浸沒式光刻設(shè)備、干燥裝置、浸沒量測設(shè)備和器件制造方法

文檔序號：6934430閱讀：118來源：國知局

專利名稱：浸沒式光刻設(shè)備、干燥裝置、浸沒量測設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液體去除裝置，具體地涉及一種能夠用于或結(jié)合到光刻設(shè)備或量測設(shè)備的液體去除裝置，還涉及一種用于液體去除和器件制造的方法。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標部分上
的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情
況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC
的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片) 上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)
絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進機和所謂的掃描器。在步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分。在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個
目標部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。
已經(jīng)提出將光刻投影設(shè)備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體 (例如水)中，以便充滿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。在實施例中，液體是蒸餾水，但是可以使用其他液體。本發(fā)明的實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適合的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期望是具有比水的折射率高的折射率。除氣體以外的流體是尤其希望的。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)更小特征的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的影響
也可以被看成提高系統(tǒng)的有效數(shù)值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提
出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固體顆粒(例如石英)的水，或具有
納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達10nm的顆粒)的液體。這種懸浮的顆粒可以具有或不具有與它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他可能合適的液體包括烴，例如芳香烴(例如萘烷)、氟化烴和/或水溶液。
將襯底或襯底與襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利No. US4，509，852)意味著在掃描曝光過程中需要加速很大體積的液體。這需要額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導致不希望的或不能預(yù)期的效果。
提出來的解決方法之一是液體處理系統(tǒng)，例如液體供給系統(tǒng)，用以通過使用液體限制結(jié)構(gòu)將液體僅提供到襯底的局部區(qū)域并且在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間(通常襯底具有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表面積)。提出來的一種用于設(shè)置上述解決方案的方法在公開號為WO99/49504 的PCT專利申請出版物中公開了。如圖2和圖3所示，液體優(yōu)選地沿著襯底相對于最終元件移動的方向，通過至少一個入口 IN供給到襯底上，并且在已經(jīng)通過投影系統(tǒng)下面之后，通過至少一個出口 OUT去除。也就是說，當襯底在所述元件下沿著一X方向掃描時，液體在元件的+X —側(cè)供給并且在一X—側(cè)去除。圖2是所述配置的示意圖，其中液體通過入口IN 供給，并在元件的另一側(cè)通過與低壓源相連的出口 OUT去除。在圖2中，
雖然液體沿著襯底相對于最終元件的移動方向供給，但這并不是必須的。可以在最終元件周圍設(shè)置各種方向和數(shù)目的入口和出口。圖3示出了一個實例，其中在最終元件的周圍在每側(cè)上以規(guī)則的重復(fù)方式設(shè)置了四組入口和出口。
在圖4中示出了另一個采用局部液體供給系統(tǒng)的浸沒式光刻方案。液體由位于投影系統(tǒng)PS每一側(cè)上的兩個槽狀入口 IN供給，由設(shè)置在入口 IN 沿徑向向外的位置上的多個離散的出口 OUT去除。所述入口 IN和出口 OUT可以設(shè)置在板上，所述板在其中心有孔，帶圖案的束通過該孔投影。液體由位于投影系統(tǒng)PS的一側(cè)上的一個槽狀入口 IN提供，而由位于投影
6系統(tǒng)PS的另一側(cè)上的多個離散的出口 OUT去除，這造成投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜流。選擇使用哪組入口 IN和出口 OUT組合可以依賴于襯底W的移動方向(另外的入口 IN和出口 OUT組合是不起作用的)。
另一提出的布置是提供具有阻擋構(gòu)件的液體處理系統(tǒng)，所述阻擋構(gòu)件沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空間的至少一部分邊界延伸。在實施例中，阻擋構(gòu)件可以形成密封或作為密封的一部分，在阻擋構(gòu)件附近是浸沒液體的彎液面。所述密封限制浸沒液體并且因此產(chǎn)生彎液面。當曝光輻射通過限制的浸沒液體，它可以被看成光學液體。圖7中示出了這種布置，下面將更詳細地說明。盡管在Z方向上可能存在一些相對移動(在光軸的方向上)，阻擋構(gòu)件相對于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本上是靜止的。在實施例中，密封形成在所述密封構(gòu)件和襯底表面之間。期望地，所述密封是非接觸式密封，例如氣體密封。這種具有氣體密封的系統(tǒng)在美國專利申請公開出版物No. US 2004-0207824中公開，并且在圖7中示出。
在歐洲專利申請公開出版物EP1420300和美國專利申請公開出版物 US2004-0136494中，公開了一種成對的或雙臺浸沒式光刻設(shè)備的方案。這種設(shè)備設(shè)置有兩個臺用以支撐襯底。調(diào)平(levelling)測量在沒有浸沒液體的工作臺的第一位置處進行，曝光在存在浸沒液體的工作臺的第二位置處進行。可選的是，設(shè)備僅具有一個臺。
PCT專利申請公開出版物WO 2005/064405公開一種全浸濕布置，其
中浸沒液體是不受限制的。在這種系統(tǒng)中，襯底的整個頂部表面覆蓋在液體中。這可以是有利的，因為襯底的基本上整個頂部表面在基本上相同的條件下進行曝光。這對于襯底的溫度控制和處理是有利的。在WO 2005/064405中，液體供給系統(tǒng)提供液體到投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的間隙。在曝光期間投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的液體是光學液體。液體被允許泄露到襯底的其他部分。襯底臺的邊緣處的阻擋構(gòu)件防止液體溢出，使得液體可以從襯底臺的頂部表面上以受控制的方式去除。限制浸沒液體的延伸的液體彎液面遠離投影系統(tǒng)。雖然這樣的系統(tǒng)改善了襯底的溫度控制和處理，但仍然可能出現(xiàn)浸沒液體的蒸發(fā)。幫助緩解這個問題的一種方法在美國專利申請公幵出版物No. US 2006/0119809中有記載，其中設(shè)置構(gòu)件覆蓋襯底W的所有位置，并且配置成使浸沒液體在所述構(gòu) 件和襯底和/或保持襯底的襯底臺的頂部表面之間延伸。

發(fā)明內(nèi)容
在浸沒式光刻設(shè)備中，尤其是局部浸沒，限制所述設(shè)備的產(chǎn)量的一個因素是浸沒液體的彎液面的穩(wěn)定性。投影系統(tǒng)和襯底臺之間的相對速度提高，則彎液面變得不穩(wěn)定。在更高的相對速度的情況中，施加到相對移動的部件和彎液面上的力和加速度增大。這樣的彎液面是位于提供浸沒液體的液體處理系統(tǒng)和位于襯底臺上的襯底之間的彎液面。不穩(wěn)定的彎液面會讓氣泡進入浸沒液體，并且讓浸沒液體的液滴脫離出去。這些留在襯底上的液滴會導致下面進一步說明的多種問題。
