專利名稱：：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及例如用于半導體或像液晶顯示器那樣的平板顯示器、反射膜、光學部件等中的、將透明導電膜和鋁合金配線膜作為構(gòu)成要素而含有的新型顯示裝置。
背景技術(shù)：
：例如有源矩陣型的液晶顯示裝置以薄膜晶體管(TFT)作為開關(guān)元件，由透明導電膜、具備柵配線及源漏配線等配線部的TFT基板(TFT陣列基板)、相對于該TFT基板拉開規(guī)定的間隔對置配置并具備共通電極的對置基板和填充于這些TFT基板與對置基板之間的液晶層構(gòu)成，作為透明導電膜，例如使用在氧化銦(In2O3)中含有10質(zhì)量X左右的氧化錫(SnO)的氧化銦錫(ITO)膜、在氧化銦中添加了10質(zhì)量％的氧化鋅的氧化銦鋅(IZO)等。圖1是搭載于這樣的液晶顯示裝置中的液晶面板結(jié)構(gòu)的概略剖面放大說明圖，該液晶面板具備TFT陣列基板1、與該TFT陣列基板1對置配置的對置基板2、以及配置于這些TFT陣列基板1與對置基板2之間發(fā)揮光變調(diào)層作用的液晶層3。TFT陣列基板1由配置于絕緣性的玻璃基板la上的薄膜晶體管(TFT)4、透明導電膜(像素電極)5、包括掃描線或信號線的配線部6構(gòu)成。對置基板2由形成于TFT陣列基板1側(cè)的全面上的共通電極7、配置于與透明導電膜(像素電極)5相對的位置的濾色片8、配置于與TFT陣列基板1上的薄膜晶體管(TFT)4或配線部6相對的位置的遮光膜9構(gòu)成。另外，在構(gòu)成TFT陣列基板1及對置基板2的絕緣性基板的外面?zhèn)龋渲糜衅癜錓O、10,并且在對置基板2上，設有用于將液晶層3中所含的液晶分子沿規(guī)定的方向取向的取向膜11。此種結(jié)構(gòu)的液晶面板中，利用形成于對置電極2與透明導電膜(像素電極)5之間的電場，來控制液晶層3中的液晶分子的取向方向，將穿過TFT陣列基板1與對置基板2之間的液晶層3的光變調(diào)，這樣，透過對置基板2的光的透過光量就受到控制而顯示圖像。另外，利用向TFT陣列外部拉出的TAB膠帶12，由驅(qū)動電路13及控制電路14來控制TFT陣列。圖中，15表示間隔件，16表示密封材料，17表示保護膜，18表示擴散板，19表示棱鏡片，20表示導光板，21表示反射板，22表示背光燈，23表示保持框架，24表示印制電路板。另外，圖2表示包括與透明導電膜(像素電極)5電連接的配線部6的所述圖1的區(qū)域A的放大圖，在該圖2的柵配線26中，采用了Mo或Cr的單層膜或Al—Nd等鋁合金配線膜與高熔點金屬(Mo、Cr、Ti、W等)的層疊配線結(jié)構(gòu)。另外，在源配線28或漏配線29(以下有時將它們稱作「源，漏配線」)中，采用了將純鋁(Al)的單層膜與上述高熔點金屬層疊了的配線結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻l、專利文獻2、專利文獻3等)。層疊上述高熔點金屬的理由如下所示?！熠啵绻麑⑼该鲗щ娔?ITO膜)5與構(gòu)成柵配線或源漏配線的純鋁膜或Al—Nd等鋁合金膜直接連接，則鋁被氧化，在透明導電膜與上述純鋁膜或Al—Nd等鋁合金膜的接觸界面上形成高電阻率的氧化鋁，信號線與透明導電膜之間的接觸電阻上升，畫面的顯示質(zhì)量降低。這是因為，由于鋁是非常容易氧化的元素，因此在大氣中形成氧化鋁覆蓋膜，特別是因在由金屬氧化物構(gòu)成的透明導電膜的成膜中所用的氧或成膜時產(chǎn)生的氧，而形成高電阻率的氧化鋁覆蓋膜。所以，為了解決上述問題，通過設置屏蔽金屬(高熔點金屬)層，來防止純鋁膜或鋁合金膜的表面氧化，從而實現(xiàn)純鋁膜或鋁合金膜與透明導電膜的良好的接觸。但是，如果采用夾隔有上述屏蔽金屬的結(jié)構(gòu)，則需要追加屏蔽金屬層的形成工序，另外除了柵配線或源，漏配線的成膜中所用的濺射裝置，還需要額外地裝備屏蔽金屬形成用的成膜裝置。但是，隨著利用批量生產(chǎn)實現(xiàn)的液晶面板等的成本降低的推進，伴隨著上述屏蔽金屬的形成產(chǎn)生的成本上升或生產(chǎn)性的降低就成為問題，近年來，希望有可以省略屏蔽金屬的電極材料或制造工藝過程。所以，本發(fā)明人等已經(jīng)提出過如下的配線用的鋁合金配線膜的方案(專利文獻4)，g卩，可以簡化上述屏蔽金屬的形成工序，在配線部上直接連接透明導電膜。此外，在專利文獻5中，公開有如下的技術(shù)，即，通過對漏電極實施等離子體處理或離子注入等表面處理而實現(xiàn)屏蔽金屬的省略，另外，在專利文獻6中，公開有如下的技術(shù)，即，通過形成在第一層的柵電極和源電極及漏電極上層疊了作為雜質(zhì)含有N、O、Si、C的第二層的層疊配線膜，而實現(xiàn)屏蔽金屬的省略。另一方面，隨著液晶面板的大型化的推進，配線長度尺寸不斷加長，與之相伴，信號配線的電阻率也明顯地增大起來。由于該電阻率的增大會引起RC延遲，因此有可能導致顯示質(zhì)量的降低。為此，對低電阻率配線的需求提高，作為低電阻率配線可以使用純A1等低電阻率配線材料。但是，如果使構(gòu)成信號線的純鋁配線或鋁合金配線與透明導電膜直接接觸，則接觸電阻上升，畫面的顯示質(zhì)量降低。這是因為，向先前所說明的那樣，由于鋁非常容易氧化，因此表面在大氣中很容易被氧化，另外，由于透明導電膜是金屬氧化物，因此會因在成膜時添加的氧而將鋁氧化，在表面生成絕緣性的氧化鋁。這樣，當在信號線與透明導電膜的接觸界面中生成絕緣物時，信號線與透明導電膜之間的接觸電阻就會升高，畫面的顯示質(zhì)量降低。以往的液晶面板中所用的屏蔽金屬雖然具有如下的作用，即，防止純鋁配線或鋁合金配線的氧化，使純鋁配線或鋁合金配線與透明導電膜的接觸良好，但是由于作為屏蔽金屬使用的Mo、Cr、Ti、W等高熔點金屬的電阻率高，因此無法輕視伴隨著屏蔽金屬的使用產(chǎn)生的配線電阻的上升。另外，使用屏蔽金屬之時產(chǎn)生的其他的缺點在于，存在難以進行精細加工的問題。通常來說，對于配線的剖面形狀，考慮到有效區(qū)，優(yōu)選錐角為4560°左右的錐形，然而由于在使用了屏蔽金屬的層疊配線膜中形成層疊了不同金屬的結(jié)構(gòu)，因此蝕刻速度會隨著各個金屬而不同，從而會有形成例如像圖3中簡略表示的那樣的剖面結(jié)構(gòu)的情況。另外，由于將具有不同的電位的金屬接合，因此會引起電腐蝕，從而還會有成為如圖4所示6那樣的剖面結(jié)構(gòu)的情況。如果是此種剖面結(jié)構(gòu)的配線，則鈍化膜的有效區(qū)變差，引起TFT(薄膜晶體管)的動作特性劣化等問題。此外，例如在純鋁的配線中在耐熱性方面有問題，會因工藝工程中施加的熱過程而產(chǎn)生被稱作凸起(半球狀突起)的凸狀缺陷，它貫穿絕緣膜，引起配線短路等問題。基于這些情況，在使用純鋁時，生產(chǎn)線中的材料利用率降低成為實用中的大問題。