專利名稱：：硅化鈷膜形成方法和具有硅化鈷膜半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體裝置的制作，更準(zhǔn)確地說(shuō)，本發(fā)明涉及硅化鈷膜的形成方法和具有硅化鈷膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
：隨著金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的柵電阻和源/漏接觸電阻的增加，含有MOS晶體管的半導(dǎo)體器件的操作速度下降。因此，硅化膜被廣泛應(yīng)用來(lái)降低這些電阻。硅化鈷膜，特別是二硅化一鈷(CoSi2)膜，由于其低電阻(1618liDcm)、良好的熱穩(wěn)定性和隨尺寸減少的薄片電阻(Rs)而尤其有用。硅化鈷膜已被使用在靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)裝置和需要高操作速度的邏輯器件中。如果在其上面形成有硅化鈷膜的硅區(qū)表面存在氧化硅和氮化硅等雜質(zhì)會(huì)使得硅化鈷膜的特性不好。由于這個(gè)原因，在沉積硅化鈷膜之前，通常先對(duì)村底表面進(jìn)行濕式清潔并隨后使用射頻(RF)、;賤射進(jìn)行蝕刻。然而，不幸的是，由于RF濺射蝕刻是使用氬離子(Ar+)的物理蝕刻過(guò)程，因此會(huì)產(chǎn)生襯底表面缺陷。另外，在RF濺射蝕刻過(guò)程中出現(xiàn)了二次賊射(resputtering)，這可能導(dǎo)致形成不好的硅化鈷膜，在硅化鈷膜中的有源區(qū)之間可能發(fā)生短路。圖l是半導(dǎo)體器件的平面圖，其中硅化鈷膜在有源區(qū)之間造成短路。在圖1中，參考標(biāo)記3表示有源區(qū)，參考標(biāo)記4表示阱區(qū)邊界，參考標(biāo)記5表示柵極，參考標(biāo)記7表示柵極間隔層，參考標(biāo)記llc表示硅化鈷膜。如圖所示，因?yàn)榭邕^(guò)阱區(qū)邊界4連接鄰近的有源區(qū)3，所以硅化鈷膜llc是有缺陷的。圖2是用于解釋RF濺射蝕刻過(guò)程中二次濺射形成的視圖，圖3是顯示由于二次賊射而形成的不好的硅化鈷膜。圖2和3是沿圖1中線n-n，截取的剖視圖。如圖2所示，在RF濺射蝕刻10過(guò)程中，淺溝槽裝置隔離區(qū)(STI)2的氧化物2a和/或間隔層(spacer)7的氮化物7a^皮二次濺射在有源區(qū)3或半導(dǎo)體裝置的柵極5上。而且，有源區(qū)3的硅3a被二次濺射到間隔層7上。如圖3所示，二次濺射的氧化物2a和氮化物7a使得形成在有源區(qū)3上的硅化鈷膜11a和形成在柵極5上的硅化鈷膜llb的厚度不均勻。而且，二次賊射的硅3a使得硅化鈷膜llc沿著間隔層7的側(cè)壁表面形成。這會(huì)導(dǎo)致如圖1所示的有源區(qū)的短路。同時(shí)，參考圖4,形成于襯底前表面上的鈷膜11轉(zhuǎn)化為硅化鈷膜主要發(fā)生在柵極5a圖案的邊緣以及STI2與有源區(qū)3彼此連接的邊緣。這個(gè)現(xiàn)象稱為"邊緣效應(yīng)"，如圖4中的參考標(biāo)記13所示。邊緣效應(yīng)使得硅化鈷膜lld的厚度增加，這反過(guò)來(lái)造成硅化膜的Rs的加載(loading)，使得很難調(diào)節(jié)Rs的值。進(jìn)而，邊緣效應(yīng)可能在源/漏區(qū)8產(chǎn)生漏電流。這些缺陷在柵極臨界尺寸(CD)減少到小于100nm時(shí)得到加強(qiáng)。如圖4所示，在具有小CD的柵極5b處形成的硅化鈷膜lie的厚度幾乎是在具有較大CD的柵極5a形成的硅化鈷膜lid的厚度的兩倍。這在減少柵5b圖案的長(zhǎng)寬比方面帶來(lái)限制，對(duì)后續(xù)工藝的工藝容限產(chǎn)生不利影響。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種形成具有良好特性的硅化鈷膜的方法。本發(fā)明也提供一種形成硅化鈷膜的方法，該硅化鈷膜具有通過(guò)工藝參數(shù)的調(diào)整使薄片電阻的調(diào)節(jié)更容易的大工藝窗。本發(fā)明還提供一種使用硅化鈷膜形成方法制造半導(dǎo)體器件的方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種形成硅化鈷膜的方法，該方法包括在具有絕緣區(qū)和含硅導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體襯底的表面形成含鈷膜；在含鈷膜上形成一個(gè)富含鈦的覆蓋膜來(lái)獲得一個(gè)合成(resultant)結(jié)構(gòu)，富含鈦的覆蓋膜的鈦和其他元素的原子百分比比率超過(guò)1;以及對(duì)該合成結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火使得含鈷膜的鈷和含硅導(dǎo)電區(qū)的硅彼此反應(yīng)從而形成硅化鈷膜。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種形成硅化鈷膜的方法，該方法包括在具有絕緣區(qū)和含硅導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體襯底的表面形成含鈷膜，含鈷膜在一定的溫度下形成，在該溫度含鈷膜的鈷和含硅導(dǎo)電區(qū)的硅彼此反應(yīng)從而形成由一硅化二鈷或一硅化一鈷構(gòu)成的擴(kuò)散抑制界面膜；在含鈷膜上形成富含鈦的覆蓋膜來(lái)獲得合成結(jié)構(gòu)，富含鈦的覆蓋膜的鈦和其他元素的原子百分比比率超過(guò)l;以及對(duì)合成結(jié)構(gòu)退火，使得擴(kuò)散抑制界面膜被轉(zhuǎn)變成二硅化一鈷膜，并且含鈷膜的鈷與含硅導(dǎo)電區(qū)的硅反應(yīng)從而形成二硅化一鈷膜。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)方面，提供一種使用根據(jù)本發(fā)明的硅化鈷膜的形成方法制造半導(dǎo)體器件的方法。在這種情況下，含硅的導(dǎo)電區(qū)可以是源/漏區(qū)或者形成在半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)里/上的多晶硅柵極。