專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請要求2007年11月16日申請的日本專利申請第2007-298525號的優(yōu)先權(quán)。 作為參考，本說明書中引用了該申請的全部內(nèi)容。本發(fā)明涉及一種在表面上形成有用于連接并固定導(dǎo)電線的墊板的半導(dǎo)體裝置。另 外，涉及一種通過導(dǎo)電線連接兩點間的裝置。
背景技術(shù)：
熟知一種引線接合方法，用于對半導(dǎo)體裝置與外部電路，或者半導(dǎo)體裝置與半導(dǎo) 體裝置之間進行電連接。在引線接合方法中，將一端被連接固定于外部電路或者半導(dǎo)體裝 置上的導(dǎo)電線，拉伸至形成在半導(dǎo)體裝置表面的墊板上，并將該導(dǎo)電線連接固定于墊板上， 且在連接固定于墊板上之后切斷導(dǎo)電線的延長部分。特開2004-228479號公報與特開平 7-131075號公報中公開了一種在半導(dǎo)體裝置的表面上設(shè)置墊板，且將導(dǎo)電線連接固定在該 墊板上的裝置。存在一種需要各種墊板的半導(dǎo)體裝置。例如電力控制用的半導(dǎo)體裝置，需要至少 一個電力用墊板和小信號墊板，其中，所述電力用墊板連接并固定流有控制電流的導(dǎo)電線， 所述小信號墊板連接并固定用于傳遞對半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)通·斷開進行切換的信號的導(dǎo)電 線。在小信號墊板中除了所述墊板以外，還存在連接并固定用于傳遞與半導(dǎo)體裝置中流動 的電流量相對應(yīng)的信號的導(dǎo)電線的墊板，和連接并固定用于傳遞與半導(dǎo)體裝置的溫度相對 應(yīng)的信號的導(dǎo)電線的墊板。
發(fā)明內(nèi)容
在大多數(shù)情況下，無法在位于連接信號傳遞用導(dǎo)電線的小信號墊板下方的半導(dǎo)體 基板上，制造半導(dǎo)體裝置發(fā)揮功能所需的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。有必要避免由于施加在小信號墊板 上的電壓而使半導(dǎo)體裝置的工作不穩(wěn)定的情況，或者為了避免在小信號墊板上所出現(xiàn)的電 壓發(fā)生意外變動，需要在小信號墊板的下方形成較厚的氧化膜。但是，在形成有較厚的氧化 膜的范圍內(nèi)，一般無法制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。因此，小信號墊板越是大型，制造半導(dǎo)體裝置發(fā)揮 功能所需要的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的范圍(有效區(qū)或者活性區(qū))越小。相反，如果能夠?qū)⑿⌒盘枆| 板小型化，則能夠擴大有效區(qū)或者活性區(qū)，從而能提高半導(dǎo)體裝置的特性。因此，如上所述， 有必要使占據(jù)半導(dǎo)體裝置表面的墊板面積小型化。另外，如果只需連接固定導(dǎo)電線，用小型墊板就可滿足要求，而當切斷連接固定于 墊板上的導(dǎo)電線的延長部分時，則需要更大的墊板。在墊板上切斷導(dǎo)電線時，利用工具將連 接固定于墊板上的導(dǎo)電線壓在墊板上，并在此狀態(tài)下通過牽拉而切斷導(dǎo)電線的延長部分。 當切斷導(dǎo)電線時，會在半導(dǎo)體裝置的表面上產(chǎn)生拖痕。因此需要避免在覆蓋半導(dǎo)體裝置表 面的保護膜的表面上形成拖痕而導(dǎo)致保護膜受損的情況。為了避免保護膜表面由于拖痕而 損壞的情況，就需要擴大至拖痕的形成范圍的墊板。由于需要在墊板上確保拖痕形成區(qū)，所 以墊板將大型化，從而導(dǎo)致能夠制造半導(dǎo)體裝置發(fā)揮功能所需要的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有效面積縮小。
