專(zhuān)利名稱::成像裝置和相機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及固態(tài)成像器件和成像裝置。并且,本發(fā)明還涉及成像裝置和相機(jī),其包括諸如CCD(電荷耦合器件)、CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)傳感器等的成像器件。
背景技術(shù):
:由于近些年數(shù)碼相機(jī)已得到廣泛應(yīng)用,甚至低價(jià)相機(jī)也需要有高分辨率。而且,不僅在數(shù)碼相機(jī)中,而且在攝像機(jī)、蜂窩式電話上的相機(jī)等中也已要求高分辨率。一般而言,光學(xué)尺寸(固態(tài)成像器件的外部尺寸)未改變,因而,像素?cái)?shù)量的增加就等同于像素的微型制造(microfabrication)。像素的微型制造與減少進(jìn)入像素的光子數(shù)量有直接聯(lián)系,從而導(dǎo)致絕對(duì)靈敏度降低,其不能用量子效率的改善來(lái)被彌補(bǔ)。對(duì)CCD圖像傳感器和CMOS圖像傳感器來(lái)說(shuō)都是如此。但是,由于金屬配線較高(厚),所以,CMOS圖像傳感器通常難以聚集光線,因而靈敏度較低。根據(jù)上述內(nèi)容,已提出一種技術(shù),其中,從圖像處理的觀點(diǎn)考慮,在提高敏感度的同時(shí)抑制分辨率的降低。下面將參照?qǐng)D30描述該技術(shù)。如圖30中所示,已知利用所謂的蜂窩式像素陣列,每個(gè)像素111都由傾斜的正方形像素陣列構(gòu)成,從而,甚至利用一半的實(shí)際像素?cái)?shù)量就能夠抑制在垂直和水平方向上的空間分辨率的降低??衫孟嗤挠行袼貐^(qū)域?qū)⑾袼財(cái)?shù)量減少到一半,于是,增大了每單元像素的面積,因而能夠提高靈敏度。沿垂直和水平方向存在大量具有人造間隔的線,并以XY坐標(biāo)來(lái)表示像素?cái)?shù)據(jù),因而這兩個(gè)軸的空間分辨率對(duì)于分辨率的感應(yīng)很重要,因而,可以認(rèn)為,蜂窩式像素陣列在很多情況下具有較高的靈敏度。但是,蜂窩式像素陣列不適合被集成。通常,像素?cái)?shù)據(jù)是具有垂直和水平軸的兩個(gè)軸的數(shù)據(jù)陣列,且正方形柵格(grid)圖像傳感器的像素也是與其一致的陣列。連同此,還沿垂直方向和水平方向進(jìn)行控制(驅(qū)動(dòng)和讀出)。另一方面,利用蜂窩式像素陣列,像素由傾斜的正方形柵格組成,因而,控制像素的陣列呈鋸齒形圖案。例如,對(duì)于CMOS圖像傳感器,在常用的正方形柵格像素陣列情況下,可以通過(guò)改變垂直和水平方向的軸的每個(gè)金屬配線層來(lái)有效地進(jìn)行配線。另一方面,對(duì)于蜂窩式像素陣列,相鄰行或相鄰列的像素被插入到同一行或同一列的像素之間,從而不可避免地以鋸齒形方式設(shè)置配線,這樣,有時(shí)難以與如形成在處于與配線重疊的部分處的硅表面上的晶4體管等部件相連接。蜂窩式像素陣列存在配線密度高的問(wèn)題。因而,需要通過(guò)減少配線的數(shù)量來(lái)保持較大的金屬開(kāi)口(metalopening)。有效的方式是共享像素晶體管(參見(jiàn)日本未審定的公布專(zhuān)利申請(qǐng)第2004-128193號(hào))。但是,對(duì)于日本未審定的公布專(zhuān)利申請(qǐng)第2004-128193號(hào)披露的技術(shù),不可避免地會(huì)使精細(xì)像素的特性惡化。也就是說(shuō),通過(guò)如圖31A所示的日本未審定的公布專(zhuān)利申請(qǐng)第2004-128193號(hào)披露的技術(shù),電荷到電壓(charge-to-voltage)轉(zhuǎn)換單元的傳輸門(mén)(transfergate)TG被被布置在像素111的側(cè)部,其讀出特性很優(yōu)秀,但是包括聚光點(diǎn)面積(condensingspotarea)被壓縮的問(wèn)題。而且,即使在像素之間設(shè)置充當(dāng)電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的浮動(dòng)擴(kuò)散FD的共享部分,在兩像素之間共享像素晶體管也會(huì)使得難以充分保證光電二極管PD面積。同樣,對(duì)于多個(gè)像素排列成二維正方形的像素組,如圖31B所示,充當(dāng)要被共享的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的浮動(dòng)擴(kuò)散FD經(jīng)傳輸門(mén)TG被布置在像素111的角部。在相互斜鄰的兩像素之間,從其像素111的聚光中心到傳輸門(mén)TG的距離可以通過(guò)將傳輸門(mén)TG被布置在其像素111的角而分離開(kāi),從而抑制由傳輸門(mén)TG吸收光而導(dǎo)致的靈敏度的降低。采用使用CM0S(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的CMOS圖像裝置作為如相機(jī)等的成像器件,并且,該CMOS圖像裝置包括諸如對(duì)于CCD(電荷耦合器件)成像裝置來(lái)說(shuō)很難的部分讀出功能,這有利于降低功耗和減小成像裝置的尺寸。近年來(lái),存在增加CMOS成像裝置中的像素?cái)?shù)量的要求。但是,CMOS成像裝置在一個(gè)像素內(nèi)包括許多驅(qū)動(dòng)器元件,如光電二極管、傳輸晶體管、復(fù)位晶體管、放大晶體管、選擇晶體管等,因而,難以減小像素的尺寸。并且,由于增加了像素的數(shù)量,所以,增大了像素電路的驅(qū)動(dòng)負(fù)載和來(lái)自像素電路的信號(hào)的讀出負(fù)載,這導(dǎo)致不利于高速驅(qū)動(dòng)的情況。該問(wèn)題的一個(gè)解決方法是通過(guò)共享晶體管來(lái)減小負(fù)載。例如,利用其中由多個(gè)光電二極管和傳輸晶體管共享放大晶體管的配置,可以減少諸如要連接到垂直信號(hào)線的放大晶體管等的元件的數(shù)量,從而可在讀出輸出信號(hào)時(shí)減小垂直信號(hào)線的負(fù)載。而且,已提出了一種方法,其中,通過(guò)共享光電轉(zhuǎn)換單元來(lái)改善輸出信號(hào)的圖像質(zhì)量(參見(jiàn)日本未審定的專(zhuān)利申請(qǐng)公布第2006-54276號(hào))。此外,關(guān)于像素的微型制造的一個(gè)解決方案是這樣的方法,其中,共享像素內(nèi)的晶體管,減小每一個(gè)像素的晶體管的數(shù)量,從而減小像素的尺寸(例如,參見(jiàn)日本未審的專(zhuān)利申請(qǐng)公布第2001-298177號(hào))。例如,進(jìn)行以下配置,其中,針對(duì)多個(gè)光電二極管中的每個(gè)設(shè)置傳輸晶體管,并針對(duì)多個(gè)光電二極管和傳輸晶體管共享選擇晶體管、復(fù)位晶體管和放大晶體管。在不共享晶體管的情況下,通常提供每像素四個(gè)晶體管。但是,另一方面,對(duì)于共享三個(gè)晶體管的四個(gè)像素,晶體管的數(shù)量可以下降到每像素1.75個(gè)。注意,取決于晶體管驅(qū)動(dòng)方法等,可以有不包括選擇晶體管的配置(參見(jiàn)日本未審的專(zhuān)利申請(qǐng)公布第2006-54276號(hào))。
