專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，特別是有關(guān)于一種電感元件。
背景技術(shù)：
電感元件為射頻(radio frequency,RF)電路的常用元件，其是利用特殊的射頻制 程形成。為了使電感元件具有較低的電阻值和較佳品質(zhì)系數(shù)(Q factor)，射頻制程是特別 使用一厚度非常厚的金屬層形成電感元件。然而，上述的厚金屬層會(huì)使制程成本大為增加。為了制程成本的考量，可利用成本較低的標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程(logic process)來形成 電感元件。然而，由于利用標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程所制成的電感元件厚度較薄，因而會(huì)有高電阻及品 質(zhì)系數(shù)(Q factor)不良等問題。在此技術(shù)領(lǐng)域中，有需要一種電感元件，以改善上述缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的一實(shí)施例是提供一種半導(dǎo)體裝置，包括一頂層內(nèi)連線金屬層 (Mtop)圖案；一頂層下一層內(nèi)連線金屬層(MtopJ圖案，位于上述頂層內(nèi)連線金屬層圖案的 正下方；一第一介層孔插塞圖案，垂直設(shè)置于上述頂層內(nèi)連線金屬層圖案與上述頂層下一 層內(nèi)連線金屬層圖案之間，且電性連接上述頂層內(nèi)連線金屬層圖案與上述頂層下一層內(nèi)連 線金屬層圖案，其中從俯視方向看去，上述頂層內(nèi)連線金屬層圖案、上述頂層下一層內(nèi)連線 金屬層圖案與上述第一介層孔插塞圖案具有相互平行的輪廓。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具 體實(shí)施方式作詳細(xì)說明，其中圖Ia為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖。圖Ib為沿圖Ia的A-A，切線的剖面圖。圖2a為本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖。圖2b為沿圖2a的B-B，切線的剖面圖。圖3a為本發(fā)明又另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的俯視示意圖。圖3b為沿圖3a的C_C，切線的剖面圖。主要元件符號(hào)說明200 基板；210 內(nèi)連線結(jié)構(gòu)；220a、220b、220c、220d、220e 層間介電層；230a,230b 介電層；250 頂層內(nèi)連線金屬層(Mt。p)圖案；252 頂層下一層內(nèi)連線金屬層(MtopJ圖案；
254 第一介層孔插塞圖案；256 輪廓；258 第二介層孔插塞圖案；260 頂層下兩層內(nèi)連線金屬層(MtopJ圖案；262 第三介層孔插塞圖案；264 上一層金屬層圖案；266 輪廓；500a、500b、500c 半導(dǎo)體裝置。
具體實(shí)施例方式以下以各實(shí)施例詳細(xì)說明并伴隨著

的范例，做為本發(fā)明的參考依據(jù)。在 圖式或說明書描述中，相似或相同的部分皆使用相同的圖號(hào)。且在附圖中，實(shí)施例的形狀或 是厚度可擴(kuò)大，并以簡(jiǎn)化或是方便標(biāo)示。再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明，值 得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者所知的形式，另 外，特定的實(shí)施例僅為揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。圖Ia為本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置500a的俯視示意圖，圖Ib為沿圖Ia的A_A’ 切線的剖面圖。為方便說明起見，圖Ia僅顯示半導(dǎo)體裝置500a，而圖Ib系另外顯示基板 200和內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210，以說明半導(dǎo)體裝置500a與基板200和內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210的相對(duì)位置。 本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置500a系利用一標(biāo)準(zhǔn)邏輯(logic)制程形成，其可視為設(shè)置于一 基板200上方的一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210中的一電感結(jié)構(gòu)500a。在本發(fā)明一實(shí)施例中，基板200 可為硅基板。在其他實(shí)施例中，可利用鍺化硅(SiGe)、塊狀半導(dǎo)體(bulk semiconductor), 應(yīng)變半導(dǎo)體(strained semiconductor)、化合物半導(dǎo)體(compound semiconductor)、絕緣 層上覆硅(silicon on insulator，SOI)，或其他常用的半導(dǎo)體基板做為基板200。基板200 可植入P型或N型不純物，以針對(duì)設(shè)計(jì)需要改變其導(dǎo)電類型?；?00可包括設(shè)置和耦合 多個(gè)摻雜區(qū)以形成例如晶體管、二極管、電阻、電容、影像傳感器、存儲(chǔ)器單元或其組合等不 同的微電子單元。