專利名稱：照明裝置的制作方法
照明裝置
本發(fā)明涉及一種帶有光電子器件作為輻射源的照明裝置。
本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)1 0 2006 035 635.7的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
在設(shè)計(jì)用于顯示裝置的背光照明的照明裝置如LED中，常常出現(xiàn)的問題是，顯示裝置的照亮不夠均勻。于是，例如在觀察顯示裝置時(shí)，例如被特別強(qiáng)地照亮的部分區(qū)域可能干擾性地作用。
本發(fā)明的任務(wù)是，說明一種照明裝置，其發(fā)射的輻射可以簡(jiǎn)單可靠地根據(jù)預(yù)先給定的輻射特性成形或者是被簡(jiǎn)單可靠地根據(jù)預(yù)先給定的輻射特性來成形的。根據(jù)本發(fā)明，該任務(wù)通過根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求之一的照明裝置來解決。本發(fā)明的有利的擴(kuò)展方案和改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題。
在一個(gè)實(shí)施形式中，根據(jù)本發(fā)明的照明裝置包括帶有輻射出射面和用于產(chǎn)生輻射的光電子器件的光學(xué)裝置，其中構(gòu)成有反射器式地成形的元件，該元件的成型(Formgebimg)和反射器式地成形的元件的設(shè)置適于將器件中產(chǎn)生的輻射通過輻射出射面來偏轉(zhuǎn)，并且其中該元件構(gòu)造為對(duì)于器件中產(chǎn)生的輻射有針對(duì)性地吸收。
在照明裝置的工作中，通過輻射出射面出射的輻射主要是在光電子器件中產(chǎn)生的并且沒有在照明裝置中先前(特別是在反射器式地成形的元件上)反射到光學(xué)裝置上的輻射。而在反射器式地成形的元件反射之后通過輻射出射面出射的輻射主要被吸收，因?yàn)榉瓷淦魇降爻尚蔚脑?gòu)造為對(duì)于光電子器件中產(chǎn)生的輻射有針對(duì)性地吸收。有利的是，這樣可以減小在照明裝置中 一次或多次反射后并且由此以難以控制的角度從輻射出射面出射的輻射部分。于是，可以簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)根據(jù)預(yù)先給定的輻射特性來將全部從輻射出射面出射的輻射成形。 -
優(yōu)選的是，光學(xué)裝置實(shí)施為與光電子器件分開的部件。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光電子器件包括至少一個(gè)適于產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片具有表面，其朝向光學(xué)裝置，以及具有側(cè)面。在半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的輻射可以通過這些面出射。
優(yōu)選的是，反射器式地成形的元件被構(gòu)造和相對(duì)于半導(dǎo)體芯片設(shè)置，使得從半導(dǎo)體芯片的側(cè)面出射的輻射主要射到反射器式地成形的元件上，并且被該元件有針對(duì)性地吸收。由此避免了從半導(dǎo)體芯片中耦合輸出的輻射不是直接地、而是首先在照明裝置中 一 次或多次反射之后才射到輻射出射面上。于是，光學(xué)裝置主要提供通過半導(dǎo)體芯片的表面出射的輻射。該從表面出射的輻射在射到輻射出射面上之前沒有經(jīng)過反射，并且可以通過光學(xué)裝置簡(jiǎn)單地根據(jù)預(yù)先給定的輻射特性來成形。
從光學(xué)裝置的輻射出射面出射的輻射功率整體上減小了從光電子器件產(chǎn)生的輻射功率的、由被構(gòu)造為有針對(duì)性地進(jìn)行吸收的、反射器式地成形的元件所吸收的部分。這特別是涉及從半導(dǎo)體芯片的側(cè)面出射的輻射。然而當(dāng)該輻射部分不是被吸收，而是被偏轉(zhuǎn)到光學(xué)裝置上時(shí)，該輻射部分難以根據(jù)預(yù)先給定的輻射特性來成形。特別是當(dāng)光學(xué)裝置針對(duì)通常從小面積表面出射的輻射的射束成形而構(gòu)造并合適地布置時(shí)，情況如此。對(duì)于這種光學(xué)裝置，在反射情況下射入的輻射是不希望的散射輻射部分。該散射輻射部分可以通過反射器式地成形的元件有針對(duì)性地吸收的實(shí)施來減小。優(yōu)選處于可見光譜范圍中的、從照明裝置出射的輻射因此可以簡(jiǎn)單地根據(jù)照明裝置之一預(yù)先給定的、特別是定向的輻射特性來成形。
根據(jù)另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案，半導(dǎo)體芯片構(gòu)造為薄膜半導(dǎo)體芯片，其中半導(dǎo)體芯片的朝向光學(xué)裝置的表面實(shí)施為主輻射耦合輸出面，并且側(cè)
面構(gòu)成旁輻射出射面。從主輻射耦合輸出面出射的輻射功率在此大于從旁輻射出射面出射的輻射功率。優(yōu)選的是，從旁輻射出射面出射的輻射功率之和小于通過主輻射耦合輸出面出射的輻射功率。
在另 一 實(shí)施形式中，根據(jù)本發(fā)明的照明裝置包括帶有至少 一 個(gè)設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體芯片的光電子器件，該半導(dǎo)體芯片實(shí)施為薄膜半導(dǎo)體芯片，并且具有實(shí)施為主輻射耦合輸出面的表面和形成旁輻射出射面的側(cè)面，其中構(gòu)造有反射器式地成形的元件，其成型和布置
(Anordnung)適于將旁輻射出射面出射的輻射的至少一部分偏轉(zhuǎn)，并且其中該元件構(gòu)造為針對(duì)由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射有針對(duì)性地吸收。
這樣實(shí)施的照明裝置用于薄膜半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的輻射，該輻射主要從主輻射耦合輸出面出射。而從側(cè)面出射的輻射相反主要由被構(gòu)造為有針對(duì)地吸收的、反射器式地成形的元件吸收。
由此，射到隨后的分開的光學(xué)系統(tǒng)上的輻射從薄膜半導(dǎo)體芯片的主
6輻射耦合輸出面的精確限定的面發(fā)射，并且可以簡(jiǎn)單地根據(jù)預(yù)先給定的輻射特性來成形。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，照明裝置包括光學(xué)裝置，該光學(xué)裝置帶有輻射出射面，薄膜半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的輻射可以通過該輻射出射面從照明裝置出射。
薄膜半導(dǎo)體芯片包括承載體和帶有半導(dǎo)體層序列的半導(dǎo)體本體，其中半導(dǎo)體本體設(shè)置在承載體上。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片不同，在該薄膜半導(dǎo)體芯片中，承載體與其上例如借助外延而沉積有半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底不同。生長(zhǎng)襯底可以局部地或者完全地被去除或者薄化。這例如可以以機(jī)械方式或者化學(xué)方式進(jìn)行。承載體用于半導(dǎo)體本體的機(jī)械穩(wěn)定。為此不再需要生長(zhǎng)襯底。
有利的是，與生長(zhǎng)襯底不同，承載體不必滿足關(guān)于晶體純度的高要求，而是可以鑒于其他標(biāo)準(zhǔn)例如機(jī)械穩(wěn)定性、光學(xué)、熱學(xué)或電學(xué)特性來進(jìn)行選擇。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在半導(dǎo)體本體上設(shè)置有反射層。優(yōu)選的是，反射層設(shè)置在承載體和半導(dǎo)體本體之間。反射層此外優(yōu)選包含金屬
或者金屬合金，或者以金屬方式實(shí)施。例如反射層可以包含Au、 Al、 Ag、Pd、 Rh或Pt或者帶有這些材料中的至少一種的合金。Au例如特征在于在紅色和紅外光譜范圍中的高的反射性，而Ag或者Al也在藍(lán)色或者紫外光譜范圍中表現(xiàn)高的反射性。
在有源區(qū)中產(chǎn)生以及在承載體的方向上延伸的輻射可以在反射層上被反射，并且在半導(dǎo)體芯片的背離承載體的、形成主輻射耦合輸出面的表面上發(fā)射，由此有利地提高了通過主輻射耦合輸出面耦合輸出的輻射部分。此外，反射層可以防止通過承載體材料吸收輻射，這很大程度上提高了在選擇承載體材料時(shí)的自由度。
在薄膜半導(dǎo)體芯片中，減小從側(cè)面的旁輻射出射面出射的輻射功率有利于提高從主輻射耦合輸出面耦合輸出的輻射功率。因?yàn)檎彰餮b置優(yōu)選基本上僅僅提供從半導(dǎo)體芯片的表面出射的輻射，而從側(cè)面出射的輻射主要被有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造的、反射器式地成形的元件吸收，所以借助作為輻射源的薄膜半導(dǎo)體芯片有利地提高了照明裝置發(fā)射的輻射功率。因此，薄膜半導(dǎo)體芯片特別適于作為輻射源。
