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      半導(dǎo)體模塊和散熱板的制作方法

      文檔序號(hào):7233740閱讀:130來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:半導(dǎo)體模塊和散熱板的制作方法
      圖2A示出如可從圖2C截取的I和I之間產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的剖面視 圖。如所能看到的,在半導(dǎo)體基片1的表面10上,設(shè)置氮化硅層 14。此外,圖2B示出如可從圖2C截取的II和II之間產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的 剖面視圖。如所能看到的,主動(dòng)區(qū)部分11被填充有絕緣材料13的 絕纟彖溝槽12^黃向限定。在主動(dòng)區(qū)部分ll的頂部,i殳有氮4b石圭部分 14。如所能看到的,絕緣溝槽不具備完全呈矩形的側(cè)壁。更具體地, 絕緣溝槽略樣t呈^l,形。因此,主動(dòng)區(qū)11的下部的寬度大于其上部 的寬度。此外,圖2C示出俯一見圖。如圖所示,絕》彖溝槽12形成為 線條。在相鄰線條之間的空間里,i殳有氮4匕石圭才才并+線14。
      在下一步驟中,限定凹槽開口。具體地,施加光阻材料并使用 凹陷溝道掩模對(duì)所述光阻材料進(jìn)行圖案化。如將要參照?qǐng)D4A至圖 4C進(jìn)行說(shuō)明的,凹槽溝道掩模以這樣的方式設(shè)計(jì),即蝕刻氮化硅 層14的點(diǎn)狀部分,以1更形成凹槽開口 15。圖3A示出在氮4匕石圭層 14中蝕刻凹槽開口之后,I和I之間的基片的剖面—見圖。具體地, 蝕刻氮化硅的該蝕刻步驟相對(duì)二氧化硅具有很高的選擇性。在這方 面,術(shù)語(yǔ)"選擇性蝕刻步驟"指的是其中第一材料相比其它層的材 泮牛以高得多的蝕刻速率蝕刻。例如,第一材沖+的蝕刻速率與其它材 料的蝕刻速率之間的比率可為4:1或更高。例如,在圖3A所示的 蝕刻步驟中,氮化硅的蝕刻速率是二氧化硅蝕刻速率的四倍,以便 確保所需的選擇性。如從示出n和II之間的截面圖的圖3B所能進(jìn)一 步看到的,氮化硅層14被從相鄰絕緣溝槽之間的空間中完全去除。
      圖3C示出所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的俯-觀圖。如所能看到的,形成凹槽 開口 15以便將預(yù)定的基片部分1暴露。剩余氮化硅材料條14設(shè)置 在相鄰的凹槽開口 15之間。
      圖4A至圖4C示出半導(dǎo)體基片的各俯視圖,示出了凹槽溝道 掩模條的例示形狀。例如,如圖4A所示,主動(dòng)區(qū)可以錯(cuò)列方式詔:
      存儲(chǔ)元件產(chǎn)生的熱量也造成問(wèn)題,但是從AMB產(chǎn)生的熱量大大超過(guò) 存儲(chǔ)元件產(chǎn)生的熱量,因此,要求有效地散發(fā)來(lái)自AMB的熱量。當(dāng) AMB超過(guò)校正溫度(rectified temperature)時(shí),AMB將不能正常工 作,無(wú)法獲得必要特性,因此,提升半導(dǎo)體模塊的散熱性能對(duì)產(chǎn)品來(lái) 說(shuō)是極其重要的。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體模塊和用于該半導(dǎo)體 模塊的散熱板,這種半導(dǎo)體模塊能夠在安裝有工作時(shí)具有不同發(fā)熱量 的半導(dǎo)體器件(元件)的半導(dǎo)體模塊中有效散熱,并且能夠容易地安 裝甚至具有發(fā)熱量大的半導(dǎo)體器件。
      根據(jù)本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面,提供了一種 半導(dǎo)體模塊,其特征在于,在該半導(dǎo)體模塊中混合存在多種工作時(shí)具
