專(zhuān)利名稱(chēng)：晶體管的制造方法
晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造方法，尤其涉及可以降低結(jié)寄生電容和漏電電流 的晶體管制造方法。
背景技術(shù)：
晶體管，尤其是"金屬-半導(dǎo)體-氧化物"場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，是集成 電路中最常見(jiàn)的元件之一。結(jié)寄生電容和漏電電流是衡量晶體管性能的重要指 標(biāo)。結(jié)寄生電容和漏電電流越低意味著晶體管對(duì)電流的控制能力越強(qiáng)。
采用雙注入技術(shù)制作晶體管的源極和漏極是現(xiàn)有技術(shù)中一種常見(jiàn)的方法。 美國(guó)專(zhuān)利US4498224揭露了一種采用雙注入工藝制作MOSFET源極和漏極的 方法。第一步，將摻雜離子，例如砷或者磷，注入到MOSFET的源極和漏極 摻雜區(qū)域，在MOSFET的源極和漏極形成N型摻雜；第二步，采用重離子， 例如硅，轟擊源極和漏極，將源極和漏極的單晶硅轟擊成無(wú)定形態(tài)的硅；第三 步，對(duì)雙注入的區(qū)域進(jìn)行退火，使注入的摻雜離子得到充分的擴(kuò)散，并將無(wú)定 形態(tài)的硅恢復(fù)成單晶硅。由于注入的離子將單晶態(tài)的硅轟擊成無(wú)定形態(tài)的硅， 注入的摻雜離子得到了充分的擴(kuò)散，有利于改善MOSFET的電學(xué)性質(zhì)。
現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)在于，雖然可以使摻雜離子得到充分的擴(kuò)散，但是由于高 速離子轟擊襯底，在襯底中產(chǎn)生了大量的空位缺陷?？瘴蝗毕輹?huì)使源漏摻雜區(qū) 域同襯底之間的PN結(jié)變陡，造成晶體管結(jié)寄生電容和漏電電流的增加，這是 在晶體管制造的過(guò)程中不希望看到的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種可以降低晶體管結(jié)寄生電容和漏 電電流，并且可以使摻雜離子得到充分?jǐn)U散的晶體管制造方法。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種晶體管的制造方法，包括如下步驟:提供具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底表面制作阻擋層，界定源 極和漏極區(qū)域；采用第一組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入半導(dǎo)體 襯底中的源極和漏極區(qū)域，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的源極和漏 極區(qū)域；采用第二組注入能量和注入劑量參數(shù)，將轟擊離子注入半導(dǎo)體襯底中 的源極和漏極區(qū)域；采用第三組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入半 導(dǎo)體襯底的源極和漏極區(qū)域，所述第三組注入能量參數(shù)值小于第一組的注入能 量參數(shù)值。
作為較佳的技術(shù)方案，還包括如下步驟采用第四組注入能量和注入劑量 參數(shù)，將摻雜離子注入柵堆疊結(jié)構(gòu)的多晶硅層、源極和漏極區(qū)域，所述第四組 注入能量參數(shù)值小于第三組的注入能量參數(shù)值。
作為較佳的技術(shù)方案，所述第三組注入劑量參數(shù)值大于第一組的注入劑量 參數(shù)值。所述第四組注入劑量參數(shù)值大于第三組的注入劑量參數(shù)值。
作為較佳的技術(shù)方案，所述轟擊離子的原子序數(shù)大于摻雜離子。所述轟擊 離子同摻雜離子具有相同的導(dǎo)電類(lèi)型。
作為較佳的技術(shù)方案，所述半導(dǎo)體襯底為單晶硅襯底。所述第一導(dǎo)電類(lèi)型 為P型，第二導(dǎo)電類(lèi)型為N型。所述摻雜離子為磷離子。所述第一組參數(shù)的 注入能量值為40keV 10keV,注入劑量值為1 X 1013cm'2 l X 10"cm'2。所述 第三組參數(shù)的注入能量值為20keV 3keV，注入劑量值為3X10"cm'2 2X10"cm'2。所述第四組參數(shù)的注入能量值為5keV lkeV，注入劑量值為 lX1015cm—2 3X1015cm'2。所述轟擊離子為砷離子。所述第二組參數(shù)的注入能 量值為10keV 40keV，注入劑量值為1.5 X 1015cm'2 6X 1015cm-2。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，在保證摻雜離子得到充分?jǐn)U散的情況下，可以降低晶 體管結(jié)寄生電容和漏電電流，并且可以改善半導(dǎo)體襯底同后續(xù)金屬層之間的歐 姆接觸性質(zhì)。


附圖1為本發(fā)明所提供的晶體管的制造方法具體實(shí)施方式
的工藝流程圖； 附圖2至附圖7為本發(fā)明所提供的晶體管的制造方法具體實(shí)施方式
