專利名稱：一種有電量鎖存功能的陶瓷電容器結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明內(nèi)容涉及電子儲能領域，利用一種復合的分子材料薄膜與電極、絕緣體組 成的基于物理電容原理具有電量鎖存功能的陶瓷電容器。
背景技術(shù)：
自1800年意大利科學家伏達(Vlota)發(fā)明的電化學電池問世以來，基于電化學電 池的各類產(chǎn)品已經(jīng)應用到人們?nèi)粘Ｉ詈凸ぷ髦械脑S多領域，其中應用最為廣泛的是鉛酸 電池。屬于電化學的鉛酸電池腐蝕性強，對環(huán)境污染嚴重，保養(yǎng)成本高，充電時間長，使 用壽命短，并且單位重量存儲電量指標較低，往往不能滿足許多方面的更高的應用要求。以后，人類陸續(xù)開發(fā)出了鎳金屬類電池(包括鎳-鎘(Ni-Cad)，鎳-鋅(Ni-Z)和 鎳-氫電池)，鋰電池，燃料電池，太陽能電池等。這些電池雖然相對鉛酸電池在某些性能上 有所改善，如有的在對環(huán)境污染方面有所改善，有的在單位重量下存儲電量方面有所提高， 有的在充電時間方面有所縮短，…等等。但是也同時出現(xiàn)了一些新的問題，①、成本提高，如 相同單位重量下存儲電量的電池成本是鉛酸電池的3倍以上；②、出現(xiàn)新的安全性，如一些 材料可能會引起爆炸；③、存在記憶效應，如鎳-氫電池；④、光電或熱電轉(zhuǎn)換效率較低，如 太陽能電池實際轉(zhuǎn)化效率一般低于16% ；⑤、充電時間依然較長等；⑥電池使用壽命有限， 如最好的鉛酸電池有效充電次數(shù)一般低于700次；⑦、維護保養(yǎng)成本高，如鉛酸電池對電極 極板要求定時更換；⑧、化學腐蝕性強，容易燒蝕接觸的衣物和固定件，對環(huán)境污染大等。上述類型的電池應用中，基于電化學原理的電池占據(jù)了目前產(chǎn)品的主要市場。以前，基于物理原理的電容器研究雖然具有儲電功能，但由于漏電快，存儲電量 低，體積大，一些材料還對環(huán)境污染造成較大影響等等原因，阻礙了其商業(yè)應用，長期處于 停滯狀態(tài)。本發(fā)明描述了基于一種復合分子的電介質(zhì)材料薄膜，導電電極材料，以及絕緣材 料組成，有電量鎖存功能的陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)和典型制作方法。多個這種電容器可以并聯(lián) 集成更大的AFF電容器組暨陶瓷電池。這種電容器所使用的電介質(zhì)核心材料是一種鈣鈦類反鐵磁分子材料類 (antiferromagnetism, AFM)與四方相鐵電分子材料類(Ferroelectricstetragonal, FET) 相復合的新型結(jié)構(gòu)材料(Antiferromagnetism &Ferroelectrics,簡稱 AFM-FET，或 AFF)， 其典型代表之一是釹酸錳和鈦酸鋇粉體復合的材料。在這種電容器還使用了功能性金屬氧化物(Metal-Oxide，簡稱M0)，在AFF粉體外 層包裹了一層MO材料的粉體稱為MOAFF粉體，用MOAFF粉體與填充材料制作的薄膜稱為 MOAFF薄膜。由于本發(fā)明描述的AFF電容器是一種基于物理意義上改進的電容器充電工作機 理，具有漏電小，可反復充電，存儲容量高，充電時間短，綠色環(huán)保，無爆炸性，成本低，長壽 命等特點。與傳統(tǒng)的陶瓷電容器相比，顯著區(qū)別在于其漏電量很低。