在本發(fā)明中提供了一種將占據(jù)半導(dǎo)體裝置表面的墊板面積小型化，從而擴大有效 面積的技術(shù)。在本發(fā)明所創(chuàng)造的半導(dǎo)體裝置中，用于連接并固定導(dǎo)電線的墊板被形成在半導(dǎo)體 裝置的表面上。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，墊板的表面上形成有，沿著連接并固定于墊板上 的導(dǎo)電線的長度方向，傾斜于位于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置的表面的區(qū)域。如果墊板的表面傾斜于位于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置的表面，則投影于半導(dǎo)體裝置 表面的墊板的長度就可縮短。也就是說，當用于連接固定導(dǎo)電線所需要的墊板表面的距離 (沿著墊板表面的距離)為L，墊板表面傾斜于半導(dǎo)體裝置的表面的角度為θ時，則投影 于半導(dǎo)體裝置表面的墊板的長度成為LXcos θ，從而短于墊板表面未傾斜時所需要的長度 L。如果投影于半導(dǎo)體裝置表面的墊板的長度縮短，則能夠擴大未被墊板覆蓋的范圍，即，可 制造半導(dǎo)體裝置發(fā)揮功能所需要的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有效面積。如果在墊板表面上形成傾斜區(qū) 域，則能夠縮短投影于半導(dǎo)體裝置表面的墊板的長度，從而能夠擴大未被墊板覆蓋的范圍 中，用于制造半導(dǎo)體裝置發(fā)揮功能所需要的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有效面積。為了切斷連接固定于墊板上的導(dǎo)電線，從墊板上牽拉連接固定于墊板上的導(dǎo)電線 的延長部分。在僅需要縮短投影于半導(dǎo)體裝置表面的墊板的長度即可的情況下，沿著將導(dǎo) 電線從墊板上牽拉時的方向，墊板表面既可以上升又可以下降。但是，由于與位于墊板周圍的物體發(fā)生干涉，從而有時不能實行通過牽拉而切斷 導(dǎo)電線的處理。為了減少干涉的產(chǎn)生，優(yōu)選為，沿著牽拉導(dǎo)電線的方向，墊板表面從半導(dǎo)體 裝置的表面上升。即，優(yōu)選為，從位于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置表面至墊板表面之間的距離， 沿著牽拉導(dǎo)電線的方向而擴大。例如，如圖7所示，當將導(dǎo)電線14a連接固定于墊板12上后，向遠離墊板12的方 向牽拉導(dǎo)電線的延長部分14b，從而進行在位置14c處切斷導(dǎo)電線的處理時，由于夾持并牽 拉導(dǎo)電線的延長部分14b的夾具與位于墊板12周圍的構(gòu)造物76發(fā)生干涉，所以不能進行 切斷處理。此時，如圖6所示，如果墊板表面傾斜成，沿著牽拉導(dǎo)電線14的方向上升，則夾 持并牽拉導(dǎo)電線14的夾具不會與構(gòu)造物76發(fā)生干涉。對在現(xiàn)有技術(shù)中無法進行接合的墊 板，通過使墊板表面向沿著牽拉導(dǎo)電線14的方向而上升的一側(cè)傾斜，能夠接合導(dǎo)線。當墊板表面沿著牽拉導(dǎo)電線的方向上升時，能夠使夾持并牽拉導(dǎo)電線的夾具向背 離半導(dǎo)體裝置表面的方向移動，從而不會在位于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置表面上形成拖痕。 此時，無需在墊板上預(yù)備拖痕形成區(qū)，從而能夠從墊板上去除拖痕形成區(qū)。如果從墊板上去 除拖痕形成區(qū)，則能夠進一步將墊板小型化。例如，如圖8所示，如果墊板表面沿著牽拉導(dǎo)電線的方向上升，則能夠確保墊板的 表面與位于其周圍的半導(dǎo)體基板表面之間的高度差80。因此，即使從墊板上去除拖痕形成 區(qū)，也不會在位于墊板周圍的半導(dǎo)體基板的表面上形成拖痕。拖痕形成區(qū)被去除，從而僅具 備連接并固定導(dǎo)電線所需長度的墊板就足夠了。因此能夠進一步將墊板小型化。為了在半導(dǎo)體基板的表面上形成具有傾斜表面的墊板，優(yōu)選為，使氧化膜存在于 墊板與半導(dǎo)體基板之間，并使該氧化膜的厚度傾斜。當在氧化膜厚度較薄的部分，注入有小幅加快氧化率的離子，而在氧化膜厚度較 厚的部分，注入有大幅加快氧化率的離子時，能夠使氧化膜的厚度傾斜。
