藝后圖
la中A-A'部位的截面圖形；
圖1 j是本發(fā)明采用第 一塊掩模版進行第二絕緣層沉積和離地剝離(Li f t
-Off )后圖la中B-B'部位的截面圖形；
圖lk是本發(fā)明采用第一層掩模版整個工藝完成后完整的像素平面圖形； 圖2a是本發(fā)明采用第二塊常規(guī)掩模版后光刻后的平面圖形； 圖2b是本發(fā)明第二塊常規(guī)掩模版曝光后圖2a中C-C'部位的截面圖形； 圖2c是本發(fā)明第二塊常規(guī)掩模版進行鈍化層刻蝕和光刻膠剝離后圖2a
中C-C'部位的截面圖形；
圖3a是本發(fā)明第三塊灰色調(diào)(GrayTone)掩模版光刻后的平面圖形； 圖3b是本發(fā)明第三塊灰色調(diào)(GrayTone)掩模版光刻后圖3a中D - D' 部位的截面圖形；
圖3c是本發(fā)明第三塊灰色調(diào)(GrayTone)曝光后無光刻膠區(qū)域刻蝕完 成后圖3a中D-D'部位的截面圖形；
圖3d是本發(fā)明第三塊灰色調(diào)(GrayTone)曝光后光刻膠灰化后圖3a中 D-D'部位的截面圖形；
圖3e是本發(fā)明第三塊灰色調(diào)(GrayTone)掩模版光刻工藝中鈍化層沉 積后圖3a中D-D'部位的截面圖形；
圖3f是本發(fā)明第二塊灰色調(diào)(GrayTone)掩模版光刻工藝中光刻膠剝 離后圖3a中D-D'部位的截面圖形；
圖3g是本發(fā)明第二塊灰色調(diào)(GrayTone)掩模版光刻工藝中源漏金屬 電極層刻蝕后圖3a中D-D'部位的截面圖形，也是本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)一個像 素單元的截面圖。
圖中標(biāo)識20、玻璃基板；21、柵金屬；22、第一柵絕緣層；23、半導(dǎo) 體有源層；24、半導(dǎo)體摻雜層；25、第一次光刻光刻膠部分保留區(qū)域的光刻 膠(Gray Tone); 25，、第一次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠(Ful 1 Tone); 26、第二絕緣層；27、源漏金屬電極層；28、第三次光刻光刻膠部分保留區(qū) 域的光刻膠((Gray Tone); 28，、第三次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠 (Full Tone); 29，、像素電極層；29、像素電極；30、第二次光刻形成光刻 膠；31、鈍化層。
具體實施例方式
下面結(jié)合

和首選具體實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細(xì)地說明。 本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板結(jié)構(gòu)，包括基板、柵線、 柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、源電極、漏電極、
像素電極及鈍化層等部分，這些組成部分與現(xiàn)有技術(shù)沒有差異，其與現(xiàn)有技
術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)相區(qū)別的特征在于柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、 有源層和摻雜層；柵線上有一截斷槽，其截斷柵線上的摻雜層和有源層；第 二絕緣層覆蓋在截斷槽及柵線和柵電極以外的玻璃基板上；像素電極形成于 第二絕緣層上方，漏電極形成于摻雜層上方；源電極和數(shù)據(jù)線呈一體結(jié)構(gòu)形 成于摻雜層上方；鈍化層覆蓋在像素電極及漏電極之外的部分；鈍化層覆蓋 在像素電極及其與漏電極之外的部分。
本發(fā)明柵線和柵電極可以為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr的單層膜，或 者為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
本發(fā)明第一絕緣層或第二絕緣層可以為SiNx、 Si0x或Si0xNy的單層膜， 或者為SiNx、 Si0x或Si0xNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
本發(fā)明的源電極、數(shù)據(jù)線或漏電極為Mo、 MoW或Cr的單層膜，或者為 Mo、 MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
本發(fā)明同時提供了該陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法，包括
步驟1，在潔凈的基板上依次沉積4冊金屬層，第一柵絕緣層，有源層， 摻雜層，采用第一塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模板，經(jīng)過曝光顯影后得 到無光刻膠區(qū)域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域，其中無光刻膠 區(qū)域為形成柵線和柵電極之外的區(qū)域；光刻膠部分保留區(qū)域為在數(shù)據(jù)線之間 的柵線上形成凹槽的區(qū)域；光刻膠完全保留區(qū)域為柵線和柵電極上除形成凹 槽外的全部區(qū)域?？涛g無光刻膠區(qū)域，露出基板，形成柵線和柵電極圖形； 完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻 膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出數(shù)據(jù)線之間的柵 線上形成凹槽的區(qū)域，刻蝕該區(qū)域的有源層和摻雜層，形成防止因柵線上有 摻雜層會導(dǎo)致數(shù)據(jù)線短路的凹槽；刻蝕完成后，在整個基板上沉積第二絕緣 層，采用光刻膠剝離工藝，此時柵線及柵電極(凹槽區(qū)域除外)上方的第二 絕緣層被除去，其他地方包括凹槽區(qū)域保留第二絕緣層。
步驟2，在完成步驟1基板上沉積像素電極層，采用第二塊掩模板，經(jīng)
