專利名稱：散熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制法，特別是涉及一種得以 供半導(dǎo)體芯片有效散熱的散熱型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝件為避免內(nèi)部的半導(dǎo)體芯片受到外界水塵污染， 因此必須在半導(dǎo)體芯片上覆蓋一封裝膠體以與外界隔絕，但是構(gòu)成該 封裝膠體的封裝樹脂為一熱傳導(dǎo)性甚差的材料，其熱導(dǎo)系數(shù)僅為0.8w/m°K，是以，半導(dǎo)體芯片運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量無法有效通過該封裝膠 體傳遞到外界，導(dǎo)致熱積存現(xiàn)象產(chǎn)生，使芯片性能及使用壽命備受考 驗(yàn)。因此，為提高半導(dǎo)體封裝件的散熱效率，遂有于封裝件中增設(shè)散 熱件的構(gòu)想應(yīng)運(yùn)而生。但是，若散熱件亦為封裝膠體所完全包覆時(shí)，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的 熱量的散熱途徑仍須通過封裝膠體，散熱效果的提升仍然有限，甚而 無法符合散熱的需求，因而，為有效逸散芯片熱量，其一方式是使散 熱件充分顯露出該封裝膠體，相對(duì)另一方式是使半導(dǎo)體芯片的表面直 接外露出封裝膠體，以供半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量得由外露于大氣中的 表面直接逸散。請(qǐng)參閱圖1A所示，美國(guó)專利第5， 450， 283號(hào)即公開了一種直接外 露出半導(dǎo)體芯片表面的半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件10是使半導(dǎo)體 芯片11的頂面外露出用以包覆該半導(dǎo)體芯片11的封裝膠體14。由于 該半導(dǎo)體芯片11的頂面外露出封裝膠體14而直接與大氣接觸，故該 半導(dǎo)體芯片11產(chǎn)生的熱量可直接逸散至大氣中，其散熱途徑不需通經(jīng) 封裝膠體14，藉以增加散熱效率。請(qǐng)配合參閱圖1B，然而，該種半導(dǎo)體封裝件10在制造上存在有若 干的缺點(diǎn)。首先，該半導(dǎo)體芯片11黏接至基板12后，并置入封裝模 具的模腔15中以進(jìn)行形成該封裝膠體14的模壓作業(yè)(Molding)時(shí)，須先將一膠片(Tape) 13黏置于模腔15的頂壁上，從而使封裝模具合模后 該半導(dǎo)體芯片11的頂面得通過該膠片13頂?shù)种聊Ｇ?5的頂壁，以避 免該半導(dǎo)體芯片11的頂面上形成有溢膠(Flash);然而，若該半導(dǎo)體 芯片11于基板12上的黏接高度控制不佳而導(dǎo)致該黏接有該半導(dǎo)體芯 片11的基板12的整體高度過低，使該半導(dǎo)體芯片11的頂面未能通過 該膠片13有效地頂?shù)种聊Ｇ?5的頂壁，而于兩者間形成有間隙時(shí)， 用以形成該封裝膠體14的封裝化合物即會(huì)溢膠于該半導(dǎo)體芯片11的 頂面上。 一旦該半導(dǎo)體芯片11的頂面上形成有溢膠，除會(huì)影響該半導(dǎo) 體芯片ll的散熱效率外，還會(huì)造成制成品的外觀上的不良，故往往須 予去膠(Deflash)的后處理；然而，是種去膠處理不但耗時(shí)，增加封裝 成本，且亦會(huì)導(dǎo)致制成品的受損。反之，若該黏接有該半導(dǎo)體芯片11 的基板12的整體高度過高，導(dǎo)致該半導(dǎo)體芯片11通過該膠片13頂?shù)?住模腔15的頂壁的力量過大，則往往會(huì)使質(zhì)脆的該半導(dǎo)體芯片11因 過度的壓力而裂損(Crack)。同時(shí)，封裝模具的合模壓力仍會(huì)經(jīng)由該膠片13傳遞至該半導(dǎo)體芯 片11，而造成該半導(dǎo)體芯片11的裂損，故令封裝完成的制成品的良率 無法有效提升，亦令其制造費(fèi)用難以降低。鑒于前述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，美國(guó)第6， 458, 626號(hào)(如圖2A至圖2C)、 第6， 444， 498號(hào)(如圖3)、以及第6， 699， 731號(hào)(如圖4)專利(專利權(quán) 人均同于本申請(qǐng)的申請(qǐng)人)，揭露一種可將散熱件直接黏置于半導(dǎo)體芯 片上而不會(huì)產(chǎn)生壓損芯片或溢膠問題，或可直接使半導(dǎo)體芯片表面外 露的半導(dǎo)體封裝件。