      有不同發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件,導(dǎo)熱片置于安裝在基板上的模塊主體與 所述半導(dǎo)體器件的外表面之間,并且散熱板安裝成在兩塊或更多所述 半導(dǎo)體器件上覆蓋所述半導(dǎo)體器件的外表面,其中,用于所述半導(dǎo)體 器件中發(fā)熱量大的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)熱片的熱導(dǎo)率比用于所述半導(dǎo)體 器件中發(fā)熱量小的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)熱片的熱導(dǎo)率高此外,雖然可以利 用通過(guò)用樹脂密封半導(dǎo)體元件而形成半導(dǎo)體器件以及利用通過(guò)倒裝 芯片連接法安裝有半導(dǎo)體元件而形成半導(dǎo)體器件,但對(duì)半導(dǎo)體器件安 裝在基板上的形式?jīng)]有特別限制。
      此外,散熱板可以設(shè)置成覆蓋安裝在所述基板上的多個(gè)半導(dǎo)體 器件,或者散熱板也可以形成為覆蓋所述基板的平面區(qū)域的平面形 狀,以安裝成覆蓋安裝在所述基板上的所有半導(dǎo)體器件。通過(guò)提供用 于覆蓋基板的整個(gè)平面的散熱板,可以構(gòu)成散熱性能優(yōu)良的半導(dǎo)體模 塊。
      此外,夾子通過(guò)沿厚度方向進(jìn)行彈性擠壓來(lái)固定所述模塊主體 和所述散熱板,從而易于結(jié)合所述半導(dǎo)體模塊,并且可以提升所述半 導(dǎo)體模塊的散熱性能,所述夾子通過(guò)折疊并彎曲彈性板部件使其側(cè)面 形狀呈"C"形形狀而形成。
      此外,本發(fā)明對(duì)于這樣的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)是特別有效的,其中,安裝 在所述模塊主體上的半導(dǎo)體器件為存儲(chǔ)元件和用于存儲(chǔ)緩沖器的控 制元件,并且所述控制元件在工作時(shí)的發(fā)熱量大于所述存儲(chǔ)元件在工 作時(shí)的發(fā)熱量。
      此外,通過(guò)將分隔用于存儲(chǔ)緩沖器的所述控制元件與所述散熱
      板之間的間隔構(gòu)造為等于或小于0.05mm,可以進(jìn)一步提升控制元件 的散熱性能。
      此外,以下這種散熱板作為用于所述半導(dǎo)體模塊的散熱板,可 以獲得有效的散熱作用這種散熱板安裝在模塊部件上,所述模塊部 件安裝有在工作時(shí)具有不同發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件,并且這種散熱板粘 貼有與設(shè)置半導(dǎo)體器件的位置對(duì)應(yīng)的導(dǎo)熱片,在所粘貼的導(dǎo)熱片中, 用于所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量大的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)熱片的熱導(dǎo)率比 用于所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量小的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)熱片的熱導(dǎo)率高。
      此外,通過(guò)將散熱板安裝在模塊主體上可以有效地利用所述散 熱板,其中,所述模塊主體安裝有存儲(chǔ)元件和用于存儲(chǔ)緩沖器的控制 元件,所述存儲(chǔ)元件和所述控制元件作為半導(dǎo)體器件。
      本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例可以包括下面的一個(gè)或多個(gè) 優(yōu)點(diǎn)。例如,根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊和散熱板,可以有效地從工作 時(shí)具有不同發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件散發(fā)熱量,從而可以使半導(dǎo)體模塊具 有穩(wěn)定的性能。此外,即使具有發(fā)熱量大的半導(dǎo)體器件也可以容易地 安裝在半導(dǎo)體模塊上。
      從下面的詳細(xì)說(shuō)明書、附圖和權(quán)利要求書中可以清楚其它特征 和優(yōu)點(diǎn)。


      圖1A示出了構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的模塊主體的平面圖。