當向半導(dǎo)體基板的表面注入小幅加快氧化率的離子而進行氧化時，形成較薄的氧 化膜。當向半導(dǎo)體基板的表面注入大幅加快氧化率的離子而進行氧化時，則形成較厚的氧 化膜。在兩個區(qū)域中間，形成厚度逐漸變化(傾斜)的氧化膜。由于氧化時體積膨脹，所以 氧化膜的表面比周圍的半導(dǎo)體基板的表面隆起。通過在厚度傾斜的氧化膜表面上形成墊 板，能夠容易地形成其表面傾斜于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置表面的墊板。還可以是，改變離子的注入濃度，來代替改變注入離子種類的方法。當以低濃度注 入用于加速氧化率的離子并進行氧化時，形成較薄的氧化膜。當以高濃度注入用于加速氧 化率的離子并進行氧化時，則形成較厚的氧化膜。在兩個區(qū)域中間，形成厚度逐漸變化(傾 斜)的氧化膜。通過在厚度傾斜的氧化膜表面上形成墊板，能夠容易地形成其表面傾斜于 墊板周圍的半導(dǎo)體裝置表面的墊板。 通過利用表面傾斜的墊板，實質(zhì)上減少存在于接合導(dǎo)電線兩端的兩個連接點之間 的高低差，從而能夠使接合穩(wěn)定。連接并固定導(dǎo)電線一端的第1連接點位于第1平面，而連接并固定導(dǎo)電線另一端 的第2連接點位于第2平面。第1平面位于比第2平面低的位置，且第1平面與第2平面 相互平行，并且均平行于除了墊板以外的半導(dǎo)體裝置的表面。此時，當在第1連接點上形成第1墊板，且在第2連接點上形成第2墊板時，實質(zhì) 上減小了第1連接點與第2連接點之間的高低差，其中，所述第1墊板具有朝向第2連接點 而上升的傾斜表面，所述第2墊板具有朝向第1連接點而下降的傾斜表面。例如，如圖12所示，在由導(dǎo)電線122連接第1墊板102與第2墊板104的情況下， 當?shù)?墊板102與第2墊板104的表面未傾斜時，第1墊板102與第2墊板104的表面之 間存在由120所圖示的高低差。相對于此，如圖11所示，當?shù)?墊板102的表面朝向第2 墊板104而上升，且第2墊板104的表面朝向第1墊板102而下降時，第1墊板102與第2 墊板104的表面之間存在的高低差成為由116所圖示的高低差，且相對于高低差120減小。 當存在于第1墊板102與第2墊板104的表面之間的高低差變小時，能夠提高引線接合的 穩(wěn)定性。在本發(fā)明的裝置中，優(yōu)選為，第1墊板的傾斜表面與第2墊板的傾斜表面，均平行 于包含第1連接點和第2連接點的面。由此，能夠有效地減小存在于第1墊板與第2墊板 的表面之間的高低差。根據(jù)本發(fā)明，能夠縮小墊板投影于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置的面的投影面積。由此， 能夠擴大制造半導(dǎo)體裝置發(fā)揮功能所需要的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有效面積，從而能夠提高半導(dǎo)體 裝置的電特性。
圖1為表示第1實施例中的半導(dǎo)體裝置2的剖視圖。圖2為將墊板12的剖視圖放大表示的圖。圖3為從垂直于半導(dǎo)體裝置302的表面的方向觀察現(xiàn)有技術(shù)中的墊板312的圖。圖4為從垂直于半導(dǎo)體裝置2的表面的方向觀察第1實施例中的墊板12的圖。圖5為從垂直于半導(dǎo)體裝置202的表面的方向觀察第3實施例中的墊板212的圖。圖6為模式化表示半導(dǎo)體裝置2的剖視圖。
圖7為表示現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體裝置602的剖視圖。圖8為表示第3實施例中的半導(dǎo)體裝置202的剖視圖。圖9為表示第4實施例中的半導(dǎo)體裝置402的剖視圖。圖10為表示第5實施例中的半導(dǎo)體裝置502的剖視圖。圖11為表示第6實施例中的裝置100的圖。圖12為表示現(xiàn)有技術(shù)中的裝置200的圖。圖13為表示引線接合方法的步驟的圖。圖14為表示引線接合方法的步驟的圖。圖15為表示引線接合方法的步驟的圖。。圖16為表示引線接合方法的步驟的圖。圖17為表示引線接合方法的步驟的圖。圖18表示現(xiàn)有技術(shù)的引線接合方法中的問題點。
