專利名稱：：具有粘接的半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器的發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及發(fā)光二極管，更具體地講涉及包含轉(zhuǎn)換LED發(fā)光波長的波長轉(zhuǎn)換器的發(fā)光二極管(LED)。
背景技術(shù)：
：波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)在照明應(yīng)用中變得日益重要，這些應(yīng)用中需要一種通常不是由LED產(chǎn)生的彩光，或者可使用單個LED產(chǎn)生通常由多個不同的LED共同產(chǎn)生的具有光譜的光。這類應(yīng)用的一個實(shí)例是用在顯示器的背向照明中，例如液晶顯示器(LCD)計算機(jī)監(jiān)視器和電視機(jī)。在這類應(yīng)用中，需要使用很白的光來照明IXD面板。利用單一的LED產(chǎn)生白光的一種方法是首先用LED產(chǎn)生藍(lán)光，然后將這種光的一部分或全部轉(zhuǎn)換成不同的顏色。例如，在使用發(fā)出藍(lán)光的LED作為白光源時，利用波長轉(zhuǎn)換器可將藍(lán)光的一部分轉(zhuǎn)換轉(zhuǎn)變?yōu)辄S光。所得的光是黃光和藍(lán)光的結(jié)合，觀察者看來就是白色的。在一些方法中，波長轉(zhuǎn)換器是一種緊鄰LED設(shè)置的半導(dǎo)體材料層，這樣LED中產(chǎn)生的大部分的光就進(jìn)入了轉(zhuǎn)換器。然而，仍存在一個問題，需要將所轉(zhuǎn)換的波長貼附到LED晶粒。通常，半導(dǎo)體材料具有相對高的折射率，而各類材料，例如一般被考慮用于將波長轉(zhuǎn)換器貼附到LED晶粒的粘合劑，具有相對低的折射率。因此，由于在相對高折射率的半導(dǎo)體LED材料和相對折射率的粘合劑之間的接合處存在高度完全內(nèi)部反射，所以反射損耗較高。這導(dǎo)致從LED出來并進(jìn)入波長轉(zhuǎn)換器的光的低效耦合。另一種方法是半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器到LED晶粒的半導(dǎo)體材料上的直接晶片粘合。這種方法在這兩種相對高的折射率的材料之間提供了優(yōu)良的光學(xué)耦合。然而，該方法需要超平滑的表面，這就提高了所得的LED裝置的成本。此外，波長轉(zhuǎn)換器和LED晶粒之間的任何熱膨脹系數(shù)差可能導(dǎo)致具有熱循環(huán)的粘合劑失效。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個實(shí)施例涉及能被切分成多個發(fā)光二極管(LED)的半導(dǎo)體疊堆。該疊堆具有LED晶片，該LED晶片包括設(shè)置在LED襯底上的LED半導(dǎo)體層的第一疊堆。背向LED襯底的LED晶片的第一側(cè)面的至少一部分具有第一紋理化表面。該疊堆還具有多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器，該波長轉(zhuǎn)換器被構(gòu)造用于有效地轉(zhuǎn)換LED層中所產(chǎn)生的光的波長。粘合層將LED晶片的第一側(cè)面貼附到波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面上。波長轉(zhuǎn)換器的另一個實(shí)施例涉及制造波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管的一種方法。該方法包括提供LED晶片，該LED晶片包括設(shè)置在襯底上的一組LED半導(dǎo)體層。該LED晶片的第一側(cè)面的至少一部分具有紋理化表面。該方法還包括提供多層波長轉(zhuǎn)換器晶片，其被構(gòu)造用于有效地轉(zhuǎn)換LED層中所產(chǎn)生的光的波長，并且包括利用設(shè)置在紋理化表面和轉(zhuǎn)換器晶片之間的粘合層將轉(zhuǎn)換器晶片粘接到LED晶片的紋理化表面上以產(chǎn)生LED/轉(zhuǎn)換器晶片。各個轉(zhuǎn)換LED晶片與LED/轉(zhuǎn)換器晶片分離。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及包括LED的一種波長轉(zhuǎn)換LED，該LED包括位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層。該LED在背向LED襯底的LED的側(cè)面上具有第一表面。多層的半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器被貼附到LED的第一表面上。波長轉(zhuǎn)換器具有背向LED的第一側(cè)面和面向LED的第二側(cè)面。波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的一個的至少一部分具有第一紋理化表面。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及包括LED的波長轉(zhuǎn)換LED，該LED包括位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層疊堆。面向LED襯底的LED半導(dǎo)體層疊堆的第一側(cè)面的至少一部分具有第一紋理化表面。多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器被貼附到背向LED襯底的LED的側(cè)面上。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及包含具有位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層疊堆的LED的一種LED。背向該LED半導(dǎo)體層疊堆的LED襯底的第一側(cè)面的至少一部分具有第一紋理化表面。多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器被貼附到背向LED襯底的LED的側(cè)面上。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及包括具有位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層疊堆的LED的一種LED裝置。背向LED襯底的LED半導(dǎo)體層疊堆的所述堆的上側(cè)面的至少一部分具有紋理化表面。由II-VI半導(dǎo)體材料形成的多層波長轉(zhuǎn)換器被貼附于LED半導(dǎo)體層疊堆。在LED半導(dǎo)體層的邊緣處設(shè)置光阻元件以減少LED半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的光的邊緣泄漏。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及具有LED的一種波長轉(zhuǎn)換LED裝置，該LED包括位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層疊堆并且具有第一紋理化表面。多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器通過粘合層被貼附到該LED。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及用于LED的波長轉(zhuǎn)換器裝置。