專(zhuān)利名稱(chēng)：具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氮化鎵系發(fā)光二極管，特別是一種具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)
光二極管。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管以其高效環(huán)保性而具有取代白熾燈、日光燈成為下一代照明產(chǎn)品的潛 力。寬帶隙的GaN系發(fā)光二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)為“LED”)是目前業(yè)界研究的重點(diǎn)之一。在現(xiàn)有的氮化鎵系LED中，通常采用藍(lán)寶石作為襯底。然而，由于藍(lán)寶石與III族 氮化物之間的晶格失配以及III族氮化物的極化特性，使得在活性層及整個(gè)LED結(jié)構(gòu)中存 在很強(qiáng)的極化場(chǎng)，從而減弱了對(duì)載流子的限制作用，降低了器件的發(fā)光效率。雖然目前通常 采用P型鋁鎵氮電子阻擋層(EBL，Electr0n blockinglayer)來(lái)加強(qiáng)對(duì)載流子的限制，但效 果并不理想。此外，現(xiàn)有的氮化鎵系LED通常采用高溫生長(zhǎng)的ρ型GaN層作為接觸層，而ρ型接 觸層通常位于活性層(發(fā)光層)上方。人們?cè)趯?shí)際的制造工藝中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)在高溫下生長(zhǎng)P 型GaN接觸層時(shí)，活性層中的銦鎵氮會(huì)發(fā)生分解和擴(kuò)散，并且P型GaN接觸層中的ρ型摻雜 劑(比如鎂)在高溫下向活性層的擴(kuò)散增加地很快。因此，在P型GaN接觸層高溫生長(zhǎng)的 過(guò)程中，活性層的特性不能維持，于是活性層的光電特性變差，從而嚴(yán)重影響發(fā)光二極管的 發(fā)光特性。類(lèi)似地，高溫生長(zhǎng)的P型鋁鎵氮電子阻擋層也存在上述問(wèn)題。因此，為了克服上述問(wèn)題，進(jìn)行了本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種既可有效地限制載流子、又可減小對(duì)活性層的不利影 響的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管。本發(fā)明的氮化鎵系發(fā)光二極管包括基板，其可由C-面、R-面或A-面的氧化鋁單晶、6H-SiC、4H_SiC、或晶格常數(shù)接近 于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物所制成；緩沖層，其位于該基板上，可由InxAlmGayN構(gòu)成，其中0彡χ < 1，0彡y彡1 ；η型接觸層，其位于該緩沖層上，由η型GaN構(gòu)成；活性層，其位于該η型接觸層上并覆蓋該η型接觸層的部分表面，由InxGai_xN阱層 和InyAlzGai_y_zN壘層交互層疊形成的多量子阱所構(gòu)成，其中0<χ<1，0彡y<l，0彡ζ < 1,0 ^ y+z < 1 ；負(fù)電極，其位于該η型接觸層未被該活性層覆蓋的上表面上；低溫中間層，其位于該活性層上，由低溫ρ型GaN層和低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮 超晶格組成；ρ型接觸層，其位于該低溫中間層上，由ρ型III族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成；正電極，其位于該ρ型接觸層上。
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本發(fā)明中的低溫中間層是指構(gòu)成其的低溫P型GaN層和/或低溫ρ型銦鎵氮/銦 鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度低于與其直接接觸的活性層中的InyAlzGai_y_zN壘層的生長(zhǎng)溫度 的中間層。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，可先在活性層上低溫生長(zhǎng)P型GaN層，再在低溫ρ型 GaN層上低溫生長(zhǎng)ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格，從而形成低溫中間層。在本發(fā)明的另一實(shí)施方式中，可先在活性層上低溫生長(zhǎng)ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超 晶格，再在低溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格上低溫生長(zhǎng)P型GaN層，從而形成低溫中間層。此外，低溫中間層中的低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格可包括第一超晶格部分 和第二超晶格部分，此時(shí)低溫P型GaN層在該第一超晶格部分與第二超晶格部分之間。低溫中間層中的低溫ρ型GaN層可包括第一部分和第二部分，此時(shí)低溫ρ型銦鎵 氮/銦鋁鎵氮超晶格在該第一部分與第二部分之間。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，優(yōu)選低溫ρ型GaN層的生長(zhǎng)溫度低于低溫ρ型銦鎵氮/ 銦鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度。