專利名稱：串聯(lián)用電式信號處理電路及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種信號處理電路，特別是涉及一種具有多芯片，且芯片采 取串聯(lián)用電的信號處理電路，及其應(yīng)用的電子裝置。
背景技術(shù)：
近代利用半導(dǎo)體工藝技術(shù)，將電子系統(tǒng)整合為集成電路，制作封裝成 單一芯片，直接裝配于電路基板上，降低了后端產(chǎn)品電路設(shè)計的復(fù)雜度。各 種集成電路芯片均具有獨特的用途、功能與電氣特性，使用者必須按照芯 片規(guī)格來設(shè)計應(yīng)用電路，才能夠驅(qū)動其正常動作。
集成電路芯片利用接腳來連接內(nèi)部硬體電路與周邊電路，其中，高電
位端子(芯片的高電源輸入端接腳， 一般標(biāo)示為vcc)與低電位端子(芯片
的低電源輸入端接腳或接地端接腳， 一般標(biāo)示為VEE與GND )是用來連接外 部電路基板的電源網(wǎng)絡(luò)，以取得電力推動內(nèi)部有源電路運作。
請參閱圖1，該圖為一現(xiàn)有的信號處理電路的電路示意圖。圖1中，信 號處理電路10規(guī)劃有電源供應(yīng)端Vccl及接地端GND網(wǎng)絡(luò)，分別提供工作 電壓與接地電壓。信號處理電路10使用芯片11、 12來接收從傳輸端口 P10 輸入的信號作放大處理，再經(jīng)由傳輸端口 P12輸出信號。芯片11、 12具有 四支接腳1、 2、 3、 4，分別為高電位端子、低電位端子、信號輸入端子，及 信號輸出端子。
當(dāng)電源供應(yīng)端Vccl的電壓值正好符合芯片11、 12規(guī)格所要求的電源 電壓值時，如圖所示，直接將芯片11、 12個別的高電位端子(接腳l)與 低電位端子(接腳2 )連接于電源供應(yīng)端Vccl與接地端GND。
倘若電源電壓值超出芯片電性規(guī)格時，則須降低電源電壓，以符合其 規(guī)格要求。請參閱圖2，該圖為另一現(xiàn)有的信號處理電路的電路示意圖。此 圖中，信號處理電路20同樣利用芯片11、 12來處理傳輸端口 P20所輸入 的信號，再經(jīng)由傳輸端口 P22輸出信號。然而信號處理電路20的電源供應(yīng) 端Vcc2電壓值超出芯片11、 12的電源規(guī)格，因此必須降低電源供應(yīng)端Vcc2 的電壓值，才能夠輸入芯片11、 12。圖2中，將穩(wěn)壓芯片21耦接于電源供 應(yīng)端Vcc2與芯片11、 12之間，提供穩(wěn)定電壓降，控制節(jié)點N21的電壓值 符合芯片11、 12的規(guī)格要求。
圖2的電路結(jié)構(gòu)為目前業(yè)界廣泛采取的設(shè)計方式，其中的穩(wěn)壓芯片雖 然能夠降低電壓，卻將同時造成相當(dāng)大的功率損耗。舉例來說，假設(shè)圖1中，電源供應(yīng)端Vccl的電壓值為6伏特，而芯片11、 12的電源規(guī)沖各電壓
值也同樣為6伏特，而工作電流為100毫安培，則信號處理電路10的消耗 功率約為1.2瓦。另一方面，假設(shè)圖2中，電源供應(yīng)端Vcc2的電壓值為12 伏特，使用穩(wěn)壓芯片21將電壓值從12伏特降低為6伏特后，再輸入芯片 11、 12，則信號處理電路20的整體功耗將高達(dá)2. 4瓦。其中，穩(wěn)壓芯片21 消耗了一半的功率來降低電壓值，而這些能量均轉(zhuǎn)變成熱能散逸。由此可 見，這種電路結(jié)構(gòu)不但無形中提高了用電費用，更造成嚴(yán)重的能源浪費。
時下各界均嚴(yán)格要求降低電子裝置的用電量，以符合節(jié)約能源與減緩 溫室效應(yīng)等環(huán)保需求。由此可見，上述現(xiàn)有的信號處理電路及電子裝置在 結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了 解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以 來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解 決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新 型的串聯(lián)用電式信號處理電路及電子裝置，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦 