專利名稱：光傳感器和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由光電二極管形成的光傳感器和具備它的顯示裝置。
背景技術(shù)：
在以液晶顯示裝置為代表的顯示裝置的領(lǐng)域中，提案有為了根據(jù) 顯示裝置周圍的光(以下稱為(外光))的強度進行顯示畫面的亮度的 調(diào)整，而在顯示裝置上裝載光傳感器的方式。在顯示裝置上的光傳感 器的裝載能夠通過在顯示面板上安裝分立部件的光傳感器來進行。此
外，在為液晶顯示裝置的情況下，光傳感器也能夠利用有源元件(TFT)、 周邊電路的形成工藝，與有源矩陣基板一體化(monolithic)形成。
其中，特別是在便攜式終端裝置用的顯示裝置的領(lǐng)域中，從部件 個數(shù)的削減、顯示裝置的小型化的觀點出發(fā)，要求光傳感器與有源矩 陣基板一體化形成。作為一體化形成的光傳感器，例如，已知有具有 橫向結(jié)構(gòu)的光電二極管(例如，參照日本特開2006-3857號公報)。
日本特開2006-3857號公報所公開的光電二極管具備在玻璃基板 上形成的薄硅膜。該硅膜在面方向上形成有p型半導(dǎo)體區(qū)域(p層)、 本征半導(dǎo)體區(qū)域(i層)和n型半導(dǎo)體區(qū)域(n層)，并由該p層、i層 和n層構(gòu)成光電二極管。
但是，在使用這樣的一體化形成的光電二極管的情況下，與使用 分立部件的光傳感器的情況相比，更容易產(chǎn)生暗電流。此外，從逆向 向光電二極管施加電壓(逆偏置電壓)，在該電壓接近0 (零)的情況 下，暗電流急劇地變小，在施加在光電二極管上的電壓的方向從逆向 切換為正向的情況下，暗電流急劇地增加。由此，光電流對暗電流的 比，換言之，信號對噪聲的比(S/N比)，在施加在光電二極管上的逆 偏置電壓接近0 (零)V附近時，急劇地增大。
因此，在利用一體化形成的光電二極管的情況下，為了減小暗電 流的影響，要求進行將逆偏置電壓維持在O (零)V附近的電壓控制。 但是，就光電二極管的特性而言，能夠提高S/N比的逆偏置電壓的幅度小，因此有必要進行電壓控制，使得電壓的變動處于微小的范圍內(nèi)， 這是非常困難的。
從這點出發(fā)，提案有如下的電壓控制，BP，串聯(lián)連接多個光電二 極管，控制施加于該串聯(lián)電路的兩端的電壓。在這種情況下，施加于 一個一個光電二極管的電壓，是施加于串聯(lián)電路的兩端的電壓除以光 電二極管的個數(shù)后得到的值。因此，在電壓控制中，光電二極管的個 數(shù)越多，則容許電壓變動的范圍越寬，電壓控制變得簡單。
此處，利用圖來說明現(xiàn)有技術(shù)中的串聯(lián)連接的多個光電二極管。 圖5是表示設(shè)置在液晶顯示面板上的現(xiàn)有的光電二極管的截面圖。在 圖5中，僅對導(dǎo)體和半導(dǎo)體施加陰影。
如圖5所示，在成為有源矩陣基板的基底的玻璃基板100上，設(shè) 置有PIN二極管101 103。 PIN二極管101 103各自具備硅膜104 106。
此外，構(gòu)成PIN二極管lOl的硅膜104，沿面方向形成有p層、i 層和n層。同樣地，在形成PIN 二極管102的硅膜105和形成PIN 二 極管103的硅膜106中也形成有p層、i層和n層。
此外，PIN 二極管101的n層和PIN 二極管102的p層通過金屬 配線110電連接，PIN 二極管102的n層和PIN 二極管103的p層通 過金屬配線111連接。這三個PIN二極管101 103被串聯(lián)連接而構(gòu)成 一個光傳感器。
此外，處于一端的PIN 二極管101的p層連接有金屬配線109，處 于另一端的PIN 二極管103的n層連接有金屬配線112。而且，在金屬 配線112和金屬配線109之間，在與PIN二極管101 103的正向相反 的方向施加偏置電壓Vb。
這時，如果令各二極管的電壓為vb,則Vb-3xvb。此外，如果令 各二極管中的電壓vb的容許的變動幅度為Avb，則偏置電壓Vb的容 許變動幅度為3xAvb。