具體實施例方式首先，對在下文中將要進行說明的實施例的主要特征進行整理。(特征1)半導(dǎo)體裝置的內(nèi)表面和位于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置的表面相平行。(特征2)位于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置的表面傾斜，且以墊板表面為水平的狀態(tài)， 將半導(dǎo)體裝置固定在引線接合裝置上而實施引線接合處理。(特征3)位于墊板周圍的半導(dǎo)體裝置的表面為水平，且以墊板表面為傾斜的狀 態(tài)，將半導(dǎo)體裝置固定在引線接合裝置上。引線接合裝置的夾具，即夾持并移動導(dǎo)電線的夾 具以垂直于墊板表面的方式傾斜，并實施引線接合處理。夾具在傾斜的墊板表面平行地移 動并切斷導(dǎo)電線。第1實施例在圖1中表示將本發(fā)明具體化的半導(dǎo)體裝置2的剖視圖。在半導(dǎo)體裝置2的表面 上，形成有發(fā)射極墊板16與用于連接并固定導(dǎo)電線14(在下文中，有時也稱為導(dǎo)線14)的 墊板12。墊板12被連接于后文中敘述的溝槽柵電極58，從而將從外部電路(未圖示)施 加于導(dǎo)電線14的電壓傳遞至溝槽柵電極58。半導(dǎo)體裝置2的表面中，除了確保與電極之間的導(dǎo)通的范圍以外，均由較薄的具 有均一厚度的場氧化膜26覆蓋。場氧化膜26中，在上方形成有墊板12的范圍上，形成有 氧化膜24。氧化膜24的表面傾斜于存在于墊板12周圍的半導(dǎo)體裝置2的表面。氧化膜 24的表面由較薄的具有均一厚度的層間絕緣膜20覆蓋。在層間絕緣膜20的表面上形成有 墊板12。墊板12的膜厚恒定。因為氧化膜24的表面傾斜，所以墊板12的表面傾斜于存在 于墊板12周圍的半導(dǎo)體裝置2的表面。從墊板12的端部至發(fā)射極墊板16的端部的范圍 內(nèi)的、半導(dǎo)體裝置2的表面上，形成有保護膜(鈍化膜)18。附圖標記22表示導(dǎo)電線，該導(dǎo)電線被接合在從半導(dǎo)體裝置2的活性區(qū)8的表面露 出的發(fā)射極墊板16上。導(dǎo)電線22對外部電路(未圖示)與發(fā)射極墊板16進行電連接。半導(dǎo)體基板6被劃分為，能夠制造半導(dǎo)體裝置2發(fā)揮功能所需要的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的活性區(qū)8和形成有墊板12的墊板區(qū)10。在墊板區(qū)10內(nèi)的半導(dǎo)體基板6上，不易制造半導(dǎo) 體裝置2發(fā)揮功能所需的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。墊板區(qū)10越小越能夠確保大的活性區(qū)8。
在半導(dǎo)體裝置2的活性區(qū)8上，形成有絕緣柵雙極性晶體管(在下文中稱為 IGBT)。半導(dǎo)體裝置2由以低濃度含有η型雜質(zhì)的半導(dǎo)體基板6形成，并由半導(dǎo)體基板6上 處于未加工狀態(tài)的部分形成漂移區(qū)46。在漂移區(qū)46的表面一側(cè)上，層疊有以低濃度含有ρ 型雜質(zhì)的體區(qū)48。在接近于體區(qū)48表面的位置上，形成有以高濃度含有η型雜質(zhì)的發(fā)射區(qū) 54。發(fā)射區(qū)54被體區(qū)48從漂移區(qū)46隔開。 以從發(fā)射區(qū)54的表面起，貫穿發(fā)射區(qū)54與體區(qū)48，并到達漂移區(qū)46的形式，形 成有溝槽56。溝槽56的底面與壁面由柵絕緣膜60覆蓋，且在溝槽56的內(nèi)側(cè)填充有溝槽 柵電極58。溝槽柵電極58的上表面被層間絕緣膜52覆蓋。在活性區(qū)8內(nèi)的半導(dǎo)體裝置2 的表面上，形成有發(fā)射極墊板16。發(fā)射極墊板16與發(fā)射區(qū)54和體區(qū)48導(dǎo)通，且通過層間 絕緣膜52而與溝槽柵電極58絕緣。在半導(dǎo)體裝置2中的墊板區(qū)10的表面一側(cè)，形成有以高濃度含有ρ型雜質(zhì)的P型 擴散區(qū)50。P型擴散區(qū)50與含有ρ型雜質(zhì)的體區(qū)48的終端部連接，且電導(dǎo)通。在半導(dǎo)體裝置2的內(nèi)表面一側(cè)，形成有以高濃度含有ρ型雜質(zhì)的集電區(qū)44。在半 導(dǎo)體裝置2的內(nèi)表面上形成有集電極42。集電極42與集電區(qū)44導(dǎo)通。如圖1所示，在本實施例的半導(dǎo)體裝置2中，將半導(dǎo)體裝置2傾斜而固定于接合裝 置上(未圖示)，以使墊板12的表面成水平。接合裝置將導(dǎo)電線14連接并固定于墊板12 的接合區(qū)30上。