成為當(dāng)前業(yè)界極需改進的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的信號處理電路及電子裝置存在的缺陷，本發(fā)明人基 于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的 運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的串聯(lián)用電式信號處理電3各 及電子裝置，能夠改進一般現(xiàn)有的信號處理電路及電子裝置使用穩(wěn)壓芯片 降低電源電壓致使用電量過大的缺失，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研 究、設(shè)計，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā) 明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的信號處理電路存在的缺陷，而提供一 種新型的串聯(lián)用電式信號處理電路，所要解決的技術(shù)問題是使其可降低用 電量，并維持芯片正常運作，確保信號的處理品質(zhì)，從而更加適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的電子裝置存在的缺陷，而提供一 種新型的電子裝置，所要解決的技術(shù)問題是使其可降低用電量，并維持芯 片正常運作，確保信號的處理品質(zhì)，從而更加適于實用。
到上述目的，、依據(jù)本;明的串聯(lián);電式:號^理電路,、包括，一電源供應(yīng) 端； 一接地端； 一第一芯片，具有個別的一高電位端子及一低電位端子，該 第一芯片的高電位端子耦接于該電源供應(yīng)端； 一第二芯片，具有個別的一高 電位端子及一低電位端子，該第二芯片的低電位端子耦接于該接地端；及一 穩(wěn)壓電路，耦接于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間，以穩(wěn)定該第 一 芯片及該第二芯片的電壓值及電流值。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該穩(wěn)壓電路包括有 一穩(wěn)壓器設(shè) 置于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間，以穩(wěn)定該 第一芯片與該第二芯片的電壓值。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該穩(wěn)壓器為一稽納二極管。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該穩(wěn)壓電路包括有 一緩沖器設(shè) 置于該第 一 芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間，以穩(wěn)定該 第 一 芯片及該第二芯片的電壓值及電流值。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該緩沖器包括有一二極管及一
NPN型晶體管，該NPN型晶體管的集極端耦接于該二極管的陽極端與該第一 芯片的低電位端子，該NPN型晶體管的基極端耦接于該二極管的陰極端， 該NPN型晶體管的射極端耦接于該第二芯片的高電位端子。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該穩(wěn)壓電路還包括一穩(wěn)壓器耦 接于該NPN型晶體管的基極端。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該穩(wěn)壓器為一稽納二極管，該 稽納二極管的陰極端耦接于該NPN型晶體管的基極端，該稽納二極管的陽 才及端 一禹纟妻于該4妾i也端。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該穩(wěn)壓電路包括一分壓電^4禺 接于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該分壓電路包括多個相互并聯(lián) 的電阻。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該穩(wěn)壓電路包括至少一去耦合 電容設(shè)置于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該穩(wěn)壓電路包括至少一電感設(shè) 置于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間。