這樣，如果串聯(lián)連接多個PIN 二極管，則容許的變動幅度增大， 電壓控制變得容易，因此能夠抑制暗電流引起的噪聲的產(chǎn)生。另外， 在圖5中，112和113為層間絕緣膜。115為液晶層。116為相對基板， 僅表示出外形。

發(fā)明內(nèi)容
但是，近年來，在以液晶顯示裝置為代表的顯示裝置中，因為追 求顯示區(qū)域的周邊區(qū)域的狹小化，所以光傳感器的設(shè)置空間也在變小。
由此，在圖5所示的光傳感器中，期望抑制暗電流引起的噪聲的產(chǎn)生 并實現(xiàn)小型化。
但是，如上述圖5所示，為了串聯(lián)連接多個光電二極管，金屬配 線的形成不可缺少，因此這種結(jié)構(gòu)的光傳感器的小型化存在界限。
本發(fā)明的目的在于，解決上述問題，提供能夠抑制暗電流引起的 噪聲的產(chǎn)生并實現(xiàn)小型化的光傳感器和具備它的顯示裝置。
為了達到上述目的，本發(fā)明的第一光傳感器的特征在于其具備 形成于同一硅膜的多個光電二極管，上述多個光電二極管各自具有形 成于上述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的 正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在相鄰的兩個上述光電二極管中，一 方的n型半導(dǎo)體區(qū)域和另一方的p型半導(dǎo)體區(qū)域以兩個半導(dǎo)體區(qū)域的 外緣一致，或者兩個半導(dǎo)體區(qū)域相互在上述硅膜的厚度方向上重合的 方式形成。
此外，為了達到上述目的，本發(fā)明的第二光傳感器的特征在于 其具備形成于同一硅膜的多個光電二極管，上述多個光電二極管各自 具有形成于上述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以 各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在上述硅膜中相鄰的兩個光電 二極管之間，設(shè)置有將它們電連接的區(qū)域，上述區(qū)域以p型雜質(zhì)的雜 質(zhì)濃度與上述p型半導(dǎo)體區(qū)域相同，n型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與上述n型半 導(dǎo)體區(qū)域相同的方式形成。
為了達到上述目的，本發(fā)明的第一顯示裝置具有形成有多個有源 元件的有源矩陣基板、和對周圍的光產(chǎn)生反應(yīng)而輸出信號的光傳感器， 該顯示裝置的特征在于上述光傳感器具備形成于同一硅膜的多個光 電二極管，上述硅膜設(shè)置于上述有源矩陣基板，上述多個光電二極管 各自具有形成于上述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且， 以各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在相鄰的兩個上述光電二極 管中， 一方的n型半導(dǎo)體區(qū)域和另一方的p型半導(dǎo)體區(qū)域以兩個半導(dǎo)體區(qū)域的外緣一致，或者兩個半導(dǎo)體區(qū)域相互在上述硅膜的厚度方向 上重合的方式形成。
此外，為了達到上述目的，本發(fā)明的第二顯示裝置具有形成有多 個有源元件的有源矩陣基板、和對周圍的光產(chǎn)生反應(yīng)而輸出信號的光 傳感器，該顯示裝置的特征在于上述光傳感器具備形成于同一硅膜 的多個光電二極管，上述硅膜設(shè)置于上述有源矩陣基板，上述多個光 電二極管各自具有形成于上述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)
域，并且，以各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在上述硅膜中相 鄰的兩個光電二極管之間，設(shè)置有將它們電連接的區(qū)域，上述區(qū)域以p