的實(shí)施步驟示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所提供的晶體管的制造方法做詳細(xì)的說(shuō)明。
附圖1為本發(fā)明所提供的晶體管的制造方法具體實(shí)施方式
的工藝流程圖。
在本具體實(shí)施方式
中，所述之晶體管為MOSFET。步驟SIO，提供具有第一導(dǎo) 電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底；步驟Sll，在半導(dǎo)體襯底表面制作阻擋層，界定源極和 漏極區(qū)域；步驟S12，采用第一組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入 半導(dǎo)體襯底中的源極和漏極區(qū)域，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的源 極和漏極區(qū)域；步驟S13，采用第二組注入能量和注入劑量參數(shù)，將轟擊離子 注入半導(dǎo)體襯底中的源極和漏極區(qū)域；步驟S14，采用第三組注入能量和注入 劑量參數(shù)，將摻雜離子注入半導(dǎo)體襯底的源極和漏極區(qū)域，所述第三組注入能 量參數(shù)值小于第一組的注入能量參數(shù)值；步驟S15，對(duì)半導(dǎo)體襯底做退火處理。
以下將參照附圖2至附圖7進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。附圖2至 附圖7為本發(fā)明所提供的晶體管的制造方法具體實(shí)施方式
的實(shí)施步驟示意圖。
附圖2所示，參考步驟SIO，提供具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底100。 在本具體實(shí)施方式
中，所述半導(dǎo)體襯底100為單晶硅襯底，所述第一導(dǎo)電類(lèi)型 為P型，即空穴導(dǎo)電類(lèi)型。如圖所示，在P型半導(dǎo)體襯底100的表面上已經(jīng)制 作了柵堆疊結(jié)構(gòu)101，所述柵堆疊結(jié)構(gòu)包括位于表面的多晶硅層101'。在實(shí)際 應(yīng)用中，所述半導(dǎo)體襯底100可以是半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的各種襯底，包 括多晶結(jié)構(gòu)的硅襯底、N型的硅襯底、絕緣體上硅(SOI)襯底等。
附圖3所示，參考步驟Sll，在半導(dǎo)體襯底100表面制作阻擋層102，界 定源極和漏極區(qū)域。阻擋層102將位于柵堆疊結(jié)構(gòu)101兩側(cè)需要注入的區(qū)域暴 露出來(lái)，暴露的區(qū)域即為晶體管的源極和漏極區(qū)域。柵堆疊結(jié)構(gòu)101在此也起 到阻擋注入的作用。在半導(dǎo)體襯底100表面不需要進(jìn)行離子注入的位置制作阻 擋層102，可以在離子注入過(guò)程中起到阻擋注入離子的作用。常見(jiàn)的阻擋層材 料為二氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅?？梢圆捎没瘜W(xué)沉積、物理沉積、熱氧化 等方法在半導(dǎo)體襯底100的表面生長(zhǎng)阻擋層，并在阻擋層中制作 形以界定源極和漏極區(qū)域。圖形制作可以采用本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員所公知的光刻工藝或者電 子束曝光工藝等。
附圖4所示，參考步驟S12，采用第一組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻 雜離子注入半導(dǎo)體襯底100中的源極和漏極區(qū)域103和104，在半導(dǎo)體襯底100 內(nèi)形成具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的源極和漏極區(qū)域。本具體實(shí)施方式
中，所述第二導(dǎo) 電類(lèi)型為N型，即電子導(dǎo)電類(lèi)型，所述摻雜離子為磷。根據(jù)半導(dǎo)體物理的知識(shí)， 對(duì)于單晶硅襯底來(lái)說(shuō)，磷離子是一種N型摻雜離子。所述第一組參數(shù)的注入能 量值為40keV 10keV，注入劑量值為lxl013cm々 lxl014cm-2。以上述能量和 劑量將摻雜離子注入之后，在半導(dǎo)體襯底中形成了源極摻雜區(qū)域103和漏極摻 雜區(qū)域104。此步驟中，磷離子的注入的能量和劑量值將會(huì)影響到晶體管的結(jié) 寄生電容和漏電電流。由于后續(xù)還有離子注入的步驟，因此相對(duì)于現(xiàn)有的雙注 入技術(shù)，步驟S12中可以采用較低的磷離子注入的劑量。降低磷離子的注入劑 量可以降低源極區(qū)域103和漏極區(qū)域104的摻雜濃度，使源、漏同襯底之間的 PN結(jié)變緩，因此可以降低結(jié)寄生電容和漏電電流。
