專利名稱：非易失性存儲(chǔ)器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種非易失性存儲(chǔ)器元件及其制造方法，尤其是一種電阻式非易 失性存儲(chǔ)器元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前已有許多新式非易失性存儲(chǔ)器材料和元件正被積極研發(fā)中，包括磁存儲(chǔ)器 (MRAM)、相變化存儲(chǔ)器(OUM)和電阻式存儲(chǔ)器(RRAM)等。其中電阻式非易失性存儲(chǔ)器具有 功率消耗低、操作電壓低、寫入擦除時(shí)間短、耐久力長、記憶時(shí)間(Retention time)長、非破 壞性讀取、多狀態(tài)記憶、元件工藝簡(jiǎn)單及可微縮性等優(yōu)點(diǎn)。A. Beck等人于晶體排列方向?yàn)?(100)的鈦酸鍶單晶上利用燃燒融化法形成鉻摻雜的鈦酸鍶單晶或是利用脈沖激光濺射法 成長鉻摻雜的鋯酸鍶薄膜，且利用白金或釕酸鍶作為底電極，得到電阻轉(zhuǎn)換特性，但使用單 晶材料成本過高，且脈沖激光濺射法不適合大面積薄膜的制作，因此均不適合量產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的一實(shí)施例是提供一種形成于一基板上的非易失性存儲(chǔ)器的制 造方法，包括于所述基板上形成一下導(dǎo)電層；于所述下導(dǎo)電層上形成一緩沖層，其包含一鎳 酸鑭薄膜；利用一沉積工藝，于所述緩沖層上形成一電阻層，其中所述電阻層包含一無摻質(zhì) 的鋯酸鍶薄膜；對(duì)所述電阻層進(jìn)行一退火工藝；于所述電阻層上形成一上導(dǎo)電層。本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的電阻層是利用一沉積工藝和一退火工藝形成， 上述退火工藝是用以減少該電阻層內(nèi)部的氧缺陷，使元件有更穩(wěn)定的電性。相較于未經(jīng)退 火工藝處理電阻層的比較例的非易失性存儲(chǔ)器，本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性 存儲(chǔ)器于操作電壓、高電阻值記憶狀態(tài)、低電阻值記憶狀態(tài)的穩(wěn)定性以及產(chǎn)品良品率皆有 大幅改善。


圖Ia為本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的剖面示意圖；圖Ib為比較例的非易失性存儲(chǔ)器的剖面示意圖；圖Ic為本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的電壓電流量測(cè)結(jié)果；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器和比較例的非易失性存儲(chǔ)器在連續(xù)操作 條件下測(cè)得的高電阻值記憶狀態(tài)與低電阻值記憶狀態(tài)電性圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器和比較例的非易失性存儲(chǔ)器在連續(xù)操作 條件下的寫入電壓及擦除電壓電性圖；圖4為本發(fā)明一實(shí)施例和比較例的非易失性存儲(chǔ)器于-0.3V偏壓下的高電阻值記 憶狀態(tài)與低電阻值記憶狀態(tài)的電流統(tǒng)計(jì)分布圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器和比較例的非易失性存儲(chǔ)器的寫入電壓 及擦除電壓統(tǒng)計(jì)分布圖6為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器在正寫入電壓與及負(fù)擦除電壓的模式連 續(xù)操作下，0. 3V偏壓下讀取的高電阻值記憶狀態(tài)與-0. 3V偏壓下讀取的低電阻值記憶狀態(tài) 電性圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器在正寫入電壓與及負(fù)擦除電壓的模式連 續(xù)操作條件下的正寫入電壓及負(fù)擦除電壓電性圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的記憶力測(cè)試；圖9為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的非破壞性讀取測(cè)試；圖10為本發(fā)明實(shí)施例和比較例的非易失性存儲(chǔ)器的產(chǎn)品良品率比較圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例和比較例的非易失性存儲(chǔ)器的氧缺陷能級(jí)ΦΒ統(tǒng)計(jì)圖。附圖標(biāo)號(hào)200 基板；202 絕緣層；204 鈦薄膜；206 鉬薄膜；207 下導(dǎo)電層；208 緩沖層；210a 電阻層；210b 電阻層；212 上導(dǎo)電層；500 本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器；600 比較例的非易失性存儲(chǔ)器。