      圖1B示出了構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體模塊的模塊主體的正視圖。
      圖2A至圖2D分別示出了散熱板的平面圖和正視圖。
      圖3是將散熱板安裝在模塊主體上的半導(dǎo)體模塊的平面圖。
      圖4A和圖4B示出了將散熱板安裝在模塊主體上的半導(dǎo)體模塊 的正視圖。
      圖5A和圖5B是粘貼有導(dǎo)熱片的狀態(tài)下的散熱板的平面圖。 圖6A至圖6C分別是平面圖和剖視圖,示出了安裝有現(xiàn)有技術(shù) 的散熱板的半導(dǎo)體模塊的構(gòu)造。
      具體實(shí)施例方式
      參照附圖,詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例如下
      圖1A和圖1B分別是平面圖和正視圖,示出了構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明
      的半導(dǎo)體模塊的模塊主體10的實(shí)施例的構(gòu)造。模塊主體IO包括基 板12,其形成為矩形形狀;存儲(chǔ)元件14,其安裝在基板12的兩個(gè)面
      上;以及控制元件16,其安裝在基板12 —側(cè)的表面上。連接器13 沿著基板12的縱向設(shè)置在一側(cè)的末端邊緣。
      本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的控制元件16用于存儲(chǔ)緩沖器 (AMB)??刂圃?6安裝在電路板17上,而電路板17結(jié)合在基 板12上。因此,控制元件16布置在相對(duì)于基板表面高于存儲(chǔ)元件 14的位置。
      此外,圖1A示出了具有存儲(chǔ)緩沖器的半導(dǎo)體模塊的構(gòu)造的最一 般結(jié)構(gòu)。兩行存儲(chǔ)元件14設(shè)置在基板12的縱向上,根據(jù)產(chǎn)品不同而 不同。
      圖2A至圖2D示出了作為半導(dǎo)體模塊構(gòu)成部分的散熱板的構(gòu) 造。圖2A和圖2B分別是安裝在基板12的表面(一側(cè)的表面)上的 散熱板20a的平面圖和正視圖,其中該基板安裝有控制元件16。圖 2C和圖2D分別是安裝在基板12另一側(cè)的表面上的散熱板20b的平 面圖和正視圖。
      散熱板20a和20b形成為具有一定尺寸的矩形形狀,該尺寸保 證覆蓋與基板12的平面形狀對(duì)應(yīng)的基板12的平面區(qū)域。
      安裝在基板12 —側(cè)的表面上的散熱板20a形成有與設(shè)置控制元 件16的位置對(duì)應(yīng)的容納凹進(jìn)部分24。如圖2B所示,散熱板20a在
      其形成有容納凹進(jìn)部分24的部分向外側(cè)凸出,從而在散熱板20a的 外表面上形成階差(臺(tái)階差)。容納凹進(jìn)部分24的內(nèi)表面24a形成 為平面。
      此外,散熱板20a和20b的縱向上的兩端分別形成有支撐凸出 部26a和26b,該支撐凸出部用于支撐散熱板20a和20b以使其從基 板表面浮起。支撐凸出部26a和26b分別設(shè)置在散熱板20a和20b的 短邊方向的整個(gè)長(zhǎng)度上。
      散熱板20a和20b可以設(shè)置有用于以基板12進(jìn)行定位的凸出部, 或者可以設(shè)置有用于與基板12保持表面間隔的隔離凸出部。用于定 位的凸出部可以通過(guò)定位在形成于基板12的末端邊緣的凹槽或通孔 中而形成。
      散熱板20a和20b由銅或鋁等適當(dāng)材料形成,只要該材料是導(dǎo) 熱性和散熱性能優(yōu)良的材料。根據(jù)本示例性實(shí)施例,材料由厚度lmm 的鋁合金(鋁含量99.5%)形成。鋁合金的熱導(dǎo)率為230 (W/m 'K)。 通過(guò)對(duì)鋁合金進(jìn)行防蝕鋁處理(alumite treatment),從而可以獲得 較高散熱性能,并且通過(guò)解決易于受到損傷的問(wèn)題,可以獲得足夠強(qiáng) 度。
      圖3示出了將散熱板20a和20b安裝在模塊主體IO上的狀態(tài)下 的平面圖。根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊通過(guò)以下方式結(jié)合,即 將散熱板20a和20b定位在模塊主體10的兩個(gè)面上,然后用夾子30a 和30b從兩側(cè)彈性擠壓散熱板20a和20b。夾子30a和30b通過(guò)折疊 并彎曲彈性板使其側(cè)面形狀呈"C"形形狀而形成。通過(guò)使散熱板20a 和20b與模塊主體10的兩個(gè)面接觸并且將散熱板20a和20b和模塊 主體10置于作為固定件的夾子30a和30b之間,散熱板20a和20b 和模塊主體IO利用預(yù)定擠壓力而得到整體支撐。