過曝光、掩模和刻蝕等工藝后形成像素電極和漏電極一體圖形，其中形成的 像素電極位于第二絕緣層的上方，而形成的漏電極位于柵電極上方的摻雜層 上方。
步驟3,在完成步驟2基板上沉積源漏金屬電極層，采用第三塊掩模版， 該掩模版為灰色調(diào)掩模板，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域，保留部分光 刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；其中，保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成像 素電極和漏電極區(qū)域的光刻膠；保留部分光刻膠區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線、源電 極區(qū)域的光刻膠；其他部分為無光刻膠區(qū)域(包括柵電極上方形成薄膜晶體 管溝道的區(qū)域)。刻蝕無光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管溝道部分；完成刻蝕后， 對光刻膠進行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，即形成數(shù) 據(jù)線和源電極上方區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的 光刻膠，即像素電極及一體的漏電極上方區(qū)域的光刻膠；然后，接著沉積一 層鈍化層，并結(jié)合光刻膠離地剝離工藝，剝離掉像素電極及一體的漏電極上 方的光刻膠及鈍化層，得到完整的陣列基板結(jié)構(gòu)。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法進行詳細(xì)描述，如圖la至 圖3f所示。
首先，先在潔凈的玻璃基板20上沉積柵金屬21 (Mo， Al/Nd， Cu等)， 在柵金屬上再沉積第一柵絕緣層22 (SiNx)，在第一柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體 有源層23 (a-Si, p-Si等)，然后再沉積半導(dǎo)體摻雜層24 (摻雜B， P等)。 采用第一塊灰色調(diào)掩模板(Gray Tone)進行掩模曝光后得到柵小島圖形，如 圖la所示、圖lb是A-A'部位的截面圖形，圖lc是B-B'部位的截面圖形， 由圖可見柵線和柵電極外的其他區(qū)域沒有光刻膠，柵線上形成隔斷槽部位為 第一次光刻光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠25,柵線上其他區(qū)域和柵電極部分 為第一次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠25，。然后進行刻蝕，將未被光 刻膠保護的區(qū)域刻蝕掉，刻蝕后圖la中A-A'部位的截面圖形如圖ld所示。
然后進行光刻膠灰化工藝，第一次光刻光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠25完全 被去除，第一次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠25'變薄，灰化工藝后圖 la中A-A'部位的截面圖形如圖le所示，圖lb中B-B'部位的截面圖形如 圖lf所示，由圖lf可見，柵線上隔斷槽位置上的摻雜層露出，接著對該摻 雜層和其下的有源層進行刻蝕，得到柵線上的隔斷槽，如圖lg所示。沉積第 二絕緣層對柵電極進行保護，如圖lh所示；圖la中A-A'部位光刻膠剝離 后暴露摻雜層，如圖li所示；圖lb中B-B'部位的有源層被第二絕緣層26 所覆蓋，如圖lj所示。第一次光刻完成后的最終圖形如圖lk所示。
然后，沉積像素電極層29，，采用第二塊常規(guī)光刻掩模版曝光后形成圖形， 即第二次光刻形成光刻膠30圖形，如圖2a所示，圖2a中C-C，部位的截面 圖如圖2b所示。經(jīng)過刻蝕和光刻膠剝離等工藝后得到像素電極29和與其一 體的漏電極，其中形成的像素電極29位于第二絕緣層的上方，而形成的漏電 極位于柵電極上的摻雜層上方，如圖2c所示。
然后，依次沉積源漏金屬電極層27 (Mo, Al, Cu等)，采用第三塊灰色 調(diào)(Gray Tone)掩模版，曝光后形成數(shù)據(jù)線形狀的光刻膠，如圖3a所示。 在源電極和數(shù)據(jù)線一側(cè)形成比較薄的光刻膠，即第三次光刻光刻膠部分保留 區(qū)域的光刻膠(Gray Tone) 28，在漏電極和像素電極區(qū)域形成比較厚的光刻 膠，即第三次光刻光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠(Full Tone) 28，如圖3b所 示。對沒有被光刻膠保護的區(qū)域進行刻蝕(源漏金屬電極層、摻雜層和部分 有源層進行的刻蝕)，形成薄膜晶體管的溝道，如圖3c所示。接著進行光刻 膠灰化工藝，將源電極和數(shù)據(jù)線位置上方的源漏金屬電極層27暴露出來，如 圖3d所示。然后進行沉積鈍化層31,如圖3e所示。由于漏電極和像素電極 區(qū)域的光刻膠在灰化工藝中仍然有一定厚度的剩余，所以此時鈍化層在此區(qū) 域是沉積在光刻膠上面的，接著進行光刻膠剝離工藝將此部位的鈍化層和光 刻膠去掉，此時像素電極29和一體的漏電極上方仍然有源漏金屬電極層27, 如圖3f所示。最后，對像素電極29和一體的漏電極上方的源漏金屬電極層
27進行刻蝕，得到我們所需要的像素結(jié)構(gòu)圖形，如圖3g所示。
本實施例中由于利用第一塊灰色調(diào)掩模版并離地剝離工藝形成了柵線和 柵電極、有源層、摻雜層、第二絕緣層以及柵線上的截斷槽；同時利用第三 塊灰色調(diào)掩模版形成了溝道、數(shù)據(jù)線和源電極，因此節(jié)約了陣列工藝的成本 和占機時間，提高了產(chǎn)能。另外，由于本實施例在第一塊灰色調(diào)掩模版中采 用第二絕緣層實現(xiàn)了工藝的平坦化，為后面的工藝增大了工藝容差。再者， 由于本實施例中采用透明金屬電極作為薄膜晶體管的漏電極，避免了接觸電 阻的問題。