該裝置包括多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器元件以及設(shè)置在該波長轉(zhuǎn)換器元件的一個側(cè)面上的粘合層。在粘合層的上方有可移除的保護(hù)層。本發(fā)明的以上概述并不意在描述本發(fā)明的每一個圖示實(shí)施例或每一個實(shí)施方式。下面的附圖以及詳細(xì)描述更具體地舉例說明了這些實(shí)施例。結(jié)合附圖對本發(fā)明的各個實(shí)施例所做的以下詳細(xì)描述可有助于更全面地理解本發(fā)明，其中圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明原理的波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)的實(shí)施例；圖2A至2D示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明原理的波長轉(zhuǎn)換LED制造過程的實(shí)施例中的方法步驟；圖3示出了從波長轉(zhuǎn)換LED輸出的光的光譜；圖4A和4B示意性示出了根據(jù)本發(fā)明原理的波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)的實(shí)施例；圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明原理的波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)的另一個實(shí)施例；圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明原理的波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)的另一個實(shí)施例；圖7示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明原理的制造波長轉(zhuǎn)換LED的制造過程實(shí)施例中的方法步驟；圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明原理的波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)的另一個實(shí)施例；以及圖9示意性地示出了多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器的實(shí)施例。雖然本發(fā)明可有各種修改形式和替代形式，但是已經(jīng)以實(shí)例的方式在附圖中示出了其具體形式，并且將詳細(xì)描述這些具體形式。但是應(yīng)該理解，本發(fā)明并未將本發(fā)明限制到所描述的具體實(shí)施例。相反，本發(fā)明意在涵蓋所附的權(quán)利要求書限定的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的全部修改、等效物和替換。具體實(shí)施例方式本發(fā)明適用于使用波長轉(zhuǎn)換器的發(fā)光二極管，該波長轉(zhuǎn)換器將LED發(fā)出的光的至少一部分的波長轉(zhuǎn)換為不同的波長(通常更長的波長)。本發(fā)明涉及實(shí)用的和可制造的方法，該方法有效地使用具有藍(lán)色或紫外LED的半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器，這種轉(zhuǎn)換器通常是基于諸如AlGaInN的氮化材料的。更具體地講，本發(fā)明的一些實(shí)施例涉及利用中間粘合層來粘接多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器。當(dāng)直接將兩個半導(dǎo)體元件粘接在一起時，要求超平的表面，而使用粘合層則取消了這種要求。因此，在晶片級上組裝裝置是可能的，這極大地減少了制造成本。此外，如果粘合層是適形的，例如可以是聚合物粘合層的情況，對裝置進(jìn)行熱循環(huán)時可減小轉(zhuǎn)換層脫離LED的可能性。這是因?yàn)?，由于LED和波長轉(zhuǎn)換器的熱膨脹系數(shù)(CTE)的差異所積聚的應(yīng)力可以導(dǎo)致適形的粘合層的某種程度的變形。相比之下，在將LED直接粘接到波長轉(zhuǎn)換器的情況中，熱應(yīng)力被施加在LED和波長轉(zhuǎn)換器之間的接合處，這可以導(dǎo)致從波長轉(zhuǎn)換器的脫離或者對其產(chǎn)生損壞。圖1示意性地示于出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的波長轉(zhuǎn)換LED裝置100的實(shí)例。裝置100包括LED102，LED102具有位于LED襯底106上的LED半導(dǎo)體層疊堆104。LED半導(dǎo)體層104可以包括若干不同類型的層，這些層包括(但不限于)ρ型和η型結(jié)層、發(fā)光層(通常包含量子阱)、緩沖層以及覆蓋層。LED半導(dǎo)體層104有時被稱為外延層，因?yàn)槠渫ǔＪ抢猛庋犹幚矶傻摹ED襯底106通常比LED半導(dǎo)體層更厚，并且可以是LED半導(dǎo)體層104在其上所生長的襯底或者可以是半導(dǎo)體層104生長后所貼附的襯底，這些將在下面進(jìn)一步解釋。半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器108經(jīng)由粘合層110被貼附到LED102的上表面112。盡管本發(fā)明未限制可使用的LED半導(dǎo)體材料的類型和在LED中所產(chǎn)生的光的波長，但可以預(yù)料的是，將藍(lán)或者紫外部分光譜的光轉(zhuǎn)換成較長波長的可見或者紅外光譜時，證明本發(fā)明是最為有利的，所以發(fā)出的光可以呈現(xiàn)為例如綠色、黃色、琥珀色、橙色、或者紅色，或通過組合多種波長，光可以呈現(xiàn)為混合色，例如青色、品紅色或者白色。例如，產(chǎn)生藍(lán)光的AlGaInNLED可以與波長轉(zhuǎn)換器一起使用，該波長轉(zhuǎn)換器吸收藍(lán)光的一部分以產(chǎn)生黃光，其結(jié)果是藍(lán)色和黃色的結(jié)合呈現(xiàn)為白色。在美國專利申請11/009，217中描述了一種適合類型的半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器108，該專利以引用的方式并入本文。多層波長轉(zhuǎn)換器通常使用基于II-VI半導(dǎo)體材料的多層量子阱結(jié)構(gòu)，例如各種合金硒化物，如CdMgZnSe。在這類多層波長轉(zhuǎn)換器中，將量子阱結(jié)構(gòu)114設(shè)計為，選擇此結(jié)構(gòu)的某些部分中的帶隙以便吸收LED102發(fā)出的抽運(yùn)光的至少一部分。通過吸收抽運(yùn)光所產(chǎn)生的電荷載體進(jìn)入此結(jié)構(gòu)具有更小帶隙的其他部分，即量子阱層，在此處載體重新結(jié)合并產(chǎn)生更長波長的光此描述并非有意限制半導(dǎo)體材料的類型或者波長轉(zhuǎn)換器的多層結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器108的上下表面122和124可以包括不同類型的涂層，例如美國專利申請No.11/009,217中所描述的濾光層、反射器或鏡子。