附圖5所示，參考步驟S13，采用第二組注入能量和注入劑量參數(shù)，將轟 擊離子注入半導(dǎo)體襯底100中的源極和漏極區(qū)域103和104。作為較佳的方案， 轟擊離子也可以是能夠在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第二導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜離子，也就是 說(shuō)，轟擊離子同摻雜離子在影響半導(dǎo)體襯底導(dǎo)電類(lèi)型這一方面的貢獻(xiàn)是相同 的，即轟擊離子同慘雜離子為相同的導(dǎo)電類(lèi)型。注入轟擊離子的目的是將半導(dǎo) 體襯底的源極區(qū)域103和漏極區(qū)域104轟擊成無(wú)定形態(tài)，有利于注入離子的擴(kuò) 散。并且在轟擊離子同摻雜離子在影響半導(dǎo)體襯底導(dǎo)電類(lèi)型這一方面的貢獻(xiàn)相 同的情況下，轟擊離子還可以起到對(duì)源極和漏極的摻雜作用。因此可以選取同 在元素周期表中同摻雜離子屬于同一族，且位于摻雜離子下方的元素作為轟擊 離子。轟擊離子的原子序數(shù)大于摻雜離子，有利于提高轟擊襯底的效果。對(duì)于 本具體實(shí)施方式
來(lái)說(shuō)明，選擇砷作為轟擊離子。砷離子對(duì)于單晶硅襯底來(lái)說(shuō)也 是一種N型摻雜離子，在元素周期表中，砷元素的位置在磷的下方。所述第二 組參數(shù)的注入能量值為10keV 40keV，注入劑量值為1.5xl015cm—2 6xl0"cm氣在此參數(shù)條件下將轟擊離子注入半導(dǎo)體襯底100的源極區(qū)域103和漏極區(qū)域104，可以將上述兩個(gè)區(qū)域的單晶硅轟擊成無(wú)定形態(tài)的硅。
附圖6所示，參考步驟S14，采用第三組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻 雜離子注入半導(dǎo)體襯底100的源極和漏極區(qū)域103和104，所述第三組注入能 量參數(shù)值小于第一組的注入能量參數(shù)值。在晶體管制作工藝中，形成源極和漏 極之后，要在源極和漏極的表面制作金屬層(并未在附圖中表示出來(lái))，這是 本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員的公知技術(shù)。在本實(shí)施例中，摻雜離子為磷離子。
步驟S14作為步驟S12的補(bǔ)充注入步驟，主要目的是調(diào)節(jié)源極區(qū)域103和 漏極區(qū)域104同后續(xù)金屬層之間的歐姆接觸。良好的歐姆接觸的特點(diǎn)在于接觸 電阻較低，N型重?fù)诫s的單晶硅襯底同金屬之間比較容易形成具有較低電阻值 的良好的歐姆接觸。在源極區(qū)域103和漏極區(qū)域104表面形成N型重?fù)诫s區(qū)域 103'和104'，有利于同金屬層之間形成良好的歐姆接觸。步驟S12中，為了使 源、漏同襯底之間的PN結(jié)變緩，達(dá)到降低寄生結(jié)電容和漏電電流的目的，降 低了摻雜離子的注入濃度，因此，需要補(bǔ)充注入摻雜離子，提高源極區(qū)域103 和漏極區(qū)域104的摻雜濃度。步驟S14中注入摻雜離子可以提高源極區(qū)域103 和漏極區(qū)域104表面的摻雜濃度，形成N型重?fù)诫s區(qū)域103'和104'。
步驟S14中，第三組注入能量參數(shù)值要小于第一組的注入能量參數(shù)值，這 樣做的目的在于可以降低注入離子的注入深度，使注入離子盡量分布在源極區(qū) 域103和漏極區(qū)域104的表面，從而不會(huì)影響到源極區(qū)域103和漏極區(qū)域104 與襯底之間PN結(jié)的狀態(tài)。并且，增大注入劑量會(huì)有利于提高源極區(qū)域103和 漏極區(qū)域104的摻雜濃度。在本具體實(shí)施方式
中，選擇第三組參數(shù)的注入能量 值為20keV 3keV，注入劑量值為3xl014cm_2 2xl015cm'2。在此參數(shù)條件下 將摻雜離子注入半導(dǎo)體襯底100的源極區(qū)域103和漏極區(qū)域104，有利于提高 源極區(qū)域103和漏極區(qū)域104表面的摻雜濃度，從而降低其同金屬層之間的歐
在實(shí)施步驟S14之后，還可以有選擇的實(shí)施如下步驟采用第四組注入能 量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入半導(dǎo)體襯底100 4"的柵堆疊結(jié)構(gòu)101表面 的多晶硅層101'及源極和漏極區(qū)域，所述第四組注入能量參數(shù)值小于第三組的 注入能量參數(shù)值。此步驟除了可以進(jìn)一步提高源極區(qū)域103和漏極區(qū)域104表面的摻雜濃度之外，主要目的在于對(duì)位于柵堆疊結(jié)構(gòu)101表面的多晶硅層101'
進(jìn)行摻雜。由于多晶硅層ior的厚度很薄，厚度一般在數(shù)個(gè)納米左右。第四組 注入能量參數(shù)值小于第三組的注入能量參數(shù)值的目的在于降低注入能量，這將 有利于將注入離子注入到多晶硅層ioi'，而不是下面的其他結(jié)構(gòu)中。由于多晶 硅層在生長(zhǎng)時(shí)已經(jīng)進(jìn)行了預(yù)摻雜，因此低濃度的注入對(duì)其摻雜濃度的影響并不 明顯。第四組注入劑量參數(shù)值大于第三組的注入劑量參數(shù)值的目的在于提高注 入的摻雜離子的濃度，增強(qiáng)此步驟對(duì)多晶硅層ior摻雜濃度的影響效果。