專利文獻1:日本特開平4—20930號公報專利文獻2:日本特幵平6—12503號公報專利文獻3:日本特開2001—350159號公報專利文獻4:日本特開2004—214606號公報專利文獻5:日本特開平11一283934號公報專利文獻6:日本特開平11一284195號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于此種情況而完成的，其目的在于，提供一種具備如下的配線膜的顯示裝置，其可以實現(xiàn)如前所述的低電阻率配線，并且精細加工性優(yōu)良，而且兼具可以充分耐受制造工序中所施加的熱過程的耐熱性。艮P，本發(fā)明涉及以下的(1)(9)。(1)一種顯示裝置，其中在玻璃基板上配置有將透明導電膜與薄膜晶體管電連接的鋁合金配線膜，該鋁合金配線膜具有包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，第一層(X)與透明導電膜直接接觸，所述第一層(X)由鋁合金構(gòu)成，所述鋁合金含有0.16原子％的選自由Ni、Ag、Zn、Cu構(gòu)成的元素組Q中的至少一種元素(以下有時簡稱為「元素組Q」)，并且含有0.16原子％的選自由稀土類元素、Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R中的至少一種元素(以下有時簡稱為「元素組R」)，所述第二層(Y)由純鋁構(gòu)成，或者由以鋁為主成分且電阻率低于所述第一層(X)的鋁合金構(gòu)成。(2)—種顯示裝置，其中在玻璃基板上配置有將透明導電膜與薄膜晶體管電連接的鋁合金配線膜，該鋁合金配線膜具有包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，所述第一層(X)由鋁合金構(gòu)成，所述鋁合金含有0.16原子％的選自由Ni、Ag、Zn、Cu、Co構(gòu)成的元素組Q，中的至少一種元素(以下有時簡稱為「元素組Q，」)，并且含有0.16原子％的選自由稀土類元素、Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R中的至少一種元素(以下有時簡稱為「元素組R」)，所述第二層(Y)由純鋁構(gòu)成，或者由以鋁為主成分且電阻率低于所述第一層(X)的鋁合金構(gòu)成，第一層(X)與透明導電膜直接接觸。(3)—種顯示裝置，其中在玻璃基板上配置有將透明導電膜與薄膜晶體管電連接的鋁合金配線膜，該鋁合金配線膜具有包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，所述第一層(X)由鋁合金構(gòu)成，所述鋁合金含有0.16原子％的選自由Ni、Ag、Zn、Cu、Co構(gòu)成的元素組Q'中的至少一種元素(以下有時簡稱為「元素組Q'」)，并且含有選自稀土類元素組R1中的至少一種元素(以下有時簡稱為「元素組R1」。優(yōu)選為選自La「鑭」、Gd、Y、Nd、Dy中的至少一種元素)和選自由Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R2中的至少一種元素(以下有時簡稱為「元素組R2」。優(yōu)選為選自Cr、Ti、Zr、Nb、Ta中的至少一種元素)，Rl與R2的總計含有量為0.16原子X，所述第二層(Y)由純鋁構(gòu)成，或者由以鋁為主成分且電阻率低于所述第一層(X)的鋁合金構(gòu)成，第一層(X)與透明導電膜直接接觸。(以下，有時將上述鋁合金配線膜特指為「鋁合金層疊配線膜J)。(4)根據(jù)(3)所述的顯示裝置，其中，所述稀土類元素組R1由La、Gd、Y、Nd及Dy構(gòu)成。(5)根據(jù)(3)所述的顯示裝置，其中，所述元素組R2由Cr、Ti、Zr、Nb及Ta構(gòu)成。(6)根據(jù)(4)所述的顯示裝置，其中，所述元素組R2由Cr、Ti、Zr、Nb及Ta構(gòu)成。8(7)根據(jù)(1)(6)中任意一項所述的顯示裝置，其中，所述第一層(X)的膜厚為20nm以上。(8)根據(jù)(1)(6)中任意一項所述的顯示裝置，其中，所述鋁合金配線膜中，包括第一層(X)和第二層(Y)的層疊配線整體的電阻率為4.5PQcm以下。(9)根據(jù)(7)所述的顯示裝置，其中，所述鋁合金配線膜中，包括第一層(X)和第二層(Y)的層疊配線整體的電阻率為4.5uQ*cm以下。而且，本發(fā)明中，如上所述，將Y(釔)包含于稀土類元素組中。本發(fā)明中，如果將所述第一層(X)的膜厚設為20nm以上，則可以更為有效地發(fā)揮本發(fā)明的特征即低電阻率和耐熱性，故優(yōu)選。作為成為本發(fā)明的構(gòu)成材料的上述透明導電膜，優(yōu)選氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，另外，優(yōu)選將上述鋁合金配線膜中，包括第一層(X)和第二層(Y)的層疊配線整體的電阻率調(diào)整為4.5uQ'cm以下。根據(jù)本發(fā)明，通過設定包括第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)作為配線膜結(jié)構(gòu)，就可以使配線膜整體保持低的電阻率，同時確保高耐熱性和形狀特性，并且可以使鋁合金層疊配線膜與透明導電膜直接接觸，所述第一層(X)由具有高耐熱性并且能夠與透明導電膜直接接觸的鋁合金構(gòu)成，所述第二層(Y)由純鋁或電阻率低于所述的第一層(X)的鋁合金構(gòu)成。另外，作為本發(fā)明的特征的層疊結(jié)構(gòu)的鋁合金配線膜由于是由同種的純鋁或鋁合金層疊而成的結(jié)構(gòu)，因此在蝕刻速度方面沒有極端的差別，圖案形成很容易，因而在精細加工性方面也很優(yōu)良。另外，作為第一層(X)的構(gòu)成材料，通過含有特定的元素組R2中的至少一種元素，可以在顯示裝置的制造過程中，抑制鋁合金配線膜的腐蝕，制造顯示質(zhì)量良好的顯示裝置。圖1是例示應用本發(fā)明的顯示裝置的液晶面板的剖面說明圖。圖2是表示公知的薄膜晶體管(TFT)的結(jié)構(gòu)的剖面說明圖。圖3是將蝕刻速率大大不同的金屬層疊時的配線剖面模型圖。圖4是引起了電腐蝕時的配線膜剖面模型圖。圖5是表示給出本發(fā)明的一個實施例的薄膜晶體管(TFT)的結(jié)構(gòu)的剖面說明圖。圖6是對實施例的TFT陣列基板的制造工序依照階段進行說明的剖面說明圖。圖7是對實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖8是對實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖9是對實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖10是對實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖11是對實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖12是對實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖13是對實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖14是表示其他的實施例的薄膜晶體管(TFT)的結(jié)構(gòu)的剖面說明圖。