具體實(shí)施例方式圖Ia是為本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的剖面示意圖。本發(fā)明一實(shí)施例 的非易失性存儲(chǔ)器500是設(shè)置于基板200上。非易失性存儲(chǔ)器500的主要元件包括一絕緣 層202，設(shè)置于基板200上。一下導(dǎo)電層207，設(shè)置于絕緣層202上。一緩沖層208，設(shè)置于 下導(dǎo)電層207上。一電阻層210a，設(shè)置于緩沖層208上。一上導(dǎo)電層212，設(shè)于電阻層210a 上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，基板200可包括硅基板。絕緣層202可包括二氧化硅薄 膜，其厚度可介于IOOnm至500nm之間。下導(dǎo)電層207可為兩層金屬層堆疊而成的復(fù)合 層，如圖Ia所示，下導(dǎo)電層207可包括下層的一鈦(Titanium，Ti)薄膜204以及上層鉬 (Platinum, Pt)薄膜206，上述下導(dǎo)電層207的厚度可介于IOnm至IOOOnm之間。緩沖層 208可包括鎳酸鑭(LaNiO3, LN0)薄膜，上述鎳酸鑭薄膜的晶體排列方向可為(100)、(200) 或(110)，其厚度可介于IOnm至IOOOnm之間。電阻層210a可為無摻質(zhì)的鋯酸鍶(SrZrO3, SZ0)薄膜，其厚度可介于IOnm至IOOOnm之間。上導(dǎo)電層212可包括鋁(Al)薄膜，其厚度 可介于20nm至500nm之間。接著將進(jìn)一步說明本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的制造方法。首先，提 供一基板200，例如一硅基板，并對(duì)其進(jìn)行RCA(Radio Corporation of America)清洗。之 后，可利用高溫爐管于基板200表面成長一二氧化硅薄膜作為絕緣層202，絕緣層202是用來隔絕與基板200之間的漏電流。接著，利用電子束真空蒸發(fā)(Ε-beam evaporation)或?yàn)R 射法(sputtering)，于絕緣層202上形成一層鈦薄膜204。類似地，利用另一次電子束真空 蒸發(fā)(Ε-beam evaporation)或?yàn)R射法(sputtering)，于鈦薄膜204上形成一層鉬薄膜206， 上述鈦薄膜204和鉬薄膜206是形成一下導(dǎo)電層207。接著，可利用交流磁控濺射法(RF magnetron sputtering)，于鉬薄膜206上成長一鎳酸鑭薄膜作為緩沖層208。在本發(fā)明一 實(shí)施例中，例如為鎳酸鑭薄膜的緩沖層208的成長可于250°C下進(jìn)行，等離子體功率密度約 為3. 3W/cm2，工作氣壓約為IOmTorr,氣體流量約為40SCCm，氬氣(Ar)/氧氣(O2)比例約為 3 2，且所形成的緩沖層例如為鎳酸鑭薄膜的緩沖層208具有一特定的晶體排列方向，例 如可具有(100)、(200)或(110)(圖未示)的優(yōu)選方向。接下來是描述本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的電阻層210a的形成方式。 可利用交流磁控濺射法，于緩沖層208上成長一無摻質(zhì)的鋯酸鍶薄膜，來當(dāng)作一電阻層。在 本發(fā)明一實(shí)施例中，電阻層的成長溫度約為500°C，等離子體功率約為3. 3W/cm2，工作氣壓 約為IOmTorr,氣體流量約為40SCCm，氬氣(Ar)/氧氣(O2)比例約為3 2。之后，可對(duì)上 述電阻層進(jìn)行一退火工藝，以形成退火后之電阻層210a。上述退火工藝的時(shí)間可為60秒， 上述退火工藝的溫度范圍可介于300°C 1000°C之間，較佳為600°C?？捎诎ㄑ鯕?、氮 氣、氬氣、笑氣、氫氣或上述組合的一環(huán)境下進(jìn)行上述退火工藝，上述環(huán)境的真空度可介于 IO-3 Torr至ICT7Torr之間，上述退火工藝可包括快速高溫退火工藝(RTA，rapid thermal annealing)。之后，可利用熱蒸發(fā)法，于電阻層210a上形成例如為鋁薄膜的上導(dǎo)電層212。經(jīng)過 上述工藝之后，形成本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500。圖Ib是為比較例的非易失性存儲(chǔ)器600的剖面示意圖。比較例的非易失性存儲(chǔ)器 600與本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的不同處僅為比較例的非易失性存儲(chǔ)器600 的電阻層210b沒有經(jīng)過退火工藝，其余元件皆與本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500相 同。圖Ic為本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的電壓電流量測(cè)結(jié)果。如圖Ic所示， 對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500施加負(fù)偏壓時(shí)，電流會(huì)隨著電壓增加而增加，當(dāng)偏 壓達(dá)到-3V時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500中所傳導(dǎo)的電流會(huì)突然地從低電流狀 態(tài)轉(zhuǎn)換到高電流狀態(tài)。