如圖Ib所示，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210位于基板200的上方。在本發(fā)明一實(shí)施例 中，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210可由多個(gè)位于不同層的內(nèi)連線金屬層圖案(例如頂層內(nèi)連線金屬層圖 案250或頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252)、多個(gè)夾設(shè)于任兩個(gè)內(nèi)連線金屬層圖案之間的 多個(gè)層間介電層(例如層間介電層220a 220c)，以及垂直設(shè)置于多個(gè)層間介電層中的多 個(gè)介層孔插塞圖案(例如第一介層孔插塞圖案254)形成。內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210可做為元件彼 此之間或元件與外部之間的電性連接。在本發(fā)明一實(shí)施例中，內(nèi)連線金屬層圖案、層間介電 層和介層孔插塞圖案的數(shù)目并無限制，且可為設(shè)計(jì)所決定。在本發(fā)明一實(shí)施例中，內(nèi)連線結(jié) 構(gòu)210的內(nèi)連線金屬層圖案的材質(zhì)可包括鋁(Al)、銅(Cu)或其合金。層間介電層的材質(zhì) 可包括介電常數(shù)低于3. 2的低介電常數(shù)材料，舉例來說，聚合物基(polymer based)的介電 質(zhì)或例如磷硅玻璃(phosphorus silicate glass，PSG)、氟硅玻璃(fluorinated silicate glass，F(xiàn)SG)、未摻雜硅玻璃(undoped silicate glass,USG)或其他類似的材料。而介層孔 插塞圖案的材質(zhì)可包括鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或其合金。如圖Ib所示，本發(fā)明實(shí)施例的例如為電感元件500a的半導(dǎo)體裝置500a設(shè)置于 基板上方，且設(shè)置于內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210的層間介電層220a 220c中。半導(dǎo)體裝置500a包括設(shè)置于層間介電層220a中的一頂層內(nèi)連線金屬層(Mt。p)圖案250(意即位于內(nèi)連線結(jié)構(gòu) 210的最上層的內(nèi)連線金屬層)、設(shè)置于層間介電層220c中的一頂層下一層內(nèi)連線金屬層 (Mtop^1)圖案252以及穿過層間介電層220b中的一第一介層孔插塞圖案254堆疊構(gòu)成。頂 層下一層內(nèi)連線金屬層(Mtolri)圖案252位于頂層內(nèi)連線金屬層圖案250的正下方，且借由 層間介電層220b后此隔開，而第一介層孔插塞圖案254是垂直設(shè)置于頂層內(nèi)連線金屬層圖 案250與頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252之間，且電性連接其上的頂層內(nèi)連線金屬層圖 案250與其下的頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252，其中從俯視方向看去，頂層內(nèi)連線金屬 層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252與第一介層孔插塞圖案254具有相互平行的 輪廓，且頂層內(nèi)連線金屬層圖案250與頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252實(shí)質(zhì)上相互重疊。 舉例來說，頂層內(nèi)連線金屬層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252與第一介層孔插 塞圖案254(請(qǐng)參考第一介層孔插塞圖案254的輪廓256)的形狀可均為線圈形，例如為矩 型線圈形、螺旋線圈形或其他線圈形狀。而例如為電感元件500a的半導(dǎo)體裝置500a的頂 層內(nèi)連線金屬層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252與第一介層孔插塞圖案254的 圈數(shù)并無限制，且可依設(shè)計(jì)所決定。如圖Ia和圖Ib所示，利用一標(biāo)準(zhǔn)邏輯(logic)制程形成的例如電感元件500a 的半導(dǎo)體裝置500a的總厚度為頂層內(nèi)連線金屬層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案 252與第一介層孔插塞圖案254的三層線圈形導(dǎo)電層厚度的總和。因此，在相同的布局面積 (layout area)下，電感元件500a的電阻值可大為降低。另外，例如電感元件500a的半導(dǎo) 體裝置500a系利用構(gòu)成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210的內(nèi)連線金屬層圖案和介層孔插塞圖案并聯(lián)形成， 并不須額外的金屬層或介層孔插塞。因而，可在不使用高制造成本的射頻(RF)制程下，或 者是不須額外的金屬層圖案或介層孔插塞圖案的情形下，也可降低電感元件500a的電阻 值，提升電感元件500a的品質(zhì)系數(shù)(Q factor)。因而，電感元件的電阻值和品質(zhì)系數(shù)(Q factor)可以依設(shè)計(jì)而定。