在此之前，先將導(dǎo)電線14中未圖示的端部連接并固定于外部電路。接合 裝置在將導(dǎo)線14連接固定于墊板12之后，朝向箭頭64的方向牽拉導(dǎo)線14的延長部分14b 而切斷導(dǎo)線14。圖13 圖17表示對外部電路146與半導(dǎo)體裝置2進行引線接合的方法。如圖13 所示，導(dǎo)線140穿過接合裝置的夾具138以及楔形工具134，且其前端從楔形工具134的底 面134a突出。夾具138具有夾持導(dǎo)線140的功能。夾具138通過支架136與楔形工具134 連接，且夾具138與楔形工具134能夠相對移動。在該引線接合方法中，首先，如圖14所示，將楔形工具134的底面134a壓在外部 電路146的墊板148上，并向?qū)Ь€施加超聲波振動從而接合墊板148與導(dǎo)線140。在墊板 148表面上形成有接合痕150。其次，如圖15所示，將導(dǎo)線140、夾具138與楔形工具134整體移動至下一個接合 位置、即半導(dǎo)體裝置2的墊板12上。此時，導(dǎo)線140從楔形工具134的底面134a引出。其 次，如圖16所示，將楔形工具134的底面134a壓在半導(dǎo)體裝置2的墊板12上，并向?qū)Ь€施 加超聲波振動從而接合墊板12與導(dǎo)線140。在墊板12的表面上形成有接合痕152。如圖16所示，在將導(dǎo)線140接合在墊板12上之后，在將楔形工具134放置于墊板 12上的狀態(tài)下，使夾具138相對于楔形工具134而向箭頭154的方向移動。由此，由墊板 12與楔形工具134夾住的導(dǎo)線140被扯斷。此時，如圖17所示，被扯斷的導(dǎo)線140在墊板 12的表面上形成了拖痕162。之后，楔形工具134與夾具138 —體地朝向箭頭156的方向 被提升，從而完成引線接合方法。如圖18所示，當墊板12具有與接合痕152相同程度的面積時，所形成的拖痕162 超出墊板12，從而損壞半導(dǎo)體裝置2表面的保護膜。當保護膜損壞時，雜質(zhì)等將從損壞處 進入到半導(dǎo)體裝置2的內(nèi)部，成為半導(dǎo)體裝置2的特性低下以及損壞的原因。因此，在墊板 12上切斷導(dǎo)線140時，需要將墊板12擴大形成至涵蓋拖痕162的形成范圍的程度。
在半導(dǎo)體裝置2的墊板12上形成有拖痕162的現(xiàn)象，并不限于扯斷導(dǎo)線140的情 況。在楔形工具134上設(shè)有用于切斷導(dǎo)線140的導(dǎo)線切割器，并由切割器切斷導(dǎo)線140的 情況下，有時也會形成拖痕162。在該情況下，為了避免半導(dǎo)體裝置2的保護膜被損壞，也需 要擴大墊板12以使拖痕162只形成于墊板12內(nèi)。如圖1所示，在本實施例的半導(dǎo)體裝置2中也形成有較大的墊板12，該墊板12具 有可包括與導(dǎo)線14連接固定所需要的接合區(qū)30，以及拖痕形成區(qū)28的大小。使接合區(qū)30 與拖痕形成區(qū)28的兩者均傾斜形成于除了墊板12以外的半導(dǎo)體裝置2的表面。因此，拖 痕不會超出墊板12。
本實施例的半導(dǎo)體裝置2的墊板12，沿著導(dǎo)線14的長度方向，傾斜形成于除了墊 板12以外的半導(dǎo)體裝置2的表面。因此，如圖2所示，能夠使從垂直于半導(dǎo)體裝置2表面 的方向觀察時的墊板12的長度L2，小于沿著墊板12的表面而計測的長度Li。當將墊板表 面相對于半導(dǎo)體裝置2的表面的傾斜角設(shè)為θ時，L2 = LlXcos θ，從而能夠獲得L2 > Ll 的關(guān)系。圖3為從垂直于半導(dǎo)體裝置302的表面的方向觀察現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置302的墊板 312附近的示意圖。墊板312被形成為，可包含形成有拖痕29的拖痕形成區(qū)28程度的大 小，且墊板312相對于半導(dǎo)體裝置302的表面的投影長度為Li。圖4為，從垂直于半導(dǎo)體裝置2的表面的方向觀察本實施例中的半導(dǎo)體裝置2的 墊板12附近的示意圖。墊板12也被形成為，可包含拖痕形成區(qū)28程度的大小，且墊板12 相對于半導(dǎo)體裝置2的表面的投影長度為L2。根據(jù)半導(dǎo)體裝置2，如箭頭66a所示，能夠縮 小墊板區(qū)10的面積。由此，能夠擴大活性區(qū)8的面積，從而能夠提高半導(dǎo)體裝置2的電特 性。