發(fā)明內(nèi)容已認(rèn)識(shí)到需要解決的問(wèn)題在于,根據(jù)所謂的蜂窩式像素陣列,電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元被置于像素的側(cè)部,這優(yōu)化了讀出特性,但是包括聚光點(diǎn)面積受到壓縮的問(wèn)題,而且,即使在像素之間布置電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的共享部分(例如,作為電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的浮動(dòng)擴(kuò)散floatingdiffusion,FD),在兩像素之間的共享像素晶體管也使得難以充分確保光電轉(zhuǎn)換單元(例如,光電二極管PD)的面積。因此,已認(rèn)識(shí)到需要提高光學(xué)特性、以及允許通過(guò)設(shè)計(jì)晶體管群的布局來(lái)提供有效的像素陣列,其中晶體管群為例如電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元、傳輸晶體管、放大晶體管、復(fù)位晶體管等。此外,對(duì)于通過(guò)共享像素電路的晶體管而提出的方法,公知的一個(gè)問(wèn)題是存在其中每個(gè)晶體管的控制受到約束的很多情況。因此,已經(jīng)認(rèn)識(shí)到需要這樣的成像裝置和相機(jī),由此可減小施加給信號(hào)線的負(fù)載,對(duì)信號(hào)的讀出具有非常小的影響,且能夠提高像素的數(shù)量。此外,通過(guò)上述解決方法,共享多個(gè)部件,于是可減少部件的數(shù)量,但是,每個(gè)像素內(nèi)的布局由于每個(gè)部件的形狀和尺寸等因素而變得不均勻。下面將進(jìn)行有關(guān)布局的不均勻性的說(shuō)明。圖32是描述在共享多個(gè)部件的情況下的布局不均勻性的圖。對(duì)于如圖32所示的布局,沿針對(duì)于電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元2的對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元3001共享電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元3002,這些光電轉(zhuǎn)換單元3001通過(guò)配線3004來(lái)連接,以便共享晶體管區(qū)域3003a(沿柵極(gate)長(zhǎng)度方向的寬度L3003a)和晶體管區(qū)域3003b(沿柵極長(zhǎng)度方向的寬度L3003b),晶體管區(qū)域3003a和晶體管區(qū)域3003b各自沿柵極長(zhǎng)度方向具有不同的寬度。這里提到的晶體管區(qū)域是由組成像素的晶體管形成的電路,例如,晶體管區(qū)域3003a由復(fù)位晶體管形成,而晶體管區(qū)域3003b由放大晶體管和選擇晶體管形成。當(dāng)微型制造像素時(shí),一旦布置該像素內(nèi)的全部晶體管,沿晶體管的柵極長(zhǎng)度方向的寬度L便比一個(gè)像素的一側(cè)的寬度長(zhǎng)。因此,對(duì)于如圖32所示的位置布局,劃分并設(shè)置了晶體管區(qū)域。在如圖32中所示的位置布局的情況下,晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸取決于共享的晶體管的組合而改變。所占據(jù)的尺寸大于晶體管區(qū)域3003a的晶體管區(qū)域3003b在位置布局上容易相互干擾,并且,難以實(shí)現(xiàn)用來(lái)防止這種干擾的晶體管的布局。而且,晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸容易影響噪聲特性,因而,所占據(jù)的尺寸越大,噪聲特性就越好。下面將描述所占據(jù)的尺寸與噪聲特性的關(guān)系,其中利用了下面的表達(dá)式〈Vn2>°^1/(WL)…(1)表達(dá)式(1)是與被配置為放大電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元電壓的放大晶體管有關(guān)的1/f噪聲量的通式,其表示電壓的噪聲擴(kuò)散Vn(noisediffusion)中的均方值〈Vn2>與由放大晶體管的寬度W和柵極長(zhǎng)度L之間的積獲得的柵極面積WL成反比。因此,根據(jù)表達(dá)式(l),晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸,例如放大晶體管的柵極面積WL越大,1/f噪聲量下降便越多,接收到的隨機(jī)噪聲影響就越小。但是,在增加像素?cái)?shù)量的同時(shí)減小像素的情況下,需要減小晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸。在此情況下,放大晶體管的噪聲特性變差,并且,由柵極接口中的電荷的俘獲等引起隨機(jī)噪聲也增加。而且,部件的尺寸還影響部件的位置布局。在位置布局受部件尺寸的限制的情形中,改善制造工藝對(duì)于排除限制因素是有效的。但是,為了排除限制因素,需要轉(zhuǎn)換到微制造工藝。這導(dǎo)致了以下問(wèn)題,即制造設(shè)備的投資是不可避免的,且增加了制造工藝的數(shù)量。而且,利用CCD或CMOS成像裝置,像素單元具有與很多情況下的電路圍繞像素單元的結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu),這導(dǎo)致了制造成本增加的問(wèn)題。排除限制因素的另一種技術(shù)是通過(guò)共享部件來(lái)增加像素?cái)?shù)量的上述技術(shù)。但是,利用該技術(shù),除了增加上述的布局不均勻性外,還需要在分開(kāi)的像素間布線,因而配線的布局很擁擠,而且,放大晶體管輸入單元的浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)電容(floatingnodecapacity)增加,其導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率降低。因而,有必要提高半導(dǎo)體板上的面積利用因子,并通過(guò)優(yōu)化部件的位置布局而使晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸盡可能大。因此,已發(fā)現(xiàn)需要提供這樣的成像裝置和相機(jī),由此能夠提高半導(dǎo)體板的面積利用因子,并可增大晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的固態(tài)成像器件包括組成向掃描方向傾斜的斜柵格陣列的多個(gè)像素,其包括被配置為將入射光量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的光電轉(zhuǎn)換單元;以及電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元,其被配置為將從所述光電轉(zhuǎn)換單元讀出的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷?,所述光電轉(zhuǎn)換單元被布置在所述多個(gè)像素的沿對(duì)角線方向的像素中彼此相鄰的兩個(gè)像素之間,其中,所述兩個(gè)像素共享所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元;并且,其中,一組晶體管群被布置在共享塊中,該共享塊由以下結(jié)構(gòu)構(gòu)成由所述沿對(duì)角線彼此相鄰的所述兩個(gè)像素組成的像素對(duì);以及與該像素對(duì)相鄰的像素對(duì),其包括與所述每個(gè)像素對(duì)的所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元連接的配線。利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)成像器件,用于將從光電轉(zhuǎn)換單元讀出的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為電壓的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元被布置在沿像素對(duì)角線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素之間,因而在獲得高讀出特性的同時(shí)保證了聚光點(diǎn)面積。提供了包括兩對(duì)像素對(duì)和連接每個(gè)像素對(duì)的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的配線的共享區(qū)域。一組晶體管群被布置在共享塊內(nèi),其組成在四個(gè)像素之間共享像素晶體管的配置,從而充分保證光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積。