如圖2A所示，該半導(dǎo)體封裝件乃在散熱件21欲外露于大氣中的 表面上形成一與封裝膠體24間的接合性差的接口層25，再將該散熱件 21直接黏置于一接置在基板23的半導(dǎo)體芯片20上，繼而進(jìn)行封裝模 壓制程，以使封裝膠體24完全包覆該散熱件21及半導(dǎo)體芯片20，并 使封裝膠體24覆蓋于散熱件21的接口層25上(如圖2A所示)，如此， 封裝模壓制程所使用的模具的模腔的深度乃大于半導(dǎo)體芯片20與散熱 件21的厚度和，故在模具合模后，模具不會(huì)觸及散熱件21而使半導(dǎo) 體芯片20無受壓導(dǎo)致裂損的問題;接著，進(jìn)行切割作業(yè)(如圖2B所示)， 并將散熱件21上方的封裝膠體24去除，其中當(dāng)形成于散熱件21上的接口層25(例如為鍍金層)與散熱件21間的黏結(jié)性大于其與封裝膠體 24間的黏結(jié)性時(shí)，將封裝膠體24剝除后，該接口層25仍存留于散熱 件21上，但因接口層25與封裝膠體24間的黏結(jié)性差，封裝膠體24 不致殘留于接口層25上(如圖2C所示)，故無溢膠的問題。相對(duì)地， 當(dāng)形成于散熱件21上的接口層25(例如為聚亞酰胺樹脂制成的膠黏片) 與散熱件21間的黏結(jié)性小于其與封裝膠體24間的黏結(jié)性時(shí)，將封裝 膠體24剝除后，該接口層25會(huì)黏附于封裝膠體24上而隨之去除(如 圖3所示)，故該散熱件21上亦不會(huì)形成溢膠。亦或如圖4所示，該種半導(dǎo)體封裝件是于半導(dǎo)體芯片31上形成一 附有接口層333的金屬材料的覆接片33，以通過形成該封裝膠體34 的封裝化合物的熱膨脹系數(shù)不同于接口層333的關(guān)系，使黏結(jié)性差的 接口層333與該半導(dǎo)體芯片31及形成于該半導(dǎo)體芯片31周圍的封裝 膠體34間的接口產(chǎn)生脫層，如此即可輕易地將該接口層333、覆接片 33、及形成于該覆接片33上的封裝化合物340自該半導(dǎo)體芯片31表 面及形成于該半導(dǎo)體芯片31周圍的封裝膠體34的表面上輕易地撕除， 使該半導(dǎo)體芯片31表面能外露出封裝膠體34，以讓該半導(dǎo)體芯片31 產(chǎn)生的熱量得由外露于大氣中的表面直接逸散。且在模壓的過程中， 由于該半導(dǎo)體芯片31的表面是完全由接口層333所覆接，因此不會(huì)于 半導(dǎo)體芯片31表面殘留任何封裝化合物，故毋須進(jìn)行任何去除溢膠的 后處理，而可降低封裝成本并確保制成的半導(dǎo)體封裝件外觀的良好。但是于前述的半導(dǎo)體封裝件制程過于繁瑣且成本高，不利半導(dǎo)體 封裝業(yè)界實(shí)際操作應(yīng)用。因此，如何提供一種于封裝模壓制程時(shí)不致壓傷半導(dǎo)體芯片，同 時(shí)制程簡(jiǎn)便且成本較低的散熱型封裝結(jié)構(gòu)及制法，實(shí)為目前亟待解決 的問題。發(fā)明內(nèi)容鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的一目的在于提供一種散 熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法，得以有效逸散半導(dǎo)體芯片運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量。本發(fā)明的再一目的在于提供一種散熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法，不致 于封裝模壓過程中壓傷半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明的另一目的在于提供一種散熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法，得以 降低制程成本及簡(jiǎn)化制程步驟。為達(dá)到上述及其它目的，本發(fā)明的散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，包括 提供至少一具相對(duì)主動(dòng)面及非主動(dòng)面的半導(dǎo)體芯片，以將該半導(dǎo)體芯片主動(dòng)面通過覆晶方式接置并電性連接于芯片承載件上；于該芯片承 載件上接置一散熱件，該散熱件具有一散熱部、 一自該散熱部向下延 伸的支撐部、以及一形成于該散熱部的開孔，以供該散熱件通過該支 撐部而架撐于該芯片承載件上，同時(shí)使該半導(dǎo)體芯片容置于該散熱部 與該支撐部所構(gòu)成的容置空間中，并使該散熱部的開孔對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo) 體芯片非主動(dòng)面的上方；進(jìn)行封裝模壓作業(yè)，以于該芯片承載件上形 成一包覆該半導(dǎo)體芯片及散熱件的封裝膠體；以及薄化該半導(dǎo)體芯片 上方的封裝膠體，藉以外露出該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面及散熱部頂面。 該芯片承載件可采用基板或?qū)Ь€架型式。通過前述的制法，本發(fā)明還提供一種散熱型封裝結(jié)構(gòu)，包括芯 片承載件；半導(dǎo)體芯片，具相對(duì)的主動(dòng)面及非主動(dòng)面，該半導(dǎo)體芯片 是以其主動(dòng)面接置并電性連接至該芯片承載件上；散熱件，具有一散 熱部、 一自該散熱部向下延伸的支撐部、以及一形成于該散熱部的開 孔，以供該散熱件通過該支撐部而架撐于該芯片承載件上，同時(shí)使該 半導(dǎo)體芯片容置于該散熱部與該支撐部所構(gòu)成的容置空間中，且該散 熱部的頂面高度與該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面高度相等；以及封裝膠體， 形成于該芯片承載件上，用以包覆該半導(dǎo)體芯片及散熱件，且使該半 導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面及散熱部頂面外露出該封裝膠體。