在局部和非局部浸沒系統(tǒng)中，在襯底已經(jīng)通過最終元件以及相關(guān)的光學液體之后或當襯底從曝光站移出時，液體的液滴或薄膜會留在襯底上。這里提到的液滴附加地或可選地包括液體薄膜。薄膜可以看作是覆蓋部分表面的薄膜層形式的液滴。如果液滴留下來蒸發(fā)，液滴會引起局部的冷卻和襯底的變形。溶解的和懸浮的污染物會沉積在襯底上。這樣的液滴是吸引污染物的缺陷源(也就是，缺陷計數(shù)密度)。如果采用液體局部限制結(jié) 構(gòu)，會出現(xiàn)附加的問題。例如，當襯底表面上的液滴與投影系統(tǒng)下面浸沒液體的彎液面接觸并碰撞時，襯底表面和投影系統(tǒng)之間的浸沒液體中會形成氣泡。液滴相對于襯底可以是靜止的，但是相對于限制結(jié)構(gòu)是移動的。當改變掃描方向使襯底和限制結(jié)構(gòu)之間的相對移動的方向改變之后，襯底表面上的液滴和彎液面之間的碰撞的風險增大。己有的液滴去除裝置利用氣流將液滴拖向抽取開口 (也就是出口)，然而，在這種裝置中高速的氣流會加劇蒸發(fā)，因而加劇相關(guān)聯(lián)的冷卻。
本發(fā)明旨在提供一種改進的設(shè)備，通過所述設(shè)備穩(wěn)定彎液面，和/或更有效地從襯底的表面上去除液滴。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括
襯底臺，其構(gòu)造用于保持襯底；和
液體處理結(jié)構(gòu)，其布置用以從襯底臺的表面、由所述襯底臺保持的襯底的表面或所述襯底臺和所述襯底的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括沿一條線布置的液體抽取開口陣列，每個所述液體抽取開口在各自的伸長方向上是細長的并且所述伸長方向與所述線的角度大于0。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括
襯底臺，其構(gòu)造用于保持襯底；
投影系統(tǒng)，其配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上，投影系統(tǒng)具有光軸；
定位裝置，其布置用于實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動；
控制系統(tǒng)，其布置用于在通過將輻射束投影到襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制所述定位裝置使所述襯底臺相對于所述投影系統(tǒng)沿掃描方向移動；和
液體處理結(jié)構(gòu)，其布置用于從所述襯底臺的表面、由所述襯底臺保持的所述襯底的表面或所述襯底臺和所述襯底的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括多個細長的液體抽取開口，所述液體抽取開口間隔開，并且每個液體抽取開口與至少一個相鄰的液體抽取開口交疊，使得從圖案化的束入射到襯底上的區(qū)域內(nèi)的點沿基本上平行于掃描方向延伸的線從至少兩個液體抽取開口的下面通過。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括
襯底臺，其構(gòu)造用于保持襯底；
投影系統(tǒng)，其配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上；定位裝置，其布置用于實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動；控制系統(tǒng)，其布置用于在通過將輻射束投影至IJ襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制所述定位裝置使所述襯底臺相對于所述投影系統(tǒng)沿掃描方向移動；和
液體處理結(jié)構(gòu)，其布置用于從所述襯底臺的表面、由所述襯底臺保持的所述襯底的表面或所述襯底臺和所述襯底的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括與所述表面相對布置的多個細長的液體抽取開口，所述液體抽取開口的布置使得，當液體抽取開口與負壓源流體連通時，在所述表面和液體處理結(jié)構(gòu)之間形成多個低壓區(qū)域，所述低壓區(qū)域是細長的、間隔開的，并且每個低壓區(qū)域與至少一個相鄰的低壓區(qū)域交疊，使得從圖案化的束入射到襯底上的區(qū)域內(nèi)的點沿基本上平行于掃描方向延伸的線通過至少兩個液體抽取開口。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括襯底臺，其構(gòu)造成保持襯底；
投影系統(tǒng)，其配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上，投影系統(tǒng)具有光軸；
定位裝置，其布置用于實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動；
控制系統(tǒng)，其布置用于在通過將輻射束投影到襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制所述定位裝置使所述襯底臺相對于所述投影系統(tǒng)沿掃描方向移動；和
液體處理結(jié)構(gòu)，其布置用于從所述襯底臺的表面、由所述襯底臺保持的所述襯底的表面或所述襯底臺和所述襯底的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括多個細長的液體抽取開口，所述液體抽取開口是間隔開的，并且每個液體抽取開口與至少一個相鄰的液體抽取開口交疊，使得從圖案化的束入射到襯底上的區(qū)域內(nèi)的點沿基本上平行于掃描方向延伸的線沒有不從至少一個液體抽取開口下面通過的。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括.-
襯底臺，其構(gòu)造成保持襯底；
投影系統(tǒng)，其配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上；定位裝置，其布置用于實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動；控制系統(tǒng)，其布置用于在通過將輻射束投影到襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制所述定位裝置使所述襯底臺相對于所述投影系統(tǒng)沿掃描方向移動；和
液體處理結(jié)構(gòu)，其布置用于從所述襯底臺的表面、由所述襯底臺保持的所述襯底的表面或所述襯底臺和所述襯底的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括與所述表面相對布置的多個液體抽取開口，所述液體抽取開口的布置使得，當液體抽取開口與負壓源流體連通時，在所述表面和液體處理結(jié)構(gòu)之間形成多個低壓區(qū)域，所述低壓區(qū)域是細長的、間隔開的，并且每個低壓區(qū)域與至少一個相鄰的低壓區(qū)域交疊，使得從圖案化的束入射到襯底上的區(qū)域內(nèi)的任何點沿基本上平行于掃描方向延伸的線沒有不通過至少一個低壓區(qū)域的。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種液體處理結(jié)構(gòu)，其配置成從襯底臺的表面、由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括沿一條線布置的液體抽取開口陣列，每個液體抽取開口在各自伸長的方向上是細長的，并且所述伸長方向與所述線的角度大于O。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種器件制造方法，包括通過限制到鄰近襯底的空間的液體將圖案的圖像投影到襯底上；和通過沿一條線布置的液體抽取開口陣列從襯底去除液體，每個液體抽取開口在各自的伸長方向上是細長的，并且所述伸長方向與所述線的角度
大于o。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種利用具有投影系統(tǒng)的光刻設(shè)備的器件
制造方法，所述方法包括
通過限制到鄰近襯底的空間的液體將圖案的圖像投影到襯底上的同
時，沿掃描方向相對地移動襯底和投影系統(tǒng)；禾口
通過將與表面相對布置的多個液體抽取開口連接到負壓源以便在所述表面和液體抽取開口之間形成多個低壓區(qū)域，而從所述襯底的表面去除液體，所述低壓區(qū)域是細長的、間隔開的，并且當沿掃描方向看時每個所述低壓區(qū)域與至少一個相鄰的低壓區(qū)域交疊。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光刻設(shè)備，包括-