前述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其中該信號處理器芯片為一射頻功 率放大器。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。為達(dá) 到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種電子裝置，其具有一串聯(lián)用電式信號處理 電路，該串聯(lián)用電式信號處理電路包括 一電源供應(yīng)端； 一接地端； 一第 一芯片，具有個別的一高電位端子及一低電位端子，該第一芯片的高電位 端子耦接于該電源供應(yīng)端；一第二芯片，具有個別的一高電位端子及一低電 位端子，該第二芯片的低電位端子耦接于該接地端；及一穩(wěn)壓電路，耦接于 該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間，以穩(wěn)定該第一 芯片及該第二芯片的電壓值及電流值。
前述的電子裝置，其中該電子裝置為一光接收器。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方 案，本發(fā)明串聯(lián)用電式信號處理電路及電子裝置至少具有下列優(yōu)點及有益
效果
本發(fā)明的串聯(lián)用電式信號處理電路及其應(yīng)用的電子裝置，其適用于電 源電壓值超出芯片規(guī)格的情形，借由將第一芯片與第二芯片的高、低電位 端子相互串聯(lián)于電源供應(yīng)端與接地端之間，以串聯(lián)方式用電，另使用穩(wěn)壓 電路來穩(wěn)定這些芯片的電壓值與電流值，可降低用電量，并維持芯片正常 運作，確保信號的處理品質(zhì)。相較于現(xiàn)有采用穩(wěn)壓芯片來降低電源電壓的 方式，大幅減少了用電量，進而降低用電費用與能源浪費，符合時下節(jié)約 能源的環(huán)保要求。另外，本案也維持電力穩(wěn)定，驅(qū)動芯片正常運作，確保 信號處理品質(zhì)。
綜上所述，本發(fā)明的串聯(lián)用電式信號處理電路，包括有一第一芯片、一 第二芯片及一穩(wěn)壓電路。第 一芯片及第二芯片具有個別的高電位端子及低 電位端子，其中第一芯片的高電位端子耦接于電源供應(yīng)端，第二芯片的低 電位端子耦接于接地端，而穩(wěn)壓電路則是耦接于第一芯片的低電位端子與 第二芯片的高電位端子之間，以穩(wěn)定第一芯片與第二芯片的電壓值與電流 值。本發(fā)明的電子裝置具有前述的串聯(lián)用電式信號處理電路。本發(fā)明的串 聯(lián)用電式信號處理電路及其應(yīng)用的電子裝置，可降低用電量，并維持芯片 正常運作，確保信號的處理品質(zhì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，i羊細(xì)il明如下。


圖1為一現(xiàn)有的信號處理電路的電路示意圖2為另一現(xiàn)有的信號處理電路的電路示意圖3為本發(fā)明所揭示的串聯(lián)用電式信號處理電路的系統(tǒng)架構(gòu)示意及
圖4為本發(fā)明所揭示的串聯(lián)用電式信號處理電路的一具體實施例的電路圖。
圖式符號說明
10、 20、 30:
11、 12: 21:
信號處理電路 心
穩(wěn)壓芯片300: 31: 32:
PIO、 P12、 P20、 P22 Cl、 C2: Ll、 L2: Dl: ZD1:
Ql:
Rl、 R2、 R3: Vccl、 Vcc2、 Vcc3: GND:
N21、 N31、 N32: 1、 2、 3、 4:
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的串聯(lián)用電式信號處理 電路及電子裝置其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
本發(fā)明的串聯(lián)用電式信號處理電路及其應(yīng)用的電子裝置，是針對電源 電壓值超出芯片電源規(guī)格的情形，所提出的技術(shù)方案。