注意,用兩個(gè)像素難以充分保證光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積。而且,對(duì)于超過(guò)四個(gè)像素的情況,電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的電容(例如,浮動(dòng)擴(kuò)散(floatingdiffusion))增大,因而電荷到電壓轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換效率會(huì)大大降低。因此,使用其中一個(gè)像素晶體管在四個(gè)像素之間共享的配置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的成像裝置包括光學(xué)聚光單元,其被配置為聚集入射光;固態(tài)成像器件,其被配置為接收由所述光學(xué)聚光單元匯聚的光,從而使其進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換;以及信號(hào)處理單元,其被配置為處理被進(jìn)行了光電轉(zhuǎn)換的信號(hào)。其中,所述固態(tài)成像器件包括組成向掃描方向傾斜的斜柵格陣列的多個(gè)像素,其包括被配置為將入射光量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的光電轉(zhuǎn)換單元;以及電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元,其被配置為將從所述光電轉(zhuǎn)換單元讀出的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷?,所述光電轉(zhuǎn)換單元被布置在所述多個(gè)像素的沿對(duì)角線方向的像素中彼此相鄰的兩個(gè)像素之間;其中,所述兩個(gè)像素共享所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元;并且,其中,一組晶體管群被布置在共享塊中,該共享塊由以下結(jié)構(gòu)構(gòu)成由沿對(duì)角線彼此相鄰的所述兩個(gè)像素組成的像素對(duì);以及與該像素對(duì)相鄰的像素對(duì),其包括與所述每個(gè)像素對(duì)的所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元連接的配線。利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的成像裝置,使用了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的固態(tài)成像器件,因此按照上述描述,可以充分保證每個(gè)像素的光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積。7利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的成像裝置,排列多個(gè)像素電路,其至少包括被配置為將通過(guò)成像而獲得的信號(hào)輸出到信號(hào)線的輸出晶體管,且在不被同時(shí)訪問(wèn)的多個(gè)像素電路之間共享與該信號(hào)線連接的輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層。連接信號(hào)線的輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層可以在沿信號(hào)線的配線方向相鄰的兩個(gè)像素電路之間共享,兩個(gè)像素電路在不同定時(shí)被訪問(wèn)。兩個(gè)像素電路可以包括多個(gè)晶體管,并且,該多個(gè)晶體管形成為在兩個(gè)像素電路之間具有相反的陣列方向性。輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層可以在沿像素電路陣列對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)像素電路之間共享,兩個(gè)像素電路在不同時(shí)間被訪問(wèn)。兩個(gè)像素電路可以包括沿垂直于信號(hào)線配線方向的方向上排列的多個(gè)晶體管,該多個(gè)晶體管形成為在兩個(gè)像素電路之間具有相反的陣列方向性。像素電路可以包括多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元,該多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元共享輸出電路,從而形成像素區(qū)。多個(gè)像素電路以矩陣形狀排列,輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層按照奇數(shù)和偶數(shù)行連接到不同的信號(hào)線上,成像裝置從每行的輸出晶體管讀出輸出信號(hào)。成像裝置可以包括用于調(diào)節(jié)輸出信號(hào)的讀出定時(shí)的定時(shí)調(diào)節(jié)單元,該輸出信號(hào)在輸出信號(hào)讀出時(shí)間時(shí)輸出到每行不同的信號(hào)線。定時(shí)調(diào)節(jié)單元包括用于根據(jù)輸出信號(hào)是從奇數(shù)行或偶數(shù)行輸出來(lái)選擇輸出信號(hào)的選擇開(kāi)關(guān);和用于在奇數(shù)行輸出信號(hào)和偶數(shù)行輸出信號(hào)之間提供延遲的延遲電路,其中延遲電路選擇性地輸出提供有延遲的信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的相機(jī)包括成像裝置;用于將入射光導(dǎo)向成像裝置的成像區(qū)域的光學(xué)系統(tǒng),其中對(duì)于該成像裝置,排列有多個(gè)像素電路,至少包括被配置為將通過(guò)成像而獲得的信號(hào)電荷輸出到信號(hào)線的輸出晶體管;其中,在不被同時(shí)訪問(wèn)的多個(gè)像素電路之間共享連接到信號(hào)線的輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,在不被同時(shí)訪問(wèn)的多個(gè)像素電路之間共享輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層,包括至少一個(gè)輸出晶體管。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的成像裝置包括多個(gè)用于將入射光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷的光電轉(zhuǎn)換單元;和包括多個(gè)晶體管的多個(gè)共享塊,其由每個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元共享,用于將在這樣的光電轉(zhuǎn)換單元獲得的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為電壓,從而輸出該電壓;其中對(duì)于共享塊,在這樣的共享塊中劃分晶體管布置區(qū)域并對(duì)其進(jìn)行布線,交替排列多個(gè)共享塊,在共享塊中多個(gè)占據(jù)尺寸不同的晶體管被布置在不同位置。該多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元可以沿對(duì)角線方向相鄰設(shè)置,以共享該多個(gè)晶體管。該多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元可以沿配線方向相鄰設(shè)置,以共享多個(gè)晶體管。