在照明裝置中的元件或者集成在光電子器件中的元件可以設(shè)計(jì)為
7反射器式地成形的元件，該元件的成型和相對(duì)于光電子器件的布置、特 別是必要時(shí)相對(duì)于其半導(dǎo)體芯片和/或相對(duì)于光學(xué)裝置的布置適于將光 電子器件所發(fā)射的并且射到該元件上的輻射至少部分地直接或間接通 過輻射出射面來偏轉(zhuǎn)。反射器式地成形的元件的形狀在寬廣的邊界內(nèi)可
自由選擇，只要由于其成型和布置可以將光電子器件中產(chǎn)生的輻射的至 少一部分由該元件通過輻射出射面被引導(dǎo)，并且特別是在省去有目的地
進(jìn)行吸收的構(gòu)型情形中增多地引導(dǎo)。例如，反射器式地成形的元件可以 具有平面或者彎曲的面的形狀。
當(dāng)對(duì)于光電子器件中產(chǎn)生的輻射，反射器式地成形的元件的反射率
為49%或者更低、特別是30%或者更低、優(yōu)選為15%或者更低、尤其 優(yōu)選為5%或者更低時(shí)，反射器式地成形的元件視為有針對(duì)性地進(jìn)行吸 收。反射器式地成形的元件的盡可能低的反射率值是有利的，因?yàn)檫@樣 減小了輻射的在反射器式地成形的元件上反射的部分。更確切地說，輻 射在相應(yīng)的量上被吸收。典型的是，用于吸收地被構(gòu)造的反射器式地成 形的元件實(shí)施為使得光電子器件產(chǎn)生的輻射不通過該元件透射。有針對(duì) 性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造的、反射器式地成形的元件的吸收度A和也稱為反 射度的反射率R由此通過關(guān)系A(chǔ) = 1 - R彼此關(guān)聯(lián)。
明顯構(gòu)造為反射器的、帶有不可避免的剩余吸收或者只有以高昂的 開銷才可避免的剩余吸收的元件不能視為在上面的意義中有針對(duì)性地 進(jìn)行吸收地構(gòu)造。這涉及定向的反射元件如通常的金屬元件或帶有金屬 表面的元件，以及涉及漫反射的元件例如白色塑料成型件，它們典型地 使用在光電子器件例如發(fā)光二極管的殼體中。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，反射器式地成形的元件完全或者至少部 分地由對(duì)光電子器件中產(chǎn)生的輻射進(jìn)行吸收的材料或者進(jìn)行吸收的材 泮+纟且合物(Materialzusammensetzung )制成，或者完全或者部分i殳置 以吸收光電子器件中產(chǎn)生的輻射的材料或者材料組合物，例如涂敷譬如 印制或者壓印有這種材料或者材料組合物。
在一種特別優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，反射器式地成形的元件完全或者部 分由黑色的、暗灰色的或者涂黑的材料組合物制成。替代地或者補(bǔ)充地， 反射器式地成形的元件可以設(shè)置有黑色的或者暗灰色的材料，或者黑色 的或暗灰色的材料組合物，例如涂敷有這種材料或材料組合物。特別地， 該元件可以完全或者部分由塑料制成，其中該塑料例如通過色素、炭黑狀的或者類似炭黑的顆粒來涂黑(geschwaerzt )。在可見光譜范圍中， 當(dāng)材料均勻地在該光譜范圍上足夠強(qiáng)地進(jìn)行吸收地構(gòu)造以被感知為黑 色時(shí)，該材料或者材料組合物理解為黑色。涂黑的材料特別是理解為一 種材料，該材料感知為灰色或者暗灰色。
根據(jù)另一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案，光電子器件具有殼體，該殼體優(yōu)選包 含反射器式地成形的元件。此外，光電子器件優(yōu)選具有外部的連接導(dǎo)體， 半導(dǎo)體芯片固定在該連接導(dǎo)體上，并且特別是被電接觸。典型的是，半 導(dǎo)體芯片與外部的第二連接導(dǎo)體導(dǎo)電連接。
特別地，電連4妻部分可以以殼體本體變形(體formt)。光電子器 件可以以所謂的預(yù)先模制的殼體形狀(Premolded-Gehaeuseform)來實(shí) 施，在該預(yù)先模制的殼體形狀中預(yù)先制造了殼體本體。在該擴(kuò)展方案中， 半導(dǎo)體芯片可以安裝在已經(jīng)由殼體本體變形的電連接導(dǎo)體上。可以借助 引線框架來形成的外部的連接導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體芯片的外部的電連 接，并且可以與連接承載體的印制導(dǎo)線、例如電路板導(dǎo)電連接。優(yōu)選的 是，電連接借助焊劑、特別是無鉛焊劑來進(jìn)行。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光電子器件具有熱連接部分，該熱連接 部分用于光電子器件的熱接觸。該熱連接部分優(yōu)選附加于電連接導(dǎo)體地 構(gòu)造。有利的是，通過該熱連接部分與外部的散熱器的導(dǎo)熱連接，可以 將光電子器件在工作中產(chǎn)生的熱盡可能與電連接無關(guān)地散發(fā)。
在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，反射器式地成形的元件借助殼體本體的 腔的壁來形成。特別優(yōu)選的是，半導(dǎo)體芯片設(shè)置在腔中。通過這種設(shè)置， 可以簡(jiǎn)單地保護(hù)半導(dǎo)體芯片免受外部的機(jī)械影響。此外，可以通過反射 器式地成形的元件的、進(jìn)行吸收的實(shí)施方式來將如下輻射的大部分主要 吸收該輻射從半導(dǎo)體芯片耦合輸出并且僅由于反射而射到輻射出射面 上。通過這種方式有利地減小了輻射在照明裝置內(nèi)的單次和多次反射以 及該散射輻射隨后以難以控制的角度從照明裝置的出射。
在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，殼體本體包括陶瓷或者塑料，或者部分 地或者完全地由陶瓷或塑料制成。陶資通常的特點(diǎn)在于良好的導(dǎo)熱能 力，使得在光電子器件工作期間產(chǎn)生的熱可以被有效地散發(fā)?；谒芰?的殼體本體可以特別成本低廉地制造。
在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，殼體本體、特別是反射器式地成形的元 件完全或者部分地由如下材料制成該材料有針對(duì)性地吸收光電子部件
9中產(chǎn)生的輻射。替代地或者補(bǔ)充地，殼體本體、特別是殼體本體的腔的形成反射器式地成形的元件的壁完全或者部分黑色地被涂黑，或者合適地被涂層。例如可以使用炭黑狀的或者類似炭黑的顆粒或者色素，以便將塑料黑色地或者暗灰色地著色。
在另 一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，半導(dǎo)體芯片嵌入到特別是對(duì)于半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的輻射透明的包封中。該包封可以特別是完全地覆蓋半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片的電接觸(例如鍵合線)可以被包封覆蓋。包封優(yōu)選足夠形狀穩(wěn)定地構(gòu)造，以便能夠保護(hù)芯片和必要時(shí)的鍵合線免受有害的外部影響例如機(jī)械負(fù)荷。例如包封可以包含反應(yīng)性樹脂、硅樹脂或者硅酮。
在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在包封和光學(xué)裝置之間構(gòu)造有中間層，該中間層特別優(yōu)選地與光學(xué)裝置以及與包封直接鄰接。優(yōu)選的是，中間層用作包封和光學(xué)裝置之間的折射率匹配層。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光學(xué)裝置具有光軸，該光軸優(yōu)選延伸通過半導(dǎo)體芯片，特別是基本上通過半導(dǎo)體芯片的中心譬如半導(dǎo)體芯片的橫向延伸的橫截面的重心。
在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光學(xué)裝置具有輻射入射面，該輻射入射面朝向光電子器件。合乎目的的是，輻射入射面朝向半導(dǎo)體芯片的用于耦合輸出輻射的表面。在半導(dǎo)體芯片和輻射入射面之間的最小距離優(yōu)選
為3mm或更小，特另'H尤選為l隱或更小，例如0. 6mm。