      根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊,當(dāng)模塊主體10由散熱板20a 和20b夾入其間時(shí),半導(dǎo)體模塊通過(guò)將具有優(yōu)良導(dǎo)熱性的薄片(導(dǎo)熱 片)置于模塊主體10與散熱板20a和20b之間來(lái)組裝。
      圖4A和圖4B示出了從前方看到的通過(guò)以下方式結(jié)合半導(dǎo)體模 塊的狀態(tài),即分別將第一導(dǎo)熱片41和第二導(dǎo)熱片42置于模塊主體10與散熱板20a和20b之間以及模塊主體10與散熱板20a之間。第 一導(dǎo)熱片41置于存儲(chǔ)元件14與散熱板20a以及存儲(chǔ)元件14與散熱 板20b之間,第二導(dǎo)熱片42置于控制元件16與散熱板20a之間,并 且夾子30a和30b通過(guò)散熱板20a和20b擠壓模塊主體10。
      如圖4B所示,控制元件16包含在設(shè)置于散熱板20a上的容納 凹進(jìn)部分24的內(nèi)側(cè),并且控制元件16的背面借助于第二導(dǎo)熱片42 與容納凹進(jìn)部分24的內(nèi)表面24a接觸。存儲(chǔ)元件14在其外表面(樹 脂密封部分的外表面)與第一導(dǎo)熱片41接觸,并且借助于第一導(dǎo)熱 片41與散熱板20a和20b的內(nèi)表面接觸。
      根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊,構(gòu)成在模塊主體10的兩個(gè) 面上覆蓋形成為平板形狀的散熱板20a和20b的形式,因而構(gòu)成沿寬
      度方向穿透半導(dǎo)體模塊的寬度方向上的空間部分的形式。也就是說(shuō), 半導(dǎo)體模塊構(gòu)成使氣流在寬度方向上流動(dòng)的形式,因而提升了散熱性能。
      盡管第一導(dǎo)熱片41和第二導(dǎo)熱片42分別置于存儲(chǔ)元件14與散 熱板20a和20b之間以及控制元件16與散熱板20a之間以改進(jìn)從存 儲(chǔ)元件14向散熱板20a和20b以及從控制元件16向散熱板20a的熱 傳導(dǎo),但是本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊的特征在于使用具有不同 熱導(dǎo)率的兩種導(dǎo)熱片作為第一導(dǎo)熱片41和第二導(dǎo)熱片42,并且將熱 導(dǎo)率優(yōu)于第一導(dǎo)熱片41的導(dǎo)熱材料用于第二導(dǎo)熱片42。
      圖5A和圖5B示出了分別將第一導(dǎo)熱片41和第二導(dǎo)熱片42粘 貼在散熱板20a和20b的內(nèi)表面上以及散熱板20a的內(nèi)表面上的狀態(tài) 下的平面圖。在一側(cè)安裝在裝有控制元件16的基板表面上的散熱板 20a粘貼有與設(shè)置控制元件16的位置對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)熱片42,并粘貼 有與設(shè)置存儲(chǔ)元件14的位置對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)熱片41。在另一側(cè)的散熱 板20b粘貼有與裝有存儲(chǔ)元件14的位置對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)熱片41。
      通過(guò)以這種方式分別將第一導(dǎo)熱片41和第二導(dǎo)熱片42粘貼在 散熱板20a和20b上以及散熱板20a上,分別將第一導(dǎo)熱片41和第 二導(dǎo)熱片42置于模塊主體10與散熱板20a和20b之間以及置于模塊 主體10與散熱板20a之間,從而通過(guò)將散熱板20a和20b定位并夾
      緊在模塊主體10上來(lái)結(jié)合成為一體。