本發(fā)明還提供一種形成硅化鈷膜的方法，所述方法包括濕式清潔具有絕緣區(qū)和含硅導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體襯底的表面；在濕式清潔后的含硅導(dǎo)電區(qū)上形成一含鈷膜，該含鈷膜在一定的溫度下形成，在該溫度下含鈷膜中的鈷和含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅彼此反應(yīng)從而形成由一硅化二鈷或一硅化一鈷構(gòu)成的擴(kuò)散抑制界面膜；在含鈷膜上面形成一富含鈦的覆蓋膜，該富含鈦的覆蓋膜的鈦和其他元素的原子百分比比率超過(guò)1;在第一溫度下進(jìn)行初次快速熱退火，使得擴(kuò)散抑制面膜中的一硅化二鈷被轉(zhuǎn)化為一硅化一鈷，以及含鈷膜中的鈷與含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅反應(yīng)，從而形成一硅化一鈷膜；選擇性地去除所述覆蓋膜和在初次快速熱退火中殘留的沒(méi)有反應(yīng)的含鈷膜；以及在高于第一溫度的第二溫度下進(jìn)行第二次快速熱退火，使得一硅化一鈷膜轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜。本發(fā)明還提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成一定義一有源區(qū)的隔離區(qū)；在有源區(qū)上形成源/漏區(qū)和柵極，所述柵極具有側(cè)壁間隔層并由摻雜有雜質(zhì)的多晶硅制成；在襯底表面上形成一含鈷膜；在含鈷膜上形成一富含鈦的覆蓋膜以獲得一合成結(jié)構(gòu)，所述富含鈦的覆蓋膜具有大于1的鈦/其他元素的原子百分比比率；以及退火該合成結(jié)構(gòu)，使得含鈷膜中的鈷和柵極及源/漏區(qū)中的硅彼此反應(yīng)，以形成硅化鈷膜。本發(fā)明又提供一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括在半導(dǎo)體村底上形成一定義一有源區(qū)的隔離區(qū)；在有源區(qū)上形成一源/漏區(qū)和柵極，所述柵極具有側(cè)壁間隔層并由摻雜有雜質(zhì)的多晶硅制成；在半導(dǎo)體襯底表面上形成一含鈷膜，該含鈷膜在一定的溫度下形成，在該溫度下含鈷膜中的鈷與源/漏區(qū)及柵極中的硅彼此反應(yīng)以形成由一硅化二鈷或一硅化一鈷構(gòu)成的擴(kuò)散抑制界面膜；在含鈷膜上形成一富含鈦的覆蓋膜從而獲得一合成結(jié)構(gòu)，所述富含鈦的覆蓋膜的鈦/其他元素的原子百分比比率大于1;以及退火該合成結(jié)構(gòu)，使得擴(kuò)散抑制界面膜被轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜，并且含鈷膜中的鈷與源/漏區(qū)以及柵極中的硅反應(yīng)以形成二硅化一鈷膜。本發(fā)明再一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成一定義一有源區(qū)的隔離區(qū)；在有源區(qū)上形成源/漏區(qū)和柵極，所述柵極具有側(cè)壁隔離區(qū)并由摻雜有雜質(zhì)的多晶硅制成；濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面；在半導(dǎo)體襯底表面上形成一含鈷膜，該含鈷膜在一定的溫度下形成，在該溫度下含鈷膜中的鈷與源/漏區(qū)以及柵極中的硅彼此反應(yīng)以形成由一硅化二鈷或一硅化一鈷構(gòu)成的擴(kuò)散抑制界面膜；在含鈷膜上面形成一富含鈦的覆蓋膜，該富含鈦的覆蓋膜的鈦/其他元素的原子百分比比率超過(guò)1;在第一溫度下進(jìn)行初次快速熱退火，使得擴(kuò)散抑制界面膜被轉(zhuǎn)化為一硅化一鈷膜，并且含鈷膜中的鈷與源/漏區(qū)以及柵極中的硅反應(yīng)，以形成一硅化一鈷膜；選擇性地去除覆蓋膜和在初次快速熱退火中殘留的沒(méi)有反應(yīng)的含鈷膜；以及在高于第一溫度的第二溫度下進(jìn)行第二次快速熱退火，使得一硅化一鈷膜轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜。從以下的詳細(xì)描述中，并參考附圖，本發(fā)明的上述和其他特征以及優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1是顯示了傳統(tǒng)硅化鈷膜形成方法造成的有源區(qū)之間短路的平面圖；圖2是用于解釋傳統(tǒng)硅化鈷膜形成方法中發(fā)生的二次濺射的剖視圖；圖3是由于二次濺射形成的不良的硅化鈷膜的剖視圖；圖4是用于解釋源于傳統(tǒng)的硅化鈷膜形成方法的邊緣效應(yīng)，以及由于邊緣效應(yīng)引起的硅化膜的薄片電阻(Rs)的加載；圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的硅化鈷膜的形成方法的流程圖6A到6D是在圖5所示的方法步驟中形成的中間結(jié)構(gòu)的剖視圖7是用于解釋高溫下鈷膜的沉積過(guò)程中形成的界面膜的擴(kuò)散抑制特性的剖視圖8A和8B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的硅化鈷膜的掃描電子顯微照片(SEMs);圖9A和9B是與圖8A和8B所示的膜相對(duì)比的對(duì)照樣品的硅化鈷膜的SEMs;圖IOA和IOB是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例和根據(jù)傳統(tǒng)方法的具有硅化鈷膜的柵極的Rs值的曲線圖11A是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例和根據(jù)傳統(tǒng)方法經(jīng)過(guò)首次快速熱退火(RTA)后的二次離子質(zhì)譜測(cè)定(SIMS)結(jié)果的曲線圖11B是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例和根據(jù)傳統(tǒng)方法經(jīng)過(guò)選擇性的濕式蝕刻后