圖15是對其他的實施例的TFT陣列基板的制造工序依照階段進行說明的剖面說明圖。圖16是對其他的實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖17是對其他的實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖18是對其他的實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖19是對其他的實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖20是對其他的實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖21是對其他的實施例的TFT陣列基板的制造依照階段進行說明的剖面說明圖。圖22(a)是表示接觸電阻率的測定中所用的開爾文圖案的圖，(b)是所述(a)的X—X剖面圖。圖23是鋁合金層疊配線剖面的SEM觀察照片。圖24是鋁合金層疊配線剖面的SEM觀察照片。其中，1TFT基板(TFT陣列基板)，la玻璃基板，2對置基板(對置電極)，3液晶層，4薄膜晶體管(TFT)，5、45透明導電膜(像素電極、ITO膜、IZO膜)，6配線部，7共通電極，8濾色片，9遮光膜，10偏振板，11取向膜，12TAB膠帶，13驅(qū)動電路，14控制電路，15間隔件，16密封材料，17保護膜，18擴散板，19棱鏡片，20導光板，21反射板，22背光燈，23保持框架，24印制電路板，25掃描線，26柵配線(柵電極)，27柵絕緣膜，28源配線(源電極)，29漏配線(漏電極)，30、43保護膜(層間絕緣膜、氮化硅膜)，31光刻膠，32、44接觸孔，41硅晶片，42鋁合金層疊配線膜，42(X)第一層，42(Y)第二層，(X)第一層，(Y)第二層具體實施例方式下面參照附圖對本發(fā)明的顯示裝置的實施方式進行詳細說明，然而本發(fā)明不應當受圖示例所限定，當然也可以在能夠適合前述、后述的宗旨的范圍中適當?shù)丶右宰兏鴮嵤D5是例示本發(fā)明中所采用的應用于陣列基板的薄膜晶體管部的結(jié)構(gòu)的放大剖面說明圖，由于大部分的構(gòu)成要素與所述圖2相同，因此通過對相同的部分使用相同的符號來省略重復說明。圖5所示的薄膜晶體管部的結(jié)構(gòu)中，與圖2的例子不同的部分在于如下所述的方面，作為構(gòu)成掃描線25或柵配線26及漏源配線28、29的鋁合金材料，設為包括由特定的鋁合金構(gòu)成的第一層(X)和由純鋁或鋁合金構(gòu)成的第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)。艮口，作為該層疊結(jié)構(gòu)的鋁合金配線材料，使用耐熱性優(yōu)良并且能夠與透明導電膜直接電接觸的鋁合金的、(i)含有0.16原子％的選自由Ni、Ag、Zn、Cu構(gòu)成的元素組Q中的至少一種元素，并且含有0.16原子％的選自由稀土類元素、Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R中的至少一種元素的鋁合金構(gòu)成的第一層(X)構(gòu)成材料，或者(ii)含有0.16原子X的選自由Ni、Ag、Zn、Cu、Co構(gòu)成的元素組Q，中的至少一種元素，并且含有0.16原子％的選自由稀土類元素、Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R中的至少一種元素的鋁合金構(gòu)成的第一層(X)構(gòu)成材料，或者(iii)含有0.16原子X的選自由Ni、Ag、Zn、Cu、Co構(gòu)成的元素組Q，中的至少一種元素，并且含有選自稀土類元素組R1中的至少一種元素(優(yōu)選為選自La、Gd、Y、Nd、Dy中的至少一種元素)和選自由Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R2中的至少一種元素(優(yōu)選為選自Cr、Ti、Zr、Nb、Ta中的至少一種元素)的鋁合金構(gòu)成的第一層(X)構(gòu)成材料，其中，Rl與R2的總含量為0.16原子^;禾口將純鋁或由以鋁為主成分且電阻率小于所述第一層(X)構(gòu)成材料的鋁合金用作第二層(Y)的構(gòu)成材料，形成所述圖5所示的多層結(jié)構(gòu)(圖示例中為2層結(jié)構(gòu))。如果設為此種層疊結(jié)構(gòu)，則可以在柵電極26或漏電極29的形成條件下，使第一層(X)與透明導電膜(像素電極)5直接接觸。如果使用作為構(gòu)成本發(fā)明的配線膜的第一層(X)的材料的鋁合金，則在該鋁合金配線膜與透明電極膜的界面，元素組Q或元素組Q'的元素形成析出物，而使接觸電阻減小。上述元素組Q或元素組Q，中，特別優(yōu)選的是Ni、Ag、Cu，除了將Ni、Ag或Cu單獨含有以外，也可以像Ni與Ag、Ni與Cu、Ag與Cu那12樣復合地含有。像這樣，在使用了選自元素組Q或元素組Q'中的兩種以上的情況下，也會在鋁合金配線膜與透明電極膜的界面形成Ni的析出物、Cu的析出物、Ag的析出物，該Ni的析出物、Cu的析出物、Ag的析出物分別發(fā)揮降低鋁合金與透明電極膜的接觸電阻的效果。也就是說，當復合添加了元素組Q或元素組Q'中所含的元素時，在各個添加元素的效果不會被抵消的情況下發(fā)揮降低接觸電阻的效果。艮口，本發(fā)明中，作為構(gòu)成上述配線膜的第一層(X)的材料，選擇從所述元素組Q或元素組Q'中選擇的元素，所述元素組Q或元素組Q'是對于透明導電膜與鋁合金配線膜的接觸電阻的減少來說有效的元素，使用其中一種或以任意的組合使用兩種以上，使它們以總計含量計含有0.16原子％，并且作為具有耐熱性改善效果的合金成分，選擇從所述元素組R中選擇的元素，使用其中一種或以任意的組合使用兩種以上，使它們以總計含量計含有0.16原子％，通過將該鋁合金作為第一層(X)構(gòu)成材料，可以確保耐熱性(耐凸起性)，并實現(xiàn)與透明導電膜的直接接觸。艮口，如果所述元素組Q或元素組Q，的含量小于O.l原子％，則透明導電膜與鋁合金配線膜的接觸電阻降低效果不夠充分，難以獲得令人滿意的導電性，相反，如果元素組Q或元素組Q'的含量超過6原子X，則由于在配線的蝕刻時產(chǎn)生殘渣，因此難以精細加工，并且配線膜自身的電阻率變高。另外，如果所述元素組R的含量小于O.l原子％，則耐熱性改善效果變得不充分，無法令人滿意地防止凸起的產(chǎn)生，相反，如果超過6原子％而變得過多，則由于在配線的蝕刻時產(chǎn)生殘渣，因此難以精細加工，并且配線膜自身的電阻率變高。