襯底臺，其構(gòu)造成保持襯底；和
液體處理結(jié)構(gòu)，其布置成從襯底臺的表面、.由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括呈線性布置的液體抽取開口陣列，每個液體抽取開口在與線性布置的方向不同的方向上具有細長的尺寸。

下面僅通過示例的方式，參考附圖對本發(fā)明的實施例進行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的標記表示相應(yīng)的部件，在附圖中.* 圖1示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設(shè)備；圖2和圖3示出用在光刻投影設(shè)備中的液體處理結(jié)構(gòu)；圖4示出用在光刻投影設(shè)備中的液體處理結(jié)構(gòu)；圖5示出根據(jù)本發(fā)明實施例的配置成處理液體和控制位于保持在襯底臺上的襯底上的浸沒液體的局部區(qū)域的結(jié)構(gòu)、用于從襯底去除液體的液體去除裝置、以及襯底臺的一部分；
圖6示出根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻設(shè)備的襯底臺和液體去除裝置的其
他布置；
圖7示出形成圖5中的液體處理結(jié)構(gòu)的一部分的阻擋構(gòu)件的橫截面；圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例的限定液體去除裝置的液體去除開口和其他部分的板的平面圖9是圖8中圓圈部分的放大圖10是根據(jù)本發(fā)明實施例的形成液體去除裝置的一部分的另一個板的平面圖11是根據(jù)本發(fā)明實施例的形成液體去除裝置的一部分的還一個板的平面圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例的形成液體去除裝置的一部分的另一個板的平面圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的形成液體去除裝置的一部分的另一個板的平面圖14示出根據(jù)本發(fā)明實施例運行以去除液滴的液體去除裝置；圖15示出運行以去除薄膜的圖14中的液體去除裝置；圖16示出根據(jù)本發(fā)明實施例的液體去除裝置；和圖17是根據(jù)本發(fā)明實施例的限定液體去除裝置的液體去除開口和其他部分的板的平面圖。
具體實施例方式
圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè) 備包括
-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其構(gòu)建用于調(diào)節(jié)輻射束B (例如，紫外(UV)
輻射或深紫外(DUV)輻射)；
-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定
12位裝置PM相連；
-襯底臺(例如晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與構(gòu)建用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；和
投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其構(gòu)建用于將由圖案形成
裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C (例如包括一
根或多根管芯)上。
照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。
所述支撐結(jié)構(gòu)MT保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)MT以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán) 境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu) MT可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以認為與更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。
這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。
這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，投影系統(tǒng)的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語"投影透鏡"可以認為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。
如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。
光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成裝置臺)的類型。在這種"多臺"機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。
參照圖l，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源看成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適
的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器 AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為(J-外部和a-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？?以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。
所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部
分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器 (圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對準標記M1、 M2和襯底對準標記P1、 P2來對準圖案形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據(jù)了專用目標部分，但是它們可以位于目標部分之間的空間(這些公知為劃線對齊標記) 中。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在圖案形成裝置MA上的情況下，
所述圖案形成裝置對準標記可以位于所述管芯之間。可以將所示的設(shè)備用于以下模式中的至少一種中.-
1. 在步進模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。
2. 在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方向)。
3. 在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT 保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上。在這種模式中，通常釆用脈沖
15輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù) 輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。
也可以附加地或可選地采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用模式。
圖5相對于襯底臺更詳細地示意地示出液體處理布置。具體地，液體
處理結(jié)構(gòu)12被設(shè)置成提供浸沒液體并將浸沒液體限制在投影系統(tǒng)PS的最
終元件(該圖中未示出)和襯底w和/或襯底臺之間的空間。(值得注意的
是，如果沒有相反的說明，這里提到的襯底包括可選的或附加的襯底臺)