一般電子裝置內(nèi)部電路常會采用特定的集成電路芯片，來達(dá)成多樣化 的信號處理機能。電子裝置的電源電壓值超出芯片電源規(guī)格電壓值時，便 須通過電路設(shè)計以提供芯片所需的電源電壓值。舉例來說，電源電壓值為 12伏特的電子裝置，而內(nèi)部采用電源規(guī)格為6伏特的芯片，此時便須控制 輸入芯片的電壓值符合6伏特的電性規(guī)格。本案提出將二芯片的電源接腳 串聯(lián)耦接于電源供應(yīng)端與接地端之間，以串聯(lián)方式用電，并利用穩(wěn)壓電路 來穩(wěn)定這些芯片的電壓值與電流值，確保芯片正常運作。
特別說明的是，由于數(shù)字芯片的電源電壓值涉及位元值的參考位準(zhǔn)，因 此本案并不適用于數(shù)字芯片，而適用于模擬芯片，例如射頻功率放大器 等類型的集成電路芯片。舉例來說，應(yīng)用于采取光纖到戶(Fiber to the home, FTTH)服務(wù)型態(tài)的有線電視系統(tǒng)用戶端的光接收器，在將光信號轉(zhuǎn) 換為射頻信號之后，經(jīng)由數(shù)級射頻功率放大器芯片來放大信號功率。當(dāng)光
連接于光接收器電路基板的電源網(wǎng)絡(luò)取得電力。然而，當(dāng)光接收器的電源 電壓值超出芯片規(guī)格，例如光接收器的電源電壓值為12伏特，而放大器
8
穩(wěn)壓電路
第一芯片
第二芯片
、P30、 P31、 P32、 P33:傳!t端口 電容 電感 二極管 穩(wěn)壓二極管 晶體管 電阻
電源供應(yīng)端 接地端 節(jié)點 接腳芯片的電源規(guī)格為6伏特時，倘若按照現(xiàn)有利用穩(wěn)壓芯片來對12伏特電源
產(chǎn)生6伏特的電壓降，將會額外造成高功耗。反之，倘若采取本案技術(shù)，串 接二芯片的電源接腳，以串聯(lián)型態(tài)共同分享12伏特電力，便能夠改善現(xiàn)有
用電量過大的缺點。
首先，請參閱圖3，該圖為本發(fā)明所揭示的串聯(lián)用電式信號處理電路的 系統(tǒng)架構(gòu)示意圖。此圖的信號處理電路30是設(shè)置于一電子裝置(例如，前 述的光接收器)內(nèi)部。信號處理電路30具有一電源供應(yīng)端Vcc3及一接地 端GND,分別用來提供工作電壓與接地電壓。同時，信號處理電路30具有 一第一芯片31與一第二芯片32，其分別具有四支接腳1、 2、 3、 4，分別 為高電位端子(芯片的高電源輸入端接腳， 一般標(biāo)示為VCC)、低電位端子 (芯片的低電源輸入端接腳或接地端接腳， 一般標(biāo)示為VEE與GND)、信號輸 入端子，以及信號輸出端子。其中，高、低電位端子(接腳l、 2)輸入電源 電力推動內(nèi)部有源電路，對從信號輸入端子(接腳3)所輸入的信號作處理 后，從信號輸出端子(接腳4)輸出。
圖3中，第一芯片31與第二芯片32的高電位端子與信號輸出端子分 別設(shè)于不同接腳，然而時下的放大器芯片中，有高電位端子與信號輸出端 子設(shè)于同 一支接腳的類型。圖例以高電位端子與信號輸出端子分布于不同 接腳的芯片類型來闡述本案的技術(shù)特征，然其并非用以限制本發(fā)明的范圍。
此處的電源供應(yīng)端Vcc3的電壓值，接近或超出第一芯片31與第二芯 片32的規(guī)格電源電壓值的總和；而第一芯片31與第二芯片32為模擬芯片 (例如射頻功率放大器)，分別設(shè)于傳輸端口 P30、 P31之間，以及傳輸端 口 P32、 P33之間處理信號。圖3顯示信號處理電路30的簡明架構(gòu)，用以闡 述本發(fā)明，其中第一芯片31、第二芯片32可屬于不同信號傳輸路徑，或為 同一信號傳輸路徑的前后級芯片。
圖3中，第一芯片31的高電位端子(接腳l)耦接于電源供應(yīng)端Vcc3, 而第二芯片32的低電位端子(接腳2)耦接于接地端GND。穩(wěn)壓電路300 則耦接于第一芯片31的低電位端子(接腳2)與第二芯片32的高電位端子 (接腳l)之間，用來控制節(jié)點N31、 N32的電壓值及電流值，從而達(dá)到穩(wěn)定 第一芯片31與第二芯片32的工作電壓與電流，維持電源電性符合規(guī)格要 求，推動內(nèi)部硬體電路正常運作，以確保信號處理品質(zhì)。
接著，請參閱圖4,該圖為本發(fā)明所揭示的串聯(lián)用電式信號處理電路的 一具體實施例的電路圖，藉以進一步說明穩(wěn)壓電路300的電路結(jié)構(gòu)及其達(dá) 成的機能。如圖4所示，第一芯片31的高電位端子(接腳l)通過一電感 Ll耦接于電源供應(yīng)端Vcc3，其低電位端子(接腳2 )耦接于穩(wěn)壓電路300。