元素組R當中特別優(yōu)選的是稀土類元素，其中優(yōu)選Y、Nd、La、Gd、Dy，除了可以將它們單獨使用以外，還可以像La與Gd、Dy與La、Nd與Y這樣復合地含有。但是，在制作顯示裝置的TFT陣列基板的工藝過程中，由于有鋁層疊配線露出的工序，因此會有暴露于含有胺系成分的光刻膠的剝離液(液性為堿性的胺系剝離液)等各種藥液中的情況。由此種剝離液造成的損傷會殘留于蝕刻后的實際配線中，因此十分嚴重。為此，根據(jù)顯示裝置的制作條件，有時對于鋁合金配線膜要求藥液耐受性。13上述元素組R當中，Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe如上所述，有助于耐熱性的提高，并且還是對上述藥液耐受性的提高也有效的元素。由此，為了可靠地同時提高耐熱性和藥液耐受性，最好將'選自稀土類元素組R1中的至少一種元素(優(yōu)選為選自La、Gd、Y、Nd、Dy中的至少一種元素)及'選自由Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R2中的至少一種元素(優(yōu)選為選自Cr、Ti、Zr、Nb、Ta中的至少一種元素)與所述元素組Q'—起含有。在作為選自元素組R2中的兩種以上的元素，例如像Nb與Ti等那樣復合地使用的情況下，也可以充分地提高對胺系剝離液(液性為堿性)等藥液的耐受性。為了充分地發(fā)揮此種效果，優(yōu)選含有至少0.1原子％的R2的元素。另外，Rl與R2以總計計算最好含有0.16原子％(111>0原子％，并且R2X)原子X)。如果它們的總計小于O.l原子％，則耐熱性改善效果變得不充分，無法令人滿意地防止凸起的產(chǎn)生，相反，如果超過6原子％而過多地含有，則由于在配線的蝕刻時產(chǎn)生殘渣，因此精細加工變得困難，并且配線膜自身的電阻率變高。另外，作為選自上述稀土類元素組R1中的兩種以上的元素，可以像La與Gd、Dy與La、Nd與Y那樣復合地使用。另外，本發(fā)明中，除了特定上述第一層(X)構(gòu)成材料以外，在該第一層(X)的下層側(cè)，形成由電阻率小于上述第一層(X)的純鋁或鋁合金構(gòu)成的第二層(Y)也是不可欠缺的要件。其理由是，作為配線膜要以極低的電阻率確保高水平的導電性。此外，為了更為有效地發(fā)揮上述第一層(X)與第二層(Y)的作用效果，最好將包含它們的鋁合金層疊配線膜的第一層(X)的膜厚設為20nm以上。其理由是，如果第一層(X)的膜厚小于20nm，則對由于在TFT制造工藝過程中施加的熱過程而在第二層(Y)中產(chǎn)生的被稱作凸起的凸狀缺陷的抑制效果就會不充分，難以獲得本發(fā)明中所希望的水平的耐熱性。從該耐熱性的觀點出發(fā)，第一層(X)相對于總膜厚的比例最好確保至少為5%。而且，第一層(X)的膜厚的上限沒有特別限制，只要考慮層疊配線膜整體的電阻來決定即可。本發(fā)明中，作為如上所述地與透明導電膜直接接觸的鋁合金配線膜，其特征在于，設為包括規(guī)定組成的第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，然而為了再賦予如下所示的特性，在上述第二層(Y)的下層側(cè)形成如下所示的第三層也是有效的。艮P，在將上述鋁合金配線膜應用于源"漏電極中的情況下，需要抑制該電極與慘雜半導體層之間的擴散。在將第二層(Y)的例如純鋁與摻雜無定形硅層直接連接的情況下，容易因TFT陣列基板制作時施加的熱過程引起純鋁與摻雜無定形硅層的相互擴散，從而容易使TFT的特性劣化，顯示裝置的顯示質(zhì)量降低。為了抑制該擴散，以往進行的是形成鉬或鉻之類的屏蔽金屬的做法。但是，如果像這樣將由純鋁或鋁合金構(gòu)成的配線與屏蔽金屬層疊，則會產(chǎn)生電阻上升；或因異種金屬之間的蝕刻速率差而導致難以進行配線的精細加工或良好的斜度形成(最好設為4560°左右)等問題。所以，例如在將無定形硅表面進行等離子體氮化處理等后，在上述第二層(Y)的下層側(cè)，作為第三層，形成兼具耐熱性和導電性的本發(fā)明的鋁合金層(例如Al—2原子XNi—0.35原子XLa等)，設成XA7XV表面氮化無定形硅層(X與X'由同種或異種的鋁合金構(gòu)成)的結(jié)構(gòu)，將源*漏電極設成純鋁或鋁合金的3層的層疊結(jié)構(gòu)也是有效的。而且，第三層(X，)的優(yōu)選的合金組成或膜厚等與上述的第一層(X)的情況在本質(zhì)上沒有變化。作為賦予上述相互擴散抑制效果的其他的結(jié)構(gòu)，在無定形硅層上且在上述第二層(Y)的下層側(cè)，作為第三層，形成含有至少0.1原子％的上述元素組R2的一種以上的鋁合金層(例如A1—2原子XNi—0.35原子％La—l原子XNb等)，設成XA7XV無定形硅層(X與X，由同種或異種的鋁合金構(gòu)成)的結(jié)構(gòu)，將源，漏電極設成純鋁或鋁合金的3層的層疊結(jié)構(gòu)也是有效的。而且，第三層(X，)的優(yōu)選的合金組成或膜厚等與上述的第一層(X)的情況在本質(zhì)上沒有變化。15但是，第一層(X)與第三層的合金組成或膜厚等不需要相同，只要從上述的優(yōu)選的合金組成或膜厚范圍當中，分別設定為最佳的合金組成或膜厚即可。通過設成此種配線結(jié)構(gòu)，在源，漏電極中，也可以在抑制無定形硅層與源，漏電極層的相互擴散的同時，形成低電阻率并且可以進行精細加工的鋁電極。一般來說，上述層疊結(jié)構(gòu)的鋁合金配線膜是利用濺射法形成的，在設成2層結(jié)構(gòu)的情況下，只要在將第二層(Y)構(gòu)成材料利用濺射成膜后在其上層疊形成第一層(X)即可，另外，在為了賦予如上所述的相互擴散抑制效果而設成上述3層結(jié)構(gòu)的情況下，只要依照第三層一第二層一第一層的順序?qū)⒏鲗訕?gòu)成材料利用濺射層疊形成即可。在形成了該鋁合金層疊膜后，進行了規(guī)定的圖案處理后，從有效區(qū)的觀點考慮，最好將剖面形狀加工為錐角4560。左右的錐形。此后，形成該鋁合金層疊配線膜，繼而在形成了由透明導電膜構(gòu)成的像素電極后，當優(yōu)選以15040(TC的溫度進行加熱處理時，則非平衡地固溶于上述鋁合金層疊配線膜的第一層(X)中的所述合金元素的一部分或全部就會在與透明導電膜的接觸界面上作為析出物或金屬間化合物生成，或者形成濃化層，實現(xiàn)低電阻率的導電接觸。而且該第一層(X)還起到作為第二層(Y)的保護層的作用，也會防止凸起的產(chǎn)生。下面，依照圖612的例示對圖5所示的TFT陣列基板1的制造工序的概略情況進行說明。這里作為開關(guān)元件而形成的薄膜晶體管例示的是將氫化無定形硅作為半導體層使用的無定形硅TFT。首先，在玻璃基板la上，利用濺射等方法形成例如由膜厚200nm左右的純鋁薄膜構(gòu)成的第二層(Y)，在其上部，利用濺射等方法例如以100nm左右的膜厚形成耐熱性優(yōu)良、可以與透明導電膜直接接觸的例如由Al—2原子XNi—0.35原子XLa等鋁合金構(gòu)成的第一層(X)，通過對所得的鋁合金層疊配線膜進行圖案處理，形成柵電極26和掃描線25(圖6)。