該多個(gè)晶體管至少包括被配置為復(fù)位電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的電壓的復(fù)位晶體管,和用于放大電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的電壓的放大晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的成像裝置包括多個(gè)用于將入射光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷的光電轉(zhuǎn)換單元;和包括多個(gè)晶體管的共享塊,其由每個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元共享,用于將在這樣的光電轉(zhuǎn)換單元獲得的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為電壓,從而輸出該電壓;其中在這樣的共享塊中劃分晶體管布置區(qū)域并對(duì)其進(jìn)行布線,通過(guò)在每列處沿配線方向進(jìn)行變化的方式排列多個(gè)共享塊,8從而與列之間的多個(gè)晶體管的占據(jù)尺寸相匹配。該多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元可以沿對(duì)角線方向相鄰設(shè)置,以共享多個(gè)晶體管。該多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元可以沿配線方向相鄰設(shè)置,以共享多個(gè)晶體管。該多個(gè)晶體管包括至少一個(gè)用于復(fù)位電荷電壓轉(zhuǎn)換單元的電壓的復(fù)位晶體管,和一個(gè)用于放大電荷電壓轉(zhuǎn)換單元的電壓的放大晶體管。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的相機(jī)包括成像裝置;和用于將入射光導(dǎo)向成像裝置的成像區(qū)域的光學(xué)系統(tǒng),其中成像裝置包括多個(gè)用于將入射光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷的光電轉(zhuǎn)換單元,和包括多個(gè)晶體管的共享塊,其由每個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元共享,用于將在這樣的光電轉(zhuǎn)換單元獲得的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為電壓,從而輸出該電壓;其中對(duì)于共享塊,在這樣的共享塊中劃分晶體管布置區(qū)域并對(duì)其進(jìn)行布線,交替排列多個(gè)共享塊,在共享塊中多個(gè)占據(jù)尺寸不同的晶體管被布置在不同位置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的相機(jī)包括成像裝置;和用于將入射光導(dǎo)向成像裝置的成像區(qū)域的光學(xué)系統(tǒng),其中成像裝置包括多個(gè)用于將入射光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷的光電轉(zhuǎn)換單元,和包括多個(gè)晶體管的共享塊,其由每個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元共享,用于將在這樣的光電轉(zhuǎn)換單元獲得的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為電壓,從而輸出該電壓;其中在這樣的共享塊中劃分晶體管布置區(qū)域并對(duì)其進(jìn)行布線,通過(guò)在每列處沿配線方向變化的方式排列多個(gè)共享塊,從而使其與列之間的多個(gè)晶體管的占據(jù)尺寸相匹配。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,對(duì)于由多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元和多個(gè)晶體管群成的共享塊,一個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元由多個(gè)晶體管共享,交替排列多個(gè)共享塊,在共享塊中占據(jù)尺寸不同的多個(gè)晶體管被布置在不同位置。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的固態(tài)成像器件,具有充分確保每個(gè)像素的光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積的優(yōu)點(diǎn),從而在保持分辨率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了較高的靈敏度,由此提高了光學(xué)特性。而且,使用了其中像素晶體管由四個(gè)像素共享的配置,從而能夠簡(jiǎn)化配線,提供了有效的像素布局。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的成像裝置,使用了固態(tài)成像器件,從而也能夠獲得上述的優(yōu)點(diǎn),并能夠獲得其中實(shí)現(xiàn)例如高靈敏度的像素特性的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供了一種成像裝置和一種相機(jī),其中減少了像素電路的驅(qū)動(dòng)負(fù)載。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,能夠提高半導(dǎo)體板的面積使用效率,增加晶體管區(qū)域占據(jù)的尺寸。圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例(第一實(shí)施例)的固態(tài)成像器件的平面布局圖;圖2是共享塊的放大圖;圖3是說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)成像器件的彩色陣列示例的平面布局圖;圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例(第二實(shí)施實(shí)施例)的固態(tài)成像器件的平面布局圖;圖5是說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)成像器件的彩色陣列示例的平面布局圖;圖6是是說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)成像器件的配線示例的配線框圖;圖7是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的成像裝置的框圖8是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的成像裝置的主要單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的圖9A和圖9B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的單元像素電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的圖;圖IOA和圖IOB是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的像素電路的一個(gè)布局示例的圖11是其中圖10A所示的像素塊組GRP2001沿垂直信號(hào)線VSGNL排列成矩陣形狀的圖圖;狀的圖框圖;圖12是描述根據(jù)第三實(shí)施例的成像裝置2001的操作的時(shí)序圖13A和圖13B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素電路的一個(gè)布局示例的圖14是其中圖13A所示的像素塊組GRP2002沿垂直信號(hào)線VSGNL排列成矩陣形圖15是描繪根據(jù)第四實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例及其操作的圖;圖16是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的成像裝置的主要單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的圖17是描繪根據(jù)第五實