優(yōu)選的是，在光學(xué)裝置的輻射出射面和半導(dǎo)體芯片5的表面之間的最小距離為5隱或者更小，優(yōu)選為3隱或者更小，例如為2mm。散射輻射的減小能夠在光學(xué)裝置與半導(dǎo)體芯片之間的非常小的距離情況下實(shí)現(xiàn)通過光學(xué)裝置的可靠射束成形。照明裝置由此可以特別緊湊地制成。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，輻射出射面關(guān)于光軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱地實(shí)施。通過這種方式，可以實(shí)現(xiàn)基本上關(guān)于光軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的輻射特性。光學(xué)裝置的主要不是用于射束成形、而是例如設(shè)計(jì)用于將光學(xué)裝置安裝在光電子器件上的部分可以與關(guān)于光軸的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱不同地構(gòu)造。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光學(xué)裝置的輻射出射面具有凹面彎曲的部分區(qū)域和至少部分包圍凹面彎曲的部分區(qū)域的凸面彎曲的部分區(qū)域。光軸優(yōu)選穿過凹面彎曲的部分區(qū)域，并且特別優(yōu)選的是同時(shí)穿過半導(dǎo)體芯片，特別是基本上穿過其中心譬如半導(dǎo)體芯片的橫向延伸的橫截面的重心。在光電子器件中產(chǎn)生的并且不與光軸一致地直接射到凹面彎曲的
10部分區(qū)域上的輻射主要被折射離開光軸。
這樣，減少了輻射的基本上在光軸的方向上傳播、譬如在與光軸成 20°或者更小角度下傳播的部分。與此相對(duì)，提高了在與光軸成較大角 度(例如30?；蛘吒?離開照明裝置的輻射部分。作為與光軸的角度
的函數(shù)，照明裝置所發(fā)射的輻射功率優(yōu)選在30°或者更大角度的比較大 的角度時(shí)顯示出最大值，例如在60° (含60° )到70° (含70° )之 間的角度時(shí)具有最大值。
帶有這樣的輻射特性的照明裝置特別適于照亮基本上垂直于照明 裝置的光軸延伸的面，并且特別適用于顯示裝置的背光照明，譬如LCD (液晶顯示器)。典型的是，要照亮的面明顯大于半導(dǎo)體芯片的面。在 與光軸成大角度時(shí)、例如在60°或者更大角度時(shí)具有發(fā)射的輻射功率的 最大值的輻射特性是有利的，因?yàn)榧词咕喙廨S距離比較大的、要照亮的 面的區(qū)域在該面距離照明裝置的距離小時(shí)也可以被照亮。這樣，譬如LCD 的背光照明單元可以有利地特別緊湊地以小的結(jié)構(gòu)深度來制成。
優(yōu)選的是，凸面彎曲的部分區(qū)域具有第一子區(qū)域和第二子區(qū)域，其 中第一子區(qū)域的曲率小于第二子區(qū)域的曲率。在此，第二子區(qū)域可以設(shè) 置在比第一子區(qū)域距光軸更大的距離中。優(yōu)選的是，凸面彎曲的部分區(qū) 域的曲率、特別是第二子區(qū)域的曲率隨著距凹面彎曲的部分區(qū)域增大的 距離而增大。隨著距離連續(xù)增加的曲率是優(yōu)選的，然而不是必須的。曲 率的增大可以導(dǎo)致有利地提高在光軸成較大角度出射的輻射的部分。于
是支持了均勻照亮位于距光軸比較大距離之處的待照明面的部分面。 從半導(dǎo)體芯片的表面出射并且直接射到輻射出射面上的輻射被該
輻射出射面特別有效地以30°和更大的角度朝光軸折射。散射輻射相反 主要被朝著光軸的方向引導(dǎo)，并且隨后為了更強(qiáng)地照亮要照明的面而引 導(dǎo)至與光軸的交點(diǎn)附近的區(qū)域中。通過有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造反射 器式地成形的元件，可以減少該散射輻射部分。要照亮的面于是可以是 缺少散射輻射地、大面積地并且特別均勻地:陂照亮。特別地，可以有利 地減少更強(qiáng)地被照亮的如下區(qū)域的構(gòu)造，這些區(qū)域島狀地在該面與光軸 的焦點(diǎn)附近延伸。
此外，從照明裝置之外射到輻射出射面上并且穿過光學(xué)裝置的輻射 可以導(dǎo)致散射輻射部分，如果該輻射在器件中被反射并且通過光學(xué)裝置 的輻射出射面再出射。輻射的再出射的部分也被稱為幻影光，并且可以在將照明裝置用于顯示裝置例如LCD或者LCD電視的背光照明時(shí)降低顯
示裝置的對(duì)比度關(guān)系。借助反射器式地成形的元件以及特別是整個(gè)殼體本體的有針對(duì)性地吸收的實(shí)施，可以盡可能地抑制幻影光影響，這可以
導(dǎo)致有利地提高顯示裝置的對(duì)比度關(guān)系。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光學(xué)裝置固定在光電子器件上。為此，
光學(xué)裝置例如可以實(shí)施為附加式光學(xué)系統(tǒng)(Aufsatzoptik),特別是實(shí)施為蓋上式光學(xué)系統(tǒng)(Ueberstuelpoptik )、 插上式光學(xué)系統(tǒng)(Auf steckopt ik )或者卡上式光學(xué)系統(tǒng)(Auf schnappopt ik )。替代地或者附加地，光學(xué)裝置可以粘合到光電子器件上。
在此，插上式光學(xué)系統(tǒng)理解為如下的光學(xué)裝置該光學(xué)裝置具有固定元件，該元件可以插入到光電子器件的合適的安裝裝置例如殼體本體的凹進(jìn)部分中。補(bǔ)充地，固定元件可以在將光學(xué)裝置安裝在光電子器件上之后被熱壓制，使得光學(xué)裝置特別穩(wěn)定并且持久地固定在光電子器件上。
在卡上式光學(xué)系統(tǒng)中，光學(xué)裝置具有固定元件，該固定元件卡鎖到光電子器件的合適的安裝裝置中。
蓋上式光學(xué)系統(tǒng)可以無嚙合和/或無卡鎖連接地固定在光電子器件上。在蓋上式光學(xué)系統(tǒng)情況下，無需特殊元件用于在光電子器件上的固定。補(bǔ)充地，蓋上式光學(xué)系統(tǒng)可以粘合到光電子器件上。
優(yōu)選的是，照明裝置和特別是光電子器件基本上沒有漫射器和/或發(fā)光轉(zhuǎn)換器地被實(shí)施，因?yàn)楣怆娮悠骷a(chǎn)生的輻射在漫射器上的散射以及帶有隨后的通過發(fā)光轉(zhuǎn)換器的再發(fā)射的、該輻射的吸收都會(huì)導(dǎo)致光電子器件的發(fā)射更不定向地進(jìn)行。此外，包封和必要時(shí)的中間層優(yōu)選被實(shí)施為清透的。通過這種方式，光電子器件提供的輻射可以通過光學(xué)裝置簡(jiǎn)單地根據(jù)預(yù)先給定的輻射特性來成形。
在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，光電子器件實(shí)施為可表面安裝的器件(SMD)。
特別優(yōu)選的是，帶有光電子器件和固定在光電子器件上的光學(xué)裝置的照明裝置構(gòu)造為復(fù)合器件。作為復(fù)合器件，照明裝置可以作為整體簡(jiǎn)化地例如安裝到電路板上。優(yōu)選的是，復(fù)合器件實(shí)施為可表面安裝的器件。
本發(fā)明的其他特征、有利的擴(kuò)展方案和合乎目的性在下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中得到。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的照明裝置的第一實(shí)施例的示意性截面圖， 圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的照明裝置的第二實(shí)施例的示意性截面圖， 圖3示出了在根據(jù)本發(fā)明的照明裝置中的輻射走向的示意性視圖的
一個(gè)例子，
圖4示出了對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的照明裝置的一個(gè)特別適合的半導(dǎo)體芯
片的示意性截面圖，
圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明的照明裝置的示意性透視圖，
圖5B在透視圖中示出了根據(jù)圖5A的穿過照明裝置的示意性截面
圖，
圖6A示出了帶有并非有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造的、反射器式地 成形的元件的照明裝置的輻射特性(相對(duì)強(qiáng)度I作為與光軸所成的角度 6的函數(shù))的一個(gè)例子，
圖6B示出了帶有有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造的反射器式地成形的 元件的照明裝置的輻射特性(相對(duì)強(qiáng)度I作為與光軸所成的角度6的函 數(shù))的一個(gè)例子，
地成形的元件的照明裝置的、作為與光軸的距離d的函數(shù)的相對(duì)照明強(qiáng) 度B的一個(gè)例子，以及
形的元件的照明裝置的、作為與光軸的距離d的函數(shù)的相對(duì)照明強(qiáng)度B 的一個(gè)例子。
在附圖中，相同、相似或者作用相同的要素設(shè)置有相同的參考標(biāo)記。 在圖1和2中示出了根據(jù)本發(fā)明的照明裝置1的兩個(gè)實(shí)施例。照明
裝置分別包括光學(xué)裝置4、光電子器件2和有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造
的反射器式地成形的元件3。光電子器件2產(chǎn)生的輻射通過光學(xué)裝置的
