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      一種新型磁場(chǎng)線圈的制作方法

      文檔序號(hào):6910863閱讀:1085來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種新型磁場(chǎng)線圈的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型專利涉及一種對(duì)外泄露磁場(chǎng)比較小的磁場(chǎng)線圈。
      背景技術(shù)
      傳統(tǒng)的磁場(chǎng)線圈的功能就是在線圈中心產(chǎn)生所需要的磁場(chǎng),但線圈在其內(nèi)部 空間產(chǎn)生磁場(chǎng)的同時(shí)也對(duì)線圈外部產(chǎn)生磁場(chǎng)。線圈在外部產(chǎn)生的磁場(chǎng)稱為泄露磁 場(chǎng)。如果在進(jìn)行一些弱磁測(cè)量實(shí)驗(yàn)中,這些泄露磁場(chǎng)會(huì)對(duì)線圈外部的其它儀器或 設(shè)備產(chǎn)生影響,尤其是當(dāng)線圈放在磁屏蔽筒或磁屏蔽室中進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí),泄露磁場(chǎng) 會(huì)將磁屏蔽筒或磁屏蔽室的外壁磁化。對(duì)于最常見(jiàn)的亥姆霍茨線圈來(lái)說(shuō),在線圈 外部的某一點(diǎn)的泄露磁場(chǎng)強(qiáng)度與這一點(diǎn)到線圈中心的距離成反比。
      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的是提供一種泄露磁場(chǎng)比較小的新型磁場(chǎng)線圈,線圈外部的 某一點(diǎn)的泄露磁場(chǎng)強(qiáng)度與這一點(diǎn)到線圈中心的距離的三次方成反比。
      本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種新型磁場(chǎng)線圈,其外部是一對(duì)尺寸較 大的亥姆霍茨線圈,其內(nèi)部嵌套了一對(duì)尺寸較小的亥姆霍茨線圈,兩套亥姆霍茨 線圈互相同軸、線圈幾何中心互相重合。外部尺寸較大的亥姆霍茨線圈和內(nèi)部尺 寸較小的亥姆霍茨線圈互相串聯(lián)反接。外部亥姆霍茨線圈和內(nèi)部亥姆霍茨線圈的 半徑比和匝數(shù)比應(yīng)符合以下條件
      其匝數(shù)比為N夕卜N內(nèi)=2: 1;
      其半徑比為R夕卜R內(nèi)^1.414: 1。
      本實(shí)用新型由于采用了內(nèi)外線圈互相抵償?shù)慕Y(jié)構(gòu),使得線圈外部的某一點(diǎn)的 泄露磁場(chǎng)強(qiáng)度與這一點(diǎn)到線圈中心的距離的三次方成反比,大大減小了泄露磁 場(chǎng)。


      圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施方式

      如圖l所示,本實(shí)用新型采用兩套亥姆霍茨線圈組合而成的結(jié)構(gòu)形式其外 部是一對(duì)尺寸較大的亥姆霍茨線圈1,其內(nèi)部嵌套了一對(duì)尺寸較小的亥姆霍茨線圈2,兩套亥姆霍茨線圈互相同軸、線圈幾何中心互相重合。
      外部較大的亥姆霍茨線圈1和內(nèi)部尺寸較小的亥姆霍茨線圈2互相串聯(lián)反 接,使得它們所產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向相反、互相抵償。
      兩套亥姆霍茨線圈所產(chǎn)生的磁場(chǎng)相反,而且其匝數(shù)和半徑關(guān)系必須同時(shí)滿足 以下兩個(gè)條件
      其匝數(shù)比為N外N,產(chǎn)2: 1;
      其半徑比為R外Rfl.414: 1。
      權(quán)利要求1. 一種新型磁場(chǎng)線圈,其特征在于其外部是一對(duì)尺寸較大的亥姆霍茨線圈,其內(nèi)部嵌套了一對(duì)尺寸較小的亥姆霍茨線圈,兩套亥姆霍茨線圈互相同軸、線圈幾何中心互相重合。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型磁場(chǎng)線圈,外部尺寸較大的亥姆霍茨線 圈和內(nèi)部尺寸較小的亥姆霍茨線圈互相串聯(lián)反接。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型磁場(chǎng)線圈,其外部亥姆霍茨線圈和內(nèi)部 亥姆霍茨線圈的半徑比和匝數(shù)比應(yīng)符合以下條件其匝數(shù)比為N夕卜N內(nèi)=2: 1;其半徑比為R夕卜R內(nèi)4.414: 1。
      專利摘要一種新型的磁場(chǎng)線圈,屬于電磁線圈技術(shù)領(lǐng)域。它是由兩套亥姆霍茨線圈以同軸、同心的方式互相嵌套而成,兩套亥姆霍茨線圈內(nèi)部產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向相反,采用了特殊的半徑比和匝數(shù)比。這使得線圈外部的某一點(diǎn)的泄露磁場(chǎng)強(qiáng)度與這一點(diǎn)到線圈中心的距離的三次方成反比,大大減小了泄露磁場(chǎng),便于進(jìn)行弱磁實(shí)驗(yàn)。
      文檔編號(hào)H01F5/00GK201229820SQ20082006765
      公開(kāi)日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2008年6月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月6日
      發(fā)明者楊敬軒, 楊昌茂, 王曉峰, 程華富, 韓曉東 申請(qǐng)人:中國(guó)船舶重工集團(tuán)公司第七一○研究所
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