型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與上述p型半導(dǎo)體區(qū)域相同，n型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與 上述n型半導(dǎo)體區(qū)域相同的方式形成。
基于以上特征，在本發(fā)明中，在串聯(lián)配置的多個光電二極管中， 相鄰的兩個光電二極管通過半導(dǎo)體區(qū)域電連接。即，多個光電二極管 不使用金屬配線地串聯(lián)連接。由此，采用本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制暗電 流引起的噪聲的產(chǎn)生并實現(xiàn)光傳感器的小型化。


圖1是表示本發(fā)明的實施方式的顯示裝置的立體圖。 圖2是表示本發(fā)明的實施方式的光傳感器的截面圖。 圖3是圖2所示的光傳感器的平面圖。
圖4是表示圖2和圖3所示的光傳感器的制造工序的截面圖，圖4 (a) 圖4 (d)分別表示一系列的主要的制造工序。
圖5是表示設(shè)置在液晶顯示面板上的現(xiàn)有的光電二極管的截面圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的第一光傳感器的特征在于其具備形成于同一硅膜的多 個光電二極管，上述多個光電二極管各自具有形成于上述硅膜的p型
半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的正向相互一致的方式 串聯(lián)配置，在相鄰的兩個上述光電二極管中， 一方的n型半導(dǎo)體區(qū)域 和另一方的p型半導(dǎo)體區(qū)域以兩個半導(dǎo)體區(qū)域的外緣一致，或者兩個 半導(dǎo)體區(qū)域相互在上述硅膜的厚度方向上重合的方式形成。此外，本發(fā)明的第二光傳感器的特征在于其具備形成于同一硅 膜的多個光電二極管，上述多個光電二極管各自具有形成于上述硅膜 的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的正向相互一致
的方式串聯(lián)配置，在上述硅膜中相鄰的兩個光電二極管之間，設(shè)置有 將它們電連接的區(qū)域，上述區(qū)域以p型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與上述p型半
導(dǎo)體區(qū)域相同，n型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與上述n型半導(dǎo)體區(qū)域相同的方式 形成。
本發(fā)明的第一顯示裝置具有形成有多個有源元件的有源矩陣基 板、和對周圍的光產(chǎn)生反應(yīng)而輸出信號的光傳感器，該顯示裝置的特 征在于上述光傳感器具備形成于同一硅膜的多個光電二極管，上述 硅膜設(shè)置于上述有源矩陣基板，上述多個光電二極管各自具有形成于 上述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的正向 相互一致的方式串聯(lián)配置，在相鄰的兩個上述光電二極管中， 一方的n 型半導(dǎo)體區(qū)域和另一方的p型半導(dǎo)體區(qū)域以兩個半導(dǎo)體區(qū)域的外緣一 致，或者兩個半導(dǎo)體區(qū)域相互在上述硅膜的厚度方向上重合的方式形 成。
此外，本發(fā)明的第二顯示裝置具有形成有多個有源元件的有源矩 陣基板、和對周圍的光產(chǎn)生反應(yīng)而輸出信號的光傳感器，該顯示裝置 的特征在于上述光傳感器具備形成于同一硅膜的多個光電二極管， 上述硅膜設(shè)置于上述有源矩陣基板，上述多個光電二極管各自具有形 成于上述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的 正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在上述硅膜中相鄰的兩個光電二極管 之間，設(shè)置有將它們電連接的區(qū)域，上述區(qū)域以p型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度 與上述p型半導(dǎo)體區(qū)域相同，n型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與上述n型半導(dǎo)體區(qū) 域相同的方式形成。