此時，為了使后述的柵絕緣膜的有效區(qū)變得良好，鋁合金層疊配線膜最好將其周緣預先蝕刻為錐角約為4560。左右的錐形。然后，如圖7所示，例如利用等離子體CVD法等形成例如膜厚約為16300nm左右的柵絕緣膜(氧化硅膜SiOx)27，繼而，例如形成膜厚50nm左右的氫化無定形硅膜(a—Si:H)、膜厚300nm左右的氮化硅膜(SiNx)。接下來，利用以柵電極26作為掩模的背面曝光，如圖8所示那樣對氮化硅膜(SiNx)進行圖案處理，形成溝道保護膜。繼而在其上形成摻雜了磷的例如膜厚50nm左右的n+型氫化無定形硅膜(n+a—Si:H)后，如圖9所示對氫化無定形硅膜(a—Si:H)和n+型氫化無定形硅膜(n+a—Si:H)進行圖案處理。此后，在其上利用濺射法等形成由例如膜厚150nm左右的純鋁薄膜構(gòu)成的第二層(Y)，在其上層利用濺射等方法形成例如像A1—2原子。/^Ni一0.35原子XLa那樣可以與透明導電膜直接接觸的第一層(X)，制成鋁合金層疊配線膜后，通過如圖10所示的圖案處理，形成與信號線一體的源電極28、與透明導電膜(像素電極)5接觸的漏電極29。繼而，以源電極28和漏電極29作為掩模，將溝道保護膜(SiNx)上的n+型氫化無定形硅膜(n+a—ShH)除去。此后，如圖11所示，通過例如使用等離子體CVD裝置等，例如以膜厚300nm左右形成氮化硅膜30，形成保護膜。此時的成膜例如在30(TC左右進行。此后在該氮化硅膜30之上形成了光刻膠31后，對該氮化硅膜30進行圖案處理，例如利用干式蝕刻等在氮化硅膜30中形成接觸孔32。此時，在氮化硅膜30的蝕刻結(jié)束后，再追加對于氮化硅的蝕刻來說所需要的時間+100%左右的過量蝕刻。利用該處理將鋁合金層疊配線膜也蝕刻了10nm左右。繼而如圖12所示，經(jīng)過了例如利用氧等離子體的拋光工序后，例如使用胺系等剝離液進行光刻膠31的剝離處理，最后如圖13所示形成例如膜厚40nm左右的透明導電膜(ITO膜或IZO膜)，當利用圖案處理形成透明導電膜(像素電極)5時，TFT陣列基板即完成。利用此種工序形成的TFT陣列基板成為如下的基板，即，如所述圖5那樣透明導電膜(像素電極)5與利用鋁合金層疊配線膜形成的漏電極29直接接觸，另外，鋁合金層疊配線膜[由第一層(X)與第二層(Y)構(gòu)成的層疊膜]與無定形硅直接接觸。此時，如果通過(A)在構(gòu)成第二層(Y)的純鋁或鋁合金膜上，層疊構(gòu)成第一層(X)的鋁合金膜，在形成鋁合金層疊配線膜之時施加熱過程；或者(B)在配線膜形成后的接觸孔蝕刻前施加熱過程；使鋁晶界中生成含有上述添加元素的析出物或含有鋁的固溶元素的金屬間化合物，其后，通過在接觸孔蝕刻工序后追加過量蝕刻時間，使添加元素的析出物或金屬間化合物的一部分分散于鋁合金層疊配線膜的表面，則可以將直接連接鋁合金層疊配線膜與透明導電膜時的接觸電阻抑制得很低。下面，對應用本發(fā)明的第二實施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)進行說明。圖14是概略性地表示應用于本發(fā)明的陣列基板中的第二實施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的放大平面說明圖，對于圖513相同的材料部分使用相同的符號。該例中，采用頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。如圖14所示，在玻璃基板la上，利用與所述圖5所示的相同的鋁合金層疊配線膜[由特定的鋁合金構(gòu)成的第一層(X)與由純鋁或特定的鋁合金構(gòu)成的第二層(Y)的層疊膜]形成掃描線，該掃描線的一部分作為控制薄膜晶體管的開^的柵電極26發(fā)揮作用。另外，夾隔有層間絕緣膜(SiOx)并與該掃描線交叉地用鋁合金層疊配線膜形成信號線，該信號線的一部分作為薄膜晶體管的源電極發(fā)揮作用。在層間絕緣膜(SiOx)上的像素區(qū)域，配置例如用在ln203中含有SnO的ITO膜或在ln203中含有ZnO的IZO膜形成的透明導電膜(像素電極)5，另外，由鋁合金層疊配線膜形成的薄膜晶體管的漏電極29作為與透明導電膜(像素電極)5電連接的連接電極部發(fā)揮作用。即，由鋁合金層疊配線膜形成的薄膜晶體管的漏電極29與透明導電膜(像素電極)5直接接觸而電連接。所以，與所述圖5的例子相同，當在TFT陣列基板中經(jīng)由掃描線對柵電極26供給柵電壓時，則薄膜晶體管就變?yōu)殚_狀態(tài)，將預先向信號線供給的驅(qū)動電壓從源電極28經(jīng)由漏電極29向透明導電膜(像素電極)5供給，當向透明導電膜(像素電極)5供給規(guī)定水平的驅(qū)動電壓時，即與所述圖l中所說明的相同，在與對置電極2之間產(chǎn)生電位差，液晶層3中所含的液晶分子取向而進行光變調(diào)。下面，對圖14所示的TFT陣列基板的制法進行說明。該第二實施例的陣列基板中所具備的薄膜晶體管是將多晶硅膜(poly—Si)設為半導體層的頂柵結(jié)構(gòu)，圖1521是概略性地表示第二實施例的TFT陣列基板的制造工序的圖。首先，在玻璃基板la上，例如利用等離子體CVD法等例如以300。C左右的基板溫度，形成膜厚50nm左右的氮化硅膜(SiNx)和膜厚100nm左右的氧化硅膜(SiOx)，繼而，形成膜厚例如為50nm左右的氫化無定形硅膜(a—Si:H)，為了將該氫化無定形硅膜(a—Si:H)多晶硅化，進行熱處理和激光退火。例如在470。C左右進行1小時左右熱處理，在進行了脫氫處理后，例如使用準分子激光退火裝置，例如在能量約為230mJ/cm2左右的條件下向氫化無定形硅膜(a—Si:H)照射激光，得到例如厚0.3um左右的多晶硅膜(poly—Si)(圖15)。其后，如圖16所示，利用等離子體蝕刻等對多晶硅膜(poly—Si)進行圖案處理，然后如圖17所示，例如以膜厚100nm左右形成氧化硅膜(SiOx)，制成柵絕緣膜27。在所得的柵絕緣膜27上，例如利用濺射等以膜厚200nm左右形成將會成為與掃描線一體的柵電極26的鋁合金層疊配線膜。該鋁合金層疊配線膜與所述圖6的例子相同，設成包括例如由純鋁薄膜構(gòu)成的第二層(Y)和形成于其上的顯示優(yōu)良的耐熱導電性的第一層(X)的層疊結(jié)構(gòu)。然后，通過利用等離子體蝕刻等方法對該層疊配線膜進行圖案處理，形成與掃描線一體的柵電極26。接下來，如圖18所示，利用光刻膠31形成掩模，例如利用離子注入裝置等，例如將磷以50keV左右摻雜1X1015個/cm2左右，在多晶硅膜(poly一Si)的一部分形成n+型多晶硅膜(n+poly—SO后，將光刻膠31剝離，例如通過在50(TC左右進行熱處理而將其擴散。接下來，如圖19所示，例如使用等離子體CVD裝置等，例如以膜厚500nm左右、基板溫度300。C左右形成氧化硅膜(SiOx)而形成了層間絕緣膜后，同樣地通過對光刻膠進行圖案處理，對層間絕緣膜(SiOx)與柵絕緣膜27的氧化硅膜進行干式蝕刻，形成接觸孔。