表面122和124中任何一個上的涂層可以包括防反射敷層。粘合層110由任何適合的材料形成，這種材料將波長轉(zhuǎn)換器108粘接到LED102并且其基本上是透明的，以便大部分的光穿過LED102到達(dá)波長轉(zhuǎn)換器108。例如，LED102所發(fā)出光的90%以上可以通過粘合層。一般來講，最好使用具有較高導(dǎo)熱性的熱粘合層110波長轉(zhuǎn)換器中的光并非是100%轉(zhuǎn)換的，并且產(chǎn)生的熱量可以升高轉(zhuǎn)換器的溫度，這可以導(dǎo)致色移和光轉(zhuǎn)換效率的降低。通過減少粘合層110的厚度和選擇具有較高導(dǎo)熱率的粘合材料可以增加導(dǎo)熱性。選擇粘合材料時進(jìn)一步的考慮是可能出現(xiàn)的機(jī)械應(yīng)力，機(jī)械應(yīng)力是由LED、波長轉(zhuǎn)換器以及粘合材料之間的不均勻熱膨脹產(chǎn)生的。已經(jīng)考慮到了這兩種限制情況。在粘結(jié)材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)與LED102和/或波長轉(zhuǎn)換器108的CTE差別較大的情況中，優(yōu)選適形的粘合材料，即具有較低的系數(shù)，這樣它可以變形并吸收LED的熱循環(huán)所帶來的應(yīng)力。在制造裝置時使用的不同方法步驟中，粘合層110的粘合性質(zhì)足以將LED102粘接到波長轉(zhuǎn)換器108，以下進(jìn)行更詳細(xì)的解釋。在粘合材料和半導(dǎo)體層的LED102之間的CTE差較小的情況下，可以使用更高的系數(shù)、更堅硬的粘合材料?？捎玫恼澈喜牧习ü袒院头枪袒缘牟牧?。例如，固化性材料可包括反應(yīng)性的有機(jī)單體或聚合體，例如如丙烯酸脂、環(huán)氧樹脂、包含如聚有機(jī)硅氧烷或聚倍半硅氧烷類樹脂的硅、聚酰亞胺、全氟乙醚、或它們的混合物?？梢允褂脽?、光、或兩者的組合來固化或硬化固化性粘合材料。為了便于使用，可以優(yōu)選熱固化材料，但對于本發(fā)明而言并非是必需的。非固化粘合材料可以包括聚合物，例如熱塑性材料或蠟。利用非固化性材料進(jìn)行粘合可以通過將粘合材料的溫度升高到其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或其熔融溫度以組裝半導(dǎo)體疊堆、然后將半導(dǎo)體疊堆降溫至室溫(或者至少在玻璃化溫度以下)來實(shí)現(xiàn)。粘合材料可以包括光學(xué)透明聚合物材料，例如光學(xué)透明聚合粘合劑。還可以考慮無機(jī)粘合材料，例如溶膠_凝膠、硫、旋涂玻璃、混合有機(jī)_無機(jī)材料。還可以組合地使用各種粘合材料。一些示例性的粘合材料可以包括光學(xué)透明聚合物材料，例如光學(xué)透明聚合粘合齊U，包括丙烯酸樹脂類光學(xué)粘合劑，如Norland83H(由新澤西州克蘭伯里鎮(zhèn)的NorlandProducts公司提供)；氰丙烯酸酯，如Scotch-Weld瞬間粘合劑(由明尼蘇達(dá)州圣保羅市的3M公司提供)；苯并環(huán)丁烯，如Cyclotene(由密歇根州米德蘭市的Dow化學(xué)公司提供)；以及透明蠟如CrystalBond(加利福尼亞州雷丁市的TedPellaInc.公司提供)。粘合材料可以結(jié)合無機(jī)粒子以提高導(dǎo)熱率，減少熱膨脹系數(shù)，或者增加粘合層的平均折射率。適合的無機(jī)粒子的實(shí)例包括金屬氧化物粒子，例如Al203、&02、Ti02、V205、Zn0、SnO2和Si02。其他適合的無機(jī)粒子可以包括陶瓷或?qū)拵栋雽?dǎo)體，例如Si3N4、金剛石、ZnS以及SiC或金屬粒子。適合的無機(jī)粒子的粒度通常為微米或者亞微米的，以允許形成薄粘合層，并且在發(fā)光LED和發(fā)光波長轉(zhuǎn)換器層的整個光譜帶寬上基本上是非吸收性的?？梢赃x擇粒子的尺寸和密度來實(shí)現(xiàn)所需的透射和散射等級?？梢詫o機(jī)粒子進(jìn)行表面處理以提高它們在粘合材料中的均一色散。這種表面處理用化學(xué)物質(zhì)的實(shí)例包括硅烷、硅氧烷、羧酸、膦酸、鋯酸鹽、鈦酸鹽等。一般來講，在粘合層110中使用的粘合劑和其他適合材料的折射率小于大約1.7，而LED和波長轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體材料的折射率大于2，甚至大于3。盡管在粘合層110和粘合層110的任意一個側(cè)面上半導(dǎo)體材料之間的折射率有如此大的差異，但我們驚奇地發(fā)現(xiàn)圖1示出的結(jié)構(gòu)提供了出自LED102的光到波長轉(zhuǎn)換器108的良好耦合。因此，在將半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器貼附到LED時，使用粘合層是有效的，對提取效率不會產(chǎn)生不利的影響，所以不需要使用更消耗成本的方法將波長轉(zhuǎn)換器貼附到LED，例如使用直接晶片粘合?？梢詫⑼繉油糠蟮絃ED102或者波長轉(zhuǎn)換器108以提高對粘接材料的粘合和/或作為LED102所產(chǎn)生光的抗反射涂層。這些涂層可以包括，例如Ti02、A1202、SiO2,Si3N4以及其他無機(jī)或有機(jī)材料。涂層可以是單層或者多層涂層。還可以使用表面處理方法提高粘合，例如電暈處理，暴露于O2等離子和暴露于紫外線/臭氧。在一些實(shí)施例中，LED半導(dǎo)體層104通過光粘合層116貼附到襯底106，并且電極118和120可以分別安裝在LED102的下表面和上表面。這種類型的結(jié)構(gòu)常用在基于氮化材料的LED情況中LED半導(dǎo)體層104可以在襯底上生成，例如蘭寶石或碳化硅，然后轉(zhuǎn)移到另一個襯底106，例如硅或金屬襯底。在其他實(shí)施例中，LED使用襯底106，例如蘭寶石或碳化硅，半導(dǎo)體層104直接在襯底上生成。在某些實(shí)施例中，LED102的上表面112是紋理化層，相比于上表面112是平的情況，這種紋理化層增加了對出自LED的光的提取。上表面的紋理可以是任意適合的形式，這種形式提供了與半導(dǎo)體層104的表面部分不平行的部分。例如，紋理可以是例如美國專利申請No.6，657，236描述的孔、凸凹、坑、圓錐、角錐、各種其他形狀以及不同形狀的組合，該專利內(nèi)容以引用的方式并入本文。紋理可以包括隨機(jī)元件或者非隨機(jī)的規(guī)則元件。元件尺寸通常是亞微米的，但可以是幾微米大小。周期數(shù)或相干長度的范圍也可以從亞微米到微米。在一些情況下，紋理化表面可以包括例如由Kasugai等人在2006年《固態(tài)物理》第三卷，第2165頁和美國專利申請11/210，713中描述的蛾眼表面?？梢允褂酶鞣N方法對表面進(jìn)行紋理化，例如蝕刻(包括潤濕化學(xué)蝕刻、干法蝕刻處理，如反應(yīng)離子刻蝕或感應(yīng)耦合等離子蝕刻、電化學(xué)蝕刻、或者光蝕刻)、光刻法等。還可以通過半導(dǎo)體生長方法來制作紋理化表面，例如通過非晶格匹配組合物的快速生成率來促進(jìn)孤島化等?；蛘?，可以在引起LED層的生長之前利用前述蝕刻處理的任何一種對生長襯底本身進(jìn)行紋理化。在缺乏紋理化表面的情況下，只要LED中的光傳播方向位于允許提取的角分布內(nèi)側(cè)，就可以有效地從LED提取光。通過光在LED的半導(dǎo)體層表面上的完全內(nèi)部反射，至少部分地限制了這種角分布。由于LED半導(dǎo)體材料的折射率相對較高，用于提取的角分布變得相對較窄。提供紋理化表面允許LED中光的傳播方向的重新分布，這樣可以提取更高比率的光?