的SIMS結(jié)果的曲線圖12是顯示根據(jù)本發(fā)明的僅通過(guò)濕式清潔工藝進(jìn)行預(yù)處理的測(cè)試樣品的漏電流以及根據(jù)傳統(tǒng)方法的通過(guò)濕式清潔工藝進(jìn)行預(yù)處理并接著通過(guò)射頻(RF)賊射進(jìn)行蝕刻的對(duì)照樣品的漏電流的曲線圖13A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在高溫下沉積鈷膜后形成的樣品的透射電子顯微照片(TEM);圖13B和13C顯示了圖13A中所示的通過(guò)高溫沉積形成的界面膜的選區(qū)衍射(SAD)圖案；以及圖14是顯示在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在高溫下沉積鈷膜的情況下和根據(jù)傳統(tǒng)方法沉積鈷膜情況下的漏電流特性的曲線圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例至少部分特征在于在先前形成的含鈷(Co)膜上富含鈦(Ti)膜的沉積。在覆蓋膜中大量存在的Ti向鈷膜和下方的含硅的膜(例如體硅膜或(多晶)硅膜)之間的界面擴(kuò)散，以去除界面處的氧化物和氮化物。氧化物和氮化物的去除導(dǎo)致高質(zhì)量的硅化鈷膜。另外，本發(fā)明的一些實(shí)施例的特征還在于使用濕式預(yù)處理工藝，該工藝充分去除形成在打算形成硅化鈷膜的表面上的自然氧化膜。不需要通過(guò)射頻(RF)濺射蝕刻的預(yù)處理，因此氧化物、氮化物和/或硅的二次賊射得以避免。在這點(diǎn)上，如這里使用的一樣，術(shù)語(yǔ)"濕式清潔被單獨(dú)采用/執(zhí)行，，表示RF濺射蝕刻在預(yù)處理過(guò)程中被省略了。再者，本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例的特征在于，在高溫下形成鈷膜以一卜償邊緣效應(yīng)造成的用于形成硅化鈷膜的小工藝窗。以下，通過(guò)示例，將描述在全CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)型SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)裝置中的柵極和有源區(qū)上形成硅化鈷膜的方法。圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例形成硅化鈷膜的方法的流程圖。圖6A到6D是利用圖5所示的工藝步驟形成的中間產(chǎn)品的剖視圖。參考圖5和6A，首先，晶體管(Tr)被形成(步驟Sl)。具體地，在使用傳統(tǒng)方法形成淺溝槽隔離(STI)區(qū)102后，一個(gè)N阱101和P阱(未示出)通過(guò)使用離子注入形成在P型硅襯底100上。接著，在襯底100上，形成具有厚度為110~130A的氧化膜和厚度為15002500A的多晶硅膜，隨后進(jìn)行圖形化處理，形成柵極105和柵極氧化膜104。柵極氧化膜104可以通過(guò)使用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或者原子層沉積法(ALD)沉積例如氧化硅、氧化鉿、氧化鋅、氧化鋁、氧化鉭和氧化鑭的氧化物形成。多晶硅制成的柵極105可以通過(guò)使用J氐壓CVD(LPCVD)沉積4參有雜質(zhì)的多晶珪形成。多晶硅可在摻入雜質(zhì)的同時(shí)沉積，也可在沉積后摻入雜質(zhì)。接著，進(jìn)行離子注入形成輕度摻雜漏(LDD)區(qū)。NMOS晶體管的LDD106n通過(guò)注入例如As+的n型離子形成，PMOS晶體管的LDD106p通過(guò)注入例如BF2+的p型離子形成。然后，一個(gè)間隔層107被形成在柵極105的側(cè)壁處。間隔層107可以是氮化硅膜或中間溫度氧化物(MTO)膜和氮化硅膜的疊層結(jié)構(gòu)。在間隔層107形成后，n+源/漏區(qū)108n通過(guò)注入例如As+的n型離子形成，p+源/漏區(qū)108p通過(guò)注入例如BF2+的p型離子形成。最后，形成了NMOS源/漏極(109n)和PMOS源/漏極(109p)。參考圖5和6B，進(jìn)行預(yù)處理步驟(步驟S2和S3，)。預(yù)處理步驟之后，含鈷膜111被形成(步驟S3)并且富含鈦的覆蓋膜113被形成(步驟S4)。在預(yù)處理過(guò)程(步驟S2和S3，)中，雜質(zhì)，例如形成在源/漏區(qū)109n、109p和柵極105上的自然氧化膜，和/或從間隔層107的形成中保留的氮化物顆粒被去除。對(duì)于預(yù)處理步驟，可以單獨(dú)使用濕式清潔(步驟S2)或者和RF濺射蝕刻(步驟S3')—起使用。例如氧化物和氮化物的雜質(zhì)也可以由于在RF濺射蝕刻后引起的二次濺射而產(chǎn)生。然而，如后面將要描述的那樣，這些雜質(zhì)通過(guò)在后續(xù)工序中形成的覆蓋膜113中富含的Ti而被去除。RF濺射蝕刻能夠根據(jù)需要有選擇地進(jìn)行。根據(jù)接下來(lái)的RF賊射蝕刻的進(jìn)行與否，在濕式清潔中進(jìn)行不同調(diào)整。在RF濺射蝕刻進(jìn)行的情況下，濕式清潔可以被輕度進(jìn)行。在另一方面，在RF濺射蝕刻被省略的情況下，進(jìn)行濕式清潔以使得自然氧化膜等雜質(zhì)被完全去除。在RF賊射蝕刻被省略的情況下，濕式清潔分兩個(gè)步驟進(jìn)行。濕式清潔的第一步驟分三步使用由去離子(DI)水稀釋的氟化氫(HF)溶液(第一步)；使用氳氧化銨、雙氧水(H202)、和水的混合溶液(也稱SC1溶液)(第二步)；使用由DI水稀釋的HF溶液。按100:1或者200:1稀釋的HF溶液可以被用來(lái)作為稀釋的HF溶液。第一步被進(jìn)行大約10300秒，優(yōu)選為大約150秒，第二步在4090攝氏度的溫度下，優(yōu)選為70攝氏度，進(jìn)行大約160分鐘，優(yōu)選為30分鐘，第三步進(jìn)行大約10-300秒，優(yōu)選為大約60秒。濕式清潔的第二步驟分為兩步使用疏酸和H202的混合溶液(第一步)，使用由DI水的稀釋HF溶液(第二步)。優(yōu)選地，硫酸和H202的比例為6:1。100:1或者200:1的稀釋HF溶液可以被用來(lái)作為稀釋HF溶液。