優(yōu)選低溫ρ型GaN層和低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度均為600 1100°C。當(dāng)它們的生長(zhǎng)溫度低于600°C時(shí)，晶體質(zhì)量太差，從而影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。 當(dāng)它們的生長(zhǎng)溫度超過(guò)1100°C時(shí)，會(huì)破壞活性層的結(jié)構(gòu)，從而影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。優(yōu)選低溫P型GaN層或低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度比與其直接 接觸的活性層中的InyAlzGa1^N壘層的生長(zhǎng)溫度低30 300°C，此時(shí)活性層的晶體質(zhì)量可 得到較大的改善，并可最大限度地減少P型摻雜劑向活性區(qū)的擴(kuò)散。本發(fā)明中的低溫ρ型GaN層的厚度優(yōu)選為5 300納米，此時(shí)低溫ρ型GaN層限 制P型摻雜劑的擴(kuò)散效果較好，并且較小地影響低溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格限制載 流子的效果。在本發(fā)明中的低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格為一整體時(shí)，低溫P型銦鎵氮/ 銦鋁鎵氮超晶格的總厚度優(yōu)選為0. 5 50納米，每一銦鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米， 每一銦鋁鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米，由銦鎵氮單層與銦鋁鎵氮單層構(gòu)成的單個(gè)周期 的厚度為0. 5 5納米。此時(shí)低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格限制載流子的效果較好。在本發(fā)明中的低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格包括第一超晶格部分和第二超晶 格部分的情況中，低溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的總厚度優(yōu)選為0. 5 100納米，每一 銦鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米，每一銦鋁鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米，由銦鎵氮單 層與銦鋁鎵氮單層構(gòu)成的單個(gè)周期的厚度為0. 5 5納米。此時(shí)低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵 氮超晶格限制載流子的效果較好。本發(fā)明通過(guò)在活性層與高溫生長(zhǎng)的ρ型接觸層之間設(shè)置低溫中間層，可有效地限 制載流子，并降低對(duì)活性層的不利影響，從而獲得了高亮度的GaN系發(fā)光二極管。在此以低 溫P型GaN層的生長(zhǎng)溫度低于低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度為例進(jìn)行說(shuō)明。在先低溫生長(zhǎng)ρ型GaN層、再低溫生長(zhǎng)ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的情況中，由 于低溫P型GaN層生長(zhǎng)溫度低，故最大限度地減少了 P型摻雜劑(比如Mg)向活性區(qū)的擴(kuò) 散；此外，低溫P型GaN層的生長(zhǎng)過(guò)程對(duì)活性層來(lái)說(shuō)是一個(gè)退火過(guò)程，于是活性層的晶體質(zhì) 量通過(guò)再結(jié)晶而被完善。在接下來(lái)低溫生長(zhǎng)P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格時(shí)，雖然溫度相 對(duì)有所升高，但是由于上一步驟低溫生長(zhǎng)的GaN層的晶體質(zhì)量較差，故有效地減少了 ρ型摻
5雜劑(比如Mg)向低溫ρ型GaN層中的擴(kuò)散，從而對(duì)活性區(qū)起到保護(hù)作用。在先低溫生長(zhǎng)ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格、再低溫生長(zhǎng)P型GaN層的情況中，由 于P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度低于P型GaN接觸層的生長(zhǎng)溫度，故相對(duì)地減 少了對(duì)活性區(qū)的影響；同時(shí)P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格中摻入的In可有效地抑制P型摻 雜劑(比如Mg)的遷移，從而減少了因ρ型摻雜劑向活性區(qū)的擴(kuò)散而使發(fā)光效率降低的影 響。在接下來(lái)以更低的溫度生長(zhǎng)低溫P型GaN層時(shí)，活性區(qū)及低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮 超晶格得以退火而具有提高的晶體質(zhì)量。此外，低溫中間層中的低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格可有效地充當(dāng)電子阻擋 層。