上述第一和第二光傳感器、上述第一和第二顯示裝置也可以是如 下的方式，即，上述多個光電二極管各自在上述p型半導(dǎo)體區(qū)域和上 述n型半導(dǎo)體區(qū)域之間具有本征半導(dǎo)體區(qū)域。
在本發(fā)明中，"本征半導(dǎo)體區(qū)域"只要是與相鄰的p型半導(dǎo)體區(qū)域 和n型半導(dǎo)體區(qū)域相比更接近電中性的區(qū)域即可，優(yōu)選為完全不含雜 質(zhì)的區(qū)域、或傳導(dǎo)電子密度和空穴密度相等的區(qū)域。此外，本發(fā)明的顯示裝置只要是具備有源矩陣基板的顯示裝置即可，不僅可以是液晶
顯示裝置，也可以是EL顯示裝置。
以下，參照圖1 圖3對本發(fā)明的更具體的實施方式中的光傳感器和顯示裝置進行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式中的顯示裝置的立體圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式中的光傳感器的截面圖。圖3是圖2所示的光傳感器的平面圖。
如圖1所示，本發(fā)明的實施方式的顯示裝置為液晶顯示裝置，具有液晶顯示面板1和對它進行照明的背光源裝置7。此外，顯示裝置還具有對外光進行反應(yīng)而輸出信號的光傳感器6。液晶顯示面板1具有有源矩陣基板2、相對基板3和夾在這兩個基板之間的液晶層(未圖示)。
有源矩陣基板2具有呈矩陣狀地形成有多個像素(未圖示)的玻璃基板(參照圖2)。此外，像素主要由成為有源元件的薄膜晶體管(TFT(Thin Film Transistor))和以透明的導(dǎo)電膜形成的像素電極形成。呈矩陣狀配置有多個像素的區(qū)域成為顯示區(qū)域。
相對基板3以與有源矩陣基板2的顯示區(qū)域重合的方式配置。相對基板3具有相對電極(未圖示)和彩色濾光片(未圖示)。彩色濾光片具有例如紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)的著色層。著色層與各像素對應(yīng)。
此外，有源矩陣基板2在顯示區(qū)域的周邊區(qū)域設(shè)置有柵極驅(qū)動器4和數(shù)據(jù)驅(qū)動器5。各有源元件通過在水平方向上延伸的柵極線(未圖示)與柵極驅(qū)動器4連接，通過在垂直方向上延伸的數(shù)據(jù)線(未圖示)與數(shù)據(jù)驅(qū)動器5連接。
進一步，在本實施方式中，光傳感器6也設(shè)置在有源矩陣基板2的顯示區(qū)域的周邊區(qū)域。如圖2所示，光傳感器6與有源矩陣基板2一體化形成。
具體而言，光傳感器6由設(shè)置在構(gòu)成有源矩陣基板2的玻璃基板16上的硅膜8形成。硅膜8以與形成薄膜TFT的硅膜相同的工藝形成。
此外，如圖2和圖3所示，光傳感器6具有多個光電二極管9 11。光電二極管9 11形成于同一硅膜8。光電二極管9具有形成于硅膜8的p型半導(dǎo)體區(qū)域(p層)9a和n型半導(dǎo)體區(qū)域(n層)9c。同樣，光電二極管10具有形成于硅膜8的p層10a和n層10c,光電二極管11具有形成于硅膜8的p層lla和n層llc。在本實施方式中，光電二極管9 11為PIN 二極管，在p層和i層之間分別還形成有本征半導(dǎo)體區(qū)域(i層)9b、 10b和llb。
此外，光電二極管9 11以各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置。進一步，在相鄰的兩個光電二極管中， 一方的n層和另一方的p層在硅膜8的厚度方向上重合。具體而言，光電二極管9的n層9c的一部分和光電二極管10的p層10a的一部分重合。同樣地，光電二極管10的n層10c的一部分和光電二極管11的p層lla的一部分也重合。