第2實施例在圖6中表示本發(fā)明的第2實施例中的半導(dǎo)體裝置2的剖視圖。在第2實施例的 半導(dǎo)體裝置2的表面上形成有墊板12，該墊板12沿著牽拉導(dǎo)電線的延長部分14b的方向 64上升。并且在墊板12中的牽拉導(dǎo)電線的延長部分14b —側(cè)，形成有構(gòu)造物76。在圖7中表示現(xiàn)有技術(shù)中形成有與圖6相同的構(gòu)造物76，且墊板12不傾斜于墊板 12以外的半導(dǎo)體裝置2表面的半導(dǎo)體裝置602。在半導(dǎo)體裝置602中，將導(dǎo)電線14a連接 固定于墊板12之后，要想通過將導(dǎo)電線的延長部分14b沿著從墊板12上牽拉時的方向64 牽拉，從而進行在位置14c處切斷導(dǎo)電線的延長部分14b的處理，而由于夾持并牽拉導(dǎo)電線 的延長部分14b的夾具與位于墊板12周圍的構(gòu)造物76發(fā)生干涉，所以無法進行切斷處理。 艮口，不能將導(dǎo)電線14連接固定在墊板12上。在本實施例的半導(dǎo)體裝置2中，如圖6所示，由于墊板12的表面傾斜成，沿著牽拉 導(dǎo)電線的延長部分14b的方向64上升，所以夾持并牽拉導(dǎo)電線的延長部分14b的夾具不會 與構(gòu)造物76發(fā)生干涉。因此，通過將導(dǎo)電線的延長部分14b沿著從墊板12上牽拉的方向 64牽拉，能夠切斷導(dǎo)電線的延長部分14b，從而能夠?qū)?dǎo)電線14接合在墊板12上。即使是 現(xiàn)有技術(shù)中不能進行接合的墊板，通過使墊板表面傾斜成，沿著牽拉導(dǎo)電線的延長部分14b 的方向64上升，也能夠連接固定導(dǎo)電線14。第3實施例在圖8中表示本發(fā)明的第3實施例中的半導(dǎo)體裝置202的剖視圖。第3實施例的半導(dǎo)體裝置202中，在半導(dǎo)體裝置202的表面上形成有墊板212，該墊板212沿著牽拉導(dǎo)電 線的延長部分214b的方向64上升。如圖8所示，當墊板212的表面沿著牽拉導(dǎo)電線的方向64上升時，能夠確保墊板 212的表面與位于其周圍的半導(dǎo)體裝置202的表面之間的高度差80。因此，當將導(dǎo)電線的 延長部分214b從墊板212上牽拉時，能夠避免使半導(dǎo)體裝置202的表面存在于由導(dǎo)電線的 延長部分214b形成拖痕的范圍78內(nèi)。由此，能夠從墊板212上去除拖痕形成區(qū)，且不會由 導(dǎo)電線的延長部分214b在半導(dǎo)體裝置202的表面上形成拖痕。圖5表示從垂直于半導(dǎo)體 裝置表面的方向觀察墊板212周圍的、由于墊板212的表面沿著牽拉導(dǎo)電線的方向上升從 而去除了拖痕形成區(qū)的示意圖。通過去除拖痕形成區(qū)，墊板212相對于半導(dǎo)體裝置表面的 投影長度縮小為L3。根據(jù)半導(dǎo)體裝置202，如箭頭66b所示，能夠縮小墊板區(qū)210的面積。 由此，能夠擴大活性區(qū)208的面積，從而能夠提高半導(dǎo)體裝置202的電特性。第4實施例 在圖9的(1)中表示本發(fā)明的第4實施例中的半導(dǎo)體裝置402。在半導(dǎo)體裝置402 中，在墊板12與半導(dǎo)體基板406之間形成有氧化膜24。如圖9中的(2)所示，當形成氧化 膜24時，在與氧化膜24的厚度較薄的部分84相對應(yīng)的半導(dǎo)體基板406的表面區(qū)域88中， 注入有小幅加快氧化率的離子。在與氧化膜24的厚度較厚的部分86相對應(yīng)的半導(dǎo)體基板 406的表面區(qū)域90中，注入有大幅加快氧化率的離子。在此之后實行氧化處理。如圖9中的(3)所示，在半導(dǎo)體基板406的表面上注入有小幅加快氧化率的離子 的區(qū)域88中，通過氧化而在半導(dǎo)體基板406內(nèi)形成氧化膜，從而使區(qū)域88附近的半導(dǎo)體基 板406的表面小幅隆起。另外，注入有大幅加快氧化率的離子的區(qū)域90中，通過氧化而在 半導(dǎo)體基板406內(nèi)形成氧化膜，從而使區(qū)域90附近的半導(dǎo)體基板406的表面大幅隆起。在 兩個區(qū)域中間，形成有厚度逐漸變化(傾斜)的氧化膜24。如圖9中的(1)所示，通過在厚 度傾斜的氧化膜24的表面上形成墊板12，能夠容易地形成具有相對于墊板12周圍的半導(dǎo) 體裝置402表面而傾斜的表面的墊板12。