專(zhuān)利名稱(chēng)：一種高頻高功率電阻的制成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的制成方法，涉及在氮化鋁陶瓷上濺射氮化鉭薄膜，制成電阻，以及其它應(yīng) 用氮化鉭薄膜技術(shù)生產(chǎn)的衰減器等產(chǎn)品，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)的空白。
背景技術(shù)：
目前，國(guó)內(nèi)尚未有成熟的高功率，高頻氮化鉭薄膜電阻及衰減器的生產(chǎn)工藝，所謂 大功率是100W以上，高頻是指在6GHZ內(nèi)駐波性能在1. 3以?xún)?nèi)的性能。公知的生產(chǎn)工藝只 有外國(guó)幾家公司，如KDI、ATC等掌握，而國(guó)內(nèi)只有厚膜技術(shù)。目前厚膜技術(shù)的流程1、陶瓷基片清洗；2、印電極及電路；3、烘干；4、厚膜材料印刷；5、烘干；6、測(cè)量，調(diào) 阻；7、加引線；8、加法蘭；9、加封裝蓋板；10、回流焊；11、清洗，干燥，包裝。整個(gè)工藝流程非 常簡(jiǎn)單，絕大部分是人力手工作業(yè)。厚膜電阻在2GHZ高頻性能上與薄膜相差很大，在2GHZ以上更無(wú)法相比，在耐溫 度，耐濕度上，氮化鉭薄膜的穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于厚膜電阻。所以在高頻通信行業(yè)內(nèi)，廣泛使用 的功率負(fù)載都是國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，而且需求量特別大。因?yàn)楸∧さg電阻及衰減器的生產(chǎn) 工藝復(fù)雜，對(duì)設(shè)備要求高，對(duì)生產(chǎn)人員的要求高，對(duì)環(huán)境要求高，合格率低的問(wèn)題，所以許多 國(guó)內(nèi)廠家試圖開(kāi)發(fā)，均未形成規(guī)模。本

發(fā)明內(nèi)容
為了解決國(guó)內(nèi)薄膜氮化鉭電阻的生產(chǎn)問(wèn)題，制定了適應(yīng)的工藝流程1、陶瓷基板切割，切割的尺寸安照設(shè)計(jì)的要求；2、清洗，含市水，酒精，超音波純水清洗，各清洗10分鐘；3、烘干； 4、銀漿印刷，含電極印刷，背面印刷，側(cè)面印刷(每個(gè)印刷后面必須200度烘干，時(shí) 間5分鐘)；5、濺射，主要設(shè)備是真空磁控濺射爐，濺射的穩(wěn)度設(shè)定為200度，時(shí)間設(shè)定為15分 鐘、6、出爐熱處理；7、測(cè)量，調(diào)阻；8、介質(zhì)封裝；或者是加封裝蓋板及法蘭；9、打標(biāo)記。附圖
是高頻高功率電阻制作的具體工藝流程圖，下面結(jié)合附圖對(duì)本工藝流程進(jìn)一 步說(shuō)明。圖中1和2，陶瓷基板主要是氮化鋁陶瓷基板，由于激光在切割優(yōu)質(zhì)陶瓷基板時(shí)， 比較容易產(chǎn)生金屬鋁，而鋁是導(dǎo)電物質(zhì)，所以有時(shí)采用金剛石片切割；3，所有分片機(jī)都是為了適用于陶瓷等易碎體的分離，而自行開(kāi)發(fā)的設(shè)備，效率高， 可保證分片時(shí)準(zhǔn)確性，有防呆功能。
4，清洗含3種清洗，市水，酒精，超音波純水，為自行開(kāi)發(fā)清洗設(shè)備，保證清洗效
果 o 5，正面被銀，采用半自動(dòng)印刷機(jī)；每次開(kāi)機(jī)印刷的5片先經(jīng)過(guò)QC人員檢查，通過(guò)后，才能正常開(kāi)機(jī)生產(chǎn)，生產(chǎn)中間發(fā)現(xiàn)異常，QC人員有權(quán)要求產(chǎn)品線暫停，檢查。6，烘干機(jī)烘干過(guò)程中，保證正常的潔凈度。如果印刷異常，退回清洗，重新印刷。11，網(wǎng)帶式燒結(jié)爐，保證燒結(jié)的溫度及時(shí)間，以及排除燒結(jié)過(guò)程中產(chǎn)生的廢物。12，檢查燒結(jié)后的基片，如果正常，濺射氮化鉭膜；13，再次分片，保證濺射膜的位 置；14，上濺射夾具，對(duì)應(yīng)不同的功率電阻，或不同的衰減器，有不同圖案的夾具。15，濺射爐內(nèi)的濺射工藝要求比較高，具體要求爐內(nèi)溫度，真空度，偏壓，鉭靶 (純度99. 95% )電流，靶溫度，爐內(nèi)氬氣與氮?dú)獾牧髁亢捅壤?7，熱處理過(guò)程，對(duì)薄膜進(jìn)行處理，使薄膜的金屬晶格發(fā)生改變，使薄膜的性能更穩(wěn)定。18，調(diào)阻時(shí)采用對(duì)稱(chēng)減少膜的辦法，保證高頻性能，調(diào)整衰減器時(shí)，對(duì)照相應(yīng)的儀 表處理。19，耐高溫環(huán)氧封裝，保證產(chǎn)品性能不變。通過(guò)上述的工藝流程，保證大功率，薄膜氮化鉭電阻及衰減器的生產(chǎn)和合格率，一 般合格率在80%以上。
權(quán)利要求
一種生產(chǎn)高功率，高頻的氮化鉭薄膜電阻及衰減器的制作方法。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征是氮化鋁陶瓷上濺射氮化鉭薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征是電阻或衰減器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征是100瓦和以上的電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征是6GHZ內(nèi)駐波在1.3以?xún)?nèi)的電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征是100瓦以上各種DB的衰減器。
全文摘要
一種制作高功率，高頻，氮化鉭薄膜電阻或衰減器的制作方法。它能夠保證氮化鉭薄膜電阻及衰減器的正常生產(chǎn)，合格率在80％以上，完全替代進(jìn)口產(chǎn)品，成品價(jià)格只有進(jìn)口產(chǎn)品的60％，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)的空白。
文檔編號(hào)H01P11/00GK101859620SQ20091010638
公開(kāi)日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2009年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月8日
發(fā)明者方超 申請(qǐng)人:深圳市信特科技有限公司