圖2a為本發(fā) 明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置500b的俯視示意圖，圖2b為沿圖2a的B-B’切線的剖面圖。 為方便說明起見，圖2a僅顯示半導(dǎo)體裝置500b，而圖2b系另外顯示基板200和內(nèi)連線結(jié) 構(gòu)210，以說明半導(dǎo)體裝置500b與基板200和內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210的相對(duì)位置。本發(fā)明另一實(shí) 施例的半導(dǎo)體裝置500b是利用一標(biāo)準(zhǔn)邏輯(logic)制程形成，其可視為設(shè)置于基板200上 方，且設(shè)置于內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210的層間介電層220a 220e中的一電感結(jié)構(gòu)500b。半導(dǎo)體裝 置500b包括設(shè)置于層間介電層220a中的一頂層內(nèi)連線金屬層(Mt。p)圖案250、設(shè)置于層間 介電層220c中的一頂層下一層內(nèi)連線金屬層(Mtolri)圖案252、設(shè)置于層間介電層220e中 的一頂層下兩層內(nèi)連線金屬層(Mt。p_2)圖案230、穿過層間介電層220b中的一第一介層孔 插塞圖案254以及穿過層間介電層220d中的一第二介層孔插塞圖案258堆疊構(gòu)成。頂層 下一層內(nèi)連線金屬層(Mtolri)圖案252位于頂層內(nèi)連線金屬層圖案250的正下方，且借由層 間介電層220b后此隔開，而第一介層孔插塞圖案254是垂直設(shè)置于頂層內(nèi)連線金屬層圖案 250與頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252之間，且電性連接其上的頂層內(nèi)連線金屬層圖案 250與其下的頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252。另外，頂層下兩層內(nèi)連線金屬層(Mt。p_2) 圖案260位于頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252的正下方，且借由層間介電層220d后此隔 開，而第二介層孔插塞圖案258系垂直設(shè)置于頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252與頂層下 兩層內(nèi)連線金屬層圖案260之間，且電性連接其上的頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252與
5其下的頂層下兩層內(nèi)連線金屬層圖案260。如圖2a所示，從俯視方向看去，頂層內(nèi)連線金屬 層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252、頂層下兩層內(nèi)連線金屬層圖案260、第一介 層孔插塞圖案254與第二介層孔插塞圖案258均具有相互平行的輪廓，且頂層內(nèi)連線金屬 層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252與頂層下兩層內(nèi)連線金屬層圖案260實(shí)質(zhì)上 相互重疊。舉例來說，頂層內(nèi)連線金屬層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252、頂層 下兩層內(nèi)連線金屬層圖案260、第一介層孔插塞圖案254(請(qǐng)參考第一介層孔插塞圖案254 的輪廓256)與第二介層孔插塞圖案258的形狀可均為線圈形，例如為矩型線圈形、螺旋線 圈形或其他線圈形狀。而電感元件500b的圈數(shù)并無限制，且可依設(shè)計(jì)所決定。如圖2a和圖2b所示，利用一標(biāo)準(zhǔn)邏輯(logic)制程形成的例如電感元件500b 的半導(dǎo)體裝置500b的總厚度為頂層內(nèi)連線金屬層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案 252、頂層下兩層內(nèi)連線金屬層圖案260、第一介層孔插塞圖案254與第二介層孔插塞圖案 258的五層線圈形導(dǎo)電層厚度的總和。因此，在相同的布局面積(layout area)下，電感元 件500b的電阻值可大為降低。另外，例如電感元件500a的半導(dǎo)體裝置500a系利用標(biāo)準(zhǔn)邏 輯制程的已存在的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210的內(nèi)連線金屬層圖案和介層孔插塞圖案形成，并不須額 外的金屬層或介層孔插塞。因而，可在不使用高制造成本的射頻(RF)制程下，或者是不須 額外的金屬層圖案或介層孔插塞圖案的情形下，也可降低電感元件500b的電阻值，提升電 感元件500b的品質(zhì)系數(shù)(Q factor)。本發(fā)明實(shí)施例的例如為電感元件的半導(dǎo)體裝置的厚度可依并聯(lián)的內(nèi)連線金屬層 圖案和介層孔插塞圖案的數(shù)目而定，上述內(nèi)連線金屬層圖案和介層孔插塞圖案的數(shù)目并無 限制，且可為設(shè)計(jì)(例如內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的層數(shù))所決定?；蛘?，也可利用位于內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210上方，用以形成連接墊結(jié)構(gòu)(bond padstructure)的連接墊金屬層(pad metal layer)來增加電感元件的厚度。