提高多晶硅層ioi'的摻雜濃度有利于降低柵堆疊結(jié)構(gòu)同襯底之間的寄生 電容。由半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件物理的知識(shí)可以知道，柵堆疊結(jié)構(gòu)ioi同襯 底之間的寄生電容產(chǎn)生的主要來(lái)源在于多晶硅層ioi'同柵堆疊結(jié)構(gòu)101中的介 質(zhì)層之間的半導(dǎo)體-氧化物界面態(tài)低頻電容。在介質(zhì)層的厚度和電學(xué)性質(zhì)等條 件均不變的情況下，提高多晶硅層的摻雜濃度，有利于降低多晶硅靠近介質(zhì)層 一側(cè)表面的耗盡層厚度，因此可以降低半導(dǎo)體-氧化物界面態(tài)低頻電容。第四 組注入?yún)?shù)中的注入能量參數(shù)值要小于第三組的注入能量參數(shù)值，這樣可以保
證采用第四組注入?yún)?shù)的摻雜離子注入到半導(dǎo)體襯底的源極區(qū)域103和漏極區(qū) 域104的深度小于步驟S14的摻雜離子注入深度，不會(huì)對(duì)先前步驟中注入的摻
雜離子的分布狀態(tài)產(chǎn)生影響。并且，增大注入劑量會(huì)有利于提高多晶硅層ior
的摻雜濃度。在本具體實(shí)施方式
中，選用第二組參數(shù)的注入能量值為10keV 40keV，注入劑量值為1.5 X 1015cm'2 6X 1015cm'2。
附圖7所示，參考步驟S15，對(duì)半導(dǎo)體襯底IOO做退火處理。退火可以采 用脈沖退火和快速熱退火。本具體實(shí)施方式
采用快速熱退火的方法，溫度為 950QC 1050QC，退火時(shí)間為30秒 300秒。若采用脈沖退火工藝，脈沖退火 的脈沖次數(shù)為120次 250次，每次的退火時(shí)間不超過(guò)1秒，溫度為1000QC 1050QC。如附圖7所示，退火可以使無(wú)定形態(tài)的硅恢復(fù)成單晶硅。
下面給出本發(fā)明所述晶體管的制造方法的實(shí)施例
實(shí)施例一第一步，提供P型單晶硅襯底，襯底表面有柵堆疊結(jié)構(gòu)； 第二步，在P型單晶硅襯底的表面制作二氧化硅注入阻擋層，用以界定源 極和漏極區(qū)域；
第三步，將磷離子注入P型單晶硅襯底中由二氧化硅阻擋層界定的源極和 漏極區(qū)域，形成源極和漏極摻雜區(qū)域，磷離子的注入劑量為5Xl(^cm—2，注入 能量為30keV;
第四步，將砷離子注入P型單晶硅襯底中由二氧化硅阻擋層界定的源極和 漏極區(qū)域，砷離子的注入劑量為5乂1015011-2，注入能量為30keV;
第五步，將磷離子注入P型單晶硅襯底中由二氧化硅阻擋層界定的源極和 漏極區(qū)域，磷離子的注入劑量為5X10"cm—2，注入能量為15keV;
第六步，對(duì)P型單晶硅襯底進(jìn)行快速熱退火處理，溫度為1000QC，退火 時(shí)間為200秒。
實(shí)施例二
第一步，提供P型單晶硅襯底，襯底表面有柵堆疊結(jié)構(gòu)； 第二步，在P型單晶硅襯底的表面制作二氧化硅注入阻擋層，用以界定源 極和漏極區(qū)域；
第三步，將磷離子注入P型單晶硅襯底中由二氧化硅阻擋層界定的源極和 漏極區(qū)域，形成源極和漏極摻雜區(qū)域，磷離子的注入劑量為5X10 m'2，注入 能量為30keV;
第四步，將砷離子注入P型單晶硅襯底中由二氧化硅阻擋層界定的源極和 漏極區(qū)域，砷離子的注入劑量為5X10"cm—2，注入能量為30keV;
第五步，將磷離子注入P型單晶硅襯底中由二氧化硅阻擋層界定的源極和 漏極區(qū)域，磷離子的注入劑量為5X10"cm—2，注入能量為15keV;
第六步，將磷離子注入P型單晶硅襯底中柵堆疊結(jié)構(gòu)表面的多晶硅層以及 由二氧化硅阻擋層界定的源極和漏極區(qū)域，磷離子的注入劑量為2X1015cm'2， 注入能量為2keV;
第七步，對(duì)P型單晶硅襯底進(jìn)行快速熱退火處理，溫度為1000GC，退火時(shí)間為200秒。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些 改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟提供具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底表面制作阻擋層，界定源極和漏極區(qū)域；采用第一組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入半導(dǎo)體襯底中的源極和漏極區(qū)域，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成具有第二導(dǎo)電類(lèi)型的源極和漏極區(qū)域；采用第二組注入能量和注入劑量參數(shù)，將轟擊離子注入半導(dǎo)體襯底中的源極和漏極區(qū)域；采用第三組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入半導(dǎo)體襯底的源極和漏極區(qū)域，所述第三組注入能量參數(shù)值小于第一組的注入能量參數(shù)值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第三組注入 