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例及其操作的圖;圖18描繪根據(jù)第六實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例及其操作的圖;圖19說(shuō)明根據(jù)第七實(shí)施例的像素塊的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的示意圖,其中以CMOS成像裝置為例說(shuō)明;圖20A和圖20B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的像素電路的一個(gè)布局示例的圖;圖21A和圖21B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的像素電路的一個(gè)布局示例的圖;圖22是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的成像裝置的主要單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的框圖;圖23是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第十一實(shí)施例的成像裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的等效電路圖;圖24是說(shuō)明根據(jù)第十一實(shí)施例的第一位置布局示例的圖圖25是描繪根據(jù)第十一實(shí)施例的等效電路操作的時(shí)序圖圖26是說(shuō)明根據(jù)第十一實(shí)施例的第二位置布局示例的圖圖27是說(shuō)明根據(jù)第十一實(shí)施例的第三位置布局示例的圖圖28是描繪根據(jù)第十一實(shí)施例的共享塊BLK3010所屬的行的變換的圖;圖29是描繪根據(jù)第十一實(shí)施例的相機(jī)的總體結(jié)構(gòu)的框圖;圖30是說(shuō)明公共蜂窩式像素陣列的一個(gè)示例的平面布局圖;圖31A和圖31B是說(shuō)明現(xiàn)有的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的共享狀態(tài)的一個(gè)示例的平面布局圖;以及圖32是描繪在共享多個(gè)部件的情況下布局不均勻的圖。具體實(shí)施例方式下面將參照?qǐng)D1所示的平面布局圖和圖2中共享塊的放大圖,描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的固態(tài)成像器件。圖1和圖2說(shuō)明了諸如被配置為將光學(xué)或電學(xué)特性最大化的放大器等的晶體管的布局。如圖1和圖2所示,固態(tài)成像器件1被提供有多個(gè)像素11,每個(gè)像素具有被配置為將入射光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換電路(例如,光電二極管)12。多個(gè)像素ll通過(guò)在行方向或列方向上相對(duì)于相鄰的像素移動(dòng)而被排列,這就組成了所謂的蜂窩式像素陣列?,F(xiàn)在,以在相對(duì)于掃描方向傾斜45度的方向上傾斜的傾斜的方形柵格像素陣列作為示例。在多個(gè)像素11中,在沿對(duì)角線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素11(11A)和11(11B)之間,布置電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13,其被配置為將從光電轉(zhuǎn)換單元12(12A)和(12B)讀出的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為電壓。該電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13由兩個(gè)像素IIA和IIB共享。而且,固態(tài)成像器件l被提供有共享塊16,其包括兩對(duì)像素對(duì)和控制信號(hào)線15,該兩對(duì)像素對(duì)包括由沿像素的對(duì)角線方向(垂直方向或水平方向,該圖中是垂直方向)相鄰的兩個(gè)像素11A和11B組成的像素對(duì)14(14A)、以及與像素對(duì)14A相鄰的像素對(duì)14(14B),控制信號(hào)線15連接每個(gè)像素對(duì)14A和14B的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13(13A)和(13B),并且,一組晶體管群21被布置在共享塊16中。例如,晶體管群21包括用作信號(hào)放大單元的放大晶體管TrA、復(fù)位晶體管TrR和選擇晶體管TrS。也就是說(shuō),四個(gè)像素包括一組晶體管群21。在構(gòu)成的布局中,在一塊中包含等同于四行的像素。而且,每個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元12的傳輸門(mén)TG被布置在光電轉(zhuǎn)換單元12的角部,并且,電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13的浮動(dòng)擴(kuò)散FD在沿垂直方向(光電轉(zhuǎn)換單元12的對(duì)角線方向)上相鄰的像素11A和11B之間被共享。而且,在浮動(dòng)擴(kuò)散FD和光電轉(zhuǎn)換單元12之間提供傳輸門(mén)TG。共享塊16沿垂直方向和水平方向以二維方式均勻間隔排列。而且,組成晶體管群21的多個(gè)要被同時(shí)訪問(wèn)的晶體管以上述傾斜方向排成一列。很容易就能夠理解,共享塊16被清楚地分離為其中布置傳輸門(mén)TG的區(qū)域A和其中布置諸如放大器等的晶體管群21的區(qū)域B,從而可進(jìn)行布線,而不會(huì)使每個(gè)用于控制的配線變得復(fù)雜。注意,在該圖中,每條配線(傳輸門(mén)線TG1、傳輸門(mén)線TG2、復(fù)位線RST、選擇線SEL、傳輸門(mén)線TG3、傳輸門(mén)線TG4等)用直線表示,但實(shí)際上,其被設(shè)置為避免在光電轉(zhuǎn)換單元12之上。下面,將參照?qǐng)D4中的平面布局圖來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的固態(tài)成像器件。根據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)成像器件2是通過(guò)改善根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)成像器件1而得到的裝置。對(duì)于如圖1中的C部分所示的固態(tài)成像器件1,產(chǎn)生了其中兩個(gè)晶體管群21和21被布置在光電轉(zhuǎn)換單元區(qū)12的兩側(cè)的部分。因此,當(dāng)試圖使光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積的尺寸相同時(shí),需要將光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積和與具有較小光接收表面的光電轉(zhuǎn)換單元匹配,這導(dǎo)致飽和電荷量減少。而且,如圖3所示,當(dāng)使用如傾斜45度的公共拜耳陣列(Bayerarray)的彩色陣列時(shí),這樣的彩色陣列的特點(diǎn)在于,即使對(duì)于諸如像素A和像素B的相同顏色的像素,光電轉(zhuǎn)換單元(例如,光電二極管)12的朝向也不同。對(duì)于共享的結(jié)構(gòu),陰影(shading)取決于光電轉(zhuǎn)換單元12的朝向而改變,需要對(duì)每種顏色沿兩個(gè)方向提供圖像陰影校正表(shadingcorrectiontables)。因此,對(duì)于如圖4所示的根據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)成像器件2,不妨假定,單元塊的結(jié)構(gòu)基本與第一實(shí)施例中的單元塊的結(jié)構(gòu)相同。