第一步在120攝氏度進(jìn)行大約500-700秒，優(yōu)選為600秒，第二步進(jìn)行150-300秒，優(yōu)選為250秒。在另一方面，在RF濺射蝕刻進(jìn)行的情況下，在上述提到的兩個(gè)濕式清潔步驟中的各步可以進(jìn)行較短的時(shí)間?；蛘?，濕式清潔可以只使用稀釋的HF溶液進(jìn)行。接下來(lái)，含鈷膜111沿著襯底100的暴露的階梯表面共形地形成(第三步S3)。含鈷膜111可以是由100%的鈷制成的純鈷膜或者鈷合金膜制成。優(yōu)選地，鈷合金膜中包括原子百分比比率為20。/?；蚋俚倪x自鉭(Ta)、鋯(Zr)、鈥(Ti)、鎳(Ni)、鉿(Hf)、鎢(W)、柏(Pt)、4巴(Pd)、釩(V)、鈮(Nb)和它們的混合物中的一種。含鈷膜111通過(guò)濺射形成。含鈷膜111的厚度根據(jù)柵極105的臨界直徑(CD)或者高度決定。例如，假如柵極的CD是100nm，最好形成厚度小于150A的含鈷膜。含鈷膜111可以在高于室溫的溫度下沉積。然而，優(yōu)選在300-500攝氏度高溫下沉積含鈷膜111。當(dāng)在高溫下沉積含鈷膜111時(shí)，如附圖6B的放大圓中所示，含鈷膜11中的鈷與源/漏區(qū)109n、109p中的硅和柵極105中的多晶硅相反應(yīng)，因此形成由一硅化二鈷(Co2Si)或者一硅化一鈷(CoSi)構(gòu)成的界面膜115a。界面115a用于在接下來(lái)的退火工藝中抑制鈷的擴(kuò)散。后面將要對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述。接下來(lái)，富含鈦的覆蓋膜113形成在含鈷膜111上(步驟S4)。這里用到的術(shù)語(yǔ)"富含鈦的覆蓋膜"表示鈦與其他元素的原子百分比比率大于1的膜。該富含鈦的覆蓋膜可以是從由鈦/氮(N)原子百分比比率大于1的氮化鈦膜、Ti/W原子百分比比率大于1的鈦鎢膜、純鈦膜和Ti/N原子百分比比率大于1的氮化鈦膜的疊層結(jié)構(gòu)、純鈦膜和Ti/N原子百分比比率小于1的氮化鈦膜的疊層結(jié)構(gòu)、純鈦膜和Ti/W原子百分比比率大于1的鈦鴒膜的疊層結(jié)構(gòu)、純鈦膜和Ti/W原子百分比比率小于1的鈦鴒膜的疊層結(jié)構(gòu)組成的組中選擇的一種。富含鈦的覆蓋膜113也可以是由100%的鈦構(gòu)成的純鈦膜。覆蓋膜113也通過(guò)濺射形成。例如，如果采用Ti/N原子百分比比例大于1的氮化鈦膜，具有所需要組分比例的覆蓋膜113可以通過(guò)沉積Ti耙同時(shí)調(diào)整供給濺射裝置的氮?dú)獾牧魉賮?lái)形成。覆蓋膜113的功能將在后面加以描述。更好地，RF濺射蝕刻(步驟S3，)、含鈷膜的形成(步驟S3)和富含鈦的覆蓋膜的形成(步驟SA在原處(in-situ)進(jìn)行。參考圖5和6C,具有含鈷膜111和富含鈦覆蓋膜113的合成結(jié)構(gòu)在低溫下退火(步驟S5)。低溫退火可以是在350-650攝氏度下進(jìn)行的快速熱退火(RTA)。在低溫退火開(kāi)始的時(shí)候，覆蓋膜113中的鈦首先有效去除與含鈷膜111相接觸的源/漏區(qū)109n和109p以及柵極105的上表面上的殘留雜質(zhì)。鈦去除在含鈷膜111形成之前進(jìn)行的用于預(yù)處理的RF賊射蝕刻而產(chǎn)生的如氧化物、氮化物、硅等雜質(zhì)。當(dāng)RF濺射蝕刻被省略時(shí)，鈦也去除在濕式清潔和形成含鈷膜111之間的延遲時(shí)間中產(chǎn)生在襯底100的暴露表面上的雜質(zhì)。這樣一個(gè)延遲時(shí)間是因?yàn)闈袷角鍧嵑秃捘さ男纬刹皇窃谠庍M(jìn)行而導(dǎo)致的。因此，富含鈦的覆蓋膜113用于防止低質(zhì)量硅化鈷膜的形成，否則通過(guò)RF濺射蝕刻產(chǎn)生的雜質(zhì)將會(huì)導(dǎo)致低質(zhì)量的硅化鈷膜。另外，在單獨(dú)使用濕式清潔預(yù)處理來(lái)防止雜質(zhì)產(chǎn)生的情況下，即使襯底100的表面在濕式清潔后被長(zhǎng)時(shí)間暴露在空氣中，鈦也能去除由于暴露而產(chǎn)生在襯底100表面的雜質(zhì)。因此，用于在濕式清潔和含鈷膜111形成之間的延遲時(shí)間的工藝窗可以增大。當(dāng)鈦有效地去除雜質(zhì)時(shí)，含鈷膜111中的鈷向源/漏區(qū)109n、109p和柵極105擴(kuò)散并與(多晶)硅反應(yīng)，因而形成高質(zhì)量的CoSi膜115b。同時(shí)，在300-500攝氏度形成含鈷膜111時(shí)形成的由Co2Si或CoSi制成的擴(kuò)散抑制界面膜115a用于減小鈷的擴(kuò)散速度，因此延緩硅化鈷膜的形成。也就是，參考圖7，組成擴(kuò)散抑制界面膜115a的Co2Si或CoSi呈多晶相。由于這個(gè)原因，置于在界面膜115a上的含鈷膜111中的鈷僅僅能通過(guò)擴(kuò)散路徑200也就是多晶晶粒邊界向襯底100擴(kuò)散。在存在界面膜115a時(shí)擴(kuò)散路徑200的數(shù)量少于不存在界面膜115a時(shí)擴(kuò)散路徑250的數(shù)量。由于這個(gè)原因，在界面膜115a存在的情況下，較少的鈷與硅反應(yīng)。因此，Rs加載和由于邊緣效應(yīng)導(dǎo)致的漏電流的增加受到抑制。由于低溫退火，界面膜115a的Co2Si被轉(zhuǎn)變成CoSi。參考圖5和6D，進(jìn)行濕式蝕刻來(lái)有選擇地去除通過(guò)低溫退火仍然沒(méi)有反應(yīng)的覆蓋膜113和含鈷膜lll(步驟S6)。濕式蝕刻采用了硫酸和氬氧化銨的混合溶液或磷酸、乙酸、硝酸和11202的混合溶液來(lái)進(jìn)行。接下來(lái)，進(jìn)行高溫退火(步驟S7)。由于高溫退火，CoSi膜115b被轉(zhuǎn)化為具有低電阻的CoSi2膜115c。與CoSi膜115b相比，CoSi2膜115c更加穩(wěn)定并具有更低電阻。高溫退火可以是在700-900攝氏度范圍下的快速熱退火(RTA)。參照?qǐng)D5-7描述的實(shí)施例與自對(duì)準(zhǔn)硅化物工藝有關(guān)。當(dāng)需要的時(shí)候，可以形成硅化物阻擋膜來(lái)保護(hù)不需要將鈷進(jìn)行硅化處理的區(qū)域。