輻射出射面41從照明裝置出射。
此外，光電子器件包括設(shè)計(jì)用于產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體芯片5,其優(yōu)選
實(shí)施為薄膜半導(dǎo)體芯片。薄膜半導(dǎo)體芯片的典型構(gòu)造結(jié)合圖4來進(jìn)一步描述。
光電子器件2包括反射器式地成形的元件3。光電子器件2此外包 含殼體本體20。反射器式地成形的元件3通過殼體本體的腔240的壁245形成。半導(dǎo)體芯片5設(shè)置在殼體本體20的腔240中。
殼體本體20可以包含陶瓷或者完全或者部分由陶瓷制成。陶瓷的 特征典型地在于高的導(dǎo)熱性，使得在光電子器件的工作中產(chǎn)生的熱量可 以被有效地通過殼體本體散發(fā)。替代地，殼體本體可以由塑料例如以注 塑方法、壓鑄鑄造方法(Spritzpressguss )或壓力鑄造方法來制成。 塑料構(gòu)成的殼體本體可以成本特別低廉地制造。此外，可以使用與制造 發(fā)光二極管時(shí)相同的鑄模，在這些發(fā)光二極管情況下，殼體本體被盡可 能強(qiáng)烈反射地實(shí)施，以便將發(fā)光二極管發(fā)射的輻射功率最大化。成本高 昂的、要新制造的鑄?？梢员挥欣厥∪?。
反射器式地成形的元件3以針對(duì)光電子器件中產(chǎn)生的輻射有針對(duì)性 地進(jìn)行吸收的方式被構(gòu)造。為此，反射器式地成形的元件3和很大程度 上的殼體本體20可以完全地或者部分地由對(duì)在光電子器件中產(chǎn)生的輻
式地成形的元件以及特別是殼體本體黑色或者暗灰色地實(shí)施。例如，殼 體本體可以由塑料通過將色素、炭黑狀顆?；蛘哳愃铺亢诘念w粒添加到 所使用的塑料物質(zhì)中來構(gòu)造為黑色或者暗黑色。
替代地或者補(bǔ)充地，反射器式地成形的元件3以及特別是殼體本體 20可以設(shè)置有吸收光電子器件中產(chǎn)生的輻射的材料或者材料組合物，例 如涂敷有這種材料或材料組合物，例如印制或壓印有這種材料或材料組 合物。
特別地，在光電子器件所發(fā)射的輻射的波長(zhǎng)范圍中，有針對(duì)性地進(jìn) 行吸收地構(gòu)造的反射器式地成形的元件3的保留的反射率為49%或者 更低、優(yōu)選為30%或者更低、優(yōu)選為15%或者更低，特別優(yōu)選為5%或 者更低。
此外，半導(dǎo)體芯片5固定在第一電連接導(dǎo)體205上，該連接導(dǎo)體優(yōu) 選能夠?qū)崿F(xiàn)至外部連接部(例如印制導(dǎo)線)的電連接。第二電連接導(dǎo)體 206例如可以通過鍵合線290與半導(dǎo)體芯片的背離電連接導(dǎo)體的上側(cè)52 電連接。第一連接導(dǎo)體205和第二連接導(dǎo)體206的端部207可以借助焊 劑270、特別是無鉛的焊劑固定在電路板280上。
第一電連接導(dǎo)體205和第二電連接導(dǎo)體206由殼體本體20變形， 并且從殼體本體的不同側(cè)伸出。優(yōu)選的是，第一和第二電連接導(dǎo)體通過 用于光電子器件2的引線框架來形成。此外，光電子器件2實(shí)施為可表面安裝的器件。照明裝置l可以和 光電子器件2以及光學(xué)裝置4 一同作為復(fù)合器件來實(shí)施。
相對(duì)于光電子器件和光學(xué)裝置的單個(gè)安裝，實(shí)施為可表面安裝的復(fù)
合器件的照明裝置可以簡(jiǎn)單地安裝在電路板280上。
殼體本體的腔240包含包封物質(zhì)250,半導(dǎo)體芯片5和鍵合線嵌入 其中。在此，完全的嵌入是有利的。該包封用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片5和鍵 合線免受有害的外部影響以及機(jī)械負(fù)荷。合乎目的的是，包封物質(zhì)實(shí)施 為對(duì)于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的輻射是輻射可穿透的。
此外，在包封物質(zhì)250和光學(xué)裝置4的輻射入射面46之間引入了 中間層260，該光學(xué)裝置特別優(yōu)選地與包封物質(zhì)以及與輻射入射面直接 鄰接。該中間層可以構(gòu)造用于包封和光學(xué)裝置之間的折射率匹配。
優(yōu)選的是，光電子器件、中間層和包封基本上沒有漫射器和/或發(fā)光 轉(zhuǎn)換器地實(shí)施。通過這種方式，可以避免增多不定向的輻射，使得光電 子器件提供的輻射通過光學(xué)裝置可以簡(jiǎn)單地根據(jù)預(yù)先給定的輻射特性 來成形。
光學(xué)裝置4的光軸40穿過半導(dǎo)體芯片5，特別是基本上通過半導(dǎo)體 芯片的中心。優(yōu)選的是，光軸垂直或者基本上垂直于半導(dǎo)體芯片5的表 面52。光學(xué)裝置具有射束成形部分48和支承部分49。支承部分設(shè)計(jì)用 于將光學(xué)裝置固定在光電子器件上。
光學(xué)裝置4的射束成形部分4 8和支承部分4 9可以由不同材料制成， 并且特別是被纟莫制(angeformt )在彼此上。通過射束成形部分和支承 部分的在彼此上的模制，使得支承部分與射束成形部分的無附著劑的機(jī) 械穩(wěn)定的連接變得容易。支承部分和射束成形部分的材料可以鑒于不同 的要求來選擇。在射束成形部分中，光學(xué)特性如對(duì)于光電子器件發(fā)射的 輻射的透明度和輻射耐抗性是特別重要的。
優(yōu)選的是，射束成形部分48包含硅酮或者硅酮混合材料，或者由 這種材料構(gòu)成。支承部分49并不設(shè)計(jì)用于輻射成形，并且因此也可以 構(gòu)造為輻射不透明的。用于支承部分的材料可以鑒于特別的要求如機(jī)械 穩(wěn)定性或良好的固定特性來選擇。熱塑性塑料或者熱固性塑料 (Duroplase)特別適于制造支承部分。
在光學(xué)裝置的輻射入射面46和半導(dǎo)體芯片52的表面之間的距離為 5國(guó)或者更小，優(yōu)選為3mm或者更小，優(yōu)選為lmm或者更小，特別優(yōu)選為大約0.6,。照明裝置由此可以有利地特別緊湊地制造。
在圖1和2所示的實(shí)施例中，光學(xué)裝置的射束成形部分與結(jié)合圖3 所描述的類似地構(gòu)造，而兩個(gè)實(shí)施例通過支承部分的實(shí)施以及在光電子 器件上的固定類型而彼此區(qū)分。
在圖l中，光學(xué)裝置4實(shí)施為插上式光學(xué)系統(tǒng)。在此，支承部分49 可以具有銷狀的固定元件49A,該元件可以插入光電子器件2的合適的 安裝裝置中。優(yōu)選的是，安裝裝置通過殼體本體20中的凹進(jìn)部分或者 凹處201形成。補(bǔ)充地，可以在將光學(xué)裝置安裝在光電子器件上之后將 固定元件熱壓制，使得光學(xué)裝置穩(wěn)定并且持久地固定在光電子器件上。
在圖2中，光學(xué)裝置實(shí)施為蓋上式光學(xué)系統(tǒng)。支承部分49橫向地、 特別是完全圍繞殼體本體20。在此，支承部分可以包圍殼體本體的最外 部的側(cè)面。此外，支承部分可以與殼體本體大面積纟黃向地間隔。在此， 完全間隔是有利的。
中間層260至少部分填充了光學(xué)裝置4和殼體本體2 Q之間的體積。 包封物質(zhì)250和輻射入射面46之間的體積優(yōu)選完全以中間層填充。此 外優(yōu)選的是，在蓋上式光學(xué)系統(tǒng)中，中間層包圍殼體本體。中間層可以 包含硅酮特別是硅酮凝膠，或者硅酮混合材料，或者由其構(gòu)成。于是， 中間層可以同時(shí)滿足折射率匹配層的功能，并且用于簡(jiǎn)單、穩(wěn)定并且持 久地將光學(xué)裝置4固定在光電子器件2上。
圖l和2中所示的照明裝置的實(shí)施例優(yōu)選設(shè)計(jì)用于均勻地照亮基本 上垂直于光軸40延伸的面80。因?yàn)橐彰鞯拿娴湫偷孛黠@大于半導(dǎo)體 芯片5的表面，所以對(duì)于均勻照亮必須的是，在光電子器件2中產(chǎn)生的 輻射的盡可能大的部分以相對(duì)于光軸的大角度離開輻射出射面41。優(yōu)選 的是，所發(fā)射的輻射功率的最大值作為與光軸的角的函數(shù)在大于或等于 50° 、特別優(yōu)選大于或等于60° 、例如大約70°處。這種照明裝置1 的光學(xué)裝置4的射束成形部分48的一種可能的成型以及光學(xué)裝置4的 工作原理借助圖3來闡述。所示出的照明裝置的構(gòu)造在此對(duì)應(yīng)于圖l和 2的構(gòu)造。出于清楚的原因，照明裝置的一些細(xì)節(jié)沒有示出，其中這些 細(xì)節(jié)對(duì)于根據(jù)對(duì)照明裝置預(yù)先給定的輻射特性通過光學(xué)裝置4將半導(dǎo)體 芯片5在有源區(qū)51中產(chǎn)生的輻射射束成型的原理不是決定性的。
輻射入射面46基本上平坦地實(shí)施。根據(jù)對(duì)照明裝置所預(yù)先給定的 照明強(qiáng)度分布，在光電子器件中產(chǎn)生的輻射的射束成型優(yōu)選主要在輻射
16出射面上進(jìn)行，由此能夠簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)可靠的射束成型。
