專利名稱：Led封裝模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及照明用LED封裝。
背景技術(shù)：
與傳統(tǒng)照明裝置相比，LED路燈不僅具有色度好、免維護、壽命長的特點，更重要的是比傳統(tǒng)路燈更節(jié)能。 中國發(fā)明專利文獻CN101101103、 CN101101102、 CN101101107分別公開了一種LED路燈，其散熱性能已經(jīng)達到實用級。上述三種LED路燈代表了市面上LED照明技術(shù)的主流，包括遂道燈、室內(nèi)照明燈，其核心技術(shù)與上述專利文獻公開的內(nèi)容十分近似。上述技術(shù)均通過一個具有印刷電路的鋁基板，在鋁基板上設(shè)置多個單只LED燈泡，然后在鋁基板的背部緊貼一散熱體，散熱體的反面設(shè)置散熱翅，上述技術(shù)還采用了二次光學透鏡或反光杯進行二次光學處理，以控制光斑。 然而，上述現(xiàn)有技術(shù)仍有不足，制約了LED照明技術(shù)的推廣應用。上述現(xiàn)有技術(shù)雖然采用了二次光學處理技術(shù)，但其僅僅是對出光方向進行控制，從LED燈泡到整個LED照明裝置，并未引入擴散增光部件，那么，二次光學處理的結(jié)果是改善了出光方向，但卻削弱了出光強度，并且光線不均勻不夠柔和。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，而提供一種具有擴散增光功
能的LED封裝模塊，并且出光均勻柔和。 本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn) LED封裝模塊，包括基板和LED芯片，其特征在于該基板具有固晶面和布線面，所述固晶面與所述布線面平行設(shè)置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設(shè)有反射過度面；所述LED芯片設(shè)置于所述固晶面；該LED封裝模塊還包括擴散增光層，所述擴散增光層填充于所述固晶面與所述反射過度面界定而成的空間內(nèi)，所述擴散增光層位于所述熱沉層之上并將所述LED芯片包覆于其中，所述擴散增光層之頂面高于所述LED芯片之頂面；所述擴散增光層是透明硅膠與玻璃微珠的混合物。 LED封裝模塊，其特征在于所述布線面設(shè)置于所述基板的頂面，所述返射過度面有二個，二個反射過度面分別設(shè)置在所述固晶面的二側(cè)，所述固晶面與所述反射過度面組成一長條狀的溝槽。 LED封裝模塊，其特征在于所述二個反射過度面均為平面，對稱地設(shè)置于所述固晶面的二側(cè)。 LED封裝模塊，其特征在于所述二個反射過度面均為弧面，二個弧面之凹面相向設(shè)置，對稱地設(shè)置于所述固晶面的二側(cè)。 LED封裝模塊，其特征在于所述布線面設(shè)置于所述基板的頂面，所述固晶面與所述反射過度面構(gòu)成一底部小開口大的錐孔，所述固晶面是所述錐孔的底面，所述反 射過度面是所述錐孔的側(cè)壁。 LED封裝模塊，其特征在于所述固晶面、所述布線面、所述反射過度面表面 均具有一層反射膜，所述反射膜的膜系結(jié)構(gòu)為Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni結(jié)構(gòu)各層的厚度 分別為8nm、 15nm、 8nm ;所述反射膜是通過真空濺射或真空蒸鍍方式鍍設(shè)的，即先鍍 一層Ni，再鍍一層Ag，最后再鍍一層Ni。 本發(fā)明的LED封裝模塊，包括擴散增光層，所述擴散增光層填充于所述固晶 面與所述反射過度面界定而成的空間內(nèi)，所述擴散增光層位于所述熱沉層之上并將所述 LED芯片包覆于其中，所述擴散增光層之頂面高于所述LED芯片之頂面；所述擴散增 光層是透明硅膠與玻璃微珠的混合物。在現(xiàn)有技術(shù)中，玻璃微珠被用作增光膜或擴散光 學膜或柔光材料，玻璃微珠本身并非本發(fā)明的重點，在此不作詳細論述。本發(fā)明中，擴 散增光層不僅具有擴散增光作用，還可以增加光通量。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的LED 封裝模塊無需二次光學處理，不會產(chǎn)生額外的光通量損失，也不會阻礙LED照明裝置散 熱。本發(fā)明的LED封裝模塊不僅具有擴散增光功能，而且出光均勻柔和。


圖1是本發(fā)明第一個實施例之擴散增光層的示意圖。 圖2是本發(fā)明第一個實施例的示意圖。 圖3是本發(fā)明第一個實施例中固晶方法流程圖。 圖4是本發(fā)明第一個實施例中線路部分制備方法流程圖,
具體實施例方式