這種AFF電容器在實際應用中可以帶來并促進許多新的技術(shù)進步，在結(jié)構(gòu)上具有新的特色，可以為AFF電容器 提供更高的介電常數(shù)，同時為AFF電容器實現(xiàn)高、低電壓下開展應用提供了新的途徑，預計 本專利產(chǎn)品在電子、電力、運輸工具(包含車輛，船舶和航空航天器)有良好的應用前景。本專利描述的AFF電容器與目前市場上的MLCC電容器主要區(qū)別在于核心粉體結(jié) 構(gòu)，以及電容器結(jié)構(gòu)的不同。MLCC通常采用半導體晶界型陶瓷材料如鈦酸鋇粉體作為核心 粉體，而陶瓷電容器不但采用半導體晶界型陶瓷材料的鈦酸鋇粉體，而且還采用了半導體 晶界型的MOAFF復合陶瓷粉體，如AFF材料族中的鈦酸鋇/錳酸釹復合粉體。在物理特性 上也存在不同，MLCC在充電電場去掉后，電荷將出現(xiàn)快速漏電，而AFF電容器能夠利用自身 特有的電量鎖存功能，在充電電場去掉后，漏電很小，使聚集在電極兩端的電荷基本保存下 來。本專利特點在于1、電介質(zhì)層由兩種(類)不同的電介質(zhì)粉體材料薄膜組成。第 一種(類)薄膜由半導體晶界型AFF復合陶瓷粉體組成，如鈦酸鋇/錳酸釹復合粉體；第二 種(類)薄膜由無AFF復合功能的高介電常數(shù)的半導體晶界型陶瓷粉體組成，如；鈦酸鋇粉 體；2、電容器結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為“正電極2膜-M0AFF11膜-電介質(zhì)1膜-(MOAFF膜11)-負電極 2膜”的夾層結(jié)構(gòu)，其中“-(M0AFF膜)”表示為一種選項。關于上述內(nèi)容的歷史、現(xiàn)狀和技術(shù)進展，有大量文獻和資料可供參考，其中包括曲 遠方《功能陶瓷的物理性能》(2005年，化學工業(yè)出版社)，梁力平等《片式疊層陶瓷電容器》 (2008年，暨南大學出版社)。美國Richard Wier等在其(US 7033406)電能存儲單元的專利中，描述了一種基 于改性鈦酸鋇的電能存儲單元的制作工藝。他們的專利在材料結(jié)構(gòu)和工藝制作方法上與本 專利區(qū)別如下1、本專利明確采用了與其不同的電介質(zhì)核心結(jié)構(gòu)，即AFF材料，如MOAFF粉 體，而且不是結(jié)構(gòu)不明確的鈦酸鋇和錳氧基化合物；2、在抗電擊穿，抗高溫和抗老化方面， 本專利推薦使用性能良好的聚酰亞胺(Polyimide，簡稱PI)類絕緣材料，相對于常規(guī)的對 苯二甲酸乙二醇酯(簡稱PET)材料，可以免除冷凍粉碎處理工藝；3、本專利強調(diào)在AFF電 容器外部表面，端子引線等處，采用隔磁、抗磁材料，如金屬銅等措施；4、本專利采用獨特的 “正電極2膜-MOAFFl 1膜-電介質(zhì)1膜-(M0AFF膜11)-負電極2膜”的夾層結(jié)構(gòu)。本專利描述的有關AFF電容器的技術(shù)內(nèi)容，其關鍵在于對其相關核心材料AFF粉 體和AFF薄膜取得的重要認識，本專利中所介紹的一些重要的物理作用機理，其目的是便 于對本專利的理解。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述了一種具有電量鎖存功能的AFF電容器的結(jié)構(gòu)和制作方法。這種電容 器結(jié)構(gòu)(