，F(xiàn)在參考圖2A至2D描述構(gòu)造波長轉(zhuǎn)換LED裝置的一些示例性方法步驟。LED晶片200具有位于LED襯底206上方的LED半導(dǎo)體層204，參見圖2A。在一些實(shí)施例中，LED半導(dǎo)體層204直接生成在襯底206上，而在其他實(shí)施例中，LED半導(dǎo)體層204通過光粘合層216貼附到襯底206。LED半導(dǎo)體層204的上表面是紋理化表面212。晶片200設(shè)有金屬部分220，該金屬部分可以用于后續(xù)的引線結(jié)合。襯底206的下表面可以設(shè)有金屬層。可以蝕刻晶片200以產(chǎn)生臺面結(jié)構(gòu)222。粘合材料210的層設(shè)置在晶片200上方。在轉(zhuǎn)換器襯底224上生成的多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器208被被貼附于粘合層210，如圖2B所示?？梢岳萌魏芜m用的方法，將粘合材料210轉(zhuǎn)移到晶片200的表面或者波長轉(zhuǎn)換器208的表面，或者同時到這兩個表面。這種方法包括(但不限于)旋涂、刮涂、蒸汽涂、轉(zhuǎn)移涂、以及其他的本領(lǐng)域已知的此類方法。在一些方法中，可以利用注射涂敷器來涂敷粘接材料。可以利用任何適用的方法將波長轉(zhuǎn)換器208貼附于粘合層。例如，可以將一定測得量的粘接材料(例如粘合劑)涂敷到位于室溫加熱板上的晶片200、208中的一個。然后，可以利用任何適用的方法將波長轉(zhuǎn)換器208或者LED晶片200貼附到粘合層。例如，可以大概對齊地將晶片200、208的平表面的一個置于另一個的頂部，并且將已知質(zhì)量的重物加到晶片200、208的頂部以促進(jìn)粘接材料流到晶片的邊緣。然后降低加熱板的溫度并且保持在適合的溫度上以便固化粘接材料。之后，將加熱板冷卻，移除重物以提供膠粘轉(zhuǎn)換器-LED晶片組件。在另一種方法中，可以利用已模切成晶片形狀的轉(zhuǎn)移底襯，將所選發(fā)粘的聚合物材料片材涂敷到晶片上。然后，將晶片嚙合到另一個晶片和在例如上述加熱板上固化的粘接材料上。在另一種方法中，可以將粘接材料的均勻?qū)宇A(yù)涂敷到波長轉(zhuǎn)換器晶片的表面和以可移除底襯保護(hù)的粘接材料的外露表面上，直到晶片200和208做好粘接準(zhǔn)備。對于可固化粘接材料，可能是有利的是部分地固化粘接材料，這樣它具有足夠高的粘度和/或機(jī)械穩(wěn)定性以便于處理，同時仍保持其粘合特性。然后，可以將轉(zhuǎn)換器襯底224蝕去，以產(chǎn)生圖2C所示的粘合晶片結(jié)構(gòu)。然后，穿過波長轉(zhuǎn)換器208和粘接材料210蝕刻出通路226以暴露金屬部分220，如圖2D所示，并且可以在虛線228處切割晶片，例如利用晶片鋸，以產(chǎn)生獨(dú)立的波長轉(zhuǎn)換LED裝置。可以使用其他方法將各個裝置從晶片分開，例如激光劃片和噴水劃片。除了蝕刻通路外，在使用晶片鋸或者其他分割方法之前，沿著切割線進(jìn)行蝕刻以減少切割步驟中波長轉(zhuǎn)換器層上的應(yīng)力，這可能是有利的。mnι.n^mmMmm^.m^LED波長轉(zhuǎn)換LED是利用如圖2A至2D所示的方法產(chǎn)生的。LED晶片200采購自臺灣新竹市的Epistar公司。晶片200具有粘接到硅襯底206的外延AlGaInNLED層204?？芍苯邮褂玫氖?，LED晶片的上側(cè)面上的η型氮化物具有1平方毫米的臺面結(jié)構(gòu)222。另外，表面是粗糙的，使得一些部分具有紋理化表面212。其他部分以金鈷痕量進(jìn)行金屬化以擴(kuò)散電流并提供用于引線結(jié)合的焊盤。硅襯底206的背面利用金基層218進(jìn)行金屬化以提供ρ型接觸。最初，利用分子束外延(MBE)在InP襯底上制備多層、量子阱半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器208。首先通過MBE在InP襯底上生成GaInAs緩沖層以制備用于II-VI生長的表面。然后，將晶片通過超高真空轉(zhuǎn)移系統(tǒng)移到另一個MBE室，以便進(jìn)行轉(zhuǎn)換器的II-VI外延層的生長。生成態(tài)轉(zhuǎn)換器208連同襯底224的細(xì)節(jié)示于圖9并匯總在表I中。該表列出了轉(zhuǎn)換器208中不同層面的厚度、材料組成、帶隙以及層描述。轉(zhuǎn)換器208包括8個CdZnSe量子阱230，每一個具有2.15eV的能隙(Eg)。每個量子阱230夾在具有2.48eV的能隙的CdMgZnSe吸收器層232之間，這些吸收器層可以吸收LED發(fā)出的藍(lán)光。轉(zhuǎn)換器208還包括各種窗口、緩沖器和粒度層。表I波長轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)明細(xì)<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>LED晶片200的背面以電鍍帶(由明尼蘇達(dá)州圣保羅市的3M公司提供)進(jìn)行保護(hù)，并且利用Norland83H光學(xué)粘合劑(新澤西州克蘭伯里鎮(zhèn)的NorlandProducts公司)的粘合層210將轉(zhuǎn)換器晶片的外延表面貼附到LED晶片的上表面將幾滴粘合劑置于LED表面并且手動地將轉(zhuǎn)換器晶片擠壓到粘合劑上，直到粘合劑珠出現(xiàn)在晶片的整個邊緣周圍。在130°C時將粘合劑固化在加熱板上，持續(xù)2個小時。粘合層210的厚度范圍在1至10μm之間。冷卻到室溫后，InP晶片的后表面被機(jī)械地搭接并用3HC1IH2O溶液移除。蝕刻劑留在波長轉(zhuǎn)換器中的GaInAs緩沖器層上。隨后，在30ml氫氧化銨(30重量％)、5ml過氧化氫(30重量％)、40g己二酸、和200ml水的攪拌溶液中移除緩沖器層，僅讓II-VI半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器208粘接到LED晶片200。為了產(chǎn)生到氮化LED的上側(cè)面的電連接，穿過波長轉(zhuǎn)換器208并穿過粘合層210蝕刻通路222。這可以采用負(fù)性光致抗蝕劑(新澤西州富蘭克林市Futurrex公司的NR7-1000PY)以傳統(tǒng)的接觸光刻法就來實(shí)現(xiàn)。穿過光致抗蝕劑的孔排列在LED的引線結(jié)合焊盤的上方。由于波長轉(zhuǎn)換器208對綠光和紅光是透明的，因此這個過程的排列較為簡單。然后，將晶片浸入1份HCl(30重量％)和10份H2O相混合的停滯溶液(用Br使溶液飽和)中大約10分鐘，以蝕刻暴露的II-VI波長轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體層。然后，將晶片放入等離子蝕刻器中，并且在200mTorr的壓力和200W(1.Iff/cm2)的RF功率條件下暴露給氧等離子20分鐘。等離子同時移除了光致抗蝕劑和暴露在孔中的粘合劑，這些孔是在波長轉(zhuǎn)換器中蝕刻的。圖2D示意性地示出了所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)。然后，利用晶片鋸切分晶片，并且將各個LED裝置安裝在具有導(dǎo)電性環(huán)氧樹脂和結(jié)合引線的頭部。圖3示出了所產(chǎn)生的波長轉(zhuǎn)換LED裝置中的一個的光譜。在547nm的峰值波長處絕大部分的發(fā)光由半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生。