當(dāng)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500施加-IV的電壓偏壓時(shí)， 本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500中所傳導(dǎo)的電流回歸到原始地低電流狀態(tài)。類似地， 對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500施加正偏壓時(shí)，電流會(huì)隨著電壓增加而增加。當(dāng)對(duì) 本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500施加IV的電壓偏壓時(shí)，其中所傳導(dǎo)的電流狀態(tài)會(huì)由高 電流狀態(tài)轉(zhuǎn)換到低電流狀態(tài)。而對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500施加3V的電壓偏 壓時(shí)，其中所傳導(dǎo)的電流狀態(tài)會(huì)由低電流狀態(tài)轉(zhuǎn)換到高電流狀態(tài)。意即改變偏壓電壓的強(qiáng) 度就可以改變本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的電阻值，以達(dá)到記憶目的，且電流狀 態(tài)之間的切換是可重復(fù)的。如圖IC所示，寫入程序(Turn-on process)表示將元件由高電 阻態(tài)(High Resistance State,HRS)轉(zhuǎn)換至低電阻態(tài)(Low Resistance State,LRS)；抹除 程序(Turn-off process)表示將元件由低電阻態(tài)(Low Resistance State,LRS)轉(zhuǎn)換至高 電阻態(tài)(High Resistance State, HRS)。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500和比較例的非易失性存儲(chǔ)器600在連續(xù)操作條件下測(cè)得的高電阻值記憶狀態(tài)(High Resistance State, HRS)與低電阻值 記憶狀態(tài)(Low Resistance State, LRS)電性圖。上述連續(xù)操作條件的擦除電壓振幅 為-0. 6V -1. 2V而寫入電壓振幅為-2V -3. 3V，周期為117次，讀取電壓為-0. 3V。上 述讀取電壓的施加方式為于上述兩個(gè)非易失性存儲(chǔ)器500和600的上導(dǎo)電層給予-0. 3V偏 壓且下導(dǎo)電層給予接地(GND)。由圖2可知，在連續(xù)操作條件下，本發(fā)明實(shí)施例的非易失性 存儲(chǔ)器500的轉(zhuǎn)態(tài)倍率(意即低電阻值記憶狀態(tài)與高電阻值記憶狀態(tài)的電流比值)仍可維 持104，其顯示本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ)器500有著較穩(wěn)定的高電阻值 記憶狀態(tài)與低電阻值記憶狀態(tài)。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500和比較例的非易失性存儲(chǔ)器600在連 續(xù)操作條件下的負(fù)寫入電壓(V。n)及負(fù)擦除電壓(v。ff)電性圖。上述連續(xù)操作條件的擦除 電壓振幅為-0. 6V -1. 2V而寫入電壓振幅為-2V -3. 3V，周期為117次。當(dāng)上述非易失 性存儲(chǔ)器500和600在外加負(fù)寫入電壓(V。n)時(shí)，會(huì)從高電阻值記憶狀態(tài)(HRS)轉(zhuǎn)換到低電 阻值記憶狀態(tài)(LRS)，而上述非易失性存儲(chǔ)器500和600在外加負(fù)擦除電壓(V。ff)時(shí)，會(huì)從 低電阻值記憶狀態(tài)(LRS)轉(zhuǎn)換到高電阻值記憶狀態(tài)(HRS)。由圖3可知，在連續(xù)操作條件 下，本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的負(fù)寫入電壓變化的范圍仍可維持在-2V -3V 之間，而負(fù)擦除電壓仍可維持在約-IV，其顯示發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ) 器500有著較低且較穩(wěn)定的寫入電壓及擦除電壓。圖4為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500和比較例的非易失性存儲(chǔ)器600 于-0. 3V讀取電壓下測(cè)得的高電阻值記憶狀態(tài)與低電阻值記憶狀態(tài)的電流統(tǒng)計(jì)分布圖。上 述讀取電壓的施加方式為于上述兩個(gè)非易失性存儲(chǔ)器500和600的上導(dǎo)電層給予偏壓且下 導(dǎo)電層給予接地(GND)。由圖4可知，本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ)器500 的高電阻值記憶狀態(tài)與低電阻值記憶狀態(tài)測(cè)得電流的變化范圍較小，其顯示統(tǒng)計(jì)上，本發(fā) 明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500有著較穩(wěn)定的高電阻值記憶狀態(tài)與低電阻值記憶狀態(tài)。