在現(xiàn)有技術(shù)中通常使用P型鋁鎵氮作為電子阻擋層，但AlGaN的生長(zhǎng)溫度較高(通常 高于活性層的生長(zhǎng)溫度)，對(duì)活性區(qū)的影響較大；同時(shí)，AlGaN與GaN的晶格失配所導(dǎo)致的壓 電場(chǎng)效應(yīng)減弱了其對(duì)電子的阻擋。而本發(fā)明中采用低溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格作為 電子阻擋層具有如下優(yōu)點(diǎn)。一方面，本發(fā)明中的低溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格在相對(duì) 于ρ型AlGaN較低的溫度下生長(zhǎng)，從而減少了對(duì)活性區(qū)的影響。另一方面，由于可以通過(guò)調(diào) 節(jié)P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格中的各成分的組分比來(lái)調(diào)節(jié)該超晶格的有效晶格常數(shù)及帶 隙寬度，從而可在降低極化效應(yīng)與提高電子阻擋方面中獲得出色的平衡。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的實(shí)施例1的示意 圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的實(shí)施例2的示意 圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的實(shí)施例3的示意 圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的實(shí)施例4的示意 圖。圖5是現(xiàn)有的以及根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵系發(fā)光二極管的正向注入電流-發(fā)光強(qiáng)度 I-L曲線(xiàn)，其中圓形標(biāo)記的線(xiàn)條為本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管 ’方塊 標(biāo)記的線(xiàn)條為現(xiàn)有的沒(méi)有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管。參考數(shù)字的說(shuō)明10 基板11緩沖層12η型GaN接觸層13活性層14低溫ρ型GaN層15低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格16ρ型GaN接觸層17η型電極層18ρ型電極層20 基板
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21緩沖層22η 型 GaN 層23活性層24低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格25低溫ρ型GaN層26ρ型GaN接觸層27η型電極層28ρ型電極層30 基板31緩沖層32η 型 GaN 層33活性層34低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格340第一超晶格部分341第二超晶格部分35低溫ρ型GaN層36ρ型GaN接觸層37η型電極層38ρ型電極層40 基板41緩沖層42η 型 GaN 層43活性層44低溫ρ型GaN層440 第一部分441 第二部分45低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格46ρ型GaN接觸層47η型電極層48ρ型電極層
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于此。圖1為根據(jù)本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的實(shí)施例1的示意 圖。如圖1所示，該實(shí)施例是以C-面、R-面或A-面的氧化鋁單晶或SiC(6H-SiC或4H-SiC) 為基板10，其他可用于基板10的材質(zhì)還包括Si、ZnO、GaAS、尖晶石(MgAl2O4)或晶格常數(shù)接 近于氮化物半導(dǎo)體的單晶氧化物。首先在基板10上形成由InxAl1^GayN(其中0彡x< 1， 0彡y彡1)所構(gòu)成的緩沖層11、以及在該緩沖層11上的η型GaN接觸層12。接著在該η 型GaN接觸層12上形成覆蓋其部分表面的活性層13，該活性層13由InxGai_xN(其中0 < χ
7< 1)阱層和InyAlzGai_y_zN(0 ^ y < 1,0 ^ ζ < 1,0 ^ y+z < 1)壘層交互層疊形成的多量 子阱所構(gòu)成。在η型GaN接觸層12上未被活性層13覆蓋的部分，另外形成η型電極層17。然后在該活性層13上先形成低溫ρ型氮化鎵層14，再在該低溫ρ型氮化鎵層14 上形成低溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格15，從而形成低溫中間層。其中低溫P型氮化鎵 層14使用摻鎂的ρ型GaN，其厚度為5 300納米，生長(zhǎng)溫度為600 1100°C，并且其生 長(zhǎng)溫度比活性層13中的InyAlzGai_y_zN壘層的生長(zhǎng)溫度低30 300°C。低溫ρ型銦鎵氮/ 銦鋁鎵氮超晶格15使用摻鎂的ρ型InxGai_xN/InyAlzGai_y_zN (其中0<χ<1，0彡y<l， 0彡ζ < 1，0彡y+z < 1)，該低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格由1 100個(gè)周期數(shù)的銦 鎵氮與銦鋁鎵氮的薄層組成，其總厚度為0. 