第5實施例可以用改變離子的注入濃度的方式，代替改變注入的離子種類的方式。在圖10的 (1)中表示本發(fā)明的第5實施例中的半導(dǎo)體裝置502。在半導(dǎo)體裝置502中，在墊板12與 半導(dǎo)體基板506之間形成有氧化膜24。如圖10中的(2)所示，在形成氧化膜24時，在與氧 化膜24的厚度較薄的部分84相對應(yīng)的半導(dǎo)體基板506的表面區(qū)域92中，以低濃度注入有 用于加速氧化率的離子，且在與氧化膜24的厚度較厚的部分86相對應(yīng)的半導(dǎo)體基板506 的表面區(qū)域96中，以高濃度注入有用于加速氧化率的離子。在表面區(qū)域92與表面區(qū)域96 之間，形成有表面區(qū)域94，該表面區(qū)域94中以中濃度注入有用于加速氧化率的離子。圖10 的(3)中，以縱軸作為離子濃度，而表示在各區(qū)域92、94、96中注入的離子濃度。本實施例 在此之后實行氧化處理。如圖10中的(4)所示，在半導(dǎo)體基板506的表面上以低濃度注入有用于加速氧化 率的離子的區(qū)域92中，通過氧化而在半導(dǎo)體基板506內(nèi)形成氧化膜，從而使區(qū)域92附近的 半導(dǎo)體基板506的表面小幅隆起。另外，在以中程度的濃度注入有用于加速氧化率的離子 的區(qū)域94中，通過氧化而在半導(dǎo)體基板506內(nèi)形成氧化膜，從而使區(qū)域94附近的半導(dǎo)體基 板506的表面中度隆起。另外，在以高濃度注入有用于加速氧化率的離子的區(qū)域96中，通過氧化而在半導(dǎo)體基板506內(nèi)形成氧化膜，從而使區(qū)域96附近的半導(dǎo)體基板506的表面大 幅隆起。在兩個區(qū)域中間，形成有厚度逐漸變化(傾斜)的氧化膜24。如圖10中的(1)所 示，通過在厚度傾斜的氧化膜表面上形成墊板，能夠容易地形成其表面相對于墊板12周圍 的半導(dǎo)體裝置502表面而傾斜的墊板12。第6實施例在圖11中 表示將本發(fā)明具體化的裝置100。本實施例的裝置100為，由導(dǎo)電線122 將表面傾斜的第ι墊板102與第2墊板104連接的裝置。本實施例的裝置具備高度不同的兩個平面、即第1平面106與第2平面108。第1 平面106位于比第2平面108低的位置，并且第1平面106與第2平面108相互平行，且均 平行于墊板以外的半導(dǎo)體裝置的表面。在第1平面106上存在第1連接點110，且在第1平 面106的第1連接點110上形成有第1墊板102。第1墊板102上連接固定有導(dǎo)電線122 的一端。在第2平面108上存在第2連接點112，并且在第2平面108的第2連接點112上 形成有第2墊板104。在第2墊板104上連接固定有導(dǎo)電線122的另一端。在本實施例的裝置100中，第1平面106的第1墊板102被傾斜成，朝向第2連接 點112而上升，其中，所述第1平面106位于比第2平面108低的位置。第2平面108的第 2墊板104被傾斜成，朝向第1連接點110而下降，其中，第2平面108位于比第1平面106 高的位置。而且，第1墊板102的表面與第2墊板104的表面形成為相互平行。如圖12所 示的裝置200，在第1墊板102與第2墊板104未傾斜形成時，第1墊板102和第2墊板104 的表面之間的高低差120，等于第1平面106和第2平面108的表面之間的高低差。當高低 差120較大時，無法穩(wěn)定地將導(dǎo)電線122連接固定在第1墊板102與第2墊板104上。如 圖11所示，通過將第1墊板102與第2墊板104形成為傾斜，能夠使第1墊板102與第2 墊板104的表面之間的高低差116，小于第1平面106和第2平面108的表面之間的高低差 114。通過縮小高低差116，能夠穩(wěn)定地將導(dǎo)電線122連接固定在第1墊板102與第2墊板 104 上。在本發(fā)明的裝置中，優(yōu)選為，第1墊板102的傾斜表面與第2墊板104的傾斜表面， 平行地傾斜于包含第1連接點Iio與第2連接點112的面。由此，能夠有效地縮小存在于 第1墊板102與第2墊板104的表面之間的高低差。以上，雖然詳細地對本發(fā)明的具體示例進行了說明，但這些只不過是示例，并非對 權(quán)利要求范圍的限定。在權(quán)利要求范圍中所記載的技術(shù)方案中也包含對以上所例示的具體 例進行各種變形、變更的內(nèi)容。