這種布置包括具有下面進一步描述的去除裝置100的液體處理結(jié)構(gòu)。在襯底W上執(zhí)行一系列的曝光和測量期間，相對于投影系統(tǒng)PS和液體處理結(jié) 構(gòu)12以高速和高的加速度移動襯底臺WT。在不同的時間，例如曝光邊緣管芯時和利用設(shè)置在傳感器塊上的傳感器FID進行測量時，襯底的邊緣通過浸沒液體11的局部主體(localized body)的下面。這一點以及襯底臺 WT大的加速度和方向變化會引起液滴從浸沒液體的主體脫離并遺留在襯底、襯底臺和/或傳感器FID上。遺留在襯底上的液滴通過引起局部冷卻并導致襯底的變形而引起如上面討論的問題。液滴會沉積溶解的或懸浮的污染物和/或從環(huán)境吸引污染物。因而，根據(jù)本發(fā)明實施例的液體去除系統(tǒng) 100旨在減少或最少化遺留在襯底上的液滴，例如通過穩(wěn)定浸沒液體的主體的彎液面來實現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明實施例設(shè)置一個或更多個附加的液體去除裝置200，以去除遺留在襯底W上的任何液體。液體去除裝置可以相對于投影系統(tǒng)固定在適當?shù)奈恢蒙?，使得在一系列的曝光期間投影系統(tǒng)下面的襯底臺的正常移動掃過其下的襯底。液體去除裝置200可以設(shè)置有其自身的定位裝置。根據(jù)本發(fā)明的實施例，當液體處理結(jié)構(gòu)12不具有液體去除系統(tǒng)(例如液體去除裝置100)時，可以使用液體去除裝置200。例如，液體去除裝置 100可以是圖2到圖4中示出并且上面所述的液體處理結(jié)構(gòu)的類型中的一個，或使用氣刀限制浸沒液體的類型，例如美國專利申請出版物 No.US2004-0207824中公開的類型，這里以參考的方式并入?？蛇x地或附加地，根據(jù)本發(fā)明實施例的液體去除裝置可以放置在光刻設(shè)備中的其他位置處。例如，如圖6所示，液體去除裝置300可以位于曝光襯底的曝光站和進行測量的測量站之間。在測量站進行的測量可以是使
用水平傳感器LS的高度繪圖。襯底可以加載到位于測量站的襯底臺和/或從襯底臺上取下襯底。液體去除裝置300可以足夠大并且合適地定位，使得當在站之間轉(zhuǎn)移、襯底臺通過液體去除裝置下面時，整個襯底被掃過。液體去除裝置400可以定位在測量站，用以在進行測量時干燥襯底。液體去除裝置400可以設(shè)置其自身的定位系統(tǒng)。液體去除裝置可以位于光刻設(shè) 備的外部，例如位于軌道上。在光刻設(shè)備外部，液體去除裝置可以具有與這里所述的液體去除裝置200、 300、 400中任一個相同的特征。
圖7中示意地示出液體處理結(jié)構(gòu)12。其形成局部浸沒系統(tǒng)的一部分。液體處理結(jié)構(gòu)12布置用于控制，具體地供給和限制浸沒液體到投影系統(tǒng) PS的最終元件和襯底W之間的空間。液體處理結(jié)構(gòu)的主要部分是阻擋構(gòu) 件12，其沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底W之間的空間的邊界的至少一部分延伸。盡管在Z方向(光軸的方向)上存在一些相對移動，阻擋構(gòu)件 12相對于投影系統(tǒng)在XY平面內(nèi)基本上是靜止的。
阻擋構(gòu)件12是至少部分地將液體限制在投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底W之間的空間11內(nèi)的結(jié)構(gòu)。浸沒液體通過液體開口 14 (也就是入口) 供給，并充滿襯底表面和投影系統(tǒng)的最終元件之間的空間。所述空間至少部分地由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件下面，通常是圍繞投影系統(tǒng)PS的最終元件的阻擋構(gòu)件12劃界。液體可以通過入口-出口 13供給到所述空間或從所述空間去除。阻擋構(gòu)件12可延伸到略微高于投影系統(tǒng)PS的最終元件的位置處。液面高于最終元件，使得提供液體的緩沖。在實施例中，阻擋構(gòu)件12具有內(nèi)周，所述周在上端處與投影系統(tǒng)的形狀或其最終元件的形狀接近一致，并且可以是例如圓形的。在底部，所述內(nèi)周與像場IF的形狀接近一致，例如矩形，但是這并不是必須的。
通過形成液體去除裝置100的一部分的液體抽取管15防止所述空間內(nèi)的液體ll溢出到襯底的整個表面上。在實施例中，液體抽取管15與多個孔流體連通。所述孔形成液體開口，所述液體開口設(shè)置在被浸沒液體占據(jù)的所述空間周圍。這些孔的形狀和布置用于控制并且尤其是穩(wěn)定浸沒液體11的彎液面16，以便減少或最少化從浸沒液體脫離的液滴或進入浸沒液體的氣泡。在實施例中，這些孔呈細長的狹槽形式，并且例如沿可稱為
"虛擬線(imaginary line)"的線形成一個或更多個有序的布置，也就是陣列。在本發(fā)明實施例中沒有可見的實線，但是可以通過連接位于每個狹槽上的相應(yīng)的點而構(gòu)造形成線。狹槽陣列可以布置成線性陣列，例如以圖案的形式。所述陣列可以是一維的，使得所述狹槽沿所述線定位。所述狹槽可以相對于虛擬線以大于O度的角度取向，例如15°， 30°或45。角度。當沿所述設(shè)備的主掃描方向S看時，沿所述陣列的鄰近狹槽相交疊。當在主掃描方向?qū)嵤┮苿訒r，這種布置有利于穩(wěn)定彎液面。
所述設(shè)備的主掃描方向是在襯底的目標部分曝光期間襯底和投影系統(tǒng)的相對移動的方向。通常，在Z軸線作為投影系統(tǒng)的光軸的情況下,XYZ 坐標系統(tǒng)被用于在所述設(shè)備中限定位置。主掃描方向可以平行于Y軸線。襯底臺也可以在例如基本上垂直于主掃描方向的X方向上快速移動。因而，在本發(fā)明的實施例中，在相同或不同陣列中的狹槽在沿垂直方向看時可以是不同的取向并且布置成交疊。當沿基本上垂直的方向移動時，這些布置可以穩(wěn)定彎液面。
在本發(fā)明的實施例中，液體去除裝置的開口方便地由板限定，所述板覆蓋阻擋構(gòu)件12的下表面并且具有合適形狀的孔。所述板110的一個示例在圖8和圖9中示出，圖9是圖8中用虛線圓圈標示的部分的放大圖。在另一實施例中，所述開口，例如入口和出口，可以是單個的針。
在平面圖中板iio是大致方形的,其對角線基本上平行于X和Y方向。四組狹槽lll限定液體去除裝置的開口。這些狹槽圍繞所述板的外圍設(shè)置，每一組沿每條邊設(shè)置。每組狹槽形成一個陣列，這些陣列沿著點劃線標示的各個虛擬線A-A、 B-B、 C-C、和D-D規(guī)則地排列，其中各虛擬線分別大致平行于所述板的各個邊。因而，虛擬線與X軸線成銳角al，在本實施例中是45。。所述設(shè)備的主掃描方向S平行于Y軸線。在板的角部設(shè)置附加的液體開口 112，它們不形成任何一個所述排列的一部分。附加的開口 112在沿基本上垂直于它們所在的對角線的方向上具有最大尺寸?？?13的環(huán)形成液體入口，通過這些液體入口投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間充滿浸沒液體11。中心孔114與阻擋構(gòu)件12的中心孔匹配。
當所述板位于阻擋構(gòu)件12上或作為阻擋構(gòu)件12的一部分，狹槽1U 與位于阻擋構(gòu)件的一個或更多個溝槽連通，所述一個或更多個溝槽與例如由真空泵形成的負壓流體連通?？?13與一個或更多個溝槽連通，所述溝槽與浸沒液體源流體連通。所述狹槽距所述板的邊緣可以全部是等距的，并且如果所述板不延伸到所述阻擋構(gòu)件的邊緣，所述狹槽距所述阻擋構(gòu)件 12的邊緣也可以全部是等距的，使得氣流是均勻的。任何進入所述狹槽的流動速率的不均勻性都可以通過與狹槽連通的阻擋構(gòu)件中的溝槽的橫截面的變化來校正。
正如從圖9中更清楚地看到的，狹槽lll配置成與虛擬線(也就是所述陣列的主要方向)成角度a2，并且沿主掃描方向S看時狹槽111是交疊的。在實施例中，角度a2為45。，使得所述狹槽垂直于主掃描方向。交疊的量由角度a2和狹槽的長度決定。交疊的量可以根據(jù)具體實施例的需要設(shè)定。交疊的量可以大于狹槽的長度的5%，期望地是大于10%而小于 75%，期望地，小于50%。當所述設(shè)備處于運行期間，浸沒液體11的主體的彎液面16采用接近圖9中的虛線標示的位置。這是鋸齒線，其在成角度的狹槽111下面的線段接近平行于狹槽，所述線段之間的線段更接近平行于掃描方向?？梢哉J為，在具有成角度的狹槽布置的情況中彎液面更穩(wěn)定，因為彎液面的非狹槽下面的部分接近平行于掃描方向。因而，彎液面的這些部分是平滑的而不會被由于襯底的移動帶來的氣流中斷。在狹糟下面，在彎液面接近垂直于掃描方向的位置，彎液面的穩(wěn)定性不是主要問題，因為任何從彎液面中脫離的液體都會通過至少一個狹槽被迅速地抽吸掉。
狹槽和虛擬線之間的角度可以在10到80 °范圍內(nèi)，期望地是20到70 。范圍內(nèi)，更期望地是30到60 。范圍內(nèi)，最期望地是40到50。范圍內(nèi)。每個狹槽陣列可以包括N個狹槽，其中N是從5到150范圍內(nèi)的整數(shù)，期望地是10到IOO范圍內(nèi)的整數(shù)，期望地是20到40范圍內(nèi)的整數(shù)。液體抽取狹槽在伸長方向上的長度在50 pm到50 mm范圍內(nèi)，期望地0.1mm 到10mm范圍內(nèi)，期望地是lmm到5mm范圍內(nèi)。液體抽取狹槽在垂直于伸長方向上具有5 (im到5 mm范圍內(nèi)的寬度，期望地是10 pm到1 mm范圍，期望地是50 pm到O.l mm范圍。狹槽不需要具有均勻的寬度。狹槽的端部可以是圓形的。液體抽取狹槽可以具有l(wèi): 2到1: IOO范圍的縱橫比，期望地為1:3到1:20范圍的縱橫比，期望地為1:5到1:10范圍的縱橫比。陣列的狹槽可以沿虛擬線以圖案的形式排列。狹槽可以依照諸如幾何圖案、算術(shù)圖案和/或重復(fù)圖案等圖案間隔分開。在一種布置中，陣列的狹槽等距地間隔分開。狹槽間距可以在0.5mm到5mm范圍內(nèi)，期望地在 lmm到2mm范圍內(nèi)。在一個實施例中，液體抽取狹槽基本上是直的。在一個實施例中，狹槽是彎曲的。