光學(xué)裝置的輻射出射面41優(yōu)選相對(duì)于光學(xué)裝置4的光軸40旋轉(zhuǎn)對(duì) 稱地構(gòu)造。光學(xué)裝置的不用于射束成型的部分(譬如在圖1和2中分別
示出的支承部分49 )在此可以不旋轉(zhuǎn)對(duì)稱地構(gòu)造。
此外，輻射出射面41具有凹面彎曲的部分區(qū)域42。光學(xué)裝置4的 光軸40穿過凹面彎曲的部分區(qū)域。
凹面彎曲的部分區(qū)域42被凸面彎曲的部分區(qū)域43特別是完全地包 圍。優(yōu)選的是，凸面彎曲的部分區(qū)域的面積大于凹面彎曲的部分區(qū)域的 面積。此外，凸面彎曲的部分區(qū)域具有第一凸面彎曲的子區(qū)域44和第 二凸面彎曲的子區(qū)域45。
在半導(dǎo)體芯片5的有源區(qū)51中產(chǎn)生的輻射穿過半導(dǎo)體芯片的表面 52和側(cè)面53。光學(xué)裝置4對(duì)從表面出射的輻射的作用示例性地借助射 束60、 61和62示出。
對(duì)于射到輻射出射面41的凹面彎曲的部分區(qū)域42上的輻射60,光 學(xué)裝置好像發(fā)散透鏡那樣起作用。因此傾斜于光軸40或者以不同于零 的距離平行于光軸地射到輻射出射面的凹面彎曲的區(qū)域上的輻射被折 射離開光軸。由此有利地減少了在接近光軸的區(qū)域中射到要照明的面80 上的輻射部分。同樣，射到第一凸面彎曲的子區(qū)域44或第二凸面彎曲 的子區(qū)域45上的輻射61和62被折射離開光軸。第二凸面彎曲的子區(qū) 域4 5優(yōu)選比第 一 凸面彎曲的子區(qū)域4 4更強(qiáng)烈地彎曲，因?yàn)檫@樣可以特 別有效地將射到第二子區(qū)域上的輻射62以相對(duì)于光軸的大角度折射。
優(yōu)選的是，輻射出射面41沒有邊緣過渡地實(shí)施，即整個(gè)輻射出射 面是在任何點(diǎn)、特別是在凹面彎曲的部分區(qū)域42和凸面彎曲的部分區(qū) 域43之間的過渡47上可以微分的面。通過邊緣過渡導(dǎo)致的較亮或者較 暗的區(qū)域例如在要照朋的面上的較高強(qiáng)度的圓環(huán)可以被有利地避免。此 外，在光學(xué)裝置中或者在光學(xué)裝置上，光路優(yōu)選基本上沒有全反射。
此外，光學(xué)裝置優(yōu)選實(shí)施為使得從被光軸穿過的有源區(qū)51的區(qū)域 出發(fā)的兩個(gè)任意射束在從輻射出射面41出射之后不彼此相交。彼此相 交的射束可能具有輻射的局部集束的效應(yīng)，使得在朝向照明裝置的、要 照明的面80上會(huì)形成輻射強(qiáng)度的不均勻性譬如較高強(qiáng)度的環(huán)形或者圓 形。對(duì)于設(shè)置在光軸上的理想的點(diǎn)光源的情況，于是可以完全避免這種 局部的集束。特別地，在射到光學(xué)裝置4的輻射出射面41上之前經(jīng)歷反射的輻
射會(huì)引起交叉的光路。這通過圖3中記錄的射束70來表明，這些輻射 通過半導(dǎo)體芯片5的側(cè)面53出射。
對(duì)于射束70,通過帶有虛線71和72的箭頭來表明，當(dāng)反射器式地 成形的元件3不像結(jié)合圖1所描述的那樣對(duì)于半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的輻射 有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造，而是例如由于金屬涂層而引起入射的輻射 的定向反射時(shí)，射束如何在反射器式地成形的元件上反射之后延伸。例 如，射束71和射束60以及射束72和射束61在從輻射出射面41出射 之后交叉。通過這種方式，可以在要照明的面上，針對(duì)距離輻射出射面 確定距離的面80構(gòu)造提高照明。通過反射器式地成形的元件3的有針 對(duì)性地吸收的實(shí)施，減小了在反射器式地成形的元件3上事先的反射之 后輻射射到輻射出射面上。由此，主要如下輻射射到光學(xué)元件上該輻 射從精確限定的區(qū)域(半導(dǎo)體芯片5的表面52)從半導(dǎo)體芯片射出。在 該意義下，射到光學(xué)裝置上的輻射近似于理想的點(diǎn)光源發(fā)射的輻射。交 叉的射束走向于是可以被盡可能地避免，這能夠?qū)崿F(xiàn)要照明的面80的 特別均勻的照明。
此外，在反射器式地成形的元件上定向反射的情況下，在輻射出射 面41的凹面彎曲的部分區(qū)域42上被偏轉(zhuǎn)的射束71以及會(huì)射到凸面彎 曲的部分區(qū)域43上的射束72都不被折射離開光軸，而是主要引導(dǎo)用于 照亮光軸附近的待照亮的面80的部分區(qū)域。所述面的該中央?yún)^(qū)域由此 被更強(qiáng)地照亮。漫反射地以高的反射系數(shù)實(shí)施的反射器式地成形的元 件、譬如通過白色塑料表面形成的反射器式地成形的元件會(huì)導(dǎo)致更多的 散射光部分，并且因此引起在與光軸的交點(diǎn)附近(譬如距光軸10mm或 者更小)的區(qū)域中的待照明面的更強(qiáng)照亮?；诜瓷淦魇降爻尚蔚脑?的有針對(duì)性地吸收的實(shí)施，可以實(shí)現(xiàn)待照明面(譬如顯示裝置如LCD) 的特別均勻的照亮。
在設(shè)計(jì)用于顯示裝置的背光照明的照明裝置中，殼體本體優(yōu)選完全 對(duì)于整個(gè)可見光譜范圍有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造。由于幻影輻射導(dǎo)致 的不均勻照亮于是可以特別強(qiáng)地被減小。
散射光部分的很大程度上的減小通常使得根據(jù)對(duì)照明裝置預(yù)先給 定的、特別是定向的輻射特性將光電子器件中產(chǎn)生的輻射的射束成形變 得容易。
18在圖4中借助示意性截面圖示出了對(duì)于光電子器件特別適合的半導(dǎo) 體芯片5。
半導(dǎo)體芯片5具有設(shè)置在承載體55上的半導(dǎo)體本體54。半導(dǎo)體本 體包括半導(dǎo)體層序列，其帶有設(shè)計(jì)用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)51。半導(dǎo)體層 序列形成了半導(dǎo)體本體54 。在半導(dǎo)體本體的背離承載體的側(cè)上設(shè)置了第 一接觸部58,通過該接觸部半導(dǎo)體芯片可以與設(shè)置在承載體的背離半導(dǎo) 體本體的側(cè)上的第二接觸部59電連接。第一接觸部58特別設(shè)計(jì)用于與 鍵合線導(dǎo)電連接，而第二接觸部59設(shè)計(jì)用于與連接導(dǎo)體導(dǎo)電連接。接 觸部例如可以分別包含金屬或合金。
在一種優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，半導(dǎo)體本體54特別是有源區(qū)51包含至 少一種III-V半導(dǎo)體材料，譬如選自InxGayAl卜"P、 In力ayAl卜x—yN或 InxGayAlh—yAs材料系的材料，其中分別有0《x《1, 0《y < 1并且x+y 《1，特別是有x^O, y^0, x力l,和/或y*l。優(yōu)選的是，半導(dǎo)體層 序列的制造在生長(zhǎng)襯底上的特別是外延的沉積過程中進(jìn)行，譬如借助 MBE或者M(jìn)OVPE進(jìn)行。
III-V半導(dǎo)體材料特別適于在紫外光謙范圍(InxGayAlH—yN)經(jīng)過可 見光語范圍(InxGayAlh，N,特別是針對(duì)藍(lán)色至綠色輻射，或者 InxGayAl卜x—yP ,特別是針對(duì)黃色至紅色輻射)直到紅外光譜范圍 (InxGayAl,—x—yAs )產(chǎn)生輻射。借助特別是來自所述材料系中的III-V半 導(dǎo)體材料，此外可以在產(chǎn)生輻射時(shí)有利地實(shí)現(xiàn)高的內(nèi)部量子效率。
在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，有源區(qū)51包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)，特別是雙異 質(zhì)結(jié)構(gòu)。此外，有源區(qū)可以包括單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。借助這 種結(jié)構(gòu)，特別是多量子阱結(jié)構(gòu)或者雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)特別高的內(nèi)部 量子效率。
在本申請(qǐng)的范圍中，術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)包括其中載流子通過限制 ("confinement")而經(jīng)歷或可經(jīng)歷其能量狀態(tài)的量子化的結(jié)構(gòu)。特 別地，術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)并不包含關(guān)于量子化的維度的說明。由此，其尤 其是包括量子槽、量子線和量子點(diǎn)，以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。