此后，利用濺射與所述相同地以膜厚450nm左右形成了由例如以純鋁構(gòu)成的第二層(Y)和顯示出優(yōu)良的耐熱導電性的第一層(X)構(gòu)成的鋁合金層疊配線膜后，通19過進行圖案處理，形成與信號線一體的源電極28和漏電極29。其結(jié)果是，源電極28和漏電極29分別經(jīng)由接觸孔與n+型多晶硅膜(n+poly—Si)接觸。其后，如圖20所示，通過利用等離子體CVD裝置等例如以膜厚500nm左右、基板溫度30(TC左右形成氮化硅膜(SiNx)，而制成保護膜。此后，在其上形成光刻膠31后對氮化硅膜(SiNx)進行圖案處理，例如利用干式蝕刻在該氮化硅膜(SiNx)中形成接觸孔32后，在氮化硅的蝕刻所需的時間上再追加進行100%左右的過量蝕刻。該處理中，鋁合金層疊配線膜的表面也被蝕刻10nm左右。其后，如圖21所示，在經(jīng)過例如利用氧等離子體的拋光工序，而與所述相同地使用胺系剝離液等進行了光刻膠31的剝離處理后，例如利用濺射形成膜厚10(him左右的ITO膜或IZO膜。在形成ITO膜或IZO膜之時，在腔內(nèi)，利用濕式蝕刻進行圖案處理，形成透明導電膜(像素電極)5。該處理中，漏電極29成為與透明導電膜(像素電極)5直接接觸的狀態(tài)。其后，當為了使晶體管的特性穩(wěn)定，例如在35(TC左右退火1小時左右時，即完成第二實施例的多晶硅TFT陣列基板。如果利用上述的第二實施例的TFT陣列基板及具備該TFT陣列基板的液晶顯示裝置，則可以獲得與先前所說明的第一實施例同等的效果。而且，成為所述鋁合金層疊配線膜的第一層(X)的材料最好將以非平衡狀態(tài)固溶的合金成分的一部分或全部作為析出物、金屬間化合物或濃化層來形成。作為形成上述鋁合金層疊配線膜的方法，可以舉出蒸鍍法或濺射法等，而它們當中特別優(yōu)選的是濺射法。此后，在上述鋁合金層疊配線膜上形成絕緣膜，對該絕緣膜進行了接觸孔蝕刻后，接下來如果將鋁合金層疊配線膜從鋁合金表面與前述的專利文獻4相同地進行光蝕刻，使在該鋁合金層疊配線膜的第一層(X)中以非平衡狀態(tài)固溶的合金成分的一部分或全部的析出物或金屬間化合物在鋁合金層疊配線的表面分散析出，則由于可以進一步降低與形成于其上的透明導電膜的接觸電阻，因此優(yōu)選。使用如此得到的TFT陣列基板，完成如所述圖1所示那樣的作為平面顯示設備的液晶顯示裝置。艮P，在如上所述地完成的TFT陣列基板(圖5或圖14)的表面，例如涂布聚酰亞胺，干燥后進行摩擦處理，形成取向膜。另一方面，如所述圖l所示那樣的對置基板2而言，首先在玻璃基板上，例如通過將鉻以矩陣狀進行圖案處理而形成遮光膜9，在該遮光膜9的間隙，形成樹脂制的紅、藍、綠的濾色片8。通過在該遮光膜9與濾色片8上，作為共通電極7配置像ITO那樣的透明的導電膜，而形成對置電極2。此后，在該對置電極2的最上層例如涂布聚酰亞胺，干燥后進行摩擦處理，形成取向膜ll。此后，將陣列基板1與對置基板2的形成有取向膜11的面分別對置配置，利用樹脂制等密封材料16，除去液晶的封入口以外將兩片基板貼合。此時，在兩片基板之間，通過夾隔間隔件15等而將兩片基板間的間隙保持大致一定。將如此得到的空單元放置于真空中，通過在將封入口浸漬于液晶中的狀態(tài)下慢慢地恢復到大氣壓，而將含有液晶分子的液晶材料注入空單元，形成液晶層，將封入口密封。最后，在單元的外側(cè)的兩面貼附偏振板10而完成液晶面板。繼而如所述圖l所示那樣，將驅(qū)動液晶顯示裝置的驅(qū)動電路與液晶面板電連接，配置于液晶面板的側(cè)部或背面部。此后，當利用包含規(guī)定液晶面板的顯示面的開口的框架、形成面光源的背光燈22、導光板20和保持框架23將液晶面板保持時，即完成液晶顯示裝置。實施例1下面，對于由本發(fā)明賦予特征的陣列基板上的鋁合金層疊配線膜的具體的實施例而言，將由2層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的鋁合金層疊配線膜的電阻率、透明導電膜與鋁合金層疊配線膜之間的接觸電阻、耐熱性、精細加工性的測定結(jié)果表示于表l中。實驗條件如下所示。1)作為第二層(Y)使用純鋁，作為第一層(X)使用含有規(guī)定量的作為耐熱性優(yōu)良并且可以與透明導電膜直接電接觸的鋁合金的從所述元21素組Q或者元素Q'中選擇的至少一種元素，且含有規(guī)定量的從所述元素組R中選擇的至少一種元素的鋁合金，使用濺射法來制作由第一層(X)和第二層(Y)構(gòu)成的層疊膜，配線膜的厚度以層疊結(jié)構(gòu)整體計約為300nm的一定值。作為濺射裝置使用島津制作所制的商品名「HSM—552」，利用DC磁控濺射法(背壓0.27\10_￥&以下，八1"氣壓力0.273，八1"氣流量305(:(:111，濺射功率DC260W，極間距離50.4mm，基板溫度室溫)，在玻璃基板(Coming公司制的#1737，尺寸電阻率與耐熱性評價用為直徑50.8mmX厚0.7mm，接觸電阻率評價用為直徑101.6mmX厚0.7mm)上形成了由純鋁膜(厚約100nm)和鋁合金膜(厚約300nm)構(gòu)成的層疊配線膜。2)第一層(X)的合金成分如表l所示。3)電阻率的測定在制作各鋁合金層疊配線膜之后，利用光刻*濕式蝕刻制作電阻率測定用的圖案，利用直流四探針法測定了在成膜后以35(TC熱處理1小時后的電阻率。此外，將配線整體的電阻率超過4.5uQ'cm的評價為(X:不良)，將為4.5UQ'cm以下而超過4.0uQcm的評價為(〇良好)，將4.0uQ'cm以下的評價為(◎:優(yōu)良)。4)與透明導電膜(ITO)的接觸電阻的測定接觸電阻的測定是如下所示地制作如圖22(a)所示那樣的開爾文圖案而進行的。即，圖22(b)是圖22(a)的X—X線剖面圖，如該圖22(b)所示那樣，未使用玻璃基板，為了與基板實現(xiàn)絕緣，使用在表面形成了厚400nm的氧化膜(Si02氧化膜)的硅晶片41，利用濺射法以200nm左右形成由純鋁薄膜構(gòu)成的第二層42(Y)，繼而在其上部，利用濺射法以100nm左右形成表1的成分組成的第一層42(X)，將總膜厚設為300nm，其后進行圖案處理。之后，在利用CVD法形成了厚300nm的層間絕緣膜(SiNx)43后，原樣地在真空的成膜腔內(nèi)迸行1小時熱處理后取出。之后，利用光刻圖案處理出一邊為lOnm的正方形的接觸孔，使用Samco公司制RIE(ReactiveIonEtching)蝕刻裝置，通過用氟系等離子體進行蝕刻，形成了接觸孔44。此時，延長層間絕緣膜的蝕刻時間，以時間換算進行100%的過量蝕刻。該處理中鋁合金層疊配線膜的表層被去除了厚約10nm。之后，進行氧等離子體拋光、利用剝離液的光刻膠剝離。而且作為剝22離液使用東京應化公司制的「剝離液TOK106」，在7(TC清洗10分鐘。此時，形成于鋁合金層疊配線膜42的表層的氟化物或氧化物、碳等污染被去除(以厚度計算約為數(shù)nm)。此后，作為像素電極(透明導電膜)45,利用濺射形成了在氧化銦中添加了10質(zhì)量％的氧化錫的氧化銦錫(汀0)。