圖5為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500和比較例的非易失性存儲(chǔ)器600的寫 入電壓及擦除電壓統(tǒng)計(jì)分布圖。由圖5可知，本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的寫入 電壓及擦除電壓的變化范圍較小，其顯示統(tǒng)計(jì)上，本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失 性存儲(chǔ)器500有著較低且較穩(wěn)定的寫入電壓及擦除電壓。累積機(jī)率圖可用來判斷，所有元 件中的Von和Voff是否會(huì)重疊，進(jìn)而造成電阻轉(zhuǎn)態(tài)錯(cuò)誤。此外，累積機(jī)率圖中曲線的斜率 也可用來判斷元件均勻性。圖6為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500在正寫入電壓與及負(fù)擦除電壓的模 式連續(xù)操作下，0. 3V偏壓下讀取的高電阻值記憶狀態(tài)與-0. 3V偏壓下讀取的低電阻值記 憶狀態(tài)電性圖。上述連續(xù)操作條件的擦除電壓振幅為-0. 6V -1. 2V而寫入電壓振幅 為-2V -3. IV，周期為152次。由圖6可知，在連續(xù)操作條件下，本發(fā)明實(shí)施例的非易失性 存儲(chǔ)器500的轉(zhuǎn)態(tài)倍率(意即低電阻值記憶狀態(tài)與高電阻值記憶狀態(tài)的電流比值)仍可維 持104，其顯示本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ)器500有著較穩(wěn)定的高電阻值 記憶狀態(tài)與低電阻值記憶狀態(tài)。圖7為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500在正寫入電壓與及負(fù)擦除電壓的模式 連續(xù)操作條件下的正寫入電壓及負(fù)擦除電壓電性圖。上述連續(xù)操作條件的擦除電壓振幅 為-0.6V -1.2V而寫入電壓振幅為-2V -3. IV，周期為152次。由圖7可知，在連續(xù)操作條件下，本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的正寫入電壓變化的范圍仍可維持在2V 3V之間，而負(fù)擦除電壓仍可維持在約-IV，其顯示本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失 性存儲(chǔ)器500有且較穩(wěn)定的寫入電壓及擦除電壓。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的記憶力(Retention)測(cè)試。上述測(cè) 試條件是分別于在室溫環(huán)境和85°C高溫環(huán)境下，以0. 3V偏壓讀取非易失性存儲(chǔ)器500的高 電阻值記憶狀態(tài)的電流以及以-0. 3V偏壓讀取非易失性存儲(chǔ)器500的低電阻值記憶狀態(tài)的 電流，持續(xù)量測(cè)IX IO6秒。由圖8可知，本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ)器 500在放置后1 X IO6秒仍可正確讀取數(shù)據(jù)，在85°C高溫加速測(cè)試下其記憶時(shí)間高達(dá)1 X IO6 秒，且高低記憶狀態(tài)有著1000倍比值。圖9為為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500的非破壞性讀取測(cè)試。上述測(cè)試條 件是分別于在室溫環(huán)境和85°C高溫環(huán)境下，以0. 3V偏壓讀取非易失性存儲(chǔ)器500的高電 阻值記憶狀態(tài)的電流以及以-0. 3V偏壓讀取非易失性存儲(chǔ)器500的低電阻值記憶狀態(tài)的電 流，連續(xù)讀取超過14000秒。由圖9可知，本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ)器 500的高低電阻記憶狀態(tài)仍可維持1000倍的鑒別度，在高達(dá)85°C高溫環(huán)境下，亦沒有任何 特性劣化產(chǎn)生。圖10為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500和比較例的非易失性存儲(chǔ)器600的 產(chǎn)品良品率比較圖。試樣數(shù)量為50個(gè)。圖10顯示相對(duì)于比較例的非易失性存儲(chǔ)器600的 產(chǎn)品良品率只有百分之六十，本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ)器500的良品 率可接近百分之九十，本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ)器500可大幅改善產(chǎn)