例如，在本實施例的半導(dǎo)體裝置2中，記載了墊板12整體傾斜的實施例，但是只要 墊板12中的至少一部分傾斜，便能夠縮小墊板區(qū)的面積。例如，在墊板12包含接合區(qū)30與 拖痕形成區(qū)28的情況下，可使其中某一方傾斜。通過傾斜形成的墊板12的區(qū)域，能夠縮小 墊板區(qū)10的面積。另外，在拖痕形成區(qū)28傾斜形成的情況下，其形狀并不一定為平面。也 可以在夾持并牽拉導(dǎo)線的延長部分14b的夾具進行移動時不發(fā)生干涉的范圍內(nèi)形成曲面。另外，傾斜形成墊板12的方法也不限定于本實施例。也可以采用在制造半導(dǎo)體裝 置2的通常方法中所使用的濺射等方法而形成傾斜。另外，形成于墊板12下方的、表面被 傾斜的層，也不局限于氧化膜24。例如，也可以堆積較厚的多晶硅而形成。在本說明書或者附圖中進行說明的技術(shù)要素，是單獨或者以各種組合的形式來發(fā)揮技術(shù)上的有用性的，其并不限定于申請時權(quán)利要求中記載的組合。另外，在本說明書或者附圖中所例示的技術(shù)可以同時達成多個目的，且達成其中一個目的本身也具有技術(shù)上的有 用性。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，在其表面上形成有用于連接并固定導(dǎo)電線的墊板，其特征在于，在所述墊板的表面上形成有，沿著連接并固定于所述墊板上的所述導(dǎo)電線的長度方向，傾斜于位于所述墊板周圍的半導(dǎo)體裝置的表面的區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從位于所述墊板周圍的半導(dǎo)體裝置的表面至所述墊板的表面之間的距離，沿著牽拉方 向而擴大，其中，所述牽拉方向為，為了切斷連接并固定于所述墊板上的所述導(dǎo)電線而將所 述導(dǎo)電線的延長部分從所述墊板上牽拉時的方向。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述墊板不具備拖痕形成區(qū)。
4.如權(quán)利要求1 3中的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述墊板與半導(dǎo)體基板之間形成有氧化膜，在氧化膜厚度較薄的部分，注入有小幅加快氧化率的離子， 在氧化膜厚度較厚的部分，注入有大幅加快氧化率的離子。
5.如權(quán)利要求1 3中的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在所述墊板與半導(dǎo)體基板之間形成有氧化膜，在氧化膜厚度較薄的部分，以低濃度注入有用于加速氧化率的離子， 在氧化膜厚度較厚的部分，以高濃度注入有用于加速氧化率的離子。
6.一種裝置，其被導(dǎo)電線連接，其特征在于，連接并固定導(dǎo)電線的一端的第1連接點位于第1平面，而連接并固定所述導(dǎo)電線的另 一端的第2連接點位于第2平面，第1平面位于比第2平面低的位置，并且兩者相互平行，在第1連接點上形成有第1墊板，所述第1墊板具有朝向第2連接點而上升的傾斜表在第2連接點上形成有第2墊板，所述第2墊板具有朝向第1連接點而下降的傾斜表
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述第1墊板的傾斜表面與所述第2墊板的傾斜表面，均平行于包含第1連接點和第 2連接點的面。
全文摘要
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置(2)中，連接并固定導(dǎo)電線(14)的墊板(12)，沿著導(dǎo)電線(14)的長度方向，傾斜形成于位于墊板(12)周圍的半導(dǎo)體裝置(2)的表面。因此，能夠使墊板(12)投影于半導(dǎo)體裝置(2)的表面上的長度，小于沿著墊板(12)的表面方向的長度。由此，能夠縮小墊板區(qū)(10)的面積，從而能夠擴大可制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的有效面積、即活性區(qū)(8)的面積。
文檔編號H01L21/60GK101868851SQ20088011648
公開日2010年10月20日 申請日期2008年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日
發(fā)明者妹尾賢 申請人:豐田自動車株式會社