圖1)至少包括電介質(zhì)薄膜1，至少兩個以上的嵌入導電內(nèi)電極2，端電極4，電極 外引線5，外(殼)絕緣體6，防磁隔磁層7，端絕緣體8，MOAFF薄膜11等組成；其中，電介質(zhì)薄膜1由絕緣填充材料3層，F(xiàn)ET材料9層和MO材料10層組成；其中，MOAFF薄膜11由絕緣填充材料3層，F(xiàn)ET材料9層，MO材料10層和AFM材 料12層組成；其結(jié)構(gòu)特征在于，在電介質(zhì)層1與兩個(正，負)內(nèi)電極2之間，增加了一層或兩層MOAFF薄膜11夾層結(jié)構(gòu)；AFF粉體是由厚度小于IOnm的鈣鈦類反鐵磁(AFM材料12)層包裹直徑小于2 μ m 的四方相鐵電(FET)粉體9，進行分子復合的粉體；例如錳酸釹包裹鈦酸鋇粉體；在AFF粉體外層表面再包裹一層厚度小于IOnm的非導電的功能性金屬氧化材料 10 (MO)層，如α -Al2O3，形成二次包裹的MOAFF粉體；MOAFF粉體與絕緣填充材料3按照50 1到99 1范圍的比例混合，并制作成基 于AFF功能，厚度范圍為0. 01-10 μ m的MOAFF薄膜11 ；除與端電極4連接處外，這種MOAFF薄膜包裹在(正，負)內(nèi)電極2的外周，或至 少其中正或負內(nèi)電極的外周；電介質(zhì)薄膜1為厚度范圍為0. 1_500μπι的電介質(zhì)薄膜層，其中電介質(zhì)薄膜與 MOAFF薄膜在化學意義上相兼容，如鈦酸鋇材料的晶界半導體型陶瓷粉體與錳酸釹/鈦酸 鋇材料的晶界半導體型陶瓷粉體相兼容；由MOAFF薄膜11包裹，至少兩個內(nèi)電極2，是相向和交錯分布的，厚度在1_2 μ m范 圍；集于兩端的內(nèi)電極2分別與端電極4連接，并經(jīng)過端電極4，連接電極外引線5 ；嵌入在電介質(zhì)薄膜層1之中的內(nèi)電極2和電極外引線5使用的材料至少包括以下 一種=Au, Ni，Al，Ag，Cu 等金屬；端電極4使用的材料至少包括以下一種含高電導率的有機分子固化材料，如加 熱固化的高含銀Ag量的環(huán)氧樹脂等；外絕緣材料6和外絕緣材料8分別用于封裝集成好的AFF電容器外殼，以及兩個 端電極處的外封裝，所使用材料至少包括酚醛，甲醛，聚脂，環(huán)氧，聚酰亞胺PI，二苯醚，對 苯二甲酸乙二醇酯(簡稱PET)，ABS樹脂，云母，以及它們的衍生物等；AFF電容器的外引線5和防磁隔磁層7，采用抗磁性或順磁材料，包括網(wǎng)狀，或功能 性的鍍層，其材料至少主要包括以下一種Au，Ni, Al，Ag，Cu等；以上描述可構(gòu)成一個基本的AFF陶瓷電容器單元，它可以采用疊層技術(shù)制作為由 多個AFF陶瓷電容器單元組成的AFF陶瓷電容器；其中電介質(zhì)薄膜層1，內(nèi)電極2和MOAFF薄膜11組成了以AFF特性為核心功能的 AFF電容器單元的基本原型；物理特征在于，通過電極，在外部電場正向或反向作用下，AFF電阻率變化至少在IO6 Ω · m以上， 有顯著的變化特性；充電時，AFF陶瓷電容器在直流電壓的正向作用下，通過電極，AFF薄膜電阻陡然 下降，使電介質(zhì)FET核內(nèi)的極化電荷，穿過AFM，MO層和PI層，迅速的聚集到電極表面，電極 上電能存儲密度顯著增加；充電完成時，AFF陶瓷電容器在直流電壓的瞬時反向作用下，電阻瞬時增大，將聚 集在電極表面端的電荷有效阻擋在AFF復合分子層的外面；當反向電壓在瞬時斷開后，AFF電容器失去外部電場作用，由于AFF材料處于變化 的高電阻狀態(tài)，聚集在電極端的電荷難以快速返回電介質(zhì)9中，有效防止了快速回漏電流 現(xiàn)象的發(fā)生，并且保持下去，此時AFF電容器可以較長期存儲電量，表現(xiàn)為獨特的電量鎖存