因此，本發(fā)明的散熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法主要是將半導(dǎo)體芯片以 覆晶方式接著并電性連接至芯片承載件，并于該芯片承載件上接置一 具散熱部及自該散熱部向下延伸的支撐部的散熱件，其中該散熱部形 成有對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片的開孔，以使該半導(dǎo)體芯片容置于該散熱部與 該支撐部所構(gòu)成的容置空間中，且該散熱部的開孔對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯 片非主動(dòng)面的上方，接著形成一用以包覆該半導(dǎo)體芯片及該散熱件的 封裝膠體，并薄化該封裝膠體，從而使該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面及散熱 部頂面外露出該封裝膠體，如此即可通過低制程成本及簡(jiǎn)易制程方式 制得外露出半導(dǎo)體芯片的散熱型封裝結(jié)構(gòu)，同時(shí)本發(fā)明制程中是使封裝膠體先覆蓋半導(dǎo)體芯片及散熱件，再薄化封裝膠體以外露出半導(dǎo)體 芯片及散熱件，避免于封裝模壓過程中壓傷半導(dǎo)體芯片。


圖1A及圖IB為美國(guó)專利第5， 450， 283號(hào)所公開的半導(dǎo)體封裝件 剖面示意圖；圖2A至圖2C為美國(guó)專利第6， 458， 626號(hào)所公開的半導(dǎo)體封裝件 剖面示意圖；圖3為美國(guó)專利第6， 444， 498號(hào)所公開的半導(dǎo)體封裝件剖面示意圖；圖4為美國(guó)專利第6， 699， 731號(hào)所公開的半導(dǎo)體封裝件剖面示意圖；圖5A至圖5E為本發(fā)明的散熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法第一實(shí)施例的 示意圖；以及圖6為本發(fā)明的散熱型封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的示意圖。 元件符號(hào)說明10半導(dǎo)體封裝件11半導(dǎo)體芯片12基板13膠片14封裝膠體15模腔20半導(dǎo)體芯片21散熱件23基板24封裝膠體25接口層31半導(dǎo)體芯片333界面層33覆接片34封裝膠體41半導(dǎo)體芯片410導(dǎo)電凸塊411主動(dòng)面412非主動(dòng)面42芯片承載件44封裝膠體45散熱件450開孔451散熱部452支撐部51半導(dǎo)體芯片54封裝膠體551散熱部56保護(hù)層具體實(shí)施方式
以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù) 人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)與功 效。第一實(shí)施例請(qǐng)參閱圖5A至圖5E，為本發(fā)明的散熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法第一實(shí) 施例的示意圖。如圖5A所示，提供至少一具相對(duì)主動(dòng)面411及非主動(dòng)面412的半 導(dǎo)體芯片41，以將該半導(dǎo)體芯片41接置并電性連接于芯片承載件42 上。該芯片承載板42是例如為球柵陣列(BGA)基板或平面柵格陣列(LGA) 基板，而該半導(dǎo)體芯片41是例如為覆晶式半導(dǎo)體芯片，且該覆晶式半 導(dǎo)體芯片通過多個(gè)導(dǎo)電凸塊410以將其主動(dòng)面電性連接至該芯片承載 件42。如圖5B所示，于該芯片承載件上接置一散熱件45，該散熱件45 具有一散熱部451、 一自該散熱部451向下延伸的支撐部452、以及一 形成于該散熱部451的開孔450，以供該第一散熱件45通過該支撐部 452而架撐于該芯片承載件42上，同時(shí)使該半導(dǎo)體芯片41容置于該散 熱部451與該支撐部452所構(gòu)成的容置空間中，并使該半導(dǎo)體芯片41 對(duì)應(yīng)于該散熱部451的開孔450位置。該散熱部開孔450的尺寸大于 半導(dǎo)體芯片41平面尺寸，且該散熱部451高度略高于該半導(dǎo)體芯片非 主動(dòng)面412高度。如圖5C所示，進(jìn)行封裝模壓作業(yè)，將該結(jié)合有半導(dǎo)體芯片41、散 熱件45及芯片承載件42的結(jié)構(gòu)置入封裝模具的模腔中(未圖示)，以 填入封裝樹脂，以后即可移除該封裝模具，從而于該芯片承載件42上 形成一用以包覆該半導(dǎo)體芯片41及散熱件45的封裝膠體44，其中由 于該散熱部451高度略高于該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面412高度，因而可 避免現(xiàn)有技術(shù)中封裝模具直接抵壓于半導(dǎo)體芯片上而發(fā)生裂損問題。