在另一優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，在半導(dǎo)體本體上設(shè)置有反射層56。特別 優(yōu)選的是，反射層設(shè)置在半導(dǎo)體本體54和承載體55之間。反射層例如 可以實(shí)施為含金屬的反射層，特別是基本上為金屬的反射層。在有源區(qū) 中產(chǎn)生的輻射可以在反射層上反射，由此防止了在從有源區(qū)出發(fā)來看設(shè)
19置在反射層之后的結(jié)構(gòu)(譬如承載體)中的吸收。半導(dǎo)體芯片5的效率
于是可以被提高。例如，反射層包含Au、 Al、 Ag、 Pd、 Rh、 Pt或者帶 有這些材料至少一種的合金。Al、 Pd、 Rh和Ag在紫外和藍(lán)色光譜范圍 中具有特別高的反射率，Au也在黃色、橙色和紅色至紅外光譜范圍中具 有特別高的反射率。此外，通過在反射層上的反射，提高了半導(dǎo)體本體 的與反射層5 6對(duì)置的側(cè)上出射的輻射的部分。
在承載體55和反射層56之間可以設(shè)置連接層57，借助該連接層將 半導(dǎo)體本體在反射層側(cè)固定在承載體上。連接層307例如可以實(shí)施為焊 劑層。
圖4中示出的半導(dǎo)體芯片實(shí)施為薄膜半導(dǎo)體芯片。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體 芯片不同，在薄膜半導(dǎo)體芯片中，承載體與其上例如借助外延來沉積半 導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底分離。生長(zhǎng)襯底可以機(jī)械地和/或
化學(xué)地被局部或者完全地去除或薄化。承載體用于半導(dǎo)體本體的機(jī)械穩(wěn)定。
有利的是，與生長(zhǎng)襯底不同，承載體不必滿足關(guān)于晶體的純度方面 的高要求，而是可以關(guān)于其他標(biāo)準(zhǔn)、例如機(jī)械穩(wěn)定性、熱學(xué)特性或電學(xué) 特性來進(jìn)行選擇。
優(yōu)選的是，承載體55具有比較高的導(dǎo)熱性。例如，承載體包含Ge。 也可以使用含GaAs的承載體。
有源區(qū)51優(yōu)選通過導(dǎo)電承載體、導(dǎo)電的連接層和導(dǎo)電的反射層以 及半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體層序列與第二接觸部59導(dǎo)電連接。
如果承載體包含半導(dǎo)體材料，則承載體優(yōu)選為了提高導(dǎo)電性而被合 適地?fù)诫s。
為了制造薄膜半導(dǎo)體芯片，例如首先在生長(zhǎng)襯底上制造半導(dǎo)體本體 54的半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體層序列形成半導(dǎo)體本體54。隨后，譬如借 助氣相淀積或者濺射將反射層56施加到預(yù)制的半導(dǎo)體本體的背離生長(zhǎng) 襯底的側(cè)上。在反射層側(cè)，帶有半導(dǎo)體層序列和生長(zhǎng)襯底的復(fù)合結(jié)構(gòu)在 其上通過連接層57與承載體55相連，隨后生長(zhǎng)襯底譬如借助蝕刻或者 激光剝離而被去除或者剝離。
在本發(fā)明的范圍中，薄膜半導(dǎo)體芯片、譬如薄膜發(fā)光二極管芯片此 外特色在于以下特征
-在半導(dǎo)體本體(該半導(dǎo)體本體包括帶有有源區(qū)、特別是外延層序
20列的半導(dǎo)體層序列)的朝向承載元件(例如承載體55 )的第一主面上施
加有反射層，或者譬如作為布拉格反射器(Braggspiegel )集成在半導(dǎo) 體層序列中，反射層將半導(dǎo)體層序列中產(chǎn)生的輻射的至少一部分反射回
該半導(dǎo)體層序列中；
-半導(dǎo)體層序列具有在20Mm或者更小范圍中的厚度，特別是在10 iam范圍中的厚度；和/或
-半導(dǎo)體層序列包含至少一個(gè)半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層帶有至少一個(gè) 具有混勻結(jié)構(gòu)(Durchmischungsstruktur )的面，該混勻結(jié)構(gòu)在理想情 況下導(dǎo)致光在半導(dǎo)體層序列中的近似各態(tài)歷經(jīng)的分布，即其具有盡可能 各態(tài)歷經(jīng)的隨機(jī)散射特性。
薄膜半導(dǎo)體芯片的基本原理例如在I. Schnitzer等人于1993年10 月18日的Appl. Phys. Lett. 63 (16) 21 74-2176頁中進(jìn)行了描述，其 公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于本申請(qǐng)中。
薄膜半導(dǎo)體芯片(特別是帶有反射層)的特色在于有利地高的效率。 此外，薄膜半導(dǎo)體芯片可以具有基本上與朗伯輻射器對(duì)應(yīng)的余弦形輻射 特性。借助薄膜半導(dǎo)體芯片、特別是帶有含金屬或者金屬的反射層的薄 膜半導(dǎo)體芯片，可以簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)作為表面發(fā)射器實(shí)施的半導(dǎo)體芯片。
半導(dǎo)體本體的背離反射層的表面52在所示的薄膜芯片中構(gòu)造為主 輻射耦合輸出面。側(cè)面5 3形成了旁輻射出射面。從主輻射耦合輸出面 出射的輻射功率在此大于從旁輻射出射面出射的輻射功率。特別是從旁 輻射出射面出射的輻射功率之和小于通過從主輻射耦合輸出面出射的 輻射功率。
在薄膜半導(dǎo)體芯片中，減小從側(cè)面的旁輻射出射面出射的輻射功率 有利于增大地從主輻射耦合輸出面耦合輸出的輻射功率。因?yàn)檎彰餮b置
側(cè)面出^f的輻射如結(jié):圖S所描述的那樣主要由有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地 構(gòu)造的、反射器式地成形的元件3吸收，所以由此有利地提高了從照明 裝置l發(fā)射的輻射功率。因此，薄膜半導(dǎo)體芯片特別適于作為輻射源。 應(yīng)當(dāng)說明的是，照明裝置當(dāng)然不是只能夠借助薄膜半導(dǎo)體芯片來實(shí) 現(xiàn)。其中生長(zhǎng)襯底未被剝離的半導(dǎo)體芯片也可以適于照明裝置。這種半 導(dǎo)體芯片可以具有圖4所示的結(jié)構(gòu)。在這種情況中，承載體55通過生 長(zhǎng)襯底來形成。連接層57于是不是必需的?？梢允∪シ瓷鋵?6,或者反射層可以實(shí)施為層序列構(gòu)成的布拉格反射器，例如實(shí)施為半導(dǎo)體本體 54的半導(dǎo)體層序列的一部分。
圖5A和5B示出了照明裝置的另一實(shí)施例，其中圖5A示出了透視 圖，而圖5B示出了透視截面圖。如結(jié)合圖1和2所描述的那樣，照明 裝置1具有光電子器件2，其中反射器式地成形的元件通過殼體本體20 的腔240的壁245形成，并且構(gòu)造為對(duì)于在光電子器件中產(chǎn)生的輻射有 針對(duì)地吸收。薄膜半導(dǎo)體芯片5用作輻射源。
腔240形成為殼體本體20的第一主面202中的凹進(jìn)部分。腔的底 部241優(yōu)選基本上與第一主面平行地延伸。優(yōu)選的是，腔的延伸在平行 于第一主面伸展的平面中隨著距第一主面的距離的增大而特別是連續(xù) 地減小，使得腔的底部具有比腔在第 一主面的平面中的直徑小的直徑。 例如，腔可以基本上具有截頂錐形(Kegelst畫pfs )的形狀，其直徑隨 著距第一主面的距離增大而減小。
在光電子器件上可以固定(譬如插上或者粘合)有與光電子器件分 開的光學(xué)系統(tǒng)。其出于清楚的原因而未被示出。
與根據(jù)圖1和2的光電子器件不同，光電子器件具有熱連接部分 215,半導(dǎo)體芯片5設(shè)置在該熱連接部分上。熱連接部分有利地在垂直 方向上從腔240延伸直到殼體本體20的第二主面204。熱連接部分使得
第二主面方面連接至外部的導(dǎo)熱i置(l如散熱器，其例如由銅構(gòu)成) 變得容易。在半導(dǎo)體芯片的工作中出現(xiàn)的熱于是可以被有效地從光電子 器件中散發(fā)，這特別是在作為大功率器件的運(yùn)行中有利地提高了光電子 器件的效率和壽命。光電子器件可以構(gòu)造用于在同時(shí)由于熱連接部分而 有利地改善熱導(dǎo)出的情況下產(chǎn)生高的輻射功率。這種光電子器件特別適 于面的照明，例如用于顯示裝置(譬如LCD)的背光照明。
熱連接部分215例如嵌入、插入第一連接導(dǎo)體205的連接板中，或 者以其他方式與第 一 連接導(dǎo)體特別是導(dǎo)電和/或機(jī)械地橫向環(huán)周側(cè)地 (umfangsseitig )連接。此外，殼體本體20的第 一主面202具有凹進(jìn) 部分213，其形成在腔的壁245中。該凹進(jìn)部分設(shè)計(jì)用于第二電連接導(dǎo) 體206與半導(dǎo)體芯片5例如借助鍵合線290導(dǎo)電連接。第二連接導(dǎo)體206 優(yōu)選關(guān)于半導(dǎo)體芯片5在熱連接部分215上的芯片安裝平面被升高。熱 連接部分此外可以在第二主面204方面從殼體本體中伸出，或者基本上平坦地以殼體本體結(jié)束。例如，熱連接部分包含高導(dǎo)熱性的金屬，譬如