在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中，硅化膜僅僅形成在柵極上，以減少柵電阻并保持最佳的刷新。因此，硅化膜不在有源區(qū)上形成。對(duì)于近來(lái)在高性能和小芯片尺寸方面表現(xiàn)不佳的帶邏輯的合并DRAM(MDL)，在外圍電路和邏輯線路中，硅化膜被形成在有源區(qū)和柵極上或者形成在有源區(qū)的一部分和柵極上的一部分以減d、柵極和源/漏區(qū)的接觸電阻或者薄片電阻。在另一方面，在存儲(chǔ)單元陣列中，硅化膜僅被形成在柵極上以保持最佳的刷新。對(duì)于非易失性存儲(chǔ)裝置，硅化膜僅僅在柵上形成以防止由于隨著圖形密度增加?xùn)艠O長(zhǎng)度的減小而導(dǎo)致的電阻增加。另外，在需要的時(shí)候，可以僅在源/漏區(qū)上形成硅化膜以代替在柵極上形成硅化膜。因此，硅化物阻擋膜被用來(lái)僅僅暴露打算形成硅化膜的區(qū)域。硅化物阻擋膜的形成可以先于濕式清潔進(jìn)行。至此，已經(jīng)描述了在源/漏極上和柵極上形成的硅化鈷膜。然而，需要指出的是硅化鈷膜可以在任何由(多晶)硅制成的需要低電阻的導(dǎo)電區(qū)上形成。以下，參考非限制性的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明加以更加詳細(xì)地描述。第一實(shí)施例使用下述根據(jù)本發(fā)明的硅化鈷膜的形成方法，根據(jù)110nm的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，在半導(dǎo)體晶片襯底上制作6晶體管(6Tr)SRAM單元，從而制備測(cè)試樣品。具有多晶硅柵極圖案的帶有側(cè)壁間隔層和源/漏區(qū)的襯底的前表面(以下，稱為"底層結(jié)構(gòu)")通過(guò)使用SC1溶液和接下來(lái)的HF溶液進(jìn)行濕式清潔。襯底通過(guò)使用氬(Ar)氣利用RF濺射來(lái)蝕刻以便去除氧化膜到厚度為50埃，通過(guò)濺射來(lái)形成厚度為100A的鈷膜，并且在一定氮?dú)饬魉俚那闆r下富含鈦的氮化鈦覆蓋膜形成厚度為100A。RF濺射蝕刻，鈷膜的形成，以及氮化鈦覆蓋膜的形成都在原處進(jìn)行。根據(jù)盧瑟福背散射光語(yǔ)學(xué)(RBS)分析，在覆蓋膜中Ti/N原子百分比比是3.33。初次RTA在450攝氏度下進(jìn)行了90秒，覆蓋膜和沒(méi)有反應(yīng)的鈷膜通過(guò)疏酸和H202的混合溶液被去除，接著第二次RTA在800攝氏度下進(jìn)行30秒。如此獲得的CoSi2膜的掃描電子顯微照片(SEMs)如圖8A和8B所示。圖8A是柵極的俯視圖，圖8B是被接觸圖形暴露的有源區(qū)的俯視圖。同時(shí)，除了在85sccm氮?dú)饬魉傩纬筛采w膜外，對(duì)照樣品在上述工藝條件下制得。根據(jù)RBS分析，對(duì)照樣品的覆蓋膜的Ti/N原子百分比比率是0.89。對(duì)照樣品的CoSi2膜的SEMs如圖9A和9B所示。圖9A是柵極的俯視圖，圖9B是有源區(qū)的俯^L圖。經(jīng)比凈交測(cè)試才羊品的SEMs(圖8A和8B)和對(duì)照才羊品的SEMs(圖9A和9B)，通過(guò)使用根據(jù)本發(fā)明的富含鈦的覆蓋膜而形成的CoSi2膜展現(xiàn)出比那些通過(guò)使用富含氮的覆蓋膜形成的CoSi2膜具有更好的形態(tài)。第二實(shí)施例在第一實(shí)施例中制備的測(cè)試樣品和對(duì)照樣品中的NMOS柵極和PMOS柵極的薄片電阻(Rs)被測(cè)試，其結(jié)果如圖10A和10B所示。圖IOA顯示了NMOS柵極的Rs,圖IOB顯示了PMOS柵極的Rs。在圖IOA和圖10B中-〇-代表測(cè)試樣品，_□_代表對(duì)照樣品。如圖IOA和圖IOB所示，在測(cè)試樣品展示了很低并且均勻的Rs分布的同時(shí)，對(duì)照樣品展示了很高并且不一致的Rs分布。這個(gè)結(jié)果說(shuō)明富含鈦的覆蓋膜有效地去除了氧化物、氮化物等存在于鈷膜和源/漏區(qū)或柵的界面中的雜質(zhì)。第三實(shí)施例以與第一實(shí)施例同樣的方式制備測(cè)試樣品和對(duì)照樣品。經(jīng)過(guò)初次RTA后和經(jīng)過(guò)選擇性的濕式蝕刻后的二次離子質(zhì)量光譜分析(SIMS)被分別顯示在圖IIA和11B中。在圖11A和11B中--和-T-代表測(cè)試樣品，-〇-和-□-代表對(duì)照樣品。如圖IIB所示，測(cè)試樣品(使用富含鈦的覆蓋膜)的表面比對(duì)照樣品(使用富含氮的覆蓋膜)的表面具有更高的鈦含量，多達(dá)102倍。在圖IIB中，深度為0微米的區(qū)域?qū)?yīng)初次RTA前硅區(qū)的表面，以及同時(shí)，對(duì)應(yīng)選擇性的濕式蝕刻前的鈷膜和硅化鈷膜的界面。從鈷向著硅區(qū)擴(kuò)散時(shí)硅區(qū)被轉(zhuǎn)化為硅化鈷膜的事實(shí)和圖11B的結(jié)果來(lái)判斷，能發(fā)現(xiàn)大量的鈦向著鈷膜和源/漏區(qū)或者柵區(qū)之間的界面擴(kuò)散，并隨后有效去除所述界面處的雜質(zhì)。第四實(shí)施例以除了在預(yù)處理過(guò)程中單獨(dú)進(jìn)行濕式清潔，也就是預(yù)處理不包括RF濺射蝕刻外，測(cè)試樣品以與第一實(shí)施例中的測(cè)試樣品相同的方法制備。濕式清潔通過(guò)使用200:1的稀釋HF溶液進(jìn)行150秒，使用SC1溶液處理30分鐘，接著使用200:1的稀釋HF溶液處理卯秒。在硅化鈷膜形成后，p+/n結(jié)漏電流在PMOS中測(cè)試。作為對(duì)照樣品，具有底層結(jié)構(gòu)的襯底的前表面通過(guò)先后使用SC1溶液和HF溶液進(jìn)行濕式清潔，以及通過(guò)在氬氣中使用RP賊射進(jìn)行蝕刻。于是，通過(guò)濺射形成一個(gè)厚度為100A的鈷膜，并且在氮?dú)獾牧魉贋?5sccm時(shí)形成一個(gè)厚度為100A的富含氮的氮化鈦覆蓋膜。接下來(lái)進(jìn)行的工藝與上述測(cè)試樣品相同。p+/n結(jié)漏電流在PMOS中測(cè)試。測(cè)試出的漏電流如圖12所示。在圖12中-□-代表測(cè)試樣品，-〇-代表對(duì)照樣品。測(cè)試樣品展示了增強(qiáng)的漏電流和均勻的漏電流分布。