在一個實施例中，虛擬線基本上是直的。在一個實施例中，虛擬線是彎曲的，例如圓弧形式。陣列中的狹槽可以相對于直的虛擬線的線性方向的方向、或相對于在沿虛擬線上的狹槽位置處的彎曲虛擬線的切線方向以一角度取向。狹槽陣列可以圍繞投影系統(tǒng)的光軸布置。設(shè)置在液體處理結(jié) 構(gòu)內(nèi)的所述陣列可以相互連接。相互連接的陣列可以形成諸如直線形狀 (例如菱形)、圓形或橢圓形等形狀的輪廓。因而，不同陣列(和相應(yīng)的虛擬線)可以連接以形成圍繞所述光軸布置的狹槽的圖案。狹槽沿虛擬線可以等距地間隔。狹槽間距可以在0.5mm到5mm范圍內(nèi)，期望地在lmm 到2mm范圍內(nèi)。
在本發(fā)明的實施例中，狹槽可以是V形，也可能是可替換的反V形。在本發(fā)明實施例中，每個狹槽可以用一列任何形狀的小孔或一組任何形狀的小孔替換。這種小孔被布置成在使用期間產(chǎn)生與狹槽相同形狀的負壓。
圖10中示出了用于本發(fā)明實施例的另」板120。該板與板110相同，除了狹槽121的角度不同。在這個實施例中，狹槽121和狹槽排列其上的虛擬線之間的角度a3為60°。這樣狹槽121與主掃描方向S成75°角度。
圖11中示出另一板130。板130與板110相同，不同的是狹槽131和虛擬線之間的角度a4為75°。這樣狹槽131與主掃描方向S之間的角度為 60。。
正如上面提到的，期望地，當襯底臺沿基本上垂直于主掃描方向的方向移動時，浸沒液體的主體的彎液面保持穩(wěn)定。與主掃描方向垂直的方向可以稱為副掃描方向，或步進方向，因為它在掃描之間步進。例如在這個方向上進行移動以重新定位襯底，從而進行新的曝光。圖12和13示出用
20來實現(xiàn)這種需要的板。這種板基本上與板110相同，除了狹槽的布置不同。在圖12中示出的板140中，沿每條邊布置的狹槽被分成兩個子集。
一個子集的狹槽141布置成相對于虛擬線成60°的角度a5，使得這些狹槽與主掃描方向Sl成75°角。同樣，另一子集的狹槽142以相對于虛擬線成60°的角度a6布置，但是沿另一方向。狹槽142到副掃描方向S2的角度為75°。狹槽141的陣列設(shè)置成使得，當襯底沿主掃描方向移動時，這些狹槽的陣列位于所述板的前端點和尾端點的任一側(cè)。當襯底沿副掃描方向移動時，狹槽142的陣列位于前端點和尾端點中的任一側(cè)。
圖13中示出的板150具有不全部沿相同方向取向的狹槽151。在主掃描方向上最靠近前端點和尾端點的狹槽，在實施例的一個末端處，與虛擬線的角度a7為60°，使得它們與主掃描方向Sl成75°角。同樣，在副掃描方向上最靠近前端點和尾端點的狹槽，在實施例的另一個末端處，被布置成與虛擬線成60。角a6，但是沿另一方向。這些狹槽與副掃描方向S2 成75°角。在實施例中，在中間的狹槽是從一個末端到另一末端逐步地變化的角度。在一實施例中，在陣列的端部或中間可以存在具有相同取向的狹槽的組。在一實施例中，可以具有取向逐步地變化的狹槽的組。如圖所示，角度的變化是線性的，但這并不是必須的。
圖14示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的液體去除裝置300，其用于從表面去除例如液滴等液體。狹槽301的陣列沿基本上垂直于將要被干燥的表面和液體去除裝置之間相對移動方向的線設(shè)置。這相當于所述線，也就是在介紹用于液體處理結(jié)構(gòu)12的狹槽中提到的虛擬線。在實施例中，狹槽相對于所述線成45。角，但這個角度與狹槽的長度可以依照預(yù)期的將要去除的液體d的量和所述表面和液體去除裝置的相對速度進行變化。在本實施例中狹槽的尺寸和取向以及狹槽陣列的布置(例如沿虛擬線布置)可以與上面所述的參照圖8到13的液體處理結(jié)構(gòu)12中的狹槽相同。狹槽301連接到例如真空泵等負壓源303。由連接到氣體源304的長狹槽302形成的氣刀可以設(shè)置在抽取狹槽301后面，用以掃除任何沒有通過狹槽301抽取的液體，并且將液體保持在能夠被抽取的位置。這種氣力將氣流垂直地或以一定角度引導到所述表面。在實施例中，來自氣刀的氣流可以朝向狹槽301 以0到90度范圍的角度流到所述表面上。在使用期間，液體去除裝置相對于襯底沿方向S移動(和/或襯底沿與方向S相反的方向相對于液體去除裝置移動)。襯底上的液滴受到來自狹
槽301的負壓。液體隨后遭受來自氣刀302的氣流。如果來自狹槽的負壓不足以去除液體，氣刀302將會阻礙液體的移動，延長用于通過狹槽抽取液體的時間。相對于例如通過圓形孔的負壓的點源，狹槽的伸長的形狀延長了液體暴露到負壓的時間。來自鄰近狹槽的負壓相互作用。由于狹槽相對于移動方向(例如掃描方向)成角度，并且足夠靠近，負壓流會相互作用。負壓流與液體的彎液面相互作用，提供力到液體上以抽取液體。在液滴橋接兩個狹槽的情況中(例如抽取薄膜時)，液體彎液面不是直的，而是沿垂直于移動方向的方向彎曲。沿著狹槽，彎液面傾向于與狹槽對準。在狹槽之間，彎液面傾向于與移動方向?qū)?。這允許液體容易地通過狹槽抽取。當狹槽優(yōu)選地相對于移動方向交疊，負壓強烈地相互作用。如圖15 中虛線所示，在狹槽之間形成穩(wěn)定的彎液面，引導液體進入抽取狹槽。使用液體去除裝置可以實現(xiàn)液體的有效抽取。
圖16中示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的另一種液體去除裝置400。這種液體去除裝置與上面所述的液體去除裝置300相同，除了下面所述的不同。液體去除裝置400具有V形開口陣列，例如狹槽401陣列，這些狹槽中交替設(shè)置的狹槽是沿相對方向取向并且位于虛擬線的相對側(cè)。因而，狹槽401 形成鋸齒線，其在每個分支的中間被小"橋"403中斷。部分或所有這些橋403可以省略，使得液體去除開口是短的或長的鋸齒線的形式。在示出的實施例中，每個V形形狀中的夾角a9是60。，但也可以是其他角度，例如15°到75°范圍內(nèi)的其他角度。V形狹槽的夾角可以變化。V形狹槽401 的尺寸和數(shù)量可以根據(jù)具體實施例進行選擇?？梢杂蠳個V形狹槽，這里N是從5到150范圍內(nèi)的整數(shù)，期望地是從10到IOO范圍內(nèi)的整數(shù)，期望地是從20到40范圍內(nèi)的整數(shù)。V形狹槽具有長度在50)tim到50 mm 范圍內(nèi)的臂，期望地長度在0.1 mm到10 mm范圍的臂，期望地長度在1 mm 到5mm范圍的臂。V形狹槽的臂具有5(^m到50mm范圍的寬度，期望地具有io pm到1 mm范圍的寬度，期望地具有50 |im到0.1 mm范圍的寬度。狹槽不需要具有均勻的寬度。狹槽的端部可以是圓形的。
上面參照圖16所述的V形狹槽的陣列也可以用于上面參照圖5所述的液體去除裝置ll。
圖17示出實現(xiàn)本發(fā)明的液體去除裝置500。除非這里提到，液體去除
裝置500具有與前面所述的液體去除裝置100相同的特征。液體去除裝置 500在其下表面具有狹槽，其下表面的每一個狹槽是小開口 502的陣列 510、 520 (例如線性陣列)的形式。每個小開口的陣列510、 520被布置成以便在運行期間產(chǎn)生與由狹槽產(chǎn)生的負壓形狀相同的負壓。
在圖17所示出的實施例中，在液體去除裝置500的每個角部504之間存在三個線性陣列510、 520。在角部504和兩個相鄰角部之間的中點 506之間，例如液體去除裝置500的連接角部504和另一角部的邊508的中點，存在兩個線性陣列510、 520。所述兩個線性陣列通常與所述邊對齊。一個陣列(邊緣陣列510)的位置比另一個角部陣列520離所述角部更遠。兩個陣列510、 520的相鄰的端部相對于邊506彼此交疊。陣列510、 520 在交疊515的區(qū)域交疊。這樣在移動方向上，例如在與通過兩個相對的角部的軸線對齊(例如在掃描或步進方向)的方向上，線性陣列510、 520 交疊。通過(例如相對于邊508)使邊緣陣列510的曲率半徑在交疊510 的區(qū)域大于角部陣列520的曲率半徑來實現(xiàn)交疊。在交疊區(qū)域515，如果從邊緣陣列510中逃逸出來的浸沒液體沒有通過邊緣陣列510去除，該浸沒液體將通過角部陣列520去除。浸沒液體可以通過如圖中箭頭525所示的交疊515的區(qū)域有效地被抽取。兩個陣列的交疊區(qū)域可以用作這里所述的兩個相鄰的狹槽，以延長浸沒液體暴露到抽取負壓的持續(xù)時間。
在圖17中示出的實施例配置成使得在角部504的每條邊508上的交疊區(qū)域515靠近所述角都。積聚在液體去除裝置500的尾部角部處的液體的量被減少或基本上不再積聚。