Cu或者Al，或者包含合金，譬如CuW合金。帶有這樣構(gòu)造的連接部分 和殼體本體的引線框架在冊(cè)02/084749中進(jìn)行了描述，其公開內(nèi)容通 過引用結(jié)合于本申請(qǐng)中。
當(dāng)然，結(jié)合圖5A和5B描述的光電子器件也可以作為光電子器件使 用于根據(jù)圖1和圖2的照明裝置中。
在圖6A和6B中示出了根據(jù)本發(fā)明的照明裝置的輻射特性相對(duì)于其
置被如何;利地改變。附圖示出了對(duì)于第一照'明裝置的:作為與光軸所
成角度6的函數(shù)的、在可見的光譜范圍中發(fā)射的任意單位的強(qiáng)度I的第 一測(cè)量(圖6A),以及示出了對(duì)于第二照明裝置的、作為與光軸所成角 度6的函數(shù)的、所發(fā)射的任意單位的強(qiáng)度I的第二測(cè)量(圖6B)。
第二照明裝置如結(jié)合圖l和2所描述的那樣實(shí)施。第一照明裝置與 第二照明裝置結(jié)構(gòu)相同地構(gòu)造，其中反射器式地成形的元件未被有針對(duì) 性地進(jìn)行吸收地構(gòu)造。
第一照明裝置的殼體本體20由高反射性的塑料制成，其中通過將 丁102顆粒添加到塑料物質(zhì)中實(shí)現(xiàn)了殼體本體的表面以及由此反射器式地 成形的元件的大約85%的反射率。而在第二照明裝置中，殼體本體以及 由此反射器式地成形的元件有針對(duì)性地進(jìn)行吸收地被構(gòu)造，使得制成殼 體本體的塑料物質(zhì)通過添加炭黑狀的顆粒而被黑色地著色，使得殼體本
體在可見光鐠范圍中的反射性為大約5%。
曲線400示出了與同光軸所成的角相關(guān)的、第一照明裝置發(fā)射的光 功率的強(qiáng)度的分布。在此，強(qiáng)度被歸一化為1并且由此作為相對(duì)強(qiáng)度來 說明。
相應(yīng)地，曲線450示出了第二照明裝置的輻射特性，其中強(qiáng)度曲線 又pf皮歸一4匕。
曲線400以及曲線450在與光軸成大約67°角度的情況下具有強(qiáng)度 的全局的最大值410或460。相應(yīng)地，所描述的光學(xué)裝置使得在光電子 器件中產(chǎn)生的輻射主要并不沿著光軸發(fā)射。
因?yàn)榈谝缓偷诙彰餮b置基本上僅僅通過反射器式地成形的元件 來區(qū)分，所以通過相應(yīng)的主輻射耦合輸出面52出射并直接射到輻射出 射面上的輻射在兩個(gè)照明裝置中經(jīng)歷基本上相同的輻射成形。在第 一和
23第二照明裝置的輻射特征之間的差別因此主要由于分別通過側(cè)面53離 開半導(dǎo)體芯片的輻射來得出。
在第一照明裝置中，反射器式地成形的元件3基于其造型和相對(duì)于 產(chǎn)生射束的半導(dǎo)體芯片的設(shè)置而適于將射到反射器式地成形的元件上
的輻射的至少一部分朝向輻射出射面41偏轉(zhuǎn)。由于大約85%的比較高 的反射率，因此從側(cè)面53出射的輻射的相當(dāng)大的部分被朝向光學(xué)裝置4 的輻射出射面41偏轉(zhuǎn)。
與此相對(duì)，在第二照明裝置中，反射器式地成形的元件針對(duì)半導(dǎo)體 芯片中產(chǎn)生的輻射有針對(duì)性地吸收性地構(gòu)造，使得反射器式地成形的元 件基于大約5%的小反射率盡管其形狀和布置仍僅將從側(cè)面53出射的 輻射的明顯較小的部分朝向輻射出射面偏轉(zhuǎn)。
在與光軸成的大角度的范圍中，譬如在45。至90°之間的范圍中， 兩個(gè)曲線400和450具有非常相似的走向。照明裝置在該角度范圍中發(fā) 射的輻射主要是從相應(yīng)的半導(dǎo)體芯片的主輻射耦合輸出面耦合輸出的 輻射部分。
對(duì)于與光軸成的較小的、0°至45°的角度，第一照明裝置發(fā)射的 輻射420的相對(duì)強(qiáng)度400特別是在0°至大約30。的角度范圍中明顯高于 第二照明裝置在相應(yīng)的范圍430中發(fā)射的輻射的相對(duì)強(qiáng)度。如結(jié)合圖3 所描述的那樣，這通過散射輻射引起，該散射輻射由反射器式地成形的 元件引導(dǎo)至輻射出射面，并且從該輻射出射面主要以相對(duì)于光軸40的 明顯小于60。、譬如40°或者更小的角度出射。
相應(yīng)地，在60°或者更大角度情況下在同時(shí)附加地減小與光軸40 所成的小角度中發(fā)射的輻射功率的情況下，具有最大值的輻射特性可以 通過反射器式地成形的元件的有針對(duì)性地吸收的實(shí)施來改進(jìn)地實(shí)現(xiàn)。
在圖7A和7B中所示的照明強(qiáng)度分布的測(cè)量在與圖6A和6B中所示 的測(cè)量相同的器件上進(jìn)行。圖7A和7B分別示出了第一或第二照明裝置 的照明強(qiáng)度分布。第一照明裝置的曲線500和第二照明裝置的曲線550 都示出了沿著如下直線的照明強(qiáng)度B:該直線在光學(xué)裝置4的輻射出射 面41方面以半導(dǎo)體芯片5的表面之上25mm的距離垂直于光軸40延伸。 在x軸上以mm的標(biāo)度繪出了該直線與光軸的交點(diǎn)的距離d。照明強(qiáng)度針 對(duì)兩個(gè)曲線500和550 一皮標(biāo)準(zhǔn)化到相應(yīng)的最大值，并且在相對(duì)的標(biāo)度中 以任意單位說明，其中兩個(gè)曲線在與光軸的交點(diǎn)上具有該最大值。
24因?yàn)楣鈱W(xué)裝置的輻射出射面相對(duì)于光軸旋轉(zhuǎn)對(duì)稱地構(gòu)造，并且光軸
基本上穿過半導(dǎo)體芯片的中心，所以兩個(gè)照明強(qiáng)度分布500和550基本 上關(guān)于y軸對(duì)稱。
在接近y軸的區(qū)域中，譬如對(duì)于ldl《10mm,在第二照明裝置中的 照明強(qiáng)度的分布560明顯與第一照明裝置中的分布510不同。在曲線500 中，照明強(qiáng)度在d-10mm左右相對(duì)于最大值下降大約5%,而在第二曲線 中相應(yīng)的下降僅僅為大約1% 。
在第一照明裝置中，從側(cè)面出射的輻射可以被高反射率的反射器式 地成形的元件偏轉(zhuǎn)到輻射出射面41上。該輻射部分以難以控制的角度 射到輻射出射面上，并且因此難以被光學(xué)裝置4根據(jù)針對(duì)照明裝置而預(yù) 先給定的輻射發(fā)射特性來成形。偏轉(zhuǎn)主要以相對(duì)于光軸較小的角度來進(jìn) 行，這導(dǎo)致在區(qū)域510中的過高的照明強(qiáng)度。與此相對(duì)，在第二照明裝 置中，反射器式地成形的元件以有針對(duì)性地進(jìn)行吸收的方式被構(gòu)造，即 從半導(dǎo)體芯片的側(cè)面53出射的輻射主要被吸收。提供給光學(xué)裝置使用 的全部輻射功率由此可以改善地、根據(jù)預(yù)先給定的照明強(qiáng)度分布來成 形。如通過箭頭561所表明的那樣，這在區(qū)域560中引起照明強(qiáng)度的所 希望的降低以及隨著相對(duì)于光軸增大的距離而變慢的照明強(qiáng)度降低。例 如，在d:30mm的情況下，對(duì)于曲線500,相對(duì)照明強(qiáng)度的下降為大約 0.32,而對(duì)于曲線55 0僅有0. 22。
分布寬度的 一 個(gè)常用的特征參數(shù)是全半值寬度(vol le Halbwertsbreite),其說明在其中分布的函數(shù)值為最大函數(shù)值的50% 或者更大的區(qū)域在該分布的最大值左右有多寬。在圖6b中，該寬度通 過水平箭頭570表明。曲線550的全半值寬度相對(duì)于曲線500的全半值 寬度，相對(duì)于在曲線500情況下的76mn^皮有利地?cái)U(kuò)展為大約84薩。
在圖7中所示的測(cè)量表明，照明強(qiáng)度的分布可以借助有針對(duì)性地吸 收地構(gòu)造的、反射器式地成形的元件來有利地明顯擴(kuò)寬。于是，明顯大 于半導(dǎo)體芯片5的表面52的面可以被特別均勻地照亮。由此，所描述 的照明裝置特別適合于顯示裝置如LCD的背光照明。由于待照明的面與 照明裝置的小距離情況下的大面積照明，所以可以有一'j地將背光照明單 元的結(jié)構(gòu)深度保持為小。
此外，這種照明裝置例如可以用于通用照明、效果照明、莧虹燈廣 告照亮或者用于發(fā)光字母(通道字母，Channel letters)。本發(fā)明并未由于借助實(shí)施例的描述而受到限制。本發(fā)明而是包括任 意新的特征以及特征的任意組合，這特別是包括權(quán)利要求中的特征的任 意組合，即使該特征或者該組合本身沒有明確地在權(quán)利要求中或?qū)嵤├?中#3兌明。
權(quán)利要求