藍(lán)抽運(yùn)光(467nm)幾乎被完全吸收。圖4A示例性地示出了本發(fā)明的另一個實(shí)施例。波長轉(zhuǎn)換LED裝置400包括LED402，LED402在襯底406上方具有LED半導(dǎo)體層404。在所示的實(shí)施例中，LED半導(dǎo)體層404通過粘合層416貼附到襯底406。下電極層418可以設(shè)置在背向LED層404的襯底406的表面。波長轉(zhuǎn)換器408通過粘合層410貼附到LED402。波長轉(zhuǎn)換器408的上表面420的至少一部分設(shè)有表面紋理。在一些實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換器的下表面422的至少一部分(面向LED402)可以是有紋理的，例如圖4B示意性示出的。因此，波長轉(zhuǎn)換器402可以具有背向LED的上表面420的一些部分和面向有紋理的LED的下表面422的一些部分。可以利用上述那些使LED表面紋理化的方法使波長轉(zhuǎn)換器408的表面紋理化。另外，波長轉(zhuǎn)換器的紋理化表面的表面特征可以是相同或者不同于LED上的紋理可以利用上述方法中的任一種為波長轉(zhuǎn)換器408的表面設(shè)置紋理。本發(fā)明的另一個實(shí)施例示意性地示于圖5中。波長轉(zhuǎn)換LED裝置500包括LED502，LED502在LED襯底506上方具有LED層504。波長轉(zhuǎn)換器508通過粘合層510貼附到LED502。在此實(shí)施例中，對LED半導(dǎo)體層504和襯底506之間的粘合劑516進(jìn)行金屬化。此外，最接近于LED襯底506的最低的LED層518在金屬粘合表面520處具有表面紋理。在這種情況下，對表面520進(jìn)行金屬化以重新導(dǎo)向LED層504中的光，其結(jié)果是在金屬化粘合劑516處以一個方向入射的光的至少一些可以被重導(dǎo)向進(jìn)入提取角分布中，該方向位于用于提取的角分布的外側(cè)。例如，可以利用以上所討論方法的任一種來構(gòu)建表面520的紋理。金屬化粘合劑516還可以提供位于下LED層518和LED襯底506之間的電氣路徑。在一些實(shí)施例中，裝置500在波長轉(zhuǎn)換器508的輸出表面上設(shè)有紋理化表面520，盡管這不是必需的條件?？梢匀鐚?shí)例1那樣，例如使用熱固化粘合劑材料，將半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器晶片涂敷到LED。如實(shí)例1，一般只需要一組通路，以提供到達(dá)LED502的頂部的電氣入口?，F(xiàn)在參考圖6描述本發(fā)明的另一個實(shí)施例。在此實(shí)施例中，波長轉(zhuǎn)換LED裝置600包括LED602，LED602具有貼附到LED襯底606的LED層604。LED層604可以在LED襯底606上生成或者可以通過粘合層(未示出)貼附。波長轉(zhuǎn)換器608通過粘合層610貼附到LED602。波長轉(zhuǎn)換器608可以采用相似于實(shí)例1所討論的方式，選用適合于它的光學(xué)和機(jī)械特性的粘合材料加裝到LED602。LED襯底606可以由透明材料，例如蘭寶石或碳化硅來構(gòu)成。在此實(shí)施例中，存在若干機(jī)會來提供紋理化表面，以提高從LED602進(jìn)入波長轉(zhuǎn)換器的光耦合。例如，可以為LED襯底606的底表面622設(shè)置紋理?？梢栽谏蒐ED半導(dǎo)體層604之前將紋理蝕刻到襯底606。在LED襯底606是非電傳導(dǎo)的情況下，可以設(shè)置兩個粘合盤618a、618b。第一個粘合盤618a連接到LED半導(dǎo)體層604的頂部，第二個粘合盤618b連接到LED半導(dǎo)體層的底部。粘合盤可以由任何適合的金屬材料構(gòu)成，例如金或者金基合金。實(shí)例2紋理化表面與平表面的建模效果對比使用TracePro4.1光學(xué)建模軟件對具有不同紋理化表面的波長轉(zhuǎn)換LED進(jìn)行模型。將LED模型化為ImmXImmX0.0Imm的GaN塊。假設(shè)LED嵌入半球形的密封劑中。假設(shè)LED的下側(cè)，即LED襯底的底側(cè)設(shè)置有反射率88%的銀反射器。具有2μm厚度和具有與密封劑相同的折射率的粘合層，將LED的發(fā)光表面和半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器層分隔開。假設(shè)轉(zhuǎn)換器層在其輸入和輸出兩側(cè)都具有平表面。模型的參數(shù)匯總在下面的表I中。表I效率津樽中使用的參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>吸收/通過是藍(lán)光穿過光學(xué)元件的單次通過的光學(xué)吸收，例如對于吸收是每次3%的情況，吸收系數(shù)α=-In(0.97)/t，其中t是單位為毫米的層厚度。使用集中在LED中部的兩個嵌入的均勻網(wǎng)格源(半角=90°)對LED晶粒的發(fā)光進(jìn)行建模。耦合進(jìn)入半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器層的光量是在以下幾種情況下計算得到的i)無任何紋理化表面，ii)只在LED的上側(cè)面有紋理化表面(即類似裝置600，但只有表面612被紋理化)，以及iii)只在LED下反射側(cè)面有紋理化表面(即類似裝置600，但只有表面622被紋理化)。將紋理化表面建模為近堆積方錐體，為實(shí)現(xiàn)最佳耦合效率，選擇1μm的基部和邊傾角。下面的表II比較了具有和不具有紋理化表面的半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器層吸收的藍(lán)光量的建模結(jié)果。耦合效率定義為LED發(fā)出的藍(lán)光耦合進(jìn)入波長轉(zhuǎn)換器層與被轉(zhuǎn)換層吸收的比率。在情況ii)中錐體形的紋理具有80°的頂角，情況iii)中具有120°的頂角。建模軟件不能處理有多于一個紋理化表面的裝置。表II耦合效率<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>可見，將紋理化表面添加到LED顯著提高了耦合進(jìn)入波長轉(zhuǎn)換器的藍(lán)光量，甚至在粘合層和波長轉(zhuǎn)換器之間的折射率差大于1時，仍可以獲得50%左右的耦合效率。圖7示出了可以切分成類似圖6所示裝置的晶片700，不同的是只對表面714和622進(jìn)行紋理化?？梢岳霉饪毯臀g刻步驟提供到達(dá)LED半導(dǎo)體層604上的粘合盤618a、618b的通路726?？梢栽诿總€通路的底部將引線結(jié)合涂敷到粘合盤618a、618b上，以提供對每個晶粒的電接觸?？梢栽诰€728上切割晶片700以產(chǎn)生獨(dú)立的LED裝置。可以在晶片的其他表面處提供表面紋理化，例如在波長轉(zhuǎn)換器608的頂和/或底表面或者在LED半導(dǎo)體層604和襯底606之間的表面處。在上述實(shí)施例中，一些雜散的抽運(yùn)光在工作過程中可以從波長轉(zhuǎn)換LED的邊緣逸出。盡管這種影響在某些金屬粘接薄膜LED的情況中是微不足道的，但在一些應(yīng)用中，對觀察到的LED顏色的影響可能是不希望的。在LED臺面結(jié)構(gòu)的邊緣周圍可以設(shè)置光阻元件以消除這種雜散的光。