7功能；AFF電容器電極兩端接入負載放電時，存儲(聚集)在電極表面端的電荷，經(jīng)過負 載電阻被釋放出來，直至電極端間電壓為零；當AFF電容器的工作溫度高于自身的臨界值時，其電量鎖存功能將失效；當AFF電容器的工作溫度回到自身的臨界值時，經(jīng)過重新充電，恢復電量鎖存功 能，并確定極性；如果充、放電時電流過大，或者當在直流電壓的反向作用下，時間過長，可能導致 器件和導線發(fā)熱，這可能傳導到AFF電容器電介質(zhì)層內(nèi)部，引起內(nèi)部溫度升高，當溫度接近 或超過技術(shù)臨界溫度范圍時，將影響其電量鎖存功能；在出現(xiàn)以上情況時，可采取物理方法 對可能導入熱量的部位，如導線，功率器件等采取必要的冷卻措施；在規(guī)定的臨界溫度范圍內(nèi)，AFF電容器可以像常規(guī)陶瓷電容器那樣快速進行充電、 放電，多次重復循環(huán)使用。兩個以上的AFF電容器可以并聯(lián)，從而實現(xiàn)多個電容器組成的更大容量的AFF電 容器組C。利用本發(fā)明方法可以指導多個領域的專業(yè)技術(shù)人員制作出多種以AFF材料為核 心電介質(zhì)材料的基于本結(jié)構(gòu)等同的產(chǎn)品，并且應用于其他方面的系統(tǒng)設備和產(chǎn)品。MOAFF 薄膜AFF電容器的核心是MOAFF薄膜結(jié)構(gòu)。如果沒有MOAFF薄膜，一旦去掉外部電場作用，在電極端聚集的電荷很快經(jīng)過介 質(zhì)回漏掉了。因此，沒有MOAFF薄膜的電容器，僅能在一般電路中應用，不能用于長期斷電 情況下的儲能。在本結(jié)構(gòu)中，AFF粉體與絕緣金屬氧化(MO)材料10，如氧化鋁，組合為包裹的 MOAFF粉體，這種粉體與絕緣材料3制作的薄膜，可以形成具有AFF特性的鐵電陶瓷晶界半 導體結(jié)構(gòu)，其特點是除具有視在介電常數(shù)特性外，同時具有電量鎖存特性。通常，鐵電材料FET除了極化特性，還有突出的介電特性，鈦酸鋇就是其中的一 種。當四方相下鐵電材料的c/a軸比接近1時，介電性能最高，但是AFF功能的實現(xiàn)是以 犧牲鐵電c/a軸比值為一定代價的，介電常數(shù)要下降。因此，采用“正電極2膜-M0AFF11 膜-電介質(zhì)1膜-(MOAFF膜11)-負電極2膜”的夾層結(jié)構(gòu)，其中“-(M0AFF膜)”表示為一 種選項。一方面可以保證AFF鎖存功能，另一方面可以盡量提高AFF電容器的介電性能。需 要說明的是把“-(M0AFF膜)”作為一種選項，是因為(正)電極2、電介質(zhì)1，(負)電極2 之間的通道，僅需要一個電極包裹MOAFF薄膜就可以滿足應用要求，如果對正、負兩個電極 均包裹MOAFF薄膜后，可以提高AFF電容器應用電壓范圍。 MOAFF材料中的AFF材料是一種由反鐵磁AFM材料和四方相鐵電FET材料復合的 功能分子材料，在電場正反向作用下，可表現(xiàn)出磁電阻的開關效應。在磁電阻的開(ON)狀 態(tài)，外部高電壓可以將高密度的電荷聚集到電極表面；在磁電阻的關(OFF)狀態(tài)，可以有效 防止電極上的電荷回流到電介質(zhì)材料中，這樣保證了高密度電荷的存儲，防止了電荷的流失。 “正電極2膜-MOAFFl 1膜-電介質(zhì)1膜-(M0AFF膜11)-負電極2膜”的夾層結(jié)構(gòu) 中，電介質(zhì)1膜層可以適當選用具有很高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料，甚至是巨介電常數(shù)的電介質(zhì)材料，不必一定是AFF材料中所使用的材料；對于AFF電容器來說，可能使得介電常數(shù) 指標得到有效提升；而且，這種結(jié)構(gòu)，可以放寬對電介質(zhì)材料層的厚度限制，不象單MOAFF 薄膜對厚度有嚴格的規(guī)定。這些對放寬生產(chǎn)條件，提高性能，降低成本都十分重要。當然，保證電介質(zhì)粉體原料的純度始終是非常重要的。因為在AFF材料相變過程 中，雜質(zhì)除了不能保證準確的化學結(jié)構(gòu)，影響AFF功能分子性能外，還可能發(fā)生由于雜質(zhì)原 因?qū)е碌膿舸?。這種電擊穿后果可能使其失效。在AFF電容器中，MOAFF粉體可由專業(yè)生產(chǎn)商生產(chǎn)，并在市場上出售。這種粉體與 絕緣體填充材料3混合，制作成厚度在0. 1-10 μ m之間的AFF薄膜11。在MOAFF薄膜制作 過程中可能存在氣泡，孔隙和涂敷缺陷問題。在強電場下，這些空隙會發(fā)生電擊穿，其過程 是首先某個介質(zhì)點的孔隙發(fā)生電離擊穿，該介質(zhì)點孔隙所承擔的偏置電壓，全部加載到其 他介質(zhì)點上，使其他介質(zhì)點承受電壓增大，可能造成粉體進一步擊穿，最終導致AFF材料失 效。實驗表明電擊穿可以在KT7-IO-8秒內(nèi)發(fā)生，一般采取電路方法難以快速進行有效控 制。同理，電介質(zhì)材料1也會發(fā)生類似問題。對于在薄膜涂覆工藝制作過程中產(chǎn)生的間隙和氣泡，而已采取物理方法，如熱等 靜壓等技術(shù)，有效減少氣泡，孔隙；如粉體尺寸分布收窄，可以使其抗電擊穿強度提高。以下數(shù)據(jù)表明如果氣泡尺寸減小，都可以使其抗電擊穿強度顯著提高。
權(quán)利要求
1. 一種具有電量鎖存功能的AFF電容器的結(jié)構(gòu)和制作方法。這種電容器結(jié)構(gòu)(圖1)至 少包括電介質(zhì)薄膜1，至少兩個以上的嵌入導電內(nèi)電極2，端電極4，電極外引線5，外(殼) 絕緣體6，防磁隔磁層7，端絕緣體8，MOAFF薄膜11等組成；其中，電介質(zhì)薄膜1由絕緣填充材料3層，F(xiàn)ET材料9層和MO材料10層組成； 其中，MOAFF薄膜11由絕緣填充材料3層，F(xiàn)ET材料9層，MO材料10層和AFM材料12 層組成；其結(jié)構(gòu)特征在于，在電介質(zhì)層1與兩個(正，負)內(nèi)電極2之間，增加了一層或兩層MOAFF薄膜11夾層 結(jié)構(gòu)；AFF粉體是由厚度小于IOnm的鈣鈦類反鐵磁(AFM材料12)層包裹直徑小于2 μ m的四 方相鐵電(FET)粉體9，進行分子復合的粉體；例如錳酸釹包裹鈦酸鋇粉體；在AFF粉體外層表面再包裹一層厚度小于IOnm的非導電的功能性金屬氧化材料 10 (MO)層，如α -AI2O3，形成二次包裹的MOAFF粉體；MOAFF粉體與絕緣填充材料3按照50 1到99 1范圍的比例混合，并制作成基于 AFF功能，厚度范圍為0. 01-10 μ m的MOAFF薄膜11 ；除與端電極4連接處外，這種MOAFF薄膜包裹在(正，負)內(nèi)電極2的外周，或至少其 中正或負內(nèi)電極的外周；電介質(zhì)薄膜1為厚度范圍為0. 