因此，在兩個光電二極管之間，存在p型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度和一方的p層相同，n型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度和另一方的n層相同的區(qū)域(12、 13)。此時，在區(qū)域12和13內(nèi)p型和n型兩種雜質(zhì)混合存在，區(qū)域12和13成為擴散電阻，將p層與n層電連接。由此，光電二極管9和10、光電二極管10和11相互電連接，光電二極管9 11串聯(lián)連接。
這樣，在本實施方式中，光電二極管9 11不使用現(xiàn)有的金屬配線即被串聯(lián)地電連接。由此，采用本實施方式中的光傳感器，能夠抑制由暗電流引起的噪聲的產(chǎn)生并實現(xiàn)光傳感器的小型化。
在圖2和圖3中，14是與位于一端的光電二極管9的p層9a連接的金屬配線，15是與位于另一端的光電二極管11的n層llc連接的金屬配線。通過金屬配線14和15，能夠向光電二極管9 11施加逆偏置電壓。此外，在圖2中，17和18表示層間絕緣膜，19表示液晶層。在圖2中，相對基板3僅圖示外形。
但是，在圖2和圖3所示的例子中，在相鄰的兩個光電二極管中，一方的n層和另一方的p層在硅膜8的厚度方向上重合，但是本實施方式并不僅限于此。在本實施方式中，在相鄰的兩個光電二極管中，一方的n層和另一方的p層還可以以兩者的外緣一致的方式(以不存在區(qū)域12和13的方式)形成。
在這樣的情況下，在硅膜8中，以一方的n層和另一方的p層形成所謂的pn結(jié)。在形成于硅薄膜中的pn結(jié)中，因為不存在如pin結(jié)那樣的i層，所以耗盡層的區(qū)域非常小，在晶界附近的帶隙的變化變得急劇。因此，在晶界附近存在陷阱中心(trap center),并由此形成陷阱能級。其結(jié)果是，由于流過硅膜8表面的表面電流、硅膜8中的晶界的存在，在該pn結(jié)中，能夠進行載流子的自由捕捉，暗電流大量地增加。即，形成于硅薄膜的pn結(jié)大致處于與歐姆連接相同的狀態(tài)。
由此，即使在一方的n層和另一方的p層的外緣一致的情況下，光電二極管9和10、光電二極管10和11相互電連接，光電二極管9 11串聯(lián)連接。在本實施方式中，相鄰的光電二極管的一方的n層的外緣和另一方的p層的外緣一致的情況，是指通過一方的n層和另一方的p層的pn結(jié)形成上述的歐姆連接的情況。另外，光電二極管的正向的區(qū)域12和13的長度非常短的情況，與一致的情況同樣，能夠視為形成有pn結(jié)。這種情況也成為與歐姆連接相同的狀態(tài)。
接著，利用圖4說明本實施方式中的光傳感器的制造工序。圖4是表示圖2和圖3所示的光傳感器的制造工序的截面圖，圖4 (a) (d)分別表示一系列主要的制造工序。
如圖4 (a)所示，首先，在成為基底基板的玻璃基板16的一個面上，通過CVD (ChemicalVapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法等形成硅薄膜。然后，針對硅薄膜，利用光刻法進行圖案形成，形成成為光傳感器6的硅膜8。在本實施方式中，在硅膜8的下層，還能夠形成成為遮光膜的金屬膜、將金屬膜和硅膜8絕緣的絕緣膜。
此外，本實施方式中，成為硅膜8的硅薄膜雖然可以由非晶硅膜、多晶硅膜、連續(xù)晶界結(jié)晶硅(CGS)膜中的任一種形成，但是從電子的移動度高的觀點出發(fā)，優(yōu)選由CGS膜形成。
CGS膜的形成，例如能夠以下述方式進行。首先，在玻璃基板16上依次形成氧化硅膜和非晶硅膜。接著，在非晶硅膜的表層，形成成為促進結(jié)晶化的催化劑的鎳薄膜。接著，通過加熱，使鎳薄膜和非晶硅膜進行反應(yīng)，在它們的界面形成結(jié)晶硅層。然后，通過蝕刻等除去未反應(yīng)的鎳膜和硅化鎳層。接著，在對殘留的硅膜進行退火(Anneal)，使結(jié)晶化發(fā)展，得到CGS膜。