      分別設(shè)置在散熱板20a和20b上的支撐凸出部26a和26b的高 度尺寸和容納凹進(jìn)部分24的階差的高度尺寸這樣設(shè)定,即使得當(dāng) 散熱板20a和20b安裝在基板12上時(shí),存儲(chǔ)元件14和控制元件16 分別借助于第一導(dǎo)熱片41與散熱板20a和20b接觸以及借助于第二 導(dǎo)熱片42與散熱板20a接觸。此外,容納凹進(jìn)部分24的階差設(shè)定為 小于控制元件16與存儲(chǔ)元件14之間的高度差。
      根據(jù)本示例性實(shí)施例,使用具有不同熱導(dǎo)率的兩種導(dǎo)熱片來(lái)提 升控制元件16的散熱性能并防止從控制元件16散發(fā)的熱量回流到存 儲(chǔ)元件14一側(cè),其中提升散熱性能是通過(guò)將熱量從工作時(shí)發(fā)熱量大 于存儲(chǔ)元件14的控制元件16有效傳導(dǎo)至散熱板20a來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
      一般來(lái)說(shuō),當(dāng)散熱板借助于導(dǎo)熱片與發(fā)熱部件接觸以散發(fā)來(lái)自 該發(fā)熱部件的熱量時(shí),使用熱導(dǎo)率盡可能高的導(dǎo)熱材料作為導(dǎo)熱片是 高效的。因此,同樣根據(jù)本示例性實(shí)施例,似乎使用熱導(dǎo)率盡可能高 的導(dǎo)熱片作為第一導(dǎo)熱片41和第二導(dǎo)熱片42是高效的。然而,如同 根據(jù)本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊中那樣,當(dāng)安裝有具有不同發(fā)熱量 的半導(dǎo)體器件(元件)并且通常在其上安裝有散熱板時(shí),將熱導(dǎo)率較
      高的導(dǎo)熱片插入在工作時(shí)具有較大發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件(元件)并將 熱導(dǎo)率相對(duì)較低的導(dǎo)熱片插入發(fā)熱量較小的半導(dǎo)體器件(元件)實(shí)際
      上是高效的。
      根據(jù)本示例性實(shí)施例,使用熱導(dǎo)率約2.0 (W/m*K)的導(dǎo)熱片 作為第一導(dǎo)熱片41,并且使用熱導(dǎo)率約3.0 (W/m*K)的導(dǎo)熱片作 為第二導(dǎo)熱片42。
      當(dāng)對(duì)于本示例性實(shí)施例的使用具有不同熱導(dǎo)率的導(dǎo)熱片作為第 一導(dǎo)熱片41和第二導(dǎo)熱片42的情況以及對(duì)于第一導(dǎo)熱片41和第二 導(dǎo)熱片42均使用高熱導(dǎo)率的導(dǎo)熱片(熱導(dǎo)率約3.0 (W/m K)的導(dǎo) 熱片)的比較例的情況測(cè)量控制元件16的工作溫度時(shí),與該比較例 相比,在本示例性實(shí)施例的情況下,控制元件16的溫度升高可以減 少33%。
      事實(shí)表明,使用具有不同熱導(dǎo)率的導(dǎo)熱片作為第一導(dǎo)熱片41和
      第二導(dǎo)熱片42并且將熱導(dǎo)率較高的導(dǎo)熱片用于發(fā)熱量較大的控制元 件16是高效的。
      此外,為了證實(shí)夾子30a和30b的作用,測(cè)量如何通過(guò)構(gòu)成材 料厚度為0.5mm的夾子30a和30b的情況和構(gòu)成材料厚度為0.6mm 的夾子30a和30b的情況來(lái)改變控制元件16的工作溫度,當(dāng)進(jìn)行這 樣的測(cè)量時(shí),在構(gòu)成材料厚度為0.6mm的夾子30a和30b的情況下, 控制元件16的工作溫度降低12%。
      事實(shí)表明,用恒定壓力擠壓散熱板20a和20b明顯有助于降低 控制元件16的工作溫度。因此,在選定夾子30a和30b時(shí),選擇利 用夾子30a和30b的擠壓位置、擠壓面積以及夾子30a和30b的材料 厚度和材質(zhì)是有效的。
      此外,對(duì)于將控制元件16的熱量傳導(dǎo)到散熱板20a,使置于散 熱板20a與控制元件16之間的導(dǎo)熱片42的厚度盡可能薄是有效的。 盡管可以使用具有各種厚度的薄片作為導(dǎo)熱片42,但是優(yōu)選這樣設(shè) 計(jì)容納凹進(jìn)部分24的階差,即使控制元件16的背面與容納凹進(jìn)部 分24的內(nèi)表面24a之間的間隔盡可能窄??刂圃?6的背面與容納 凹進(jìn)部分24的內(nèi)表面24a之間的間隔可以是約0.05mm。