劑量參數(shù)值大于第一組的注入劑量參數(shù)值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底 表面具有柵堆疊結(jié)構(gòu)，所述柵堆疊結(jié)構(gòu)具有位于表面的多晶硅層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管的制造方法，其特征在于，還包括如下步驟 采用第四組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入柵堆疊結(jié)構(gòu)的多晶 硅層，所述第四組注入能量參數(shù)值小于第三組的注入能量參數(shù)值。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述摻雜離子除 了注入柵堆疊結(jié)構(gòu)的多晶硅層之外，還注入半導(dǎo)體襯底中的源極和漏極區(qū) 域。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第四組注入 劑量參數(shù)值大于第三組的注入劑量參數(shù)值。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第四組參數(shù) 的注入能量值為5keV lkeV，注入劑量值為lxl015cm'2 3xl015cm-2。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述轟擊離 子的原子序數(shù)大于摻雜離子。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述轟擊離 子同摻雜離子具有相同的導(dǎo)電類(lèi)型。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體 襯底為單晶硅襯底。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo) 電類(lèi)型為P型，第二導(dǎo)電類(lèi)型為N型。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述摻雜離 子為磷離子。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一組 參數(shù)的注入能量值為40keV 10keV，注入劑量值為l><1013cm—2 lxl0"cm-2。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第三組 參數(shù)的注入能量值為20keV 3keV，注入劑量值為3xl014cm-2 2xl015cm—2。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述轟擊離 子為砷離子。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的晶體管的制造方法，其特征在于，所述第二組 參數(shù)的注入能量值為10keV 40keV，注入劑量值為1.5xl015cm—2 6xl015cm-2。
全文摘要
一種晶體管的制造方法，包括如下步驟提供具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底表面制作阻擋層，界定源極和漏極區(qū)域；采用第一組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入半導(dǎo)體襯底中的源極和漏極區(qū)域；采用第二組注入能量和注入劑量參數(shù)，將轟擊離子注入源極和漏極區(qū)域；采用第三組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入源極和漏極區(qū)域，還包括采用第四組注入能量和注入劑量參數(shù)，將摻雜離子注入柵堆疊結(jié)構(gòu)的多晶硅層。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，在保證摻雜離子得到充分?jǐn)U散的情況下，可以降低晶體管結(jié)寄生電容和漏電電流，并且可以改善半導(dǎo)體襯底同后續(xù)金屬層之間的歐姆接觸性質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L21/336GK101567319SQ200810036659
公開(kāi)日2009年10月28日 申請(qǐng)日期2008年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月25日
發(fā)明者猛 趙 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司