第五實(shí)施例在400攝氏度的高溫下在硅襯底上沉積厚度為80A的鈷膜，并且所獲得的結(jié)構(gòu)的透射電子顯微照片(TEM)被顯示在圖13A中。如圖13A所示，可以在鈷膜和硅襯底之間看到一個(gè)厚度為20-28A的界面膜。為了確定形成的界面膜的類型，界面膜的選區(qū)衍射(SAD)圖案被測(cè)試，其結(jié)果顯示在圖13B和13C中。可以證明通過(guò)高溫沉積形成的界面膜由Co2Si和CoSi構(gòu)成。第六實(shí)施例具有底層結(jié)構(gòu)的硅襯底先后受到SC1溶液和HF溶液的處理，接著在氬氣中通過(guò)RF濺射進(jìn)行蝕刻。于是，在400攝氏度下沉積了厚度為100A的鈷膜，并且沉積厚度為100A的富含鈦的覆蓋膜。接著，在450攝氏度時(shí)進(jìn)行初次RTA90秒，覆蓋膜和沒(méi)有反應(yīng)的鈷膜使用硫酸和11202的混合溶液被去除，接著在800攝氏度下進(jìn)行第二次RTA30秒。其結(jié)果是，制成測(cè)試一羊品1。測(cè)試樣品2的制備除了初次RTA進(jìn)行30秒外，其他都與測(cè)試樣品1的制備相同。對(duì)照樣品1除了鈷膜在150攝氏度下沉積外，其他都與測(cè)試樣品1的準(zhǔn)備相同。對(duì)照樣品2除了鈷膜在150攝氏度下沉積外，其他都與測(cè)試樣品2的準(zhǔn)備相同。下面的表1給出了測(cè)試樣品1和2以及對(duì)照樣品1和2的導(dǎo)電區(qū)的Rs值。在對(duì)照樣品i中，0.13微米柵極的Rs值小于0.65微米片冊(cè)的Rs值。從這個(gè)結(jié)果可以看出隨著柵的CD減少，硅化鈷膜的厚度增加。因此，可以預(yù)料當(dāng)柵的CD減少到不到100nm時(shí)，這種現(xiàn)象將會(huì)加強(qiáng)。對(duì)比對(duì)照樣品1和2,當(dāng)初次RTA的持續(xù)時(shí)間由90秒減少到30秒時(shí)，根據(jù)CDRS值的變化減少。然而，減少比率是可以忽略的。表1薄片電阻(Rs)(Q/sq.)<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>CD:臨界尺寸比較對(duì)照樣品1和測(cè)試樣品1，可以看到當(dāng)根據(jù)本發(fā)明在高溫下(400攝氏度)沉積鈷膜時(shí)，Rs值的變化隨著CD而顯著減少，因此使硅化膜的Rs的加載最小化。這個(gè)結(jié)果證明了通過(guò)高溫沉積產(chǎn)生的硅化鈷界面膜可作為擴(kuò)散抑制膜。比專交測(cè)試樣品1和2，當(dāng)初次RTA的持續(xù)時(shí)間由90秒減少到30秒時(shí)，0.13微米柵的Rs值大于0.65微米柵的Rs值。這個(gè)結(jié)果說(shuō)明即使柵的CD減少到不足lOOnm，硅化膜的Rs的加載也能夠通過(guò)調(diào)整沉積溫度和RTA的延續(xù)時(shí)間得到解決。也就是，這意味著根據(jù)本發(fā)明在高溫下形成硅化鈷膜的方法提供了很大的工藝窗。第七實(shí)施例在第六實(shí)施例中制備的測(cè)試樣品1和對(duì)照樣品1的漏電流特性受到測(cè)試，其結(jié)果顯示在圖14中。在圖14中-□-代表測(cè)試樣品l，-〇-代表對(duì)照樣品1。測(cè)試樣品1相對(duì)于對(duì)照樣品1表現(xiàn)出顯著提高的漏電流特性。在測(cè)試樣品1的有源區(qū)和STI邊緣區(qū)形成厚度為300~360A的硅化鈷膜，而在對(duì)照樣品1的有源區(qū)和STI邊緣區(qū)深深地形成厚度為370700A的硅化鈷膜。這些事實(shí)證明了在高溫鈷沉積情況下形成的硅化鈷界面膜有效地抑制了鈷擴(kuò)散到含硅的導(dǎo)電區(qū)。從上述描述中明顯看到，本發(fā)明提供了一種硅化鈷膜的形成方法。根據(jù)這種方法，覆蓋膜以富含鈦的膜的形式形成并且產(chǎn)生雜質(zhì)的RF濺射蝕刻可被省略。因此，防止了由在鈷膜和含硅導(dǎo)電區(qū)之間的界面處的雜質(zhì)導(dǎo)致的低質(zhì)量的硅化鈷膜的形成。此外，用于形成硅化鈷膜的反應(yīng)速度可以通過(guò)使用在高溫下形成鈷膜時(shí)形成的界面膜來(lái)調(diào)整。因此，由邊緣效應(yīng)產(chǎn)生的用于形成硅化鈷膜的小工藝窗被有效解決了。雖然本發(fā)明特別地參考示意性的實(shí)施例被加以顯示和描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求中的限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，其中在形式和細(xì)節(jié)上可以做出各種變化。權(quán)利要求1.一種形成硅化鈷膜的方法，所述方法包括在具有絕緣區(qū)和含硅導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體襯底的表面上形成含鈷膜，該含鈷膜在一定的溫度下形成，該溫度使得含鈷膜中的鈷與含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅彼此反應(yīng)從而形成由一硅化二鈷或一硅化一鈷構(gòu)成的擴(kuò)散抑制界面膜；在所述含鈷膜上面形成富含鈦的覆蓋膜來(lái)獲得一合成結(jié)構(gòu)，所述富含鈦的覆蓋膜具有超過(guò)1的鈦/其他元素的原子百分比比率；以及退火該合成結(jié)構(gòu)，使得所述擴(kuò)散抑制界面膜被轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜，并且所述含鈷膜中的鈷與含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅反應(yīng)從而形成二硅化一鈷膜。2.