      此外,盡管已經(jīng)根據(jù)本示例性實(shí)施例說(shuō)明了裝有存儲(chǔ)元件14和 用作AMB的控制元件16的半導(dǎo)體模塊,但是本發(fā)明不限于此示例 性實(shí)施例的構(gòu)造,而是可類似地應(yīng)用于裝有具有不同發(fā)熱量的半導(dǎo)體 器件(元件)的半導(dǎo)體模塊。同樣在這種情況下,通過(guò)分別插入具有 較大和較小熱導(dǎo)率的導(dǎo)熱片,可以將散熱板安裝在具有較大發(fā)熱量的 半導(dǎo)體器件(元件)和具有較小發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件(元件)上。
      此外,盡管已經(jīng)根據(jù)本示例性實(shí)施例說(shuō)明了設(shè)置有具有不同熱
      導(dǎo)率的導(dǎo)熱片的半導(dǎo)體模塊,但是本發(fā)明不限于此示例性實(shí)施例的構(gòu)
      造,而是可類似地應(yīng)用于設(shè)置有變相帶(phase change tape)和非變
      相帶的半導(dǎo)體模塊,其中,變相帶適用于具有較大發(fā)熱量的半導(dǎo)體器
      件,而非變相帶適用于具有較小發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件。具有這種構(gòu)造 的半導(dǎo)體模塊可以具有與本示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體模塊相同的效果。
      同樣在這種情況下,通過(guò)分別插入具有較大和較小熱導(dǎo)率的導(dǎo)
      熱片,可以將散熱板安裝在具有較大發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件(元件)和 具有較小發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件(元件)上。
      盡管已經(jīng)結(jié)合有限數(shù)量的實(shí)施例描述了本發(fā)明,但是,從本公 開內(nèi)容中受益的所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到,可以設(shè)計(jì)出不會(huì)背 離在此所披露的本發(fā)明保護(hù)范圍的其它實(shí)施例。因此,本發(fā)明的保護(hù) 范圍應(yīng)當(dāng)僅由所附權(quán)利要求書限定。
      本申請(qǐng)要求2006年7月13日向日本特許廳提交的日本專利申 請(qǐng)No. 2006-192264的優(yōu)先權(quán)。該優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)通過(guò)引用整體并入本文。
      權(quán)利要求
      1.一種半導(dǎo)體模塊,包括模塊主體,其具有基板和安裝在所述基板上的多種半導(dǎo)體器件,所述多種半導(dǎo)體器件在工作時(shí)具有不同的發(fā)熱量;散熱板,其安裝成在兩塊或更多所述半導(dǎo)體器件上覆蓋所述半導(dǎo)體器件的外表面;以及導(dǎo)熱片,其置于所述模塊主體和各個(gè)所述散熱板之間,其中,在所述導(dǎo)熱片中,用于所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量大的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)熱片的熱導(dǎo)率比用于所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量小的半導(dǎo)體器件的導(dǎo)熱片的熱導(dǎo)率高。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊,其中, 所述散熱板形成為覆蓋所述基板的平面區(qū)域的平面形狀,并且安裝成覆蓋安裝在所述基板上的所有所述半導(dǎo)體器件。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊,還包括夾子,其通過(guò)折疊并彎曲彈性板部件使其側(cè)面形狀呈"C"形形 狀而形成,其中,所述夾子通過(guò)沿厚度方向進(jìn)行彈性擠壓來(lái)固定所述模塊 主體和所述散熱板。