圖3a為本 發(fā)明又另一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置500c的俯視示意圖，圖3b為沿圖3a的C-C’切線的剖面 圖。為方便說明起見，圖3a僅顯示半導(dǎo)體裝置500c，而圖3b是另外顯示基板200、內(nèi)連線 結(jié)構(gòu)210和介電層230a、230b，以說明半導(dǎo)體裝置500c與基板200、內(nèi)連線結(jié)構(gòu)210和介電 層230a、230b的相對(duì)位置。如圖3a和圖3b所示，可視為電感元件500c的半導(dǎo)體裝置500c 可由設(shè)置于層間介電層220a中的頂層內(nèi)連線金屬層圖案250、設(shè)置于層間介電層220c中的 一頂層下一層內(nèi)連線金屬層(Mtt^1)圖案252、設(shè)置于介電層230a的上一層金屬層圖案264、 穿過層間介電層220b的一第一介層孔插塞圖案254以及穿過介電層230b的一第三介層孔 插塞圖案262堆疊構(gòu)成，其中上一層金屬層圖案264與連接墊金屬層(pad metal layer) 位于同一層。頂層下一層內(nèi)連線金屬層(Mtolri)圖案252位于頂層內(nèi)連線金屬層圖案250 的正下方，且借由層間介電層220b后此隔開，而第一介層孔插塞圖案254是垂直設(shè)置于頂 層內(nèi)連線金屬層圖案250與頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252之間，且電性連接其上的頂 層內(nèi)連線金屬層圖案250與其下的頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252。另外，上一層金屬 層圖案264位于頂層內(nèi)連線金屬層圖案250的正上方，且借由介電層230b后此隔開，而第 三介層孔插塞圖案262是垂直設(shè)置于上一層金屬層圖案264與頂層內(nèi)連線金屬層圖案250 之間，且電性連接其上的上一層金屬層圖案264與其下的頂層內(nèi)連線金屬層圖案250。如 圖3a所示，從俯視方向看去，上一層金屬層圖案264、頂層內(nèi)連線金屬層圖案250、頂層下一 層內(nèi)連線金屬層圖案252、第一介層孔插塞圖案254與第三介層孔插塞圖案262均具有相互平行的輪廓，且上一層金屬層圖案264、頂層內(nèi)連線金屬層圖案250與頂層下一層內(nèi)連線 金屬層圖案252實(shí)質(zhì)上相互重疊。舉例來說，上一層金屬層圖案264、頂層內(nèi)連線金屬層圖 案250、頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252、第一介層孔插塞圖案254與第三介層孔插塞圖 案262 (請(qǐng)參考第三介層孔插塞圖案262的輪廓266)的形狀可均為線圈形，例如為矩型線 圈形、螺旋線圈形或其他線圈形狀。而電感元件500c的圈數(shù)并無限制，且可依設(shè)計(jì)所決定。 如圖3a和圖3b所示，利用一標(biāo)準(zhǔn)邏輯(logic)制程形成的例如電感元件500c的半導(dǎo)體裝 置500b的總厚度為上一層金屬層圖案264、頂層內(nèi)連線金屬層圖案250、頂層下一層內(nèi)連線 金屬層圖案252、第一介層孔插塞圖案254與第三介層孔插塞圖案262的五層線圈形導(dǎo)電層 厚度的總和。另外，電感元件500c也可再借由其他的介層孔圖案并聯(lián)位于頂層下一層內(nèi)連 線金屬層圖案252正下方的其他層內(nèi)連線金屬層圖案，以增加電感元件500c的厚度，降低 電阻值且提升品質(zhì)系數(shù)(Q factor)，上述內(nèi)連線金屬層圖案和介層孔插塞圖案的數(shù)目并無 限制，且可為設(shè)計(jì)所決定。本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置為設(shè)置于內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中的電感元件，其至少包括一頂 層內(nèi)連線金屬層(Mtop)圖案250、一頂層下一層內(nèi)連線金屬層(Mtolri)圖案252以及一第 一介層孔插塞圖案254堆疊構(gòu)成。從俯視方向看去，頂層內(nèi)連線金屬層圖案250、頂層下 一層內(nèi)連線金屬層圖案252與第一介層孔插塞圖案254具有相互平行的輪廓，且頂層內(nèi)連 線金屬層圖案250與頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案252實(shí)質(zhì)上相互重疊。本發(fā)明實(shí)施例 的例如電感元件的半導(dǎo)體裝置可在相同的布局面積(layout area)下具有龐大的厚度，可 大為降低電感元件的電阻值。另外，例如電感元件的半導(dǎo)體裝置系利用標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程的已 存在的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的內(nèi)連線金屬層圖案和介層孔插塞圖案形成，并不須額外的金屬層或介 層孔插塞。