1-500 μ m的電介質(zhì)薄膜層，其中電介質(zhì)薄膜與MOAFF薄 膜在化學意義上相兼容，如鈦酸鋇材料的晶界半導體型陶瓷粉體與錳酸釹/鈦酸鋇材料的 晶界半導體型陶瓷粉體相兼容；由MOAFF薄膜11包裹，至少兩個內(nèi)電極2，是相向和交錯分布的，厚度在1-2 μ m范圍； 集于兩端的內(nèi)電極2分別與端電極4連接，并經(jīng)過端電極4，連接電極外引線5 ； 嵌入在電介質(zhì)薄膜層1之中的內(nèi)電極2和電極外引線5使用的材料至少包括以下一 種:Au，Ni，Al，Ag，Cu 等金屬；端電極4使用的材料至少包括以下一種含高電導率的有機分子固化材料，如加熱固 化的高含銀Ag量的環(huán)氧樹脂等；外絕緣材料6和外絕緣材料8分別用于封裝集成好的AFF電容器外殼，以及兩個端電 極處的外封裝，所使用材料至少包括酚醛，甲醛，聚脂，環(huán)氧，聚酰亞胺PI，二苯醚，對苯二 甲酸乙二醇酯(簡稱PET)，ABS樹脂，云母，以及它們的衍生物等；AFF電容器的外引線5和防磁隔磁層7，采用抗磁性或順磁材料，包括網(wǎng)狀，或功能性的 鍍層，其材料至少主要包括以下一種Au，Ni, Al, Ag，Cu等；以上描述可構(gòu)成一個基本的AFF陶瓷電容器單元，它可以采用疊層技術(shù)制作為由多個 AFF陶瓷電容器單元組成的AFF陶瓷電容器；其中電介質(zhì)薄膜層1，內(nèi)電極2和MOAFF薄膜11組成了以AFF特性為核心功能的AFF 電容器單元的基本原型； 物理特征在于，通過電極，在外部電場正向或反向作用下，AFF電阻率變化至少在106 Ω ·πι以上，有顯 著的變化特性；充電時，AFF陶瓷電容器在直流電壓的正向作用下，通過電極，AFF薄膜電阻陡然下降，使電介質(zhì)FET核內(nèi)的極化電荷，穿過AFM，MO層和PI層，迅速的聚集到電極表面，電極上電 能存儲密度顯著增加；充電完成時，AFF陶瓷電容器在直流電壓的瞬時反向作用下，電阻瞬時增大，將聚集在 電極表面端的電荷有效阻擋在AFF復合分子層的外面；當反向電壓在瞬時斷開后，AFF電容器失去外部電場作用，由于AFF材料處于變化的 高電阻狀態(tài)，聚集在電極端的電荷難以快速返回電介質(zhì)9中，有效防止了快速回漏電流現(xiàn) 象的發(fā)生，并且保持下去，此時AFF電容器可以較長期存儲電量，表現(xiàn)為獨特的電量鎖存功 能；AFF電容器電極兩端接入負載放電時，存儲(聚集)在電極表面端的電荷，經(jīng)過負載電 阻被釋放出來，直至電極端間電壓為零；當AFF電容器的工作溫度高于自身的臨界值時，其電量鎖存功能將失效；當AFF電容器的工作溫度回到自身的臨界值時，經(jīng)過重新充電，恢復電量鎖存功能，并 確定極性；如果充、放電時電流過大，或者當在直流電壓的反向作用下，時間過長，可能導致器件 和導線發(fā)熱，這可能傳導到AFF電容器電介質(zhì)層內(nèi)部，引起內(nèi)部溫度升高，當溫度接近或超 過技術(shù)臨界溫度范圍時，將影響其電量鎖存功能；在出現(xiàn)以上情況時，可采取物理方法對可 能導入熱量的部位，如導線，功率器件等采取必要的冷卻措施；在規(guī)定的臨界溫度范圍內(nèi)，AFF電容器可以像常規(guī)陶瓷電容器那樣快速進行充電、放 電，多次重復循環(huán)使用。兩個以上的AFF電容器可以并聯(lián)，從而實現(xiàn)多個電容器組成的更大容量的AFF電容器 組C。