最后應(yīng)說明的是，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解，按照需要可使用不同材料和設(shè)備實現(xiàn)之，即可以對本發(fā)明的技術(shù)方案 進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其特征在于所述柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、有源層和摻雜層；所述柵線上有一截斷槽，其截斷柵線上的摻雜層和有源層；所述第二絕緣層覆蓋在截斷槽及柵線和柵電極外的玻璃基板上；所述像素電極與漏電極呈一體結(jié)構(gòu)，像素電極形成于第二絕緣層上方，漏電極形成于摻雜層上方；所述源電極和數(shù)據(jù)線呈一體結(jié)構(gòu)，形成于摻雜層和第二絕緣層上方；所述鈍化層覆蓋在像素電極及漏電極之外的部分。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述柵線和柵電極 為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW 或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一柵絕緣層 或第二絕緣層為SiNx、Si0x或Si0xNy的單層膜，或者為SiNx、Si0x或Si0xNy 之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述源電極、數(shù)據(jù) 線或漏電極為Mo、 MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、 MoW或Cr之一或任意組 合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
5、 一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 步驟1，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層，摻雜層，采用第一塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得 到無光刻膠區(qū)域、保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無光刻 膠區(qū)域形成柵線和柵電極圖形；完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部 去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域 的光刻膠，露出柵線上的部分摻雜層，接著對摻雜層和有源層進行刻蝕，得 到柵線上的截斷槽；接著沉積第二絕緣層，采用光刻膠離地剝離工藝，剝離 掉柵線和柵電極上方除隔斷槽區(qū)域外的第二絕緣層；步驟2，在完成步驟1基板上沉積像素電極層，采用第二塊掩模版，經(jīng) 過曝光顯影后得到像素電極及與像素電極一體的漏電極圖形；步驟3，在完成步驟2基板上沉積源漏金屬電極層，采用第三塊掩模版， 該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過曝光顯影后得到無光刻膠區(qū)域、保留部分光 刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無光刻膠區(qū)域形成薄膜晶體管溝道； 完成刻蝕后，對光刻膠進行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻 膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出數(shù)據(jù)線及一體源 電極；接著沉積鈍化層，釆用光刻膠離地剝離工藝，剝離掉鈍化層，露出像 素電極及一體漏電極部分；最后進行源漏電極刻蝕，除去像素電極及一體漏 電極上方的源漏金屬電極層。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述步驟l中第一塊 掩膜版經(jīng)過曝光顯影后無光刻膠的區(qū)域為形成柵線和柵電極以外的區(qū)域；保 留部分光刻膠區(qū)域為形成柵線上的截斷槽區(qū)域。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所迷的制造方法，其特征在于所述步驟1中刻 蝕無光刻膠區(qū)域包括刻蝕摻雜層、有源層、第一柵絕緣層和柵金屬層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述步驟3中第三塊 掩膜版經(jīng)過曝光顯影后保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成像素電極及一體漏電 極區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線及其一體的源電極區(qū)域；其他 部分為無光刻月交區(qū)域。
9、 根據(jù)權(quán)利要求5或8所述的制造方法，其特征在于所述步驟3中刻 蝕無光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管溝道部分至少包括源漏金屬層刻蝕和摻雜層 的刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其中柵電極和柵線上依次為第一柵絕緣層、有源層和摻雜層；柵線上有一截斷槽，其截斷柵線上的摻雜層和有源層；第二絕緣層覆蓋在截斷槽及柵線和柵電極外的玻璃基板上；像素電極與漏電極呈一體結(jié)構(gòu)，像素電極形成于第二絕緣層上方，漏電極形成于摻雜層上方；源電極和數(shù)據(jù)線呈一體結(jié)構(gòu)，形成于摻雜層和第二絕緣層上方；鈍化層覆蓋在像素電極及漏電極之外的部分。本發(fā)明同時公開該像素結(jié)構(gòu)的制造方法；本發(fā)明通過該結(jié)構(gòu)和制造方法，能增大工藝容差，避免接觸電阻的問題。
文檔編號H01L21/70GK101364016SQ200710120169
公開日2009年2月11日 申請日期2007年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月10日
發(fā)明者王章濤, 邱海軍, 閔泰燁 申請人:北京京東方光電科技有限公司