例如，可以在LED晶片上LED的最終制作步驟過程中，在半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器材料的粘合之前，設(shè)置這些元件。在一個實(shí)施例中，光阻材料可以是光致抗蝕劑(例如，用來吸收藍(lán)色或者紫外抽運(yùn)光)?；蛘?，可以采用光刻法和沉積步驟以填充具有反射或吸收材料的LED臺面結(jié)構(gòu)之間區(qū)域的全部或一部分。在另一種方法中，光阻元件可以包括多個層，例如光阻元件可以包括絕緣透明材料層和金屬層的組合層。在這種結(jié)構(gòu)中，金屬層將光反射回LED，而絕緣層可以保證LED層和金屬反射層之間的電絕緣。圖8示意性地示出了包括光阻元件的波長轉(zhuǎn)換LED裝置800的示意性實(shí)施例。裝置800包括LED802，LED802在LED襯底806上具有LED半導(dǎo)體層804。波長轉(zhuǎn)換器808通過粘合層810粘接到LED802。在所示的實(shí)施例中，LED802的上表面812是紋理化表面。電極818、820提供用于LED裝置800的電流。光阻元件822設(shè)置在LED802的邊緣以減少穿過LED802的邊緣逸出的光的量。在制造過程的晶片階段中，光阻元件824可以位于切割位置處，在該處各個晶粒從晶片分離開。不應(yīng)將本發(fā)明看成是局限于上述特定實(shí)施例，而應(yīng)理解為涵蓋所附權(quán)利要求書中說明的本發(fā)明的所有方面。本專業(yè)技術(shù)人員通過直接查閱本說明書將顯見本發(fā)明可應(yīng)用的各種修改、等效處理、以及許多結(jié)構(gòu)。權(quán)利要求書將力圖涵蓋這種修改和裝置。例如，盡管以上說明已經(jīng)討論了基于GaN的LED，但本發(fā)明還可以用于采用其他III-V半導(dǎo)體材料制作的LED，也可以用于采用II-VI半導(dǎo)體材料的LED。權(quán)利要求一種能被切分成多個發(fā)光二極管(LED)的半導(dǎo)體疊堆，包括發(fā)光二極管(LED)晶片，該發(fā)光二極管晶片包括設(shè)置在LED襯底上的LED半導(dǎo)體層的第一疊堆，所述LED晶片的至少一部分具有第一紋理化表面；多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器，該多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器被構(gòu)造為在轉(zhuǎn)換所述LED層中產(chǎn)生的光的波長時是有效的；以及粘合層，該粘合層將所述LED晶片貼附到所述波長轉(zhuǎn)換器。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中所述第一紋理化表面位于所述LED晶片的背向所述LED襯底的表面上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片，其中所述粘合層是聚合物層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊堆，其中所述波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面的至少一部分包括第二紋理化表面。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的疊堆，其中所述波長轉(zhuǎn)換器的第二側(cè)面的至少一部分具有紋理化表面。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊堆，其中所述LED襯底包括背向LED半導(dǎo)體層疊堆的第一側(cè)面，所述LED襯底的第一側(cè)面的至少一部分包括第三紋理化表面。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊堆，還包括粘接在所述LED襯底和LED半導(dǎo)體層之間的反射粘合層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的疊堆，其中所述反射粘合層是金屬層。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊堆，還包括位于所述LED半導(dǎo)體層和LED襯底之間的第四紋理化表面。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊堆，其中所述半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器包括II-VI半導(dǎo)體材料。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊堆，其中所述粘合層包括設(shè)置在粘接材料中的無機(jī)粒子。12.一種制造波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管的方法，包括提供發(fā)光二極管(LED)晶片，該LED晶片包括設(shè)置在襯底上的一組LED半導(dǎo)體層，并且該LED晶片具有紋理化表面；提供多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器晶片，該多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器晶片被構(gòu)造為在轉(zhuǎn)換所述LED層中產(chǎn)生的光的波長時是有效的；利用設(shè)置在所述LED晶片和所述轉(zhuǎn)換器晶片之間的粘合層，將所述轉(zhuǎn)換器晶片粘接到LED晶片以產(chǎn)生LED/轉(zhuǎn)換器晶片；以及將各個轉(zhuǎn)換的LED晶粒從LED/轉(zhuǎn)換器晶片分離。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中將所述轉(zhuǎn)換器晶片粘接到所述LED晶片包括將所述LED晶片粘接到所述LED晶片的紋理化表面。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中將所述轉(zhuǎn)換器晶片粘接到所述紋理化表面包括使用聚合物材料將所述轉(zhuǎn)換器晶片粘接到所述紋理化表面。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括蝕刻穿過所述轉(zhuǎn)換器晶片以暴露所述LED晶片的第一側(cè)面的電連接區(qū)域。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中分隔各個轉(zhuǎn)換的LED晶粒包括使用鋸來切分所述LED/轉(zhuǎn)換器晶片。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在將所述轉(zhuǎn)換器晶片粘接到所述紋理化表面后，從所述轉(zhuǎn)換器晶片移除轉(zhuǎn)換器襯底。18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中將所述轉(zhuǎn)換器晶片粘接到所述紋理化表面包括將所述轉(zhuǎn)換器晶片的第一側(cè)面粘接到所述紋理化表面，并且還包括使所述轉(zhuǎn)換器晶片的第一側(cè)面紋理化。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括使所述轉(zhuǎn)換器晶片的第二側(cè)面紋理化。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括利用反射粘合層將所述LED半導(dǎo)體層粘接到LED襯底。