第二實(shí)施例的特征在于,晶體管群21(如放大器、復(fù)位等)沿傾斜方向上的一條直線布置。于是,可減小已成為根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)成像器件1的問(wèn)題的半導(dǎo)體體表面的無(wú)效區(qū)域,從而可使光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積最大化。而且,關(guān)于圖5所示的彩色陣列,甚至對(duì)于斜拜耳陣列,相同顏色也具有相同的朝向,如像素A和像素B,從而可以抑制陰影表的數(shù)量。注意,對(duì)于固態(tài)成像器件2的布局配置,被布置在同一行的光電轉(zhuǎn)換單元12的讀出方向變?yōu)閮蓚€(gè)方向,從而使得對(duì)傳輸門(mén)TG的控制信號(hào)線15增加,并且,所有控制線(傳輸門(mén)線TG1、傳輸門(mén)線TG2、復(fù)位線RST、選擇線SEL、傳輸門(mén)線TG3、傳輸門(mén)線TG4等)在由像素晶體管列組成的晶體管群21上通過(guò),從而限制了配線。因此,對(duì)于根據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)成像器件2,同一行上的光電轉(zhuǎn)換單元12A和12B的傳輸門(mén)TG和TG與第一層的金屬配線局部相連,而且,用第二層的金屬配線進(jìn)行水平方向上的配線,從而抑制金屬配線的密度的增加。在此情況下,如圖6所示,布置共享塊16,并且,對(duì)于復(fù)位線RST和選擇線SEL,控制線在列之間不同。對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的固態(tài)成像裝置1和2,被配置為將從光電轉(zhuǎn)換單元12(12A)和12(12B)讀出的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為電壓的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13被布置在沿像素的對(duì)角線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素11(11A)和(11B)之間,從而在獲得高讀出特性的同時(shí)確保聚光點(diǎn)面積。而且,提供了包括兩對(duì)像素對(duì)14(14A)和14(14B)、以及連接像素對(duì)14A和14B的電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元13A和13B的控制信號(hào)線15的共享塊16,并且,一組晶體管21被布置在共享塊16中,從而提供了其中在四個(gè)像素之間共享像素晶體管的配置,并且,因此充分保證了光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積。注意,對(duì)于在兩個(gè)像素之間的共享,難以充分確保光電轉(zhuǎn)換單元的光接收面積,但另一方面,對(duì)于在不少于四個(gè)像素之間的共享,電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元的電容(例如,浮動(dòng)擴(kuò)散)會(huì)增大,因而電荷到電壓轉(zhuǎn)換的轉(zhuǎn)換效率大大降低,電壓檢測(cè)的準(zhǔn)確性也會(huì)大大降低。因此,使用其中像素晶體管在四個(gè)像素間共享的配置。于是,充分保證了每個(gè)像素的光電轉(zhuǎn)換單元12的光接收面積,從而在保持分辨率的同時(shí)實(shí)現(xiàn)高靈敏度,提供了改善光學(xué)特性的優(yōu)點(diǎn)。而且,使用其中像素晶體管在四個(gè)像素間共享的配置,從而簡(jiǎn)化了配線,還提供有效的像素布局。下面將參照?qǐng)D7所示的框圖說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的成像裝置。如圖7所示,成像裝置50包括在成像單元51處的固態(tài)成像器件(未顯示)。被配置為形成圖像的圖像形成光學(xué)系統(tǒng)52被布置在成像單元51的聚光側(cè),而且,成像單元51與信號(hào)處理單元53相連接,信號(hào)處理單元53包括用于驅(qū)動(dòng)圖像形成光學(xué)系統(tǒng)52的驅(qū)動(dòng)電路、被配置為使在固態(tài)成像器件處進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的信號(hào)經(jīng)過(guò)圖像處理的信號(hào)處理電路等等。而且,在信號(hào)處理單元處理過(guò)的圖像信號(hào)能夠由圖像存儲(chǔ)單元(未顯示)存儲(chǔ)。對(duì)于這樣的成像裝置50,上述實(shí)施例的固態(tài)成像器件1和固態(tài)成像器件2可用于上述固態(tài)成像器件。對(duì)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的成像裝置50,使用根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的固態(tài)成像裝置1或固態(tài)成像裝置2,從而通過(guò)上述描述,充分保證了每個(gè)像素的光電轉(zhuǎn)換單元的面積。于是,提供了實(shí)現(xiàn)例如高靈敏度的像素特性的優(yōu)點(diǎn)。注意,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的成像裝置50不限于上述配置,其可被應(yīng)用于任意配1置,只要成像裝置使用固態(tài)成像器件即可。固態(tài)成像器件1和2可以被形成為一個(gè)芯片,或者可為具有成像功能的模塊,其中信號(hào)處理單元或光學(xué)系統(tǒng)與成像單元被整體封裝。而且,本發(fā)明的實(shí)施例不僅可被應(yīng)用于固態(tài)成像器件,而且還能夠被應(yīng)用于成像裝置。在該情況中,作為成像裝置,可獲得實(shí)現(xiàn)高圖像質(zhì)量的效果。這里,成像裝置意味著相機(jī)或具有成像功能的便攜式設(shè)備。而且,"成像"不僅包括在普通相機(jī)攝影時(shí)拍攝圖像,還包括廣義上定義的指紋檢測(cè)。相應(yīng)地,附圖標(biāo)號(hào)1表述固態(tài)成像器件,11表示像素,12表示光電轉(zhuǎn)換單元,13表示電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元,14表示像素對(duì),15表示信號(hào)控制線,16表示共享塊,并且,21表示晶體管群。第三實(shí)施例下面將參照本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖8是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的成像裝置的主要單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的框圖。成像裝置2001包括像素電路2010像素陣列單元2011、水平掃描電路(HSCN)2012、放大器2121、垂直掃描電路(VSCN)2013、信號(hào)處理電路2014、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D)2015、定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016、定時(shí)發(fā)生器(TG)2017、以及透鏡2018。對(duì)于像素陣列單元2011,例如,像素電路2010以預(yù)定陣列模式排列成矩陣形狀。而且,對(duì)于像素陣列單元2011,垂直掃描電路2013和像素陣列的每行都與復(fù)位線RSTL,傳輸選擇線TRFL和選擇線SELL相連接,并且,像素陣列的每行都與垂直信號(hào)線VSGNL排成陣列。水平掃描電路2012中包括與每個(gè)垂直信號(hào)線VSGNL相連的放大器2121。注意,取決于成像裝置的結(jié)構(gòu),可使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015代替放大器2121。