2.權(quán)利要求1，至少包括NdMn03/BaTi03的復合粉體極其衍生物所構(gòu)成一種AFF材料 和BaTi03極其衍生物構(gòu)成一種FET電介質(zhì)材料；在NdMn03/BaTi03粉體，以及BaTi03外層 分別包裹一層厚度為I-IOnm厚的α -AI2O3氧化鋁，形成MO-AFF和M0_BaTi03粉體；這些 粉體與聚酰亞胺PI塑料，按照50 1到99 1范圍的比例在超聲輔助的攪拌下，制作成 MOAFF和M0-BaTi03印刷用漿料；并且最終分別制作出MOAFF薄膜11和電介質(zhì)1薄膜。
3.權(quán)利要求1，內(nèi)電極2至少包括使用鎳，銅或者鋁金屬材料，在惰性氣體保護下，涂敷 烘干后的固含量厚度為1-2 μ m。
4.權(quán)利要求1，外絕緣體6和端電極外封裝8可以使用預制成型的塑料件，所使用材料 至少包括酚醛，甲醛，聚脂，環(huán)氧，聚酰亞胺PI，二苯醚，對苯二甲酸乙二醇酯(簡稱PET)， ABS樹脂，云母，以及它們的衍生物等；電介質(zhì)1和外絕緣體6之間，端電極外封裝8與端電 極4之間，用快速固化型絕緣材料還氧樹脂進行灌封。
5.權(quán)利要求1，防磁隔磁外殼7使用防磁隔磁金屬制品，如銅的箔和噴涂層，包裹在外 絕緣體6外部。
6.權(quán)利要求1，端電極4使用摻入高含量銀金屬的快速固化型還氧樹脂作為導電固化 劑，并在導電固化劑固化前，將引線5預先埋于固化劑中。
7.權(quán)利要求1，使用超聲波和機械攪拌裝置分別對聚酰亞胺(PI)，MOAFF,電極2，電介 質(zhì)1與甘油，乙二醇混合的流動助劑均勻混合，制作成漿料。
8.權(quán)利要求1，權(quán)利要求1，AFF電容器采用“正電極2膜-M0AFF11膜-電介質(zhì)1膜-(MOAFF膜11)-負電極2膜”的夾層結(jié)構(gòu)，其中“-(M0AFF膜)”表示為一種選項。
9.權(quán)利要求1，AFF電容器熱等靜壓密度(HIP)處理，參數(shù)范圍在50-300°C，5-20MPa， 10-100分鐘；采用階梯預加熱工藝，處理后AFF電容器單元的厚度尺寸范圍分別為電介質(zhì) 1 層 10-100 μ m,絕緣層 10-100 μ m,電極 2 層 1-2 μ m, MOAFF 粉體薄膜 11 層 0. 1-10 μ m。
10.權(quán)利要求1，使用帶導線的特制夾具，一端與AFF電容器的正、負電極端子4連接， 另一端連接到專用的電極充電設備的電極輸出兩端；隨溫度周期循環(huán)變化，在電極兩端交 替的加載正、負偏壓，循環(huán)5次以上；主要參數(shù)范圍在-40-300°C，-5000V-+5000V，5-100分 鐘/每次循環(huán)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有電量鎖存功能的陶瓷電容器，一種具有電量鎖存功能的AFF電容器的結(jié)構(gòu)和制作方法。這種電容器結(jié)構(gòu)(圖)至少包括電介質(zhì)薄膜1，至少兩個以上的嵌入導電內(nèi)電極2，端電極4，電極外引線5，外(殼)絕緣體6，防磁隔磁層7，端絕緣體8，MOAFF薄膜11等組成。
文檔編號H01G9/038GK102117705SQ20101000001
公開日2011年7月6日 申請日期2010年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月4日
發(fā)明者縱堅平 申請人:縱堅平