5 50納米，每一銦鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米，每一銦鋁鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米，由銦鎵氮單層與銦鋁鎵氮單層構(gòu)成的單 個(gè)周期的厚度為0. 5 5納米；該低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度為600 1100°C，并且其生長(zhǎng)溫度比活性層13中的InyAlzGai_y_zN壘層的生長(zhǎng)溫度低30 300°C。最后在低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格15上形成高溫生長(zhǎng)的ρ型氮化鎵接觸 層16、以及在ρ型氮化鎵接觸層16上的ρ型電極層18。該ρ型電極層18可為金屬導(dǎo)電層或透明導(dǎo)電氧化層，其中該金屬導(dǎo)電層主要包括 Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiffNx(x 彡 0) 或 WSix(x 彡 0)；該透明導(dǎo)電氧化層主要包括 ΙΤ0,CT0,ZnOAl,ZnGa2O4,SnO2Sb,Ga2O3Sn, AgInO2: Sn、In2O3: Zn、CuAlO2、LaCuOS、NiO、CuGaO2、SrCu2O20圖2為根據(jù)本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的實(shí)施例2的示意 圖。該實(shí)施例2采用與實(shí)施例1相同的方式制造，所不同的只是，先在活性層23上生長(zhǎng)低 溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格24，再在該超晶格24上生長(zhǎng)低溫ρ型氮化鎵層25。圖3為根據(jù)本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的實(shí)施例3的示意 圖。該實(shí)施例3采用與實(shí)施例1相同的方式制造，所不同的只是低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵 氮超晶格34包括第一超晶格部分340和第二超晶格部分341，并且低溫ρ型氮化鎵層35位 于該第一超晶格部分340和第二超晶格部分341之間。第一超晶格部分340和第二超晶格 部分341分別由1 100個(gè)周期數(shù)的銦鎵氮與銦鋁鎵氮的薄層組成，每一銦鎵氮單層的厚 度為0. 1 5納米，每一銦鋁鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米，由銦鎵氮單層與銦鋁鎵氮單 層構(gòu)成的單個(gè)周期的厚度為0. 5 5納米。該低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格34 (包含 340與341)的總厚度為0. 5 100納米。圖4為根據(jù)本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管的實(shí)施例4的示意 圖。該實(shí)施例4采用與實(shí)施例1相同的方式制造，所不同的只是，低溫ρ型GaN層44包括第 一部分440和第二部分441，并且低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格45位于第一部分440 與第二部分441之間。該第一部分440和第二部分441的厚度分別為5 300納米。圖5是現(xiàn)有的以及根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵系發(fā)光二極管的正向注入電流-發(fā)光強(qiáng)度 I-L曲線(xiàn)，其中圓形標(biāo)記的線(xiàn)條為本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管 ’方塊 標(biāo)記的線(xiàn)條為現(xiàn)有的沒(méi)有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管。由圖5可以看出，與傳統(tǒng)的 氮化鎵系發(fā)光二極管相比，本發(fā)明的具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管在相同的正向 注入電流下具有更高的發(fā)光強(qiáng)度，其發(fā)光效率得到大幅提高，尤其在正向注入電流較高時(shí)， 其發(fā)光效率的提高更加明顯。
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上述實(shí)施例僅用于具體說(shuō)明本發(fā)明，不應(yīng)看作為對(duì)本發(fā)明的限制。任何不脫離本 發(fā)明宗旨所進(jìn)行的各種修改和變動(dòng)，均應(yīng)在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種氮化鎵系發(fā)光二極管，其包括基板；緩沖層，其位于所述基板上；η型接觸層，其位于所述緩沖層上，由η型GaN構(gòu)成；活性層，其位于所述η型接觸層上并覆蓋所述η型接觸層的部分表面，由IrixGai_xN阱層 和InyAlzGai_y_zN壘層交互層疊形成的多量子阱所構(gòu)成，其中0<χ<1，0≤y<l，0≤z< 1,0 ≤ y+z < 1 ；負(fù)電極，其位于所述η型接觸層未被所述活性層覆蓋的上表面上；低溫中間層，其位于所述活性層上，由低溫P型GaN層和低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超 晶格組成；P型接觸層，其位于所述低溫中間層上，由P型III族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成；正電極，其位于所述P型接觸層上。