1.照明裝置(1)，包括帶有輻射出射面(41)和用于產(chǎn)生輻射的光電子器件(2)的光學(xué)裝置(4)，其中構(gòu)造有反射器式地成形的元件(3)，該元件的成型和布置適于將在器件中產(chǎn)生的輻射通過輻射出射面來偏轉(zhuǎn)，并且其中所述反射器式地成形的元件構(gòu)造為對(duì)于在器件中產(chǎn)生的輻射有針對(duì)性地進(jìn)行吸收。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明裝置，其中所述輻射出射面(41) 具有凹面彎曲的部分區(qū)域(42 )和至少部分包圍凹面彎曲的部分區(qū)域的、 凸面彎曲的部分區(qū)域(43)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的照明裝置，其中所述光學(xué)裝置(4)具有 光軸(40),并且所述光軸(40)穿過輻射出射面(41 )的凹面彎曲的 部分區(qū)域(42)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的照明裝置，其中所述輻射出射面(41) 相對(duì)于光軸(40)旋轉(zhuǎn)對(duì)稱地實(shí)施。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述光 學(xué)裝置(4)固定在光電子器件(2)上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述光 電子器件(2)具有至少一個(gè)適于產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體芯片(5)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的照明裝置，其中所述半導(dǎo)體芯片(5)實(shí) 施為薄膜半導(dǎo)體芯片。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的照明裝置，其中所述半導(dǎo)體芯片(5)的 表面構(gòu)成主輻射耦合輸出面(52),并且側(cè)面構(gòu)成旁輻射出射面(53)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6至8中的引用權(quán)利要求4的任一項(xiàng)或者引用權(quán) 利要求4的權(quán)利要求所述的照明裝置，其中所述光軸(40)穿過半導(dǎo)體 芯片(5)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6至9中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述輻 射出射面(41 )和所述半導(dǎo)體芯片(5 )之間的最小距離小于或等于5mm, 優(yōu)選小于或等于3隱。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6至10中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述 光學(xué)裝置(4)被構(gòu)造用于將對(duì)于照明裝置預(yù)先給定的發(fā)射特性成形， 其中至少部分抑制了從半導(dǎo)體芯片(5)耦合輸出的輻射在照明裝置內(nèi) 反射之后射到輻射出射面(41)上。
12. 照明裝置，包括帶有至少一個(gè)設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體芯片(5)的光電子器件(2)，該半導(dǎo)體芯片實(shí)施為薄膜半導(dǎo)體芯片并且具有實(shí)施為主輻射耦合輸出面的表面(52)和構(gòu)成旁輻射出射面的側(cè)面(53),其中構(gòu)造有反射器式地成形的元件(3)，其成型和布置適于將從旁輻射出射面出射的輻射的至少一部分偏轉(zhuǎn)，并且其中該反射器式地成形的元件被構(gòu)造為針對(duì)半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射有針對(duì)性地進(jìn)行吸收。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述反射器式地成形的元件(3)至少部分地由對(duì)在光電子器件(2)中產(chǎn)生地設(shè)置有對(duì)^在光電子器^牛中產(chǎn):的輻射進(jìn)行吸收的材料i者進(jìn)行1收的材料組合物。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1至13中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述反射器式地成形的元件(3)至少部分地由黑色材料或者黑色材料組合物制成，或者至少部分地設(shè)置有黑色材料或者黑色材料組合物。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1至14中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中，對(duì)于光電子器件中產(chǎn)生的輻射，進(jìn)行吸收地構(gòu)造的、反射器式地成形的元件(3)的反射率小于或等于30%,優(yōu)選小于或等于15%,特別優(yōu)選小于或等于5%。
16. 根據(jù)權(quán)利要求7至15中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述半導(dǎo)體芯片(5)包括半導(dǎo)體本體(54)和承載體(55),所述半導(dǎo)體本體(54)具有半導(dǎo)體層序列，該半導(dǎo)體層序列帶有被設(shè)置用于產(chǎn)生輻射的有源區(qū)(51)，其中所述半導(dǎo)體本體設(shè)置在承載體上，并且所述承載體與半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底不同。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的照明裝置，其中在所述半導(dǎo)體本體(54 )和承載體(55 )之間設(shè)置有反射層(56 )。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的照明裝置，其中所述反射層(56)包含金屬或者是金屬。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1至18中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述光電子器件(2)包含反射器式地成形的元件(3)。
20.根據(jù)權(quán)利要求6至19中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述光電子器件包括殼體本體(20)和外部的電連接導(dǎo)體(205 ),其中所述殼體本體包含反射器式地成形的元件(3)，并且所述半導(dǎo)體芯片(5)固定在連接導(dǎo)體上。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的照明裝置，其中所述反射器式地成形的元件(3)借助殼體本體(20)的腔(240 )的壁(245)構(gòu)成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的照明裝置，其中所述半導(dǎo)體芯片(5)設(shè)置在所述殼體本體(20)的腔(240 )中。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20至22中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述殼體本體(20)包含陶資。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的照明裝置，其中所述殼體本體(20)由黑色陶瓷制成，或者殼體本體被涂黑。
25. 根據(jù)權(quán)利要求20至22中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述殼體本體(20)包含塑料。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的照明裝置，其中所述殼體本體(20)由黑色塑料制成或者殼體本體被涂黑。
27. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的照明裝置，其中所述照明裝置被設(shè)計(jì)用于顯示裝置、譬如LCD的背光照明。
全文摘要
提出了一種照明裝置(1)，其包括帶有輻射出射面(41)和用于產(chǎn)生輻射的光電子器件(2)的光學(xué)裝置(4)，其中形成了反射器式地成形的元件(3)。該反射器式地成形的元件(3)具有適于將器件(2)中產(chǎn)生的輻射(70)通過輻射出射面(41)來偏轉(zhuǎn)的成型和布置，并且該元件被有針對(duì)性地構(gòu)造用于吸收該輻射(70)。照明裝置優(yōu)選設(shè)計(jì)用于顯示裝置如液晶顯示器(LCD)的特別均勻的背光照明。
文檔編號(hào)H01L33/58GK101496189SQ200780028740
公開日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2007年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月31日
發(fā)明者H·奧特, M·萬寧格, M·澤勒 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司