具體來說，以Ar/O2=30/0.2sccm、氣壓2mTorr、濺射功率DC:150W進行成膜，利用濺射形成了電阻率為2X10—4Q*cm左右的電阻率的ITO膜。此后進行圖案處理，形成'了像素電極(ITO膜)45。然后，在接觸電阻的測定中，使用了四端子的手動探測器和半導體參數(shù)分析儀「HP4156A」(惠普公司制)。該測定中，在鋁合金層疊配線膜42的一個端子(圖22(a)的Il)與IT045的一個端子(圖22(a)的12)之間流過電流，測定其他端子間的電壓(圖22(a)的V3、V4)。此后，求出測定了電壓的2個端子間的電位差AV:(V3—V4)，根據(jù)R(接觸電阻)=AV/I2求出接觸電阻。根據(jù)該方法，可以測定去掉了配線電阻的影響的ITO膜/鋁合金層疊配線膜的接合部分的純粹的電阻率(接觸電阻)。另外，接觸電阻的評價是將200Q以下的評價為優(yōu)良)，將超過200Q而為500Q以下的評價為(〇良好)，將超過500Q的評價為(X:不良)。5)耐熱性試驗為了調(diào)查鋁合金層疊配線膜的耐熱性，在制作各鋁合金層疊配線膜后，利用光刻濕式蝕刻形成配線圖案，然后，在35(TC施加1小時的熱處理后，利用光學顯微鏡觀察了在配線膜表面產(chǎn)生的被稱作凸起的凸狀缺陷的個數(shù)。此外，將每11112的凸起的個數(shù)小于109的評價為(〇良好)，將在其以上的評價為(X:不良)6)另外，精細加工性是對使用氯系等離子體將鋁合金層疊配線膜進行干式蝕刻而以配線狀圖案處理了的材料(殘留有光刻膠的狀態(tài)的材料)，使用SEM觀察、評價上述鋁合金層疊配線的剖面形狀和蝕刻殘渣。具體來說，將如圖23所示在配線與配線之間的槽(不存在配線圖案的部位)中沒有作為配線材料的蝕刻殘渣的情況評價為(〇良好)，將如圖24所示存在呈粒狀顯現(xiàn)的蝕刻殘渣的情況評價為(X:不良)。此外，將電阻率、接觸電阻、耐熱性、精細加工性的全部都為的綜合評價為，將至少一項為O的綜合評價為O，將有一項以上的X的綜合評價為X。表1表示在作為第一層(X)構(gòu)成材料使用了A1—元素組Q或元素組Q，一0.35原子XLa合金時，元素組Q或元素組Q'的含量對電阻率、接觸電阻、耐熱性、精細加工性造成的影響。第一層(X)的膜厚設為100nm，在第二層(Y)中使用純鋁或表1所示的組成的鋁合金，層疊配線膜整體的厚度設為300nm的一定值。作為參考，模擬以往所用的配線結(jié)構(gòu)，對作為第一層形成了屏蔽金屬層(Mo)并且作為第二層形成了Al—2原子XNd的情況也進行了評價。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>35t如表1所示，如果元素組Q或元素組Q'的含有率小于O.l原子％，則與ITO的接觸電阻變高，不適于實用。另外，如果元素組Q或元素組Q'的含量超過6原子。％，則作為配線材料的電阻率變大，無法獲得本發(fā)明所希望的水平的電阻率。下面，表2、3表示在作為第一層(X)的A卜2原子XNi—元素組R合金中，元素組R的種類與含量對電阻率、接觸電阻、耐熱性、精細加工性造成的影響。第一層(X)的膜厚為100nm，第二層(Y)設為純鋁或表3所示的組成的鋁合金，層疊配線膜整體的厚度設為300nm的一定值。作為參考，模擬以往所用的配線結(jié)構(gòu)，對作為第一層形成了屏蔽金屬層(Mo)并且作為第二層形成了Al—2原子XNd的情況也進行了評價。從表2、表3可以清楚地看到，對于元素組R都顯示出類似的傾向，如果元素組R的含量小于O.l原子％，則耐熱性不充分，不適于實用。另外，如果元素組R的含量超過6原子X，則精細加工性差。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>表4、5、6表示在元素組Q或元素組Q'、元素組R的各種組合(各含量在如下方面是共同的，即，元素組Q或元素組Q':2原子％，元素組R:0.35原子％)中，第一層(X)與第二層(Y)的膜厚對作為層疊膜的電阻率、接觸電阻、耐熱性、精細加工性造成的影響。在任何的組成中，第一層(X)越厚，則耐熱性就越高，與ITO膜的接觸電阻顯示出穩(wěn)定化的傾向。另外，當減小第一層(X)的膜厚時，則配線的電阻率減少，而如果過薄，則會有耐熱性惡化的傾向。所以，雖然第一層(X)的膜厚不是本發(fā)明的必須的要件，然而為了更為可靠地發(fā)揮本發(fā)明的特征，最好調(diào)整為滿足第一層(X)的上述優(yōu)選膜厚。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>※k表示X10<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>上述給出了對元素組Q或元素組Q，、元素組R的種類或含有率、第一層(X)與第二層(Y)的膜厚比率等的實驗結(jié)果，然而在使用利用這些實驗確認的元素組Q或元素組Q'、元素組R的種類或含有率、第一層(X)的膜厚全都滿足優(yōu)選條件的鋁合金層疊配線膜試制了液晶顯示裝置后，可以確認，與以往的ITO—屏蔽金屬一鋁合金的組合及ITO—鋁合金單層膜的組合相比，制造材料利用率*顯示質(zhì)量都可以獲得同等程度以上的性能。而且，表4中的第一層(X)的組成為Al—2Ni—0.35La且第一層(X)的膜厚為10nm的例子的接觸電阻高于表4的其他的例子，這可以認為是因為所述過量蝕刻而形成第二層(純鋁膜)露出的狀態(tài)。由此根據(jù)本發(fā)明可以確認，通過特定元素組Q或元素組Q'、元素組R的種類或含有率(最好還有第一層(X)的膜厚)，就可以省略上部屏蔽金屬，可以在確保優(yōu)良的耐熱性的同時為低電阻率，可以穩(wěn)定地實現(xiàn)與ITO膜的電氣性直接接觸。實施例2下面，對于由本發(fā)明賦予特征的陣列基板上的鋁合金層疊配線膜的具體的實施例，將由2層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的鋁合金層疊配線膜的藥液耐受性(對堿溶液的腐蝕耐受性)的評價結(jié)果與電阻率、透明導電膜(ITO膜)與鋁合金層疊配線膜之間的接觸電阻及耐熱性一起表示于表7中。實驗條件如下所示。1)在第二層(Y)中使用純鋁，在第一層(X)中使用如下的鋁合金，是耐熱性優(yōu)良并且可以與透明導電膜直接電接觸的鋁合金，其含有規(guī)定量的選自所述元素組Q，中的至少一種元素，并且含有規(guī)定量的選自所述元素組R1中的至少一種元素，另外含有規(guī)定量的選自所述元素組R2中的至少一種元素，與所述實施例1相同地利用濺射法制作了由第一層(X)與第二層(Y)構(gòu)成的層疊膜。配線膜的厚度在層疊結(jié)構(gòu)整體中都設為約300nm的一定值。2)第一層(X)的合金成分如表7所示。3)藥液耐受性試驗(堿腐蝕試驗)本實施例中，模擬光刻膠剝離液的清洗工序，進行利用混合了胺系光刻膠和水的堿性水溶液的腐蝕實驗。33具體來說，準備將東京應化工業(yè)(株)制的胺系光刻膠剝離液「TOK106」水溶液調(diào)整為pH10的溶液(液溫25。C)，向其中浸漬預先在35(TC進行了30分鐘的熱處理的上述鋁合金與純鋁的層疊膜300秒。