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫P型銦鎵氮/銦鋁 鎵氮超晶格包括第一超晶格部分和第二超晶格部分，所述低溫P型GaN層位于所述第一超 晶格部分與所述第二超晶格部分之間。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫ρ型GaN層包括第 一部分和第二部分，所述低溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格位于所述第一部分與所述第二 部分之間。
4.如權(quán)利要求1所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫ρ型GaN層的生長(zhǎng) 溫度低于所述低溫P型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫 P型GaN層的生長(zhǎng)溫度為600 1100°C，其生長(zhǎng)溫度比與其直接接觸的所述活性層中的 InyAlzGa1^zN壘層的生長(zhǎng)溫度低30 300°C。
6.如權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫ρ型GaN層的 厚度為5 300納米。
7.如權(quán)利要求3所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫ρ型GaN層中的第 一部分與第二部分的厚度分別為5 300納米。
8.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫ρ型 銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格的生長(zhǎng)溫度為600 1100°C，其生長(zhǎng)溫度比與其直接接觸的所述 活性層中的InyAlzGai_y_zN壘層的生長(zhǎng)溫度低30 300°C。
9.如權(quán)利要求1或3所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫ρ型銦鎵氮/ 銦鋁鎵氮超晶格由1 100個(gè)周期數(shù)的銦鎵氮與銦鋁鎵氮的薄層組成，其總厚度為0. 5 50納米，每一銦鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米，每一銦鋁鎵氮單層的厚度為0. 1 5納 米，由銦鎵氮單層與銦鋁鎵氮單層構(gòu)成的單個(gè)周期的厚度為0. 5 5納米。
10.如權(quán)利要求2所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一超晶格部分和所 述第二超晶格部分分別由1 100個(gè)周期數(shù)的銦鎵氮與銦鋁鎵氮的薄層組成，每一銦鎵氮 單層的厚度為0. 1 5納米，每一銦鋁鎵氮單層的厚度為0. 1 5納米，由銦鎵氮單層與銦 鋁鎵氮單層構(gòu)成的單個(gè)周期的厚度為0. 5 5納米，所述低溫ρ型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶 格的總厚度為0. 5 100納米。
11.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述低溫P 型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格為摻鎂的P型InxGai_xN/InyAlzGai_y_zN超晶格，其中0 < χ < 1， 0 ≤ y < 1,0 ≤ζ < 1,0 ≤ y+z < 1。
12.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述基板由 C-面、R-面或A-面的氧化鋁單晶、6H-SiC、4H-SiC、或晶格常數(shù)接近于氮化物半導(dǎo)體的單晶 氧化物所制成。
13.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的氮化鎵系發(fā)光二極管，其特征在于，所述緩沖層 由InxAl1HGayN構(gòu)成，其中0≤χ<1，0≤y≤1。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有低溫中間層的氮化鎵系發(fā)光二極管。其結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的氮化鎵系發(fā)光二極管的最主要差異是，在InGaN/GaN多量子阱活性層與p型GaN接觸層之間生長(zhǎng)低溫中間層，該低溫中間層由低溫p型氮化鎵層和低溫p型銦鎵氮/銦鋁鎵氮超晶格組成。結(jié)果表明，通過(guò)設(shè)置該低溫中間層，氮化鎵系發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度和發(fā)光效率得到較大的提高。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102005515SQ20091019480
公開(kāi)日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2009年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者李剛, 祝光輝, 胡建正 申請(qǐng)人:上海藍(lán)寶光電材料有限公司