下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳述。參考圖1、圖2，本發(fā)明第一個實施 例是一種LED封裝模塊，包括基板101和LED芯片110 ;該基板101為AlSi合金材 料，其中，Al的含量為30%-95%， Si的含量為5%-70% ;所述基板101具有固晶面 1011和布線面1012，所述固晶面1011與所述布線面1012平行設(shè)置，所述固晶面1011 之高度底于所述布線面1012，所述固晶面1011與所述布線面1012之間設(shè)有反射過度面 1013;所述固晶面1011、所述布線面1012、所述反射過度面1013表面均設(shè)置一層反射 膜102，所述反射膜102的膜系結(jié)構(gòu)為Ni-Ag-Ni;所述Ni-Ag-Ni結(jié)構(gòu)各層的厚度分別為 2nm-10nm、 5nm-30nm、 2nm-10nm ;所述布線面1012具有線路部分，所述線路部分構(gòu)成 所述基板101上的電路，所述線路部分設(shè)置于所述布線面1012的表層，再次參考圖l、 圖2，即所述反射膜102的外側(cè)；所述線路部分具有層狀結(jié)構(gòu)，由內(nèi)向外，所述線路部 分包括導熱絕緣膠層103、導電鍍層104;所述LED芯片110設(shè)置于所述固晶面1011， 所述固晶面1011與所述LED芯片110之間還具有一熱沉層109，所述熱沉層109的材料 為AuSn合金，其中Au含量為4X-9%， Sn的含量為91 %-96%，所述熱沉層的厚度為 0.005mm-0.02mm ;在本實施例中，所述AuSn合金中Au含量為5% ， Sn的含量為95X， 所述熱沉層的厚度為0.008mm。下面簡要說明一下固晶方法，參考圖3，固晶工序包括 以下步驟(l)設(shè)置熱沉層，(2)放置LED芯片，(3)焊接，(4)冷卻，其中，第(l)步所 述的設(shè)置熱沉層采用真空濺射的方式；第(2)步所述的放置LED芯片是將LED芯片置于熱沉層上；第(3)步所述的焊接，是指將第(2)步制成的半成品過焊接爐，焊接爐的溫度 為250°C -300°C ;第(4)步所述的冷卻是指常溫風冷卻。該LED封裝模塊還包括擴散增 光層111，所述擴散增光層111填充于所述固晶面1011與所述反射過度面1013界定而成 的空間內(nèi)，所述擴散增光層lll位于所述熱沉層109之上并將所述LED芯片110包覆于 其中，所述擴散增光層111之頂面高于所述LED芯片110之頂面；所述擴散增光層lll 是透明硅膠與玻璃微珠的混合物；所述布線面1012還具有絕緣部分，所述線路部分構(gòu)成 所述基板101上的電路，所述線路部分與所述絕緣部分構(gòu)成所述布線面1012的表層；該 LED封裝模塊還包括換能層108，所述換能層108設(shè)置于所述布線面1012并覆蓋于所述 線路部分和絕緣部分之外；所述換能層108是導熱絕緣膠與納米Ti02和納米Sn02的混合 物，本實施例中，納米Ti02和納米SnC^是等比例配比的，當然作為本實施例的一種變換 方案，也可以采用現(xiàn)有技術(shù)中公開的其它比例。本實施例中，所述基板101之SiAl合金 中A1的含量為85X， Si的含量為15X。再次參考圖1，本實施例中，所述布線面1012 設(shè)置于所述基板101的頂面，所述返射過度面1013有二個，二個反射過度面1013分別 設(shè)置在所述固晶面1011的二側(cè)，所述固晶面1011與所述二個反射過度面1013組成一長 條狀的溝槽；所述溝槽開口大底部小；二個反射過度面1013均為平面，對稱地設(shè)置于所 述固晶面1011的二側(cè)，二個反射過度面1013的夾角為75° -105° ，本實施例中，二個 反射面1013的夾角為90° 。 本實施例中，所述Ni-Ag-Ni結(jié)構(gòu)各層的厚度分別為8nm、 15nm、 8nm;所述反射膜是通過真空濺射或真空蒸鍍方式鍍設(shè)的，即先鍍一層Ni，再鍍 一層Ag，最后再鍍一層Ni。本實施例中，所述導熱絕緣膠層103的材料為環(huán)氧樹脂與 a-A^03的混合物，當然，作為一種替代方案，也可以采用聚酰亞胺與0-^203的混合 物，所述導熱絕緣膠層103的厚度為0.02mm-0.06mm，本實施例中是0.03mm。所述導電 鍍層104是0.002mm-0.018mm厚度的納米電沉積Cu，本實施例中納米電沉積Cu的層厚度 為0.005mm ;所述導電鍍層104還包括一設(shè)置在所述納米電沉積Cu底部的真空鍍底層， 所述真空鍍底層為5nm-10nm的電沉積Ni，本實施例中，真空鍍底的厚度是6nm，因真空 鍍底層的厚度很薄，圖2中未示出。