品良品率。圖11為本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器500和比較例的非易失性存儲(chǔ)器600的 氧缺陷能級(jí)0B(Energy level)統(tǒng)計(jì)圖，如圖11所示，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的 非易失性存儲(chǔ)器500的例如鋯酸鍶薄膜的電阻層進(jìn)行退火工藝，可適當(dāng)修補(bǔ)鋯酸鍶薄膜， 穩(wěn)定鋯酸鍶薄膜內(nèi)的氧缺陷能級(jí)，而減少操作過程中所發(fā)生的變異，使元件有更穩(wěn)定的電 性。本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性存儲(chǔ)器500使得鋯酸鍶薄膜更適合于電阻式 非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器的電阻層是利用一沉積工藝和一退火工藝形成， 上述退火工藝是用以減少該電阻層內(nèi)部的氧缺陷，使元件有更穩(wěn)定的電性。相較于未經(jīng)退 火工藝處理電阻層的比較例的非易失性存儲(chǔ)器，本發(fā)明實(shí)施例的經(jīng)過退火工藝的非易失性 存儲(chǔ)器于操作電壓、高電阻值記憶狀態(tài)、低電阻值記憶狀態(tài)的穩(wěn)定性以及產(chǎn)品良品率皆有 大幅改善。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng) 視前附的權(quán)利要求書范圍所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種形成于一基板上的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步驟于所述基板上形成一下導(dǎo)電層；于所述下導(dǎo)電層上形成一緩沖層，其包含一鎳酸鑭薄膜；利用一沉積工藝，于所述緩沖層上形成一電阻層，其中所述電阻層包含一無摻質(zhì)的鋯酸鍶薄膜；對(duì)所述電阻層進(jìn)行一退火工藝，所述退火工藝是用以減少所述電阻層內(nèi)部的氧缺陷；以及于所述電阻層上形成一上導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，于所述基板上形成 所述下導(dǎo)電層之前還包括于所述基板上形成一絕緣層。
3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述退火工藝的溫 度范圍介于300°C至1000°C之間。
4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述退火工藝包括 一快速退火工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述退火工藝于包 括氧氣、氮?dú)狻鍤?、笑氣、氫氣或上述組合的一環(huán)境下進(jìn)行。
6.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述鎳酸鑭薄膜是 利用交流磁控濺射法形成。
7.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述下導(dǎo)電層為一 鉬薄膜。
8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述鉬薄膜是利用 電子槍真空蒸發(fā)或?yàn)R射法形成。
9.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述絕緣層為二氧化硅。
10.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，所述下導(dǎo)電層還包 括一鈦薄膜，其位于所述鉬薄膜與所述絕緣層之間。
全文摘要
本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，上述非易失性存儲(chǔ)器是形成于一基板上，包括于上述基板上形成一下導(dǎo)電層；于上述下導(dǎo)電層上形成一緩沖層，其包含一鎳酸鑭薄膜；利用一沉積工藝，于上述緩沖層上形成一電阻層，其中上述電阻層包含一無摻質(zhì)之鋯酸鍶薄膜；對(duì)上述電阻層進(jìn)行一退火工藝；于上述電阻層上形成一上導(dǎo)電層。本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器的電阻層是利用一沉積工藝和一退火工藝形成，該退火工藝是用以減少該電阻層內(nèi)部的氧缺陷，使元件有更穩(wěn)定的電性。相較于未經(jīng)退火工藝處理電阻層的比較例的非易失性存儲(chǔ)器，本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器于操作電壓、高電阻值記憶狀態(tài)、低電阻值記憶狀態(tài)的穩(wěn)定性以及產(chǎn)品良品率皆有大幅改善。
文檔編號(hào)H01L45/00GK101931047SQ20091015236
公開日2010年12月29日 申請(qǐng)日期2009年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月26日
發(fā)明者吳明錡, 曾俊元, 林孟漢 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司