穩(wěn)壓電路300主要是由一穩(wěn)壓器、 一緩沖電路與一分壓電路共同組成。 其中，節(jié)點N31耦接于二極管D1， NPN型雙載子晶體管Ql的集極端耦接于
9二極管Dl的陽極端，而基極端則同時耦接于二極管Dl的陰極端與一陽極
端接地的稽納二極管(Zener) ZD1?；{二極管ZD1作為穩(wěn)壓器，用來穩(wěn) 定直流電壓。晶體管Ql則構(gòu)成緩沖電路，二極管Dl提供晶體管Ql直流偏 壓，并藉稽納二極管ZD1來穩(wěn)定電壓值，使得射極端電壓保持穩(wěn)定，驅(qū)動 后級第二芯片32電路。此外，晶體管Ql中，VCE偏壓為0. 7V,使得晶體 管Ql的工作區(qū)域接近飽和區(qū)。此時，即使基極端電流增加也不會造成集扨^ 端電流隨之變化，故可抑制第一芯片31工作電流對后級造成影響。
另外，電阻R1、 R2、 R3耦接于晶體管Ql射極端，共同組成分壓電路，以 進一步控制節(jié)點N32的電壓值。節(jié)點N31所耦接的電容C1、 C2是作為去耦 合電容，以吸收突波、降低雜訊與穩(wěn)定電壓。第一芯片31與第二芯片32 的高電位端子(接腳1 )分別耦接一電感Ll、 L2，用以隔絕高頻雜訊輸入。
假設(shè)電源供應(yīng)端Vcc3的電壓值為12伏特，第一芯片31、第二芯片32 的電源規(guī)格電壓值為6伏特，工作電流為100毫安培。倘若按照現(xiàn)有技術(shù)， 利用穩(wěn)壓芯片來提供6伏特的電壓降，則功率損耗將高達(dá)2.4瓦。根據(jù)圖4 的電路結(jié)構(gòu)，第一芯片31、第二芯片32的功耗分別為0.6瓦，而穩(wěn)壓電3各 300的功耗約為0. 3瓦，信號處理電路30的整體功耗約為1. 5瓦，較現(xiàn)有 技術(shù)減少了 0. 9瓦的功耗。由此可見，本發(fā)明實為一節(jié)能方案。
附帶一提的是，二極管Dl、稽納二極管ZD1與晶體管Ql所組成的電路 結(jié)構(gòu)可控制節(jié)點N31的電壓值，維持第一芯片31的接腳1、 4間的電壓差 為工作電壓，輸出固定電壓，并抑制第一芯片31的工作電流影響后端第二 芯片32電路。圖4的圖例用以進一步闡述穩(wěn)壓電路所預(yù)期達(dá)成的機能，熟 習(xí)此領(lǐng)域人士當(dāng)可替換其中元件、變換元件耦接次序，改以其他電路結(jié)構(gòu) 來實施。此實施例僅為一電路范例，然其并非用以限制本案的范圍。
基于本案所提出的概念，可配合電子裝置與芯片的實際電源電壓值，串 接兩枚以上的芯片于同 一 電源供應(yīng)端與接地端之間用電，并使用穩(wěn)壓電路 耦接在兩枚芯片電源接腳之間，來穩(wěn)定芯片的電壓值與電流值。
借由以上實例詳述，當(dāng)可知悉本發(fā)明的串聯(lián)用電式信號處理電路及其 應(yīng)用的電子裝置，適用于電源電壓值超出芯片規(guī)格的情形，將芯片的高、低 電位端子相互串聯(lián)耦接于電源供應(yīng)端與接地端之間，以串聯(lián)方式用電，并 運用穩(wěn)壓電路來穩(wěn)定這些芯片的電壓值與電流值。如此一來，相較于現(xiàn)有 采用穩(wěn)壓芯片來降低電源電壓的方式，大幅減少了用電量，進而降低用電 費用與能源浪費，符合時下環(huán)保要求。同時，也維持穩(wěn)定電力驅(qū)動芯片正 常運作，確保信號處理品質(zhì)。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所 作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于包括一電源供應(yīng)端；一接地端；一第一芯片，具有個別的一高電位端子及一低電位端子，該第一芯片的高電位端子耦接于該電源供應(yīng)端；一第二芯片，具有個別的一高電位端子及一低電位端子，該第二芯片的低電位端子耦接于該接地端；及一穩(wěn)壓電路，耦接于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間，以穩(wěn)定該第一芯片及該第二芯片的電壓值及電流值。