21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述LED襯底是透明的，并且還包括在背向所述波長轉(zhuǎn)換器晶片的所述LED襯底的側(cè)面上提供紋理化表面。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，還包括在面向第二LED襯底的所述LED半導(dǎo)體層的側(cè)面上提供紋理化表面。23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述LED/轉(zhuǎn)換器晶片中提供光阻元件，并且其中分離各個LED晶粒包括在所述光阻元件處分離所述LED/轉(zhuǎn)換器晶片。24.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中提供所述波長轉(zhuǎn)換器晶片包括提供包括II-VI半導(dǎo)體材料的多層波長轉(zhuǎn)換器晶片。25.一種波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)，包括LED,該LED包括位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層，并且包括在背向所述LED襯底的所述LED的側(cè)面的第一表面；以及多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器，該多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器通過粘合層貼附于所述LED的第一表面，并且具有背向所述LED的第一側(cè)面和面向所述LED的第二側(cè)面，所述波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的一個的至少一部分具有第一紋理化表面。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的另一個的至少一部分具有第二紋理化表面。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述LED的第一表面的至少一部分具有第三紋理化表面，所述波長轉(zhuǎn)換器被貼附到所述第三紋理化表面。28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述LED襯底包括背向所述波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面，所述LED襯底的第一側(cè)面的至少一部分具有第四紋理化表面。29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，還包括反射粘合層，所述反射粘合層將所述LED襯底貼附到所述LED半導(dǎo)體層。30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述LED半導(dǎo)體層具有面向所述LED襯底的第一側(cè)面，所述LED半導(dǎo)體層的第一側(cè)面的至少一部分具有第五紋理化表面。31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，還包括設(shè)置在所述LED半導(dǎo)體層的邊緣處的至少一個光阻元件，以減少所述LED半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的光的泄漏。32.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器疊堆包括II-VI半導(dǎo)體材料。33.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，還包括設(shè)置在所述LED和所述波長轉(zhuǎn)換器之間的粘I=Iteο34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的裝置，其中所述粘合層包括設(shè)置在粘接材料中的無機(jī)粒子。35.一種波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)，包括LED,該LED包括位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層疊堆，面向所述LED襯底的所述LED半導(dǎo)體層疊堆的第一側(cè)面的至少一部分具有第一紋理化表面；以及多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器，該多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器通過粘合層貼附到背向所述LED襯底的所述LED的側(cè)面。36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的裝置，其中背向所述LED襯底的所述LED的第二側(cè)面的至少一部分包括第二紋理化表面，所述第二紋理化表面被貼附于所述波長轉(zhuǎn)換器。37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器包括背向所述LED的第一側(cè)面和面向所述LED的第二側(cè)面，所述波長轉(zhuǎn)換器的第一和第二側(cè)面中的一個的至少一部分具有第三紋理化表面。38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器的第一和第二側(cè)面中的另一個的至少一部分具有第四紋理化表面。39.根據(jù)權(quán)利要求35所述的裝置，還包括設(shè)置在所述LED半導(dǎo)體層的邊緣處的至少一個光阻元件，以減少所述LED半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的光的泄漏。40.根據(jù)權(quán)利要求35所述的裝置，其中所述粘合層包括聚合物粘合層。41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的裝置，其中所述粘合層包括設(shè)置在粘接材料中的無機(jī)粒子。42.根據(jù)權(quán)利要求35所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器包括II-VI半導(dǎo)體材料。43.一種波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)裝置，包括LED,該LED包括位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層疊堆，背向所述LED半導(dǎo)體層疊堆的LED襯底的第一側(cè)面的至少一部分具有第一紋理化表面；以及多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器，該多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器通過粘合層貼附到背向所述LED襯底的所述LED的側(cè)面。44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，其中背向所述LED襯底的LED半導(dǎo)體層疊堆的第一表面的至少一部分具有第二紋理化表面，所述第二紋理化表面粘接到所述波長轉(zhuǎn)換器。