信號(hào)處理電路2014被配置為調(diào)整從水平掃描電路2012輸入的信號(hào)的信號(hào)電平,并將該信號(hào)輸出到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015。模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015被配置為將從信號(hào)處理電路2014輸入的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),并將該數(shù)字信號(hào)輸出到定時(shí)調(diào)節(jié)電路2016。定時(shí)調(diào)節(jié)電路2016被配置為將從模數(shù)轉(zhuǎn)換電路2015輸入的數(shù)字信號(hào)按照預(yù)定程序延遲預(yù)定時(shí)間,并輸出該數(shù)字信號(hào)。下面的描述是有關(guān)定時(shí)調(diào)節(jié)裝置2016的操作。定時(shí)發(fā)生器2017被配置為產(chǎn)生預(yù)定時(shí)鐘,并控制水平掃描電路2012、垂直掃描電路2013和定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016的驅(qū)動(dòng)定時(shí)。而且,本成像裝置包括光學(xué)系統(tǒng)透鏡2018,并且,將光信號(hào)輸入到像素陣列單元2011的像素電路2010。下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的單元像素電路的結(jié)構(gòu)示例。圖9A和圖9B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的單元像素電路的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的圖,其說(shuō)明了COMS成像裝置的一個(gè)示例。圖9A是根據(jù)第三實(shí)施例的單元像素電路的示意圖。如圖9A所示的單元像素電路2002a包括光電二極管PD2021a、傳輸門(mén)TRFG2022a、傳輸門(mén)電極2023、復(fù)位門(mén)RSTG2024a、復(fù)位門(mén)電極2025、電源電極2026a、放大門(mén)2027a、選擇門(mén)SELG2028a、選擇門(mén)電極2029、放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a、以及放大晶體管的源電極2211a。光電二極管PD2021a被配置為將入射光光電轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于其光量的電荷量的信13號(hào)電荷(例如,電子)。傳輸門(mén)TRFG2022a包括傳輸門(mén)電極2023。在施加預(yù)定電壓到傳輸門(mén)電極2023的情況下,傳輸門(mén)2022a的電位降低,傳輸門(mén)2022a從關(guān)閉狀態(tài)切換為打開(kāi)狀態(tài),并且,傳輸門(mén)2022a將存儲(chǔ)在光電二極管PD2021a中的信號(hào)電荷傳輸?shù)轿丛趫D9A中顯示的浮動(dòng)擴(kuò)散FD層。在不施加預(yù)定電壓到傳輸電極2023的情況下,傳輸門(mén)2022a保持在關(guān)閉狀態(tài),并且,信號(hào)電荷被存儲(chǔ)在光電二極管PD2021a中。復(fù)位門(mén)RSTG2024a包括復(fù)位門(mén)電極2025。在施加預(yù)定電壓到復(fù)位門(mén)RSTG2024a的情況下,復(fù)位門(mén)RSTG2024a的電位降低,復(fù)位門(mén)RSTG2024a從關(guān)閉狀態(tài)切換到打開(kāi)狀態(tài)。隨后,存儲(chǔ)在圖9A未顯示的浮動(dòng)擴(kuò)散FD層中的信號(hào)電荷被釋放。在不施加預(yù)定電壓到復(fù)位門(mén)RSTG2024a的情況下,復(fù)位門(mén)RSTG2024a保持在關(guān)閉狀態(tài),并且,信號(hào)電荷被傳輸?shù)椒糯箝T(mén)AMPG2027a。施加了預(yù)定電源電壓VDD的電源電極2026a被配置為控制是否打開(kāi)復(fù)位門(mén)RSTG2024a和選擇門(mén)2028a的門(mén)。放大門(mén)2027a在圖9A未顯示的浮動(dòng)擴(kuò)散FD層中存儲(chǔ)信號(hào)電荷。在選擇門(mén)2028a由施加到選擇門(mén)2028a的預(yù)定電壓打開(kāi)的情況下,浮動(dòng)擴(kuò)散FD層的電壓被放大,并且,存儲(chǔ)在浮動(dòng)擴(kuò)散FD層中的信號(hào)電荷被輸出到用作輸出晶體管的放大晶體管的源電極2211a。選擇門(mén)2028a包括選擇門(mén)電極2029。在施加預(yù)定電壓到選擇門(mén)2028a的情況下,選擇門(mén)2028a的電位降低,選擇門(mén)2028a從關(guān)閉狀態(tài)切換到打開(kāi)狀態(tài),并且,選擇門(mén)2028a經(jīng)放大門(mén)2027a將其電位被放大的信號(hào)電荷傳輸?shù)叫盘?hào)線VSGNL。在不施加預(yù)定電壓到選擇門(mén)2028a的情況下,選擇門(mén)2028a保持在關(guān)閉狀態(tài),并且,信號(hào)電荷保持在浮動(dòng)擴(kuò)散FD層中的存儲(chǔ)狀態(tài)。圖9B是圖9A所示的單元像素電路2002a的等效電路圖。如圖9B所示的單元像素電路2002b包括光電二極管PD2021b、傳輸晶體管TTR2022b、復(fù)位晶體管RTR2024b、電位線VDDL、放大晶體管ATR2027b、選擇晶體管STR2028b、信號(hào)輸出端子2211b和節(jié)點(diǎn)ND2212。對(duì)于光電二極管2021b,陽(yáng)極接地,而陰極連接到傳輸晶體管TTR2022b的源極。對(duì)于傳輸晶體管TTR2022b,源極連接到光電二極管2021b的陰極,漏極連接到節(jié)點(diǎn)ND2212,而柵極連接到傳輸選擇線TRFL。對(duì)于復(fù)位晶體管RTR2024b,源極連接到節(jié)點(diǎn)ND2212,漏極連接到預(yù)定電位線VDDL,而柵極連接到復(fù)位線RSTL。注意,節(jié)點(diǎn)ND2212等效于浮動(dòng)擴(kuò)散FD層。對(duì)于作為輸出晶體管的放大晶體管ATR2027b,漏極連接到預(yù)定電位線VDDL,源極到連接選擇晶體管STR2028b的漏極,而柵極連接到節(jié)點(diǎn)ND2212。信號(hào)輸出端子2211b連接到輸出側(cè)擴(kuò)散層的放大晶體管ATR2027b的源極。對(duì)于選擇晶體管STR2028b,漏極連接到放大晶體管ATR2027b的源極,源極連接到信號(hào)輸出端子2211b,而柵極連接到選擇線SELL。光電二極管PD2021b通過(guò)光電轉(zhuǎn)換,根據(jù)入射光的光量而產(chǎn)生信號(hào)電荷,并將其存儲(chǔ)。對(duì)于傳輸晶體管TTR2022b,當(dāng)高電平電壓施加到傳輸選擇線TRFL時(shí),開(kāi)關(guān)導(dǎo)通(導(dǎo)電狀態(tài)),并且,信號(hào)傳輸?shù)焦?jié)點(diǎn)ND2212。對(duì)于復(fù)位晶體管RTR2024b,當(dāng)高電平電壓施加到復(fù)位線RSTL時(shí),開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,并且,節(jié)點(diǎn)ND2212的電位被復(fù)位到電源電壓VDD。對(duì)于放大晶體管ATR2027b,當(dāng)節(jié)點(diǎn)ND2212的電位切換到高電平時(shí),開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,節(jié)點(diǎn)ND2212的電位被放大,并且,信號(hào)被傳播到垂直信號(hào)線VSGNL。