專利名稱：發(fā)光二極管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED )具有環(huán)保、亮度高、省電、壽 命長等諸多特點，漸漸成為主要照明光源。業(yè)內(nèi)通常是將發(fā)光二極管晶片切 割成發(fā)光二極管晶粒，然后再將發(fā)光二極管晶粒逐一安裝于基座內(nèi)，從而完 成發(fā)光二極管的封裝。然，該制造方法取放發(fā)光二極管晶粒的動作是序列式， 須逐個取放發(fā)光二極管晶粒，限制發(fā)光二極管的封裝速度。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種封裝速度較高的發(fā)光二極管制造方法。 一種發(fā)光二極管制造方法，包括以下步驟提供一發(fā)光二極管晶片及一 第一粘著層，其中該發(fā)光二極管晶片包括正面及背面，將發(fā)光二極管晶片的 背面固定于第 一粘著層上;把發(fā)光二極管晶片切割形成若干發(fā)光二極管晶粒， 其中每一發(fā)光二極管晶粒包括正面及背面，每一發(fā)光二極管晶粒的背面固定 于第一粘著層上；提供一第二粘著層，將第二粘著層平貼于所有發(fā)光二極管 晶粒的正面，使該若干發(fā)光二極管晶粒固定于第二粘著層上；將該若干發(fā)光 二極管晶粒與第一粘著層分離；提供一基座，將第二粘著層平貼于基座上， 其中該基座上開設(shè)有若干凹座，該若干凹座與該若干發(fā)光二極管晶粒一一對 應(yīng)，每一發(fā)光二極管晶粒與其相對應(yīng)的凹座相對；將該若干發(fā)光二極管晶粒 與第二粘著層分離，使每一發(fā)光二極管晶粒分別落入與其對應(yīng)的凹座內(nèi)；把 該若干發(fā)光二極管晶粒固定于與其相對應(yīng)的凹座內(nèi)，利用導(dǎo)線把每一發(fā)光二 極管晶粒電連接于基座上，并向基座的凹座內(nèi)填充透光材料，該透光材料分 別包覆每一發(fā)光二極管晶粒。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的發(fā)光二極管制造方法中取放發(fā)光二極管晶粒動作采用平行方式，即把若干發(fā)光二極管晶粒一體組裝于基座中，無須逐 一將發(fā)光二極管晶粒置入基座中，提高了組裝速度。


圖1為本發(fā)明發(fā)光二極管的制造方法一較佳實施例的流程圖。
圖2為圖l所示方法中將發(fā)光二極管晶片固定于第一粘著層步驟的示意圖。
圖3為圖l所示方法中形成發(fā)光二極管晶粒后的示意圖。 圖4為圖l所示方法中將該若干發(fā)光二極管晶粒固定于第二粘著層后的 示意圖。
圖5為圖l所示方法中發(fā)光二極管晶粒與第一粘著層分離后的示意圖。 圖6為圖l所示方法中將第二粘著層平貼于基座后的示意圖。 圖7為圖l所示方法中落晶后的剖面示意圖。 圖8為圖l所示方法中密封后的剖面示意圖。
圖9為圖1所示方法中基座被切割后所形成的發(fā)光二極管的剖面示意圖。
具體實施例方式
如圖l所示，本發(fā)明的發(fā)光二極管制造方法包括以下步驟 首先，如圖2所示，提供一發(fā)光二極管晶片l及一第一粘著層2，其中 發(fā)光二極管晶片1是在基板上生長外延層而成，外延層為構(gòu)成p-n結(jié)的半導(dǎo) 體，外延層的材料可為砷化鎵、磷砷化鎵、砷化鋁鎵等，基板的材料可為藍(lán) 寶石等。發(fā)光二極管晶片l具有正面ll及背面12，發(fā)光二極管晶片l的正 面ll靠近外延層一側(cè)，發(fā)光二極管晶片1的背面靠近基板一側(cè)，將發(fā)光二極 管晶片l的背面12粘貼固定于第一粘著層2上。第一粘著層2可選用熱分離 膠帶或紫外線膠帶，其中紫外線膠帶可通過照射紫外線方式失去粘性，熱分 離膠帶則通過加熱方式失去粘性。