45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器包括背向所述LED的第一側(cè)面和面向所述LED的第二側(cè)面，所述波長轉(zhuǎn)換器的第一和第二側(cè)面中的一個的至少一部分具有第三紋理化表面。46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的另一個的至少一部分具有第四紋理化表面。47.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，其中所述LED半導(dǎo)體層疊堆具有面向所述LED襯底的第一側(cè)面，所述LED半導(dǎo)體層疊堆的第一側(cè)面的至少一部分具有第五紋理化表面。48.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，其中所述LED襯底對于LED半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的光基本上是透明的。49.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，還包括設(shè)置在所述LED半導(dǎo)體層疊堆的邊緣處的至少一個光阻元件，以減少所述LED半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的光的泄漏。50.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，還包括將所述波長轉(zhuǎn)換器貼附到所述LED的粘合層。51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的裝置，其中所述粘合層包括聚合物粘合層。52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的裝置，其中所述粘合層包括設(shè)置在粘接材料中的無機(jī)粒子。53.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器包括II-VI半導(dǎo)體材料。54.根據(jù)權(quán)利要求43所述的裝置，還包括位于所述LED襯底的第一側(cè)面的紋理化表面上的反射涂層。55.一種發(fā)光二極管(LED)裝置，包括LED,該LED包括位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層疊堆，背向所述LED襯底的LED半導(dǎo)體層疊堆的所述疊堆的上側(cè)面的至少一部分具有紋理化表面；多層波長轉(zhuǎn)換器，該多層波長轉(zhuǎn)換器由II-VI半導(dǎo)體材料構(gòu)成并且貼附到所述LED半導(dǎo)體層疊堆；以及光阻元件，該光阻元件設(shè)置在所述LED半導(dǎo)體層的邊緣處，以減少所述LED半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的光的泄漏。56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器具有背向所述LED半導(dǎo)體層疊堆的第一側(cè)面和面向所述LED半導(dǎo)體層疊堆的第二側(cè)面，所述波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的一個的至少一部分具有紋理化表面。57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的另一個的至少一部分具有紋理化表面。58.根據(jù)權(quán)利要求55所述的裝置，其中所述LED襯底包括背向所述波長轉(zhuǎn)換器的第一側(cè)面，所述LED襯底的第一側(cè)面的至少一部分具有紋理化表面。59.根據(jù)權(quán)利要求55所述的裝置，還包括將所述LED半導(dǎo)體層疊堆貼附到所述LED襯底的反射粘合層。60.根據(jù)權(quán)利要求55所述的裝置，其中所述LED襯底對于LED半導(dǎo)體層中產(chǎn)生的光基本上是透明的，所述LED襯底具有背向所述LED半導(dǎo)體層疊堆的第一側(cè)面，所述LED襯底的第一側(cè)面的至少一部分具有紋理化表面。61.根據(jù)權(quán)利要求60所述的裝置，其中所述LED半導(dǎo)體層疊堆包括面向所述LED襯底的第一側(cè)面，所述LED半導(dǎo)體層疊堆的第一側(cè)面的至少一部分具有紋理化表面。62.根據(jù)權(quán)利要求55所述的裝置，還包括將所述波長轉(zhuǎn)換器貼附到所述LED的粘合層。63.一種波長轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管(LED)裝置，包括LED,該LED包括位于LED襯底上的LED半導(dǎo)體層疊堆，并且該LED具有第一紋理化表面；以及多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器，該多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器通過粘合層貼附到所述LED。64.根據(jù)權(quán)利要求63所述的裝置，其中所述第一紋理化表面位于所述LED的輸出表面上，光從所述LED通過經(jīng)由所述輸出表面到達(dá)所述波長轉(zhuǎn)換器。65.根據(jù)權(quán)利要求63所述的裝置，其中所述第一紋理化表面位于所述LED襯底上。66.根據(jù)權(quán)利要求63所述的裝置，其中所述第一紋理化表面位于所述LED半導(dǎo)體層和所述LED襯底之間。67.根據(jù)權(quán)利要求63所述的裝置，其中通過所述粘合層將所述波長轉(zhuǎn)換器貼附到所述第一紋理化表面。68.根據(jù)權(quán)利要求63所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器包括第二紋理化表面。69.一種用于發(fā)光二極管(LED)的波長轉(zhuǎn)換裝置，包括多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器元件；設(shè)置在所述波長轉(zhuǎn)換器元件的一個側(cè)面上的粘合層；以及位于所述粘合層上方的可移除保護(hù)層。70.根據(jù)權(quán)利要求69所述的裝置，其中所述粘合層是粘合劑粘合層。71.根據(jù)權(quán)利要求69所述的裝置，其中所述粘合層是聚合物型粘合劑粘合層。72.根據(jù)權(quán)利要求69所述的裝置，其中所述波長轉(zhuǎn)換器元件包括紋理化表面。全文摘要本發(fā)明描述了一種發(fā)光二極管(LED)，其具有設(shè)置在襯底上的不同LED層。多層半導(dǎo)體波長轉(zhuǎn)換器，其能夠?qū)⑺鯨ED中產(chǎn)生的光的波長轉(zhuǎn)換為波長更長的光，并通過粘合層貼附到所述LED的上表面。所述LED中的一個或多個紋理化表面用于提高光從所述LED傳遞到所述波長轉(zhuǎn)換器的效率。在一些實(shí)施例中，所述波長轉(zhuǎn)換器的一個或多個表面設(shè)有紋理化表面以提高所述轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生的所述長波長光的提取效率。文檔編號H01L33/22GK101821866SQ200880110752公開日2010年9月1日申請日期2008年9月9日優(yōu)先權(quán)日2007年10月8日發(fā)明者凱瑟琳·A·萊瑟達(dá)勒,托米·W·凱利,特里·L·史密斯,邁克爾·A·哈斯申請人:3M創(chuàng)新有限公司