如圖5D及圖5E所示，利用如研磨等薄化作業(yè)，以移除覆蓋于該 半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面412上方的封裝膠體44及散熱件的部分散熱部 451，藉以使該半導(dǎo)體芯片非面外露出該封裝膠體44，進(jìn)而提供半導(dǎo)體芯片41良好散熱途徑。通過前述制法，本發(fā)明還提供一種散熱型封裝結(jié)構(gòu)，包括有芯片承載件42;半導(dǎo)體芯片41，具相對(duì)的主動(dòng)面411及非主動(dòng)面412， 該半導(dǎo)體芯片41是以其主動(dòng)面411接置并電性連接至該芯片承載件42 上；散熱件45，具有一散熱部451、 一自該散熱部451向下延伸的支 撐部452、以及一形成于該散熱部451的開孔450，以供該散熱件45 通過該支撐部452而架撐于該芯片承載件42上，同時(shí)使該半導(dǎo)體芯片 41容置于該散熱部451與該支撐部452所構(gòu)成的容置空間中，且該散 熱部451頂面高度與該半導(dǎo)體芯片41非主動(dòng)面高度相等；以及封裝膠 體44，形成于該芯片承載件42上，用以包覆該半導(dǎo)體芯片41及散熱 件45，且使該半導(dǎo)體芯片41非主動(dòng)面及散熱部451頂面外露出該封裝 膠體44，如此即可使該半導(dǎo)體芯片41有效逸散其運(yùn)行時(shí)所產(chǎn)生的熱量 至外界。第二實(shí)施例請(qǐng)參閱圖6，為本發(fā)明的散熱型封裝結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的示意圖。如 圖所示，本實(shí)施例的散熱型封裝結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施例大致相同，其主要 差異在移除位于半導(dǎo)體芯片51上的封裝膠體后，復(fù)于外露出該封裝膠 體54的散熱部551頂面上涂布一如油墨(ink)的保護(hù)層56，以防止該 散熱部551的氧化。因此，本發(fā)明的散熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法主要是將半導(dǎo)體芯片以 覆晶方式接著并電性連接至芯片承載件，并于該芯片承載件上接置一 具散熱部及自該散熱部向下延伸的支撐部的散熱件，其中該散熱部形 成有對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片的開孔，以使該半導(dǎo)體芯片容置于該散熱部與 該支撐部所構(gòu)成的容置空間中，且該散熱部的開孔對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯 片非主動(dòng)面的上方，接著形成一用以包覆該半導(dǎo)體芯片及該散熱件的 封裝膠體，并薄化該封裝膠體，從而使該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面及散熱 部頂面外露出該封裝膠體，如此即可通過低制程成本及簡(jiǎn)易制程方式 制得外露出半導(dǎo)體芯片的散熱型封裝結(jié)構(gòu)，同時(shí)本發(fā)明制程中是使封 裝膠體先覆蓋半導(dǎo)體芯片及散熱件，再薄化封裝膠體以外露出半導(dǎo)體 芯片及散熱件，避免于封裝模壓過程中壓傷半導(dǎo)體芯片。上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制尤其應(yīng)特別注意的是，該芯片承載件的選擇，以及芯片與芯 片承載件的電性連接方式的采用，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背 本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾與改變。因此，本發(fā) 明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)以權(quán)利要求書的范圍為依據(jù)。
權(quán)利要求