其次，如圖3所示，形成若干發(fā)光二極管晶粒3，即把發(fā)光二極管晶片1 切割成若干發(fā)光二極管晶粒3,每一發(fā)光二極管晶粒3包括正面31及背面32, 該若干發(fā)光二極管晶粒3的背面32仍固定于第一粘著層2上。切割方式可采 用輪刀式、鉆石式及激光等方法。再次，如圖4所示，即提供一第二粘著層4，將該若干發(fā)光二極管晶粒3 一體粘貼固定于第二粘著層4上，該第二粘著層4與第一粘著層2相同，可 為熱分離膠帶或紫外線膠帶，將第二粘著層4平貼于所有發(fā)光二極管晶粒3 的正面31，第二粘著層4與第一粘著層2相對設(shè)置，發(fā)光二極管晶粒3連接 于第一粘著層2與第二粘著層4之間。
然后，如圖5所示，將發(fā)光二極管晶粒3與第一粘著層2分離，使發(fā)光 二極管晶粒3僅通過正面31粘著在第二粘著層4上。當(dāng)?shù)谝徽持鴮?為熱分 離膠帶時，可通過加熱第一粘著層2的方式，使得第一粘著層2失去粘性， 從而發(fā)光二極管晶粒3與第一粘著層2分離。當(dāng)?shù)谝徽持鴮?為紫外線膠帶 時，可通過紫外線照射第一粘著層2的方式，使得第一粘著層2失去粘性， 從而發(fā)光二極管晶粒3與第一粘著層2分離。
接著，如圖6所示，提供一基座5，將第二粘著層4平貼于基座5上， 該基座5間隔開設(shè)有若干杯狀凹座51,該若干杯狀凹座51與該若干發(fā)光二 極管晶粒3——對應(yīng)，每一發(fā)光二極管晶粒3與其相對應(yīng)的杯狀凹座51相對 設(shè)置，發(fā)光二極管晶粒3的背面32朝向杯狀凹座51。杯狀凹座51的深度大 于發(fā)光二極管晶粒3的厚度。每一杯狀凹座51的底部還可設(shè)有結(jié)合材料6， 如硅膠等粘性材料，用于在后續(xù)的落晶步驟中將發(fā)光二極管晶粒3初步固定 于杯狀凹座51內(nèi)。
接下來是落晶，如圖7所示，即發(fā)光二極管晶粒3與第二粘著層4分離， 此分離方法與發(fā)光二極管晶粒3與第一粘著層2分離的方法相同。該若干發(fā) 光二極管晶粒3分別落入與其對應(yīng)的杯狀凹座51內(nèi)，由于結(jié)合材料6具有粘 性，可將發(fā)光二極管晶粒3的背面32初步固定于杯狀凹座51內(nèi)。該若干發(fā) 光二極管晶粒3 —體式組裝于基座5內(nèi)，無須將發(fā)光二極管晶粒3逐一組裝 于基座5內(nèi)，提高發(fā)光二極管的組裝速度。若第二粘著層4采用熱分離膠帶， 在去除第二粘著層4步驟之前，可在第二粘著層4上設(shè)置一均溫板(圖中未 示出)，加熱時熱量通過均溫板均勻地傳遞到第二粘著層4上，避免第二粘著 層4受熱不均，從而確保發(fā)光二極管晶粒3同時從第二粘著層4上脫落。
緊接著是固晶、打線及密封，其中固晶是把該若干發(fā)光二極管晶粒3固 定于與其相對應(yīng)的杯狀凹座51內(nèi)。固晶可采用焊接等方式。如圖8所示，打 線是利用導(dǎo)線7把每一發(fā)光二極管晶粒3電連接于基座5的電極52上。導(dǎo)線7可采用金線或鋁線等導(dǎo)電材料。密封是向基座5的杯狀凹座51內(nèi)填充透光 材料8 ，該透光材料8分別包覆每一發(fā)光二極管晶粒3 ，使發(fā)光二極管晶粒3 與外界隔離，該透光材料8還可作為透鏡以提高出光率。透光材料8可采用 環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠等高透光、高機(jī)械強(qiáng)度、強(qiáng)耐濕性材料，透光材料 8中還可參雜熒光粉。密封時可采用模具一體式灌膠密封，適合大批量生產(chǎn)。 最后切割基座5，使得基座5上的每一發(fā)光二極管晶粒3相互分離，各 自成為獨立的封裝體，使每一發(fā)光二極管晶粒3形成一發(fā)光二極管9,如圖9 所示。切割方式可采用輪刀式、鉆石式及激光等方法。