如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述覆蓋膜是從由純鈦膜、鈦/氮原子百分比比率大于1的氮化鈦膜、鈦/鵠原子百分比比率大于1的鈦鎢膜、純鈦膜和鈦/氮原子百分比比率大于1的氮化鈦膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)、純鈦膜和鈦/氮原子百分比比率小于1的氮化鈦膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)、純鈦膜和鈦/鴒原子百分比比率大于1的鈦鉤膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)以及純鈦膜和鈦/鎢原子百分比比率小于1的鈦鴒膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)所組成的組中選擇的一種。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述覆蓋膜是具有大于1的鈦/氮原子百分比比率的氮化鈦膜。4.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括在所述含鈷膜形成前，消除形成在所述含硅導(dǎo)電區(qū)上的自然氧化膜和雜質(zhì)的至少一種的預(yù)處理步驟。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述預(yù)處理步驟包括濕式清潔所述半導(dǎo)體襯底的表面；以及通過(guò)射頻濺射蝕刻濕式清潔后的半導(dǎo)體襯底的表面。6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中所述預(yù)處理步驟中沒(méi)有使用射頻濺射蝕刻。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述預(yù)處理步驟包括使用由去離子水稀釋的HF溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面；使用氫氧化銨、11202和水的混合溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面；以及使用由去離子水稀釋的HF溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面。8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述預(yù)處理步驟包括使用硫酸和H202的混合溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面；以及使用由去離子水稀釋的HF溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面。9.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述含鈷膜是純鈷膜，或者是含有原子百分比比率為20%或更小的從由鉭、鋯、鈦、鎳、鉿、鴒、粕、4巴、釩、鈮及它們的混合物所組成的組中選擇的一種的鈷合金膜。10.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所迷擴(kuò)散抑制界面膜在300~500攝氏度的溫度下形成。11.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述退火包括在第一溫度下進(jìn)行初次快速熱退火，使得擴(kuò)散抑制界面膜中的一硅化二鈷轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜，并且含鈷膜中的鈷和含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅反應(yīng)，形成一硅化一鈷膜；選擇性地去除所述覆蓋膜和在初次快速熱退火中殘留的沒(méi)有反應(yīng)的含鈷膜；以及在高于第一溫度的第二溫度下進(jìn)行第二次快速熱退火，使得一硅化一鈷膜轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一溫度的范圍是350~650攝氏度，所述第二溫度的范圍是700900攝氏度。13.—種形成硅化鈷膜的方法，所述方法包括濕式清潔具有絕緣區(qū)和含硅導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體襯底的表面；在濕式清潔后的含硅導(dǎo)電區(qū)上形成一含鈷膜，該含鈷膜在一定的溫度下形成，在該溫度下含鈷膜中的鈷和含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅彼此反應(yīng)從而形成由一硅化二鈷或一硅化一鈷構(gòu)成的擴(kuò)散抑制界面膜；在含鈷膜上面形成一富含鈦的覆蓋膜，該富含鈦的覆蓋膜的鈦和其他元素的原子百分比比率超過(guò)1;在第一溫度下進(jìn)行初次快速熱退火，使得擴(kuò)散抑制面膜中的一硅化二鈷被轉(zhuǎn)化為一硅化一鈷，以及含鈷膜中的鈷與含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅反應(yīng)，從而形成一硅化一鈷膜；選擇性地去除所述覆蓋膜和在初次快速熱退火中殘留的沒(méi)有反應(yīng)的含鈷膜；以及在高于第一溫度的第二溫度下進(jìn)行第二次快速熱退火，使得一硅化一鈷膜轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜。14.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成一定義一有源區(qū)的隔離區(qū)；在有源區(qū)上形成一源/漏區(qū)和柵極，所述柵極具有側(cè)壁間隔層并由摻雜有雜質(zhì)的多晶硅制成；在半導(dǎo)體襯底表面上形成一含鈷膜，該含鈷膜在一定的溫度下形成，二鈷或一硅化一鈷構(gòu)成的擴(kuò)散抑制界面膜；在含鈷膜上形成一富含鈦的覆蓋膜從而獲得一合成結(jié)構(gòu)，所述富含鈦的覆蓋膜的鈦/其他元素的原子百分比比率大于1;以及退火該合成結(jié)構(gòu)，使得擴(kuò)散抑制界面膜被轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜，并且含鈷膜中的鈷與源/漏區(qū)以及柵極中的硅反應(yīng)以形成二硅化一鈷膜。