在實施例中，每個角部在其相鄰的邊上可以具有交疊區(qū)域515。兩個角部陣列520可以在角部504的區(qū)域相交。兩個邊緣陣列510可以在邊508 的中點處或所述中點附近相交。兩個邊緣陣列可以形成一個連續(xù)的陣列。在圖17中示出的實施例中具有一個與每個在角部504處相交的邊508相關(guān)聯(lián)的交疊區(qū)域515 (對應(yīng)于兩個交疊狹槽)?？偣泊嬖诎藗€交疊區(qū)域。對于四邊形本實施例具有最小數(shù)量的交疊區(qū)域，其中每個角部504具有與每個相交形成角504的邊關(guān)聯(lián)的交疊區(qū)域。只要有與每條邊相關(guān)聯(lián)的兩個角部，在每一條邊中有交疊區(qū)域，那么每個交疊區(qū)域可以與不同的角部相關(guān) 聯(lián)。在一個實施例中，在一條邊上至少有兩個交疊區(qū)域，它們與相同的角部508相關(guān)聯(lián)。期望地，具有與在諸如尾部角部等角部處相交的每條邊相關(guān)聯(lián)的交疊區(qū)域，因為這能夠增大襯底和液體去除裝置500之間的臨界相對速率，例如掃描速率。浸沒式光刻設(shè)備的產(chǎn)量就可以提高。
如圖17所示，由用于供給液體的開口 113形成的形狀530可以是非圓形幾何形狀，諸如直線形(例如菱形或者甚至是方形)。所述形狀可以是任何形狀，例如在系列號為61/129， 717的美國專利申請中所述的形狀，這里據(jù)此全部并入。所述形狀530有意跟隨所述幵口 502的形狀。除了在交疊515區(qū)域中以外，所述形狀530的邊緣上的位置和線性陣列510、 520 上的位置之間最短距離基本上是一致的并且是均勻的。在交疊515區(qū)域中，在兩個陣列510、 520的每一個陣列中的開口的相對距離被考慮。
參考圖17所述的實施例可以應(yīng)用到參考圖14到16所述的液體去除裝置中。
在局部浸沒系統(tǒng)中，液體僅被提供到襯底的局部區(qū)域。由液體充滿的空間11，也就是儲液器在平面圖中小于襯底的頂部表面。儲液器相對于投影系統(tǒng)保持基本上靜止的同時，襯底W在投影系統(tǒng)下面移動。另一類型浸沒系統(tǒng)是浴器型布置，其中整個襯底W和(任選地)襯底臺WT的一部分被浸入到液體的浴器中。再一種類型是全浸濕方案，其中液體是非限制的。.在這種布置中，基本上整個襯底頂部表面和(任選地)襯底臺的全部或一部分被浸沒液體薄膜覆蓋。圖2到5中的液體供給裝置的任一個都可以用于這種系統(tǒng)；然而，它們是不存在密封特征的，是非主動的，沒有正常結(jié)構(gòu)有效，或不能有效地將液體僅密封到局部區(qū)域。
其他布置是可以的，并且正如從下面的說明將會清楚的，本發(fā)明的實施例可以應(yīng)用到任何類型的液體局部供給系統(tǒng)作為液體供給系統(tǒng)。
如上面討論的，使用浸沒液體的浸沒系統(tǒng)在曝光后或曝光期間會在襯底上留下例如水的浸沒液體的液滴。液滴會引起一個或更多個問題。液滴的蒸發(fā)會引起局部的冷卻，因而引起襯底熱變形。顆粒和其他污染物會被吸引和收集到液滴中。蒸發(fā)的液滴會留下干燥環(huán)和污染物顆粒。液滴與襯底上的抗蝕劑相互作用，并會引起圖案缺陷。當由局部浸沒系統(tǒng)留下液滴
24時，隨后(例如在改變襯底臺WT和浸沒系統(tǒng)之間的相對移動的方向后) 液滴會被浸沒系統(tǒng)掃過并與儲液器11內(nèi)液體的彎液面相碰。這樣可能在投影系統(tǒng)下面的液體內(nèi)會產(chǎn)生氣泡。由蒸發(fā)的液滴產(chǎn)生的蒸汽會影響諸如干涉測量位置傳感器等傳感器。因此，本發(fā)明的實施例提供一種改進的裝置以控制浸沒液體的彎液面。本發(fā)明的另一實施例提供一種液體去除裝置 (或液體去除器)，其在從襯底表面去除液滴方面更有效。本發(fā)明的實施例可以通過防止液滴從浸沒液體的主體脫離、通過更有效地從襯底表面去除液滴或兩種方法的組合來減少液滴的蒸發(fā)。
本發(fā)明的實施例可以應(yīng)用到襯底臺的表面和位于襯底臺WT的表面內(nèi)
的部件(例如快門構(gòu)件(例如閉合圓盤或襯底臺的一部分)和/或傳感器) 的表面。浸沒液體的液滴可以位于這些表面的一個或更多個上。利用本發(fā) 明的實施例可以從襯底臺的表面去除液滴?；谶@個原因，如果沒有相反
的描述，提到襯底W的表面也指的是襯底臺WT的表面和位于襯底臺上的部件的表面。
液體去除裝置可以用于流體去除器或干燥器，例如干燥站(未示出)。干燥器可以是浴器型浸沒系統(tǒng)或全浸濕浸沒系統(tǒng)的一部分，如上面所述，在這些系統(tǒng)中浸沒液體沒有被限制到襯底的一部分，而是可以在襯底的表面上流動。在干燥器中，液滴去除器去除襯底表面上存在的液體。這種干燥可以在襯底曝光完成后、且在襯底離開光刻設(shè)備以在軌道上等其他位置進行處理(例如顯影、涂敷、烘焙和刻蝕)前進行。所述干燥可以是在浸沒液體被用于復(fù)制浸沒環(huán)境的量測系統(tǒng)中的測量進行之后進行。
液體去除裝置可以是干燥器的起作用的部分。為了操作干燥器，干燥器可以通過已經(jīng)從浸沒系統(tǒng)中移除的襯底之上。在另一實施例中，一旦浸沒液體己經(jīng)從浸沒系統(tǒng)中排干和/或己經(jīng)停止供給液體到浸沒系統(tǒng)，干燥器就可以通過襯底之上。覆蓋襯底的液體會由薄膜破裂形成許多液滴。當例如液滴抽取器等干燥器通過襯底表面之上時，存在于襯底上的液體通過干燥器去除而干燥所述表面。
在實施例中，提供一種光刻設(shè)備，其包括襯底臺和液體處理結(jié)構(gòu)。
所述襯底臺構(gòu)造成保持襯底。液體處理結(jié)構(gòu)被布置成從襯底臺表面、由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底的表面去除液體。液體處理結(jié)構(gòu)包括沿一條線布置的液體抽取開口的陣列。液體抽取開口的每一個在各自的伸長方向上是細長的。伸長的方向與所述線成大于O的角度。
液體處理結(jié)構(gòu)包括沿第二線布置的液體抽取開口的第二陣列。第二陣列的液體抽取開口的每一個在各自的伸長方向上是細長的。第二陣列的液體抽取開口的伸長方向與第二線之間成大于0的角度。液體處理結(jié)構(gòu)可以
包括分別沿第三和第四線布置的液體抽取開口的第三和第四陣列。第三和第四陣列的液體抽取開口的每一個在各個伸長方向上是細長的。第三和第四陣列的液體抽取開口的伸長方向與第三和第四線分別成大于0的角度。第一、第二、第三和第四陣列可以定位成基本上圍繞投影系統(tǒng)的最終元件下面的空間。投影系統(tǒng)可以配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上。所述線可以基本上是直的。
所述設(shè)備可以包括投影系統(tǒng)，其配置成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上。狹槽的陣列沿其布置的線可以形成圍繞投影系統(tǒng)的光軸的
基本上閉合的環(huán)。大于0的角可以在10到80。的范圍內(nèi)，在20到70。的范圍內(nèi)，在30到60。的范圍內(nèi)，或在40到50。的范圍內(nèi)。液體抽取開口可以基本上相互平行。液體抽取開口的伸長方向與所述線之間的角度可以沿所述陣列逐步地變化。
液體抽取開口的第一子集可以具有與所述線成大于O的第一角度的伸長方向，并且液體抽取開口的第二子集具有與所述線成大于O的第二角度的伸長方向，大于0的所述第二角度與大于0的所述第一角度不同。液體抽取開口的陣列包括N個液體抽取狹槽，其中N是5到150范圍內(nèi)的整數(shù)，是10到100范圍內(nèi)的整數(shù)，或20到40范圍內(nèi)的整數(shù)。
液體抽取開口在伸長方向上長度在50pm到50mm的范圍內(nèi)，在0.1 mm到10 mm的范圍內(nèi)，或在lmm到5mm的范圍內(nèi)。液體抽取開口在基本上垂直于伸長方向上的寬度在5 pm到5 mm的范圍內(nèi)，在10 pm到1 mm的范圍內(nèi)，或在50 pm到O.l mm的范圍內(nèi)。液體抽取開口可以具有 1:2到1:100范圍內(nèi)的縱橫比，1:3到1:20范圍內(nèi)的縱橫比，或1:5到1:10 范圍內(nèi)的縱橫比。
液體抽取開口可以基本上是直的。液體抽取開口沿所述線可以基本上是等距的。所述設(shè)備包括定位裝置和控制系統(tǒng)。定位裝置可以布置成實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動?？刂葡到y(tǒng)可以布置成在通過投影輻射束到襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制定位裝置相對于投影系統(tǒng)沿掃描方向移動襯底臺。液體抽取開口可以布置成使得，從投影系統(tǒng)的光軸與襯底相交的點沿掃描方向看時這些液體抽取開口是交疊的。液體抽取開口可以通過位于板上的多個狹槽限定。