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管制造方法，包括以下步驟提供一發(fā)光二極管晶片及一第一粘著層，其中該發(fā)光二極管晶片包括正面及背面，將發(fā)光二極管晶片的背面固定于第一粘著層上；把發(fā)光二極管晶片切割形成若干發(fā)光二極管晶粒，其中每一發(fā)光二極管晶粒包括正面及背面，每一發(fā)光二極管晶粒的背面固定于第一粘著層上；提供一第二粘著層，將第二粘著層平貼于所有發(fā)光二極管晶粒的正面，使該若干發(fā)光二極管晶粒固定于第二粘著層上；將該若干發(fā)光二極管晶粒與第一粘著層分離；提供一基座，將第二粘著層平貼于基座上，其中該基座上開設(shè)有若干凹座，該若干凹座與該若干發(fā)光二極管晶粒一一對應(yīng)，每一發(fā)光二極管晶粒與其相對應(yīng)的凹座相對；將該若干發(fā)光二極管晶粒與第二粘著層分離，使每一發(fā)光二極管晶粒分別落入與其對應(yīng)的凹座內(nèi)；把該若干發(fā)光二極管晶粒固定于與其相對應(yīng)的凹座內(nèi)，利用導(dǎo)線把每一發(fā)光二極管晶粒電連接于基座上，并向基座的凹座內(nèi)填充透光材料，該透光材料分別包覆每一發(fā)光二極管晶粒。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，還包括以 下步驟切割基座，使基座上的該若干發(fā)光二極管晶粒相互分離，使每一發(fā) 光二極管晶粒形成一發(fā)光二極管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，還包括在 基座的每一凹座的底部設(shè)置結(jié)合材料，在發(fā)光二極管晶粒落入凹座后，發(fā)光 二極管晶粒通過該結(jié)合材料初步固定于凹座內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該第一粘 著層及第二粘著層均為熱分離膠帶，該熱分離膠帶通過加熱方式失去粘性，從而該若干發(fā)光二極管晶粒與該熱分離膠帶分離。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，還包括在 該第二粘著層上設(shè)置一均溫板，在加熱第二粘著層時，該均溫板使得第二粘 著層受熱均勻。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該第一粘 著層及第二粘著層均為紫外線膠帶，該紫外線膠帶通過照射紫外線方式失去 粘性，從而該若干發(fā)光二極管晶粒與該紫外線膠帶分離。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該凹座呈 杯狀，該凹座的深度大于發(fā)光二極管晶粒的厚度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管制造方法，其特征在于，該基座上 設(shè)置有電極，導(dǎo)線把每一發(fā)光二極管晶粒電連接于基座的電極上。
全文摘要
一種發(fā)光二極管制造方法，包括以下步驟將發(fā)光二極管晶片固定于第一粘著層上；形成若干發(fā)光二極管晶粒；將該若干發(fā)光二極管晶粒固定于第二粘著層上；該若干發(fā)光二極管晶粒與第一粘著層分離；將第二粘著層平貼于基座上；把該若干發(fā)光二極管晶粒固定于與其相對應(yīng)的凹座內(nèi)，利用導(dǎo)線把每一發(fā)光二極管晶粒電連接于基座上，并向基座的凹座內(nèi)填充透光材料，該透光材料分別包覆每一發(fā)光二極管晶粒。本發(fā)明的發(fā)光二極管制造方法中取放發(fā)光二極管晶粒動作采用平行方式，即把若干發(fā)光二極管晶粒一體組裝于基座中，無須逐一將發(fā)光二極管晶粒置入基座中，提高了組裝速度。
文檔編號H01L21/58GK101599442SQ20081006758
公開日2009年12月9日 申請日期2008年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月4日
發(fā)明者張家壽 申請人:富準(zhǔn)精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻準(zhǔn)精密工業(yè)股份有限公司