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述覆蓋膜是從由純鈦膜、鈦/氮原子百分比比率大于1的氮化鈦膜、鈦/鴒原子百分比比率大于1的鈦鎢膜、純鈦膜和鈦/氮原子百分比比率大于1的氮化鈦膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)、純鈦膜和鈦/氮原子百分比比率小于1的氮化鈦膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)、純鈦膜和鈦/鵠原子百分比比率大于1的鈦鎢膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)以及純鈦膜和鈦/鎢原子百分比比率小于1的鈦鴒膜構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)所組成的組中選擇的一種。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述覆蓋膜是鈦/氮原子百分比比率大于1的氮化鈦膜。17.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在含鈷膜形成前，去除形成在源/漏區(qū)和柵極上的自然氧化膜和雜質(zhì)的至少一種的預(yù)處理步驟。18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述預(yù)處理步驟包括濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面；以及通過(guò)射頻濺射蝕刻濕式清潔后的半導(dǎo)體襯底的表面。19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述預(yù)處理步驟中沒(méi)有使用射頻賊射蝕刻。20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述預(yù)處理步驟包括使用由去離子水稀釋HF溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面；使用氫氧化銨、&02和水的混合溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面；以及使用由去離子水稀釋HF溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面。21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述預(yù)處理步驟包括使用硫酸和H202的混合溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面；以及使用由去離子水稀釋HF溶液濕式清潔半導(dǎo)體襯底的表面。22.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述含鈷膜是純鈷膜，或者是含有原子百分比比率為20%或更小的從由鉭、鋯、鈦、鎳、鉿、鎢、柏、4巴、釩、鈮及它們的混合物所組成的組中選擇的一種的鈷合金膜。23.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述擴(kuò)散抑制界面膜在300-500攝氏度的溫度下形成。24.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述退火包括在第一溫度下進(jìn)行初次快速熱退火，使得擴(kuò)散抑制界面膜中的一硅化二鈷轉(zhuǎn)化為一硅化一鈷，并且含鈷膜中的鈷與源/漏區(qū)以及柵極中的硅反應(yīng)，從而形成一硅化一鈷膜；選擇性地去除覆蓋膜和在初次快速熱退火中殘留的沒(méi)有反應(yīng)的含鈷膜；以及在高于第一溫度的第二溫度下進(jìn)行第二次快速熱退火，使得一硅化一鈷膜轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜。25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中所述第一溫度的范圍為350~650攝氏度，所述第二溫度的范圍為700-900攝氏度。26.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成一定義一有源區(qū)的隔離區(qū)；在有源區(qū)上形成源/漏區(qū)和柵極，所述柵極具有側(cè)壁隔離區(qū)并由摻雜有雜質(zhì)的多晶硅制成；濕式清潔半導(dǎo)體村底的表面；在半導(dǎo)體襯底表面上形成一含鈷膜，該含鈷膜在一定的溫度下形成，在該溫度下含鈷膜中的鈷與源/漏區(qū)以及柵極中的硅彼此反應(yīng)以形成由一硅化二鈷或一硅化一鈷構(gòu)成的擴(kuò)散抑制界面膜；在含鈷膜上面形成一富含鈦的覆蓋膜，該富含鈦的覆蓋膜的鈦/其他元素的原子百分比比率超過(guò)1;在第一溫度下進(jìn)行初次快速熱退火，使得擴(kuò)散抑制界面膜被轉(zhuǎn)化為一硅化一鈷膜，并且含鈷膜中的鈷與源/漏區(qū)以及柵極中的硅反應(yīng)，以形成一硅化一鈷膜；選擇性地去除覆蓋膜和在初次快速熱退火中殘留的沒(méi)有反應(yīng)的含鈷膜；以及在高于第一溫度的第二溫度下進(jìn)行第二次快速熱退火，使得一硅化一鈷膜轉(zhuǎn)化為二硅化一鈷膜。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)硅化鈷膜的形成方法和具有硅化鈷膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。在含硅導(dǎo)電區(qū)上有一含鈷膜，并且一富含鈦的覆蓋層形成在含鈷膜上。其中所述覆蓋層是鈦/氮原子百分比比率大于1的氮化鈦層。對(duì)該合成結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火，使得含鈷膜中的鈷和含硅導(dǎo)電區(qū)中的硅彼此反應(yīng)，從而形成一硅化鈷膜。當(dāng)在高溫下形成硅化鈷膜的時(shí)候，也形成一擴(kuò)散抑制界面膜。文檔編號(hào)H01L21/28GK101179019SQ20071019962公開(kāi)日2008年5月14日申請(qǐng)日期2003年10月17日優(yōu)先權(quán)日2002年10月17日發(fā)明者具景謨,具滋欽,樸惠貞申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社