在實施例中，提供一種光刻設(shè)備，包括襯底臺、投影系統(tǒng)、定位裝置、控制系統(tǒng)和液體處理結(jié)構(gòu)。襯底臺構(gòu)造用于保持襯底。投影系統(tǒng)構(gòu)建用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上，所述投影系統(tǒng)具有光軸。定位裝置布置用于實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動?？刂葡到y(tǒng)布置成在通過投影輻射束到襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制定位裝置相對于投影系統(tǒng)沿掃描方向移動襯底臺。液體處理結(jié)構(gòu)布置成從襯底臺的表面、由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底兩者的表面去除液體。液體處理結(jié)構(gòu)包括多個細長的液體抽取開口。液體抽取開口是間隔分開的，并且每個液體抽取開口與至少一個相鄰的液體抽取開口交疊，使得從圖案化的束入射到襯底上的區(qū)域內(nèi)的點基本上平行于掃描方向延伸的線通過至少兩個液體抽取開口的下面。
在實施例中，提供一種光刻設(shè)備，包括襯底臺、定位裝置、控制系統(tǒng) 和液體處理結(jié)構(gòu)。襯底臺構(gòu)造用于保持襯底。投影系統(tǒng)構(gòu)建用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上。定位裝置布置成實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動?？刂葡到y(tǒng)布置成在通過投影輻射束到襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制定位裝置相對于投影系統(tǒng)沿掃描方向移動襯底臺。液體處理結(jié)構(gòu)布置成從襯底臺的表面、由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底兩者的表面去除液體。液體處理結(jié)構(gòu)包括與所述表面相對布置的多個液體抽取開口，液體抽取開口的布置使得當液體抽取開口與負壓源流體連通時，在所述表面和液體處理結(jié)構(gòu)之間形成多個低壓區(qū)域。低壓區(qū)域是細長的、間隔分開的，并且每個低壓區(qū)域與至少一個相鄰低壓區(qū)域交疊，使得從圖案化的束入射到襯底上的區(qū)域內(nèi)的點基本上平行于掃描方向延伸的線通過至少兩個低壓區(qū)域。多個液體抽取開口中的每個液體抽取開口可以是細長的。在實施例中，提供一種光刻設(shè)備，包括襯底臺、投影系統(tǒng)、定位裝置、控制系統(tǒng)和液體處理結(jié)構(gòu)。襯底臺構(gòu)造用于保持襯底。投影系統(tǒng)構(gòu)建用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上。所述投影系統(tǒng)具有光軸。定位裝置布置用于實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動?？刂葡到y(tǒng) 布置成在通過投影輻射束到襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制定位裝置相對于投影系統(tǒng)沿掃描方向移動襯底臺。液體處理結(jié)構(gòu) 布置成從襯底臺的表面、由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底兩者的表面去除液體。液體處理結(jié)構(gòu)包括多個細長的液體抽取開口。液體抽取開口是間隔分開的，并且每個液體抽取開口與至少一個相鄰液體抽取開口交疊，使得從圖案化的束入射到襯底上的區(qū)域內(nèi)的點基本上平行于掃描方向延伸的線沒有不通過至少一個液體抽取開口的下面。
在實施例中，提供一種光刻設(shè)備，包括襯底臺、投影系統(tǒng)、定位裝置、控制系統(tǒng)和液體處理結(jié)構(gòu)。襯底臺構(gòu)造用于保持襯底。投影系統(tǒng)構(gòu)建用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上。所述定位裝置可以布置成用于實現(xiàn)襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動?？刂葡到y(tǒng)布置成在通過投影輻射束到襯底的目標部分上而曝光襯底的目標部分期間，控制定位裝置相對于投影系統(tǒng)沿掃描方向移動襯底臺。液體處理結(jié)構(gòu)布置成從襯底臺的表面、由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底兩者的表面去除液體。所述液體處理結(jié)構(gòu)可以包括與所述表面相對布置的多個液體抽取開口，液體抽取開口的布置使得當液體抽取開口與負壓源流體連通時，在所述表面和液體處理結(jié)構(gòu)之間形成多個低壓區(qū)域，低壓區(qū)域是細長的、間隔分開的，并且每個低壓區(qū)域與至少一個相鄰低壓區(qū)域交疊，使得從圖案化的束入射到襯底上的區(qū)域內(nèi)的任何點基本上平行于掃描方向延伸的線沒有不通過至少一個低壓區(qū)域。多個液體抽取開口中的每個液體抽取開口可以是細長的。
在實施例中，提供一種液體處理結(jié)構(gòu)，其配置成從襯底臺的表面、由襯底臺保持的襯底的表面或所述襯底臺和所述襯底兩者的表面去除液體。液體處理結(jié)構(gòu)包括沿一條線布置的液體抽取開口的陣列。每個液體抽取開
口在各自的伸長方向上是細長的。伸長的方向與所述線之間成大于o的角度。
28在實施例中，提供一種干燥裝置，包括在此所述的液體處理結(jié)構(gòu)。干燥裝置可以包括定位裝置，其布置用于實現(xiàn)在第一方向上的液體處
理結(jié)構(gòu)和襯底臺之間的相對移動。所述線可以基本上平行于所述第一方向。
在實施例中，提供一種包括在此所述的液體處理結(jié)構(gòu)的浸沒量測裝置。
在實施例中，提供一種器件制造方法，包括步驟將圖案的圖像通過限制到鄰近襯底的空間中的液體投影到所述襯底上；以及通過沿一條線布置的液體抽取開口的陣列從所述襯底去除液體，每個液體抽取開口在各自伸長的方向上是細長的，并且所述伸長方向與所述線之間的角度大于o。所述投影和所述去除步驟可以同時地實施。所述去除步驟可以在已經(jīng)執(zhí)行投影步驟之后實施。
在實施例中，提供一種使用具有投影系統(tǒng)的光刻設(shè)備制造器件的方法，所述方法包括步驟將圖案的圖像通過限制到鄰近襯底的空間中的液體投影到所述襯底上的同時，沿掃描方向相對地移動襯底和投影系統(tǒng)；以及通過將相對所述表面布置的多個液體抽取開口連接到負壓源以便在所述表面和所述液體抽取開口之間形成多個低壓區(qū)域來從襯底的表面去除液體，所述低壓區(qū)域是細長的、間隔分開的，并且沿掃描方向看時每個低壓區(qū)域與至少一個相鄰低壓區(qū)域交疊。多個液體抽取開口中的每一個液體抽取開口可以是細長的。
在實施例中，提供一種光刻設(shè)備，包括襯底臺和液體處理結(jié)構(gòu)。所述襯底臺可以構(gòu)造成保持襯底。液體處理結(jié)構(gòu)可以布置用于從襯底臺的表面、由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底兩者的表面去除液體。液體處理結(jié)構(gòu)包括采用線性布置的液體抽取開口的陣列，每個液體抽取開口在與線性陣列的方向不同的方向上具有細長的尺寸。各個液體抽取開口沿所述線性布置具有一個位置，并且在不同位置之間，液體抽取開口的伸長的尺寸的方向和所述線性布置不同。所述線性布置可以是彎曲的。
雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs (集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學系統(tǒng)、磁
疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語"晶片"或"管芯"分別看成是與更上位的術(shù)語"襯底" 或"目標部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語"襯底" 也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。
這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括
紫外(UV)輻射(例如具有約365、 248、 193、 157或126 nm的波長)。
在情況允許的情況中，術(shù)語"透鏡"可以認為是任何一種或多種不同類型光學部件的組合，包括折射型和反射型的光學部件。
盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但應(yīng)該認識到，本發(fā)明可以以與上述不同的方式來實現(xiàn)。例如，本發(fā)明的實施例可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的至少一個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或具有存儲其中的所述計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。此外，所述機器可讀指令可以在兩個或更多個計算機程序中被實施。所述兩個或更多個計算機程序可以存儲在至少一個不同的存儲器和/或數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)上。