這樣的硅膜8的形成工序是利用TFT的形成工序。由此，因為硅膜8是n型，所以，接著，為了i層的形成，進行硅膜8中的雜質(zhì)的摻雜量的調(diào)整。具體而言，利用硼(B)、銦(In)等p型雜質(zhì)進行離子注入。
接著，如圖4 (b)所示，對硅膜8進行利用p型雜質(zhì)的離子注入，進行p層9a、 10a和lla的形成。具體而言，形成p層9a、 10a和lla 的形成區(qū)域開口的抗蝕劑圖案20。然后，以抗蝕劑圖案20為掩膜，通 過離子注入，將硼(B)、銦(In)等注入硅膜8中。之后，除去抗蝕 劑圖案20。
接著，如圖4 (c)所示，對硅膜8進行利用n型雜質(zhì)的離子注入， 進行n層9c、 10c和llc、以及區(qū)域12和13的形成。在本實施方式中， 該工序利用TFT的源極區(qū)域和漏極區(qū)域的工序進行，其中，TFT為對 像素進行驅(qū)動的有源元件。
具體而言，形成n層9c、 10c和llc的形成區(qū)域開口的抗蝕劑圖案 21。此時，抗蝕劑圖案21的開口以p層10a和lla的一部分露出的方 式形成。然后，將抗蝕劑圖案21作為掩膜，通過離子注入，將磷(P)、 砷(As)等注入硅膜8中。
其結(jié)果是，形成一部分區(qū)域與p層10a和Ua重合的n層9c和10c。 如上所述，通過p層和n層重合而形成的區(qū)域12和13，成為將相鄰的 光電二極管電連接的區(qū)域。之后，除去抗蝕劑圖案21。
另外，在圖4 (c)所示的工序中，抗蝕劑圖案21還可以以開口的 邊緣與p層10a和lla的外緣一致的方式形成。在這樣的情況下，不形 成區(qū)域12和13， n層9c的外緣和p層10a的外緣、n層10c的外緣和 p層lla的外緣一致，這些n層和p層形成pn結(jié)。此外，抗蝕劑圖案 21的開口的邊緣與p層10a和lla的外緣也可以通過抗蝕劑圖案21的 形成時的誤差而一致。
接著，通過利用CVD法形成硅氮化膜、硅氧化膜而形成層間絕緣 膜17。然后，在層間絕緣膜17的與p層9a和n層llc對應(yīng)之處分別 形成貫通孔，并形成金屬配線14和15。之后，進一步進行CVD法， 形成層間絕緣膜18。
這樣，通過實施圖4 (a) (d)所示的工序，形成圖2和圖3所 示的本實施方式中的光傳感器6。另外，在圖2 圖4所示的例子中， 光傳感器6由三個光電二極管9 11構(gòu)成，但是并不限于此。光傳感 器6的光電二極管的個數(shù)能夠適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
此外，區(qū)域12和13的形成工序也不僅限于圖4所示的例子。例 如，通過如下的方式也能夠形成區(qū)域12和13， B卩，間隔距離形成相鄰的光電二極管的一方的p層和另一方的n層，在兩者之間的區(qū)域內(nèi)， 通過另外的離子注入工序注入p型雜質(zhì)和n型雜質(zhì)。 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明的光傳感器并不僅限于這些，還能夠裝載在液晶顯示裝置、 EL顯示裝置等顯示裝置上。由此，本發(fā)明的光傳感器、進而裝載它的 顯示裝置，具有產(chǎn)業(yè)上的可利用性。
權(quán)利要求
1.一種光傳感器，其特征在于其具備形成于同一硅膜的多個光電二極管，所述多個光電二極管各自具有形成于所述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在相鄰的兩個所述光電二極管中，一方的n型半導(dǎo)體區(qū)域和另一方的p型半導(dǎo)體區(qū)域以兩個半導(dǎo)體區(qū)域的外緣一致，或者兩個半導(dǎo)體區(qū)域相互在所述硅膜的厚度方向上重合的方式形成。
2. 如權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于 所述多個光電二極管各自在所述p型的半導(dǎo)體區(qū)域和所述n型的半導(dǎo)體區(qū)域之間具有本征半導(dǎo)體區(qū)域。