2、 如權(quán)利要求1所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該穩(wěn)壓 電路包括有一穩(wěn)壓器設(shè)置于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電 位端子之間，以穩(wěn)定該第 一芯片與該第二芯片的電壓值。
3、 如權(quán)利要求2所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該穩(wěn)壓 器為一稽納二極管。
4、 如權(quán)利要求1所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該穩(wěn)壓 電路包括有一緩沖器設(shè)置于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電 位端子之間，以穩(wěn)定該第一芯片及該第二芯片的電壓值及電流值。
5、 如權(quán)利要求4所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該緩沖 器包括有一二極管及一 NPN型晶體管，該NPN型晶體管的集極端耦接于該 二極管的陽極端與該第一芯片的低電位端子，該NPN型晶體管的基極端耦 接于該二極管的陰極端，該NPN型晶體管的射極端耦接于該第二芯片的高 電位端子。
6、 如權(quán)利要求5所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該穩(wěn)壓 電路還包括一穩(wěn)壓器耦接于該NPN型晶體管的基極端。
7、 如權(quán)利要求6所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該穩(wěn)壓 器為一稽納二極管，該稽納二極管的陰極端耦接于該NPN型晶體管的基極 端，該稽納二極管的陽極端耦接于該接地端。
8、 如權(quán)利要求1所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該穩(wěn)壓 電路包括一分壓電路耦接于該第 一 芯片的低電位端子與該第二芯片的高電 位端子之間。
9、 如權(quán)利要求8所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該分壓 電路包括多個相互并聯(lián)的電阻。
10、 如權(quán)利要求1所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該穩(wěn) 壓電路包括至少一去耦合電容設(shè)置于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高電位端子之間。
11、 如權(quán)利要求1所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該穩(wěn) 壓電路包括至少一電感設(shè)置于該第一芯片的低電位端子與該第二芯片的高 電位端子之間。
12、 如權(quán)利要求1所述的串聯(lián)用電式信號處理電路，其特征在于該信 號處理器芯片為一射頻功率放大器。
13、 一種電子裝置，其特征在于具有如權(quán)利要求1所述的串聯(lián)用電式 信號處理電路。
14、 如權(quán)利要求13所述的電子裝置，其特征在于該電子裝置為一光接 收器。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種串聯(lián)用電式信號處理電路及電子裝置。該串聯(lián)用電式信號處理電路，包括有一第一芯片、一第二芯片及一穩(wěn)壓電路。第一芯片及第二芯片具有個別的高電位端子及低電位端子，其中第一芯片的高電位端子耦接于電源供應(yīng)端，第二芯片的低電位端子耦接于接地端，而穩(wěn)壓電路則是耦接于第一芯片的低電位端子與第二芯片的高電位端子之間，以穩(wěn)定第一芯片與第二芯片的電壓值與電流值。該電子裝置具有前述的串聯(lián)用電式信號處理電路。所述的串聯(lián)用電式信號處理電路及其應(yīng)用的電子裝置，可降低用電量，并維持芯片正常運作，確保信號的處理品質(zhì)。
文檔編號H01L25/00GK101521191SQ20081000638
公開日2009年9月2日 申請日期2008年2月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月29日
發(fā)明者張國勇 申請人:寧波環(huán)球廣電科技有限公司