因而，可在不使用高制造成本的射頻(RF)制程下，或者是不須額外的金屬層 圖案或介層孔插塞圖案的情形下，也可降低電感元件的電阻值，提升電感元件的品質(zhì)系數(shù) (Qfactor)0雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護(hù)范 圍當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，包括一頂層內(nèi)連線金屬層(Mtop)圖案；一頂層下一層內(nèi)連線金屬層(Mtop 1)圖案，位于該頂層內(nèi)連線金屬層圖案的正下方；以及一第一介層孔插塞圖案，垂直設(shè)置于該頂層內(nèi)連線金屬層圖案與該頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案之間，且電性連接該頂層內(nèi)連線金屬層圖案與該頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案，其中從俯視方向看去，該頂層內(nèi)連線金屬層圖案、該頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案與該第一介層孔插塞圖案具有相互平行的輪廓。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一頂層下兩層內(nèi)連線金屬層(Mt。p_2)圖案，位于該頂層下一層內(nèi)連線金屬層(Mtolri)圖 案的正下方；以及一第二介層孔插塞圖案，垂直設(shè)置于該頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案與該頂層下兩層 內(nèi)連線金屬層圖案之間，且電性連接該頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案與該頂層下兩層內(nèi)連 線金屬層圖案，其中從俯視方向看去，該頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案、該頂層下兩層內(nèi)連 線金屬層圖案與該第二介層孔插塞圖案具有相互平行的輪廓。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一頂層上一層金屬層(Mt。p+1)圖案，位于該頂層內(nèi)連線金屬層(Mt。p)圖案的正上方；以及一第三介層孔插塞圖案，垂直設(shè)置于該頂層上一層金屬層圖案與該頂層內(nèi)連線金屬層 圖案之間，且電性連接該頂層上一層金屬層圖案與該頂層內(nèi)連線金屬層圖案，其中從俯視 方向看去，該頂層上一層金屬層圖案、該頂層內(nèi)連線金屬層圖案與該第三介層孔插塞圖案 具有相互平行的輪廓。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從俯視方向看去，該頂層內(nèi)連線金屬 層圖案、該頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案與該第一介層孔插塞圖案均為線圈形。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從俯視方向看去，該頂層下一層內(nèi)連 線金屬層圖案、該頂層下兩層內(nèi)連線金屬層圖案與該第二介層孔插塞圖案均為線圈形。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從俯視方向看去，該頂層上一層金屬 層圖案、該頂層內(nèi)連線金屬層圖案與該第三介層孔插塞圖案均為線圈形。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從俯視方向看去，該頂層內(nèi)連線金屬 層圖案與該頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案實(shí)質(zhì)上相互重疊。
8.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從俯視方向看去，該頂層下一層內(nèi)連 線金屬層圖案與該頂層下兩層內(nèi)連線金屬層圖案實(shí)質(zhì)上相互重疊。
9.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從俯視方向看去，該頂層上一層金屬 層圖案與該頂層內(nèi)連線金屬層圖案實(shí)質(zhì)上相互重疊。
10.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該頂層上一層金屬層(Mt。p+1)圖案與 該半導(dǎo)體裝置的一連接墊金屬層位于同一層。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，是利用一標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，上述半導(dǎo)體裝置包括一頂層內(nèi)連線金屬層(Mtop)圖案；一頂層下一層內(nèi)連線金屬層(Mtop-1)圖案，位于上述頂層內(nèi)連線金屬層圖案的正下方；一第一介層孔插塞圖案，垂直設(shè)置于上述頂層內(nèi)連線金屬層圖案與上述頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案之間，且電性連接上述頂層內(nèi)連線金屬層圖案與上述頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案，其中從俯視方向看去，上述頂層內(nèi)連線金屬層圖案、上述頂層下一層內(nèi)連線金屬層圖案與上述第一介層孔插塞圖案具有相互平行的輪廓。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置可在相同的布局面積下具有龐大的厚度，可大為降低電感元件的電阻值，提升電感元件的品質(zhì)系數(shù)。
文檔編號(hào)H01L27/04GK101924102SQ20091005305
公開日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2009年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月15日
發(fā)明者陳德威 申請(qǐng)人:慧國(guó)(上海)軟件科技有限公司;慧榮科技股份有限公司