3. —種顯示裝置，其具有形成有多個有源元件的有源矩陣基板、 和對周圍的光產(chǎn)生反應(yīng)而輸出信號的光傳感器，該顯示裝置的特征在 于所述光傳感器具備形成于同一硅膜的多個光電二極管， 所述硅膜設(shè)置于所述有源矩陣基板，所述多個光電二極管各自具有形成于所述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域 和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在相鄰的兩個所述光電二極管中， 一方的n型半導(dǎo)體區(qū)域和另一 方的p型半導(dǎo)體區(qū)域以兩個半導(dǎo)體區(qū)域的外緣一致，或者兩個半導(dǎo)體 區(qū)域相互在所述硅膜的厚度方向上重合的方式形成。
4. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于 所述多個光電二極管各自在所述p型的半導(dǎo)體區(qū)域和所述n型的半導(dǎo)體區(qū)域之間具有本征半導(dǎo)體區(qū)域。
5. —種光傳感器，其特征在于-其具備形成于同一硅膜的多個光電二極管，所述多個光電二極管各自具有形成于所述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在所述硅膜中相鄰的兩個光電二極管之間，設(shè)置有將它們電連接 的區(qū)域，所述區(qū)域以p型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與所述p型半導(dǎo)體區(qū)域相同，n 型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與所述n型半導(dǎo)體區(qū)域相同的方式形成。
6. —種顯示裝置，其具有形成有多個有源元件的有源矩陣基板、 和對周圍的光產(chǎn)生反應(yīng)而輸出信號的光傳感器，該顯示裝置的特征在 于所述光傳感器具備形成于同一硅膜的多個光電二極管， 所述硅膜設(shè)置于所述有源矩陣基板，所述多個光電二極管各自具有形成于所述硅膜的p型半導(dǎo)體區(qū)域 和n型半導(dǎo)體區(qū)域，并且，以各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置，在所述硅膜中相鄰的兩個光電二極管之間，設(shè)置有將它們電連接 的區(qū)域，所述區(qū)域以p型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與所述p型半導(dǎo)體區(qū)域相同，n 型雜質(zhì)的雜質(zhì)濃度與所述n型半導(dǎo)體區(qū)域相同的方式形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及光傳感器和顯示裝置，本發(fā)明提供能夠抑制由暗電流引起的噪聲的產(chǎn)生并能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的光傳感器和具備它的顯示裝置。使用具備形成于同一硅膜(8)的多個光電二極管(9～11)的光傳感器。光電二極管(9～11)各自具有形成于硅膜(8)的p型半導(dǎo)體區(qū)域(9a、10a、11a)和n型半導(dǎo)體區(qū)域(9c、10c、11c)。進一步，光電二極管(9～11)以各自的正向相互一致的方式串聯(lián)配置。在相鄰的兩個光電二極管中，一方的n型半導(dǎo)體區(qū)域和另一方的p型半導(dǎo)體區(qū)域以在硅膜的厚度方向上相互重合的方式形成。
文檔編號H01L27/146GK101657902SQ200880011718
公開日2010年2月24日 申請日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月13日
發(fā)明者B·J·哈德文, 佐藤昌和, 加藤浩巳 申請人:夏普株式會社