上述控制器可以具有用于接收、處理和發(fā)送信號的任何合適的配置。例如，每個控制器可以包括用于執(zhí)行包含用于上述方法的機器可讀指令的計算機程序的一個或更多個處理器。所述控制器還可以包括用于存儲這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，和/或容納這種介質(zhì)的硬件。
本發(fā)明的一個或更多個實施例可以應(yīng)用到任何浸沒式光刻設(shè)備，具體地但不排他地應(yīng)用到上面提到的無論是否以浴器、僅在襯底的局部表面區(qū) 域或是非限制的形式提供浸沒液體的那些類型。在非限制的結(jié)構(gòu)中，浸沒液體可以在襯底和/或襯底臺的表面上流動，使得基本上整個未覆蓋的襯底臺和/或襯底的表面都被浸濕。在這種非限制的浸沒系統(tǒng)中，液體供給系統(tǒng) 沒有限制浸沒液體，或者浸沒系統(tǒng)提供一定比例的浸沒液體限制，但是不是基本上完全限制浸沒液體。這里提到的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該被廣義地解釋。在某些實施例中，液體供給系統(tǒng)可以是一種機構(gòu)或幾種結(jié)構(gòu)的組合，其提供液體到投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間的空間。液體供給系統(tǒng)可以包括至少一個結(jié)構(gòu)、至少一個液體出口、至少一個氣體出口、至少一個用于兩相流動的流體出口、至
少一個氣體入口和/或至少一個液體入口的組合，它們將液體提供到所述空間。在實施例中，所述空間的表面可以是襯底和/或襯底臺的一部分，或者所述空間的表面可以完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺。所述液體供給系統(tǒng)可視情況進一步包括用于控制液體的位置、數(shù)量、品質(zhì)、形狀、流速或其它任何特征的至少一個元件。
應(yīng)該注意，術(shù)語"氣刀"不應(yīng)該認為需要使用特定的氣體，任何氣體或氣體混合物都可以使用。
以上描述旨在進行說明，而不是進行限制的。因而，很顯然，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的前提下做出變更。
權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，包括襯底臺，其構(gòu)造用于保持襯底；和液體處理結(jié)構(gòu)，其布置用以從襯底臺的表面、所述襯底臺保持的襯底的表面、或所述襯底臺和所述襯底的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括沿一條線布置的液體抽取開口的陣列，每個所述液體抽取開口在各自的伸長方向上是細長的，并且所述伸長方向與所述線之間成大于0的角度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括沿第二線布置的液體抽取開口的第二陣列，所述第二陣列的所述液體抽取開口的每一個在各自的伸長方向上是細長的，并且所述第二排列的所述液體抽取開口的所述伸長方向與所述第二線成大于0的角度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括分別沿第三和第四線布置的液體抽取開口的第三和第四陣列，所述第三和第四陣列的所述液體抽取開口的每一個在各自的伸長方向上是細長的，并且所述第三和第四陣列的所述液體抽取開口的所述伸長方向與各自的所述第三和第四線成大于0的角度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，所述第一、第二、第三和第四陣列定位成基本上圍繞位于投影系統(tǒng)的最終元件下面的空間，所述投影系統(tǒng)構(gòu)造成將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標部分上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，還包括投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置成將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標部分上，其中狹槽的陣列沿其布置的所述線形成圍繞所述投影系統(tǒng)的光軸的基本上閉合的環(huán)。
6. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任何一項所述的設(shè)備，其中，所述大于0的角度在10。到80。的范圍內(nèi)，在20。到70。的范圍內(nèi)，在30。到60。的范圍內(nèi)，或在40°到50。的范圍內(nèi)。
7. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任何一項所述的設(shè)備，其中，所述液體抽取開口的所述伸長方向和所述線之間的角度沿所述陣列逐步地變化。
8. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任何一項所述的設(shè)備，其中，所述液體抽取開口的第一子集具有與所述線成大于0的第一角度的伸長方向，并且所述液體抽取開口的第二子集具有與所述線成大于0的第二角度的伸長方向，所述大于0的第二角度與所述大于0的第一角度不同。
9. 根據(jù)前面權(quán)利要求中任何一項所述的設(shè)備，還包括定位裝置，其布置用于實現(xiàn)所述襯底臺和投影系統(tǒng)之間的相對移動；和控制系統(tǒng)，其布置用于在通過投影輻射束到襯底的目標部分上曝光襯底的目標部分期間，控制所述定位裝置相對于所述投影系統(tǒng)沿掃描方向移動所述襯底臺，其中所述液體抽取開口布置成使得沿掃描方向從所述投影系統(tǒng)的光軸與所述襯底相交的點看時所述液體抽取開口是交疊的。
10. —種液體處理結(jié)構(gòu)，其配置成從襯底臺的表面、由襯底臺保持的襯底的表面或襯底臺和襯底兩者的表面去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括沿一條線布置的液體抽取開口的陣列，每個液體抽取開口在各自的伸長方向上是細長的，并且所述伸長方向與所述線成大于o的角度。
11. 一種千燥裝置，其包括權(quán)利要求io所述的液體處理結(jié)構(gòu)。
12. —種浸沒量測裝置，其包括權(quán)利要求IO所述的液體處理結(jié)構(gòu)。
13. —種器件制造方法，包括步驟將圖案的圖像通過限制到鄰近襯底的空間中的液體投影到所述襯底上；禾口通過沿一條線布置的液體抽取開口的陣列從所述襯底去除液體，每個液體抽取開口在各自伸長的方向上是細長的，并且所述伸長方向與所述線成大于0的角度。
14. 一種器件制造方法，包括步驟將圖案的圖像通過限制到鄰近襯底的空間中的液體投影到所述襯底上的同時，沿掃描方向相對地移動所述襯底和投影系統(tǒng)；和通過將與表面相對布置的多個液體抽取開口連接到負壓源以便在所述表面和所述液體抽取開口之間形成多個低壓區(qū)域來從所述襯底的表面去除液體，所述低壓區(qū)域是細長的、間隔分開的，并且沿掃描方向看時每個低壓區(qū)域與至少一個相鄰低壓區(qū)域交疊。
15.—種光刻設(shè)備，包括襯底臺，其構(gòu)造用于保持襯底；和液體處理結(jié)構(gòu)，其布置用于從所述襯底臺的表面、由所述襯底臺保持的所述襯底的表面或所述襯底臺和所述襯底兩者的表面上去除液體，所述液體處理結(jié)構(gòu)包括采用線性布置的液體抽取開口的陣列，所述液體抽取開口的每一個在與所述線性布置的方向不同的方向上具有細長的尺寸。
全文摘要
本發(fā)明公開一種浸沒式光刻設(shè)備、干燥裝置、浸沒量測設(shè)備和器件制造方法。在所述浸沒式光刻設(shè)備中，液體去除裝置布置成例如在曝光期間，通過沿一條線布置且與該線形成角度的多個細長的狹槽從襯底去除液體。液體去除裝置用作浸沒罩(hood)中的彎液面釘扎裝置，或用在干燥裝置中以從襯底上去除液滴。
文檔編號H01L21/02GK101576718SQ20091014199
公開日2009年11月11日申請日期2009年5月8日優(yōu)先權(quán)日2008年5月8日
發(fā)明者A·J·范普騰, D·J·M·迪萊克斯, D·M·H·飛利浦斯, J·P·M·B·沃麥烏倫, M·瑞鵬, N·R·凱姆波申請人:Asml荷蘭有限公司

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