      4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊,其中, 安裝在所述模塊主體上的所述半導(dǎo)體器件為存儲(chǔ)元件和用于存儲(chǔ)緩沖器的控制元件,所述控制元件在工作時(shí)的發(fā)熱量大于所述存儲(chǔ) 元件在工作時(shí)的發(fā)熱量。
      5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊,其中, 分隔用于所述存儲(chǔ)緩沖器的所述控制元件與所述散熱板的間隔構(gòu)造為等于或小于0.05mm。
      6. —種用于半導(dǎo)體模塊的散熱板,所述半導(dǎo)體模塊具有模塊主體,所述模塊主體安裝有在工作時(shí)具有不同發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件,所述散熱板包括導(dǎo)熱片,其具有不同的熱導(dǎo)率并粘貼在所述散熱板上。
      7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于半導(dǎo)體模塊的散熱板,其中, 在所述導(dǎo)熱片中,熱導(dǎo)率高的導(dǎo)熱片與設(shè)置所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量大的半導(dǎo)體器件的位置對(duì)應(yīng),粘貼在所述散熱板上,并且熱導(dǎo) 率低的導(dǎo)熱片與設(shè)置所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量小的半導(dǎo)體器件的位 置對(duì)應(yīng),粘貼在所述散熱板上。
      8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于半導(dǎo)體模塊的散熱板,其中,所述散熱板安裝在所述模塊主體上,所述模塊主體安裝有存儲(chǔ) 元件和用于存儲(chǔ)緩沖器的控制元件,所述存儲(chǔ)元件和所述控制元件作 為所述半導(dǎo)體器件。
      9. 一種半導(dǎo)體模塊,包括模塊主體,其具有基板和安裝在所述基板上的多種半導(dǎo)體器件, 所述多種半導(dǎo)體器件在工作時(shí)具有不同的發(fā)熱量;散熱板,其安裝成在兩塊或更多所述半導(dǎo)體器件上覆蓋所述半導(dǎo)體器件的外表面;變相帶,其置于所述散熱板與所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量大的半導(dǎo)體器件之間;以及非變相帶,其置于所述散熱板與所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量小的 半導(dǎo)體器件之間。
      全文摘要
      本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體模塊,在該半導(dǎo)體模塊中,混合存在多種工作時(shí)具有不同發(fā)熱量的半導(dǎo)體器件,導(dǎo)熱片置于安裝在基板上的模塊主體與所述半導(dǎo)體器件的外表面之間,并且散熱板通過(guò)在兩塊或更多所述半導(dǎo)體器件上覆蓋所述半導(dǎo)體器件的外表面而安裝在所述導(dǎo)熱片上,其中,熱導(dǎo)率高的導(dǎo)熱片用于所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量大的半導(dǎo)體器件,熱導(dǎo)率低的導(dǎo)熱片用于所述半導(dǎo)體器件中發(fā)熱量小的半導(dǎo)體器件。
      文檔編號(hào)H01L23/427GK101106126SQ20071013685
      公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2007年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月13日
      發(fā)明者酒井克明, 陳明聰, 青木周三, 飯島久照 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社
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