此后，調(diào)查在浸漬后的膜表面可以看到的凹坑狀的腐蝕(小孔腐蝕)痕的個數(shù)，評價了耐腐蝕性。具體來說，將膜表面每11112的小孔腐蝕數(shù)小于7Xl(f的評價為(◎:優(yōu)良)，將為7乂109個以上而小于30乂109個的評價為(〇良好)，將30乂109個以上的評價為(X:不良)。4)對電阻率、透明導電膜(ITO膜)與鋁合金層疊配線膜之間的接觸電阻及耐熱性與所述實施例1相同地評價。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>根據(jù)表7的結(jié)果可以確認，如果形成除了元素組R1以外還含有元素組R2的鋁合金配線膜，則不會使配線的電阻性或耐熱性劣化，并且可以在抑制ITO膜一鋁合金層疊配線膜之間的接觸電阻的同時(不會使界面?zhèn)鲗匦粤踊?，提高暴露于強堿溶液中的情況下的耐腐蝕性(藥液耐受性)。雖然參照特定的方式對本發(fā)明進行了詳細說明，然而可以不脫離本發(fā)明的精神和范圍地進行各種變更及修正，這對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。而且，本申請基于2006年9月15日申請的日本專利申請(日本特愿2006—251473)及2007年8月10日申請的日本專利申請(日本特愿2007一210218)，可將其整體利用引用來援引。另外，這里所引用的所有參照都是作為整體加入的。工業(yè)上的利用可能性根據(jù)本發(fā)明，通過作為配線膜結(jié)構(gòu)設為含有第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述第一層(X)由具有高耐熱性并且可以與透明導電膜直接接觸的鋁合金構(gòu)成，所述第二層(Y)由純鋁或電阻率小于前述的第一層(X)的鋁合金的鋁合金構(gòu)成，則可以在作為配線膜整體保持低電阻率的同時，確保高耐熱性和形狀特性，并且可以使鋁合金層疊配線膜與透明導電膜直接接觸。另外，由本發(fā)明賦予特征的層疊結(jié)構(gòu)的鋁合金配線膜由于是將同種的純鋁或鋁合金層疊了的結(jié)構(gòu)，因此在蝕刻速度方面沒有極端的差別，圖案形成很容易，因而在精細加工性方面也很優(yōu)良。另外，通過作為第一層(X)的構(gòu)成材料，含有特定的元素組R2的至少一種元素，就可以在顯示裝置的制造過程中抑制鋁合金配線膜的腐蝕而制造顯示質(zhì)量良好的顯示裝置。權(quán)利要求1.一種顯示裝置，其為在玻璃基板上配置有將透明導電膜與薄膜晶體管電連接的鋁合金配線膜的顯示裝置，該鋁合金配線膜具有包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，其中，第一層(X)與透明導電膜直接接觸，所述第一層(X)由鋁合金構(gòu)成，所述鋁合金含有0.1～6原子％的選自由Ni、Ag、Zn、Cu構(gòu)成的元素組Q中的至少一種元素，并且含有0.1～6原子％的選自由稀土類元素、Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R中的至少一種元素，所述第二層(Y)由純鋁構(gòu)成；或者由以鋁為主成分且電阻率低于所述第一層(X)的鋁合金構(gòu)成。2.—種顯示裝置，其中在玻璃基板上配置有將透明導電膜與薄膜晶體管電連接的鋁合金配線膜，該鋁合金配線膜具有包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，所述第一層(X)由鋁合金構(gòu)成，所述鋁合金含有0.16原子％的選自由Ni、Ag、Zn、Cu、Co構(gòu)成的元素組Q，中的至少一種元素，并且含有0.16原子％的選自由稀土類元素、Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R中的至少一種元素，所述第二層(Y)由純鋁構(gòu)成，或者由以鋁為主成分且電阻率低于所述第一層(X)的鋁合金構(gòu)成，第一層(X)與透明導電膜直接接觸。3.—種顯示裝置，其中在玻璃基板上配置有將透明導電膜與薄膜晶體管電連接的鋁合金配線膜，該鋁合金配線膜具有包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，所述第一層(X)由鋁合金構(gòu)成，所述鋁合金含有0.16原子％的選自由Ni、Ag、Zn、Cu、Co構(gòu)成的元素組Q，中的至少一種元素，并且含有選自稀土類元素組Rl中的至少一種元素和選自由Mg、Mn、V、Pt、Cr、Ru、Rh、Pd、Ir、W、Ti、Zr、Nb、Hf、Ta、Sn、Fe構(gòu)成的元素組R2中的至少一種元素，Rl與R2的總計含有量為0.16原子％，所述第二層(Y)由純鋁構(gòu)成，或者由以鋁為主成分且電阻率低于所述第一層(X)的鋁合金構(gòu)成，第一層(X)與透明導電膜直接接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述稀土類元素組R1由La、Gd、Y、Nd及Dy構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述元素組R2由Cr、Ti、Zr、Nb及Ta構(gòu)成。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述元素組R2由Cr、Ti、Zr、Nb及Ta構(gòu)成。7.根據(jù)權(quán)利要求16中任意一項所述的顯示裝置，其中，所述第一層(X)的膜厚為20nm以上。8.根據(jù)權(quán)利要求16中任意一項所述的顯示裝置，其中，所述鋁合金配線膜中，包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊配線整體的電阻率為4.5UQcm以下。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述鋁合金配線膜中，包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊配線整體的電阻率為4.5uQ*cm以下。全文摘要本發(fā)明提供一種顯示裝置，其是在玻璃基板上配置了將透明導電膜與薄膜晶體管電連接的鋁合金配線膜的顯示裝置，該鋁合金配線膜具有包含第一層(X)和第二層(Y)的層疊結(jié)構(gòu)，所述第一層(X)由含有特定量的Ni、Ag等選自特定的元素組Q中的一種以上的元素、稀土類元素或Mg等選自特定的元素組R中的一種以上的元素的鋁合金構(gòu)成，所述第二層(Y)由電阻率低于該第一層(X)的鋁合金構(gòu)成，第一層(X)與透明導電膜直接接觸。文檔編號H01L21/768GK101512622SQ20078003345公開日2009年8月19日申請日期2007年9月13日優(yōu)先權(quán)日2006年9月15日發(fā)明者中井淳一,后藤裕史,奧野博行,日野綾申請人:株式會社神戶制鋼所