1.一種散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，包括提供至少一具相對(duì)主動(dòng)面及非主動(dòng)面的半導(dǎo)體芯片，以將該半導(dǎo)體芯片主動(dòng)面通過覆晶方式接置并電性連接于芯片承載件上；于該芯片承載件上接置一散熱件，該散熱件具有一散熱部、一自該散熱部向下延伸的支撐部、以及一形成于該散熱部的開孔，以供該散熱件通過該支撐部而架撐于該芯片承載件上，同時(shí)使該半導(dǎo)體芯片容置于該散熱部與該支撐部所構(gòu)成的容置空間中，并使該散熱部的開孔對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面的上方；進(jìn)行封裝模壓作業(yè)，以于該芯片承載件上形成一包覆該半導(dǎo)體芯片及散熱件的封裝膠體；以及薄化該半導(dǎo)體芯片上方的封裝膠體，藉以外露出該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面及散熱部頂面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，其中，該芯片承 載件為基板及導(dǎo)線架的其中一者。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，其中，該半導(dǎo)體 芯片是通過多個(gè)導(dǎo)電凸塊以將其主動(dòng)面電性連接至該芯片承載件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，其中，該散熱部 開孔的尺寸大于半導(dǎo)體芯片平面尺寸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，其中，該薄化作 業(yè)是利用研磨技術(shù)移除覆蓋于該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面上方的封裝膠 體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，其中，該薄化作 業(yè)中亦同時(shí)研磨掉部分散熱部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，復(fù)包括于外露出 該封裝膠體的散熱部頂面涂布一保護(hù)層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)制法，其中，該保護(hù)層 為油墨。
9. 一種散熱型封裝結(jié)構(gòu)，包括 芯片承載件；半導(dǎo)體芯片，具相對(duì)的主動(dòng)面及非主動(dòng)面，該半導(dǎo)體芯片是以其主動(dòng)面接置并電性連接至該芯片承載件上；散熱件，具有一散熱部、 一自該散熱部向下延伸的支撐部、以及 一形成于該散熱部的開孔，以供該散熱件通過該支撐部而架撐于該芯 片承載件上，同時(shí)使該半導(dǎo)體芯片容置于該散熱部與該支撐部所構(gòu)成 的容置空間中，且該散熱部的頂面高度與該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面高度 相等；以及封裝膠體，形成于該芯片承載件上，用以包覆該半導(dǎo)體芯片及散 熱件，且使該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面及散熱部頂面外露出該封裝膠體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)，其中，該芯片承載件 為基板及導(dǎo)線架的其中一者。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)，其中，該半導(dǎo)體芯片 是通過多個(gè)導(dǎo)電凸塊以將其主動(dòng)面電性連接至該芯片承載件。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)，其中，該散熱部開孔 的尺寸大于半導(dǎo)體芯片平面尺寸。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)，復(fù)包括有一保護(hù)層， 形成于外露出該封裝膠體的散熱部頂面。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的散熱型封裝結(jié)構(gòu)，其中，該保護(hù)層為 油墨。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種散熱型封裝結(jié)構(gòu)及其制法，是將半導(dǎo)體芯片以其主動(dòng)面接置并電性連接至芯片承載件，且于該芯片承載件上接置一具散熱部及支撐部的散熱件，以供半導(dǎo)體芯片容置于該散熱部及支撐部所形成的容置空間中，其中該散熱部形成有對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體芯片的開孔，接著形成一用以包覆該半導(dǎo)體芯片及散熱件的封裝膠體，再薄化該封裝膠體以移除該半導(dǎo)體芯片上的封裝膠體，以使該半導(dǎo)體芯片非主動(dòng)面及散熱部頂面外露出該封裝膠體，從而通過簡(jiǎn)化制程步驟及成本的方式制得散熱型封裝結(jié)構(gòu)，同時(shí)避免現(xiàn)有技術(shù)中封裝模壓制程中壓損芯片問題。
文檔編號(hào)H01L23/367GK101335216SQ20071012680
公開日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2007年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
發(fā)明者洪敏順, 蕭承旭, 蔡和易, 黃建屏 申請(qǐng)人:矽品精密工業(yè)股份有限公司