下面簡要說明線路部分的制作方法，參考圖4，所述 線路部分制作工序包括以下步驟(l)絲印導熱絕緣膠層，(2)烘干，(3)貼保護膜，(4)真 空鍍底，(5)納米電沉積Cu，其中，第(l)步所述的導熱絕緣膠層的厚度為0.03mm，所述 導熱絕緣膠層的材料為環(huán)氧樹脂與0-^203的混合物；第(2)步所述的烘干為熱風烘干， 該烘干步驟采用的溫度為180°C -200°C ;第(3)步所述的保護膜，是PET膜加硅膠粘結(jié)； 第(4)步所述的真空鍍底，是以真空濺射方式沉積6nm的Ni ;第(5)步所述的納米電沉積 Cu，是以真空濺射或真空蒸鍍金方式沉積0.005mm厚度的Cu;所述保護膜可以保留在半 成品上，在設(shè)置所述換能層時再除去即可。當然，作為本實施例的一種替代方案，可以 用AgSn合金代替AuSn合金，且該AgSn的組份可以是Ag的含量為1 % -25 % ， Sn的 含量為75%-99%，優(yōu)選組份是Ag的含量為20X， Sn的含量為80X， AgSn合金雖然 能實現(xiàn)固晶和導熱要求，但其貴金屬使用的比例及焊接效果均不如AuSn理想，不過Ag 比Au要經(jīng)濟得多，易于產(chǎn)業(yè)化推廣。實施例中，所述LED芯片IIO表面還設(shè)置一熒光 層。本實施例中，該模塊還包括表面封膠層107，所述表面封膠層107的材料為透明硅膠 與熒光粉的混合物，所述表面封膠層107設(shè)置于所述擴散增光層111的外側(cè)，因為設(shè)置了 擴散增光層lll，客觀上也起到另外一個作用，那就是減小了表面封膠層107的厚度，從
5而節(jié)約了熒光粉的使用:
權(quán)利要求
一種LED封裝模塊，包括基板和LED芯片，其特征在于該基板具有固晶面和布線面，所述固晶面與所述布線面平行設(shè)置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設(shè)有反射過度面；所述LED芯片設(shè)置于所述固晶面；該LED封裝模塊還包括擴散增光層，所述擴散增光層填充于所述固晶面與所述反射過度面界定而成的空間內(nèi)，所述擴散增光層位于所述熱沉層之上并將所述LED芯片包覆于其中，所述擴散增光層之頂面高于所述LED芯片之頂面；所述擴散增光層是透明硅膠與玻璃微珠的混合物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于所述布線面設(shè)置于所述基板 的頂面，所述返射過度面有二個，二個反射過度面分別設(shè)置在所述固晶面的二側(cè)，所述 固晶面與所述反射過度面組成一長條狀的溝槽。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED封裝模塊，其特征在于所述二個反射過度面均為平 面，對稱地設(shè)置于所述固晶面的二側(cè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED封裝模塊，其特征在于所述二個反射過度面均為弧 面，二個弧面之凹面相向設(shè)置，對稱地設(shè)置于所述固晶面的二側(cè)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED封裝模塊，其特征在于所述布線面設(shè)置于所述基板 的頂面，所述固晶面與所述反射過度面構(gòu)成一底部小開口大的錐孔，所述固晶面是所述 錐孔的底面，所述反射過度面是所述錐孔的側(cè)壁。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED封裝模塊，其特征在于所述固晶面、所述布線 面、所述反射過度面表面均具有一層反射膜，所述反射膜的膜系結(jié)構(gòu)為Ni-Ag-Ni;所述 Ni-Ag-Ni結(jié)構(gòu)各層的厚度分別為8nm、 15nm、 8nm ;所述反射膜是通過真空濺射或真空 蒸鍍方式鍍設(shè)的，即先鍍一層Ni，再鍍一層Ag，最后再鍍一層Ni。
全文摘要
本發(fā)明涉及照明用LED封裝，LED封裝模塊包括基板和LED芯片，該基板具有固晶面和布線面，所述固晶面與所述布線面平行設(shè)置，所述固晶面之高度底于所述布線面，所述固晶面與所述布線面之間設(shè)有反射過度面；所述LED芯片設(shè)置于所述固晶面；該LED封裝模塊還包括擴散增光層，所述擴散增光層填充于所述固晶面與所述反射過度面界定而成的空間內(nèi)，所述擴散增光層位于所述熱沉層之上并將所述LED芯片包覆于其中，所述擴散增光層之頂面高于所述LED芯片之頂面；所述擴散增光層是透明硅膠與玻璃微珠的混合物。本發(fā)明提供一種具有擴散增光功能的LED封裝模塊，并且出光均勻柔和。
文檔編號H01L25/075GK101691911SQ20091010873
公開日2010年4月7日 申請日期2009年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月10日
發(fā)明者李金明 申請人:東莞市萬豐納米材料有限公司