對(duì)于選擇晶體管STR2028b,當(dāng)高電平電壓施加到選擇信號(hào)SELL時(shí),開(kāi)關(guān)導(dǎo)通,并且,將信號(hào)經(jīng)信號(hào)輸出端子2211b傳輸?shù)酱怪毙盘?hào)線VSGNL。而且,由垂直掃描電路2013選擇性地驅(qū)動(dòng)被布線到像素陣列的每行的傳輸選擇線TRFL、選擇線SELL和復(fù)位線RSTL,并且,垂直信號(hào)線VSGNL選擇性地將從像素讀出的信號(hào)傳輸?shù)剿綊呙桦娐?012。對(duì)于水平掃描電路2012和垂直掃描電路2013,由定時(shí)發(fā)生器2017控制驅(qū)動(dòng)定時(shí)。下面的描述是有關(guān)根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的像素電路的布局示例。圖IOA和10B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的像素電路的一個(gè)布局示例的圖。圖10A所示的像素組GRP2001是這樣的一個(gè)示例,其中,圖9A所示的兩個(gè)像素電路2002a共享放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a、且所述兩個(gè)像素電路2002a與源擴(kuò)散層2210a相互相反地放置。圖10B是圖10A所示的像素組GRP2001的等效電路圖。圖IOA所示的像素組GRP2001是這樣的一個(gè)示例,其中,圖9B所示的兩個(gè)等效電路2002b共享信號(hào)輸出端2211b,且與信號(hào)輸出端2211b相互相反地放置。圖11是圖IOA所示的像素組GRP2001沿垂直信號(hào)線VSGNL排列成矩陣形狀的圖。對(duì)于像素組GRP2001,每個(gè)傳輸門(mén)電極2023連接到傳輸選擇線TRFL,每個(gè)復(fù)位門(mén)電極2025連接到復(fù)位線RSTL,每個(gè)電源電極2026a連接到電位線VDDL,每個(gè)選擇門(mén)電極2029連接到選擇線SELL,并且,放大晶體管的源電極2211和垂直信號(hào)線VSGNL都連接到信號(hào)線2031。下面將參照?qǐng)D11描述以下過(guò)程對(duì)于第三實(shí)施例,在光電二極管PD2021a處產(chǎn)生的信號(hào)電荷被轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),并且,電壓信號(hào)被輸出到垂直信號(hào)線VSGNL。圖12是說(shuō)明根據(jù)第三實(shí)施例的成像裝置1操作的時(shí)序圖。從圖12中可以看出,(a)圖解了被配置為控制選擇晶體管STR2028b的選擇信號(hào)SEL的定時(shí),(b)在圖12中,圖解了被配置為控制復(fù)位晶體管RTR2024b的定時(shí),以及(c)在圖12中,圖解了用于控制傳輸晶體管TTR2022b的控制信號(hào)TRF的定時(shí)。注意,圖12僅說(shuō)明了像素組GRP2001中的復(fù)位晶體管RTR2024b、傳輸晶體管TTR2022b和選擇晶體管STR2028b的時(shí)序圖。在時(shí)間點(diǎn)tl處,成像裝置的快門(mén)打開(kāi),穿過(guò)成像裝置的透鏡形成圖像的入射光進(jìn)入光電二極管PD2021b。此時(shí),傳輸晶體管TTR2022b、復(fù)位晶體管RTR2024b和選擇晶體管STR2028b處于關(guān)斷(OFF)狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)tl到時(shí)間點(diǎn)t2處,由于光電效應(yīng)而在光電二極管PD2021b處產(chǎn)生信號(hào)電荷,并且,該信號(hào)電荷被存儲(chǔ)在光電二極管PD2021b中,直到復(fù)位晶體管RTR2024b被導(dǎo)通時(shí)的時(shí)間點(diǎn)t2。從時(shí)間點(diǎn)tl到時(shí)間點(diǎn)t2的周期是信號(hào)電荷的存儲(chǔ)時(shí)間。在時(shí)間點(diǎn)t2處,高電平選擇信號(hào)SEL從垂直掃描電路2013傳播到選擇信號(hào)線SELL,由此導(dǎo)通選擇晶體管STR2028b。在時(shí)間點(diǎn)t2到時(shí)間點(diǎn)t10,選擇晶體管STR2028b保持在導(dǎo)通(ON)狀態(tài)。而且,在時(shí)間點(diǎn)t2處,節(jié)點(diǎn)ND2212被復(fù)位。具體而言,高電平復(fù)位信號(hào)RST從垂直掃描電路2013傳播到復(fù)位線RSTL,從而導(dǎo)通復(fù)位晶體管RTR2024b,并且,節(jié)點(diǎn)ND2212的電壓被復(fù)位到電源電位VDD。在時(shí)間點(diǎn)t3處,低電平復(fù)位信號(hào)RST從垂直掃描電路2013傳播到復(fù)位線RSTL,從而關(guān)斷復(fù)位晶體管RTR2024b,并完成節(jié)點(diǎn)ND2212的復(fù)位。在時(shí)間點(diǎn)t4到時(shí)間點(diǎn)t5,節(jié)點(diǎn)ND2121的電位被讀出作為參考信號(hào)SGLB。不妨假定,將該電位的讀出周期取為Read2001。在時(shí)間點(diǎn)t6處,高電平傳輸信號(hào)TRF從垂直信號(hào)線2013傳播到傳輸選擇線TRFL,從而導(dǎo)通傳輸晶體管TTR2022b,存儲(chǔ)在光電二極管PD2021b中的信號(hào)電荷被傳輸?shù)焦?jié)點(diǎn)ND2212。而且,在時(shí)間點(diǎn)t6到時(shí)間點(diǎn)t7處,傳輸晶體管TTR2022b保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)t7處,低電平傳輸信號(hào)TRF從垂直掃描電路2013傳播到傳輸掃描線TRFL,從而關(guān)斷傳輸晶體管TTR2022b。在時(shí)間點(diǎn)t8到時(shí)間點(diǎn)t9處,由于從節(jié)點(diǎn)ND2212傳輸?shù)男盘?hào)電荷,節(jié)點(diǎn)ND2212的電壓和在讀出周期Read2001期間讀出的參考信號(hào)SGLB的電壓之間差作為信號(hào)被讀出。不妨假定,將該信號(hào)讀出周期取為Read2002。而且,在讀出該信號(hào)時(shí),放大晶體管ATR2027b導(dǎo)通,節(jié)點(diǎn)ND2212的電壓被放大,并經(jīng)信號(hào)輸出端2211b而被輸出到垂直信號(hào)線VSGNL。在時(shí)間點(diǎn)t10處,低電平選擇信號(hào)SEL從垂直掃描電路2013傳輸?shù)竭x擇信號(hào)線SELL,從而關(guān)斷選擇晶體管STR2028b,并完成對(duì)水平掃描電路2012的信號(hào)輸出。在時(shí)間點(diǎn)tll處,在成像裝置2001的快門(mén)打開(kāi)之前,高電平復(fù)位信號(hào)RST從垂直掃描電路2013傳播到復(fù)位線RSTL,從而導(dǎo)通復(fù)位晶體管RTR2024b,并且,節(jié)點(diǎn)ND2212的電位被復(fù)位到電源電位VDD。而且,與此同時(shí),高電平傳輸信號(hào)TRF從垂直掃描電路2044傳播到傳輸選擇線TRFL,從而導(dǎo)通傳輸晶體管2052。下文中,對(duì)于本實(shí)施例,信號(hào)讀出周期基于信號(hào)讀出周期Read2002。但是,注意,對(duì)于本實(shí)施例,共享被限制為在不被同時(shí)訪問(wèn)的像素電路2002a之間的共享。根據(jù)第三實(shí)施例,兩個(gè)像素電路2002a共享放大晶體管的源擴(kuò)散層電極2210a,因此,兩個(gè)像素電路2002a被相互相反地設(shè)置(參見(jiàn)圖10A)。與第一實(shí)施例中的不共享放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a的情形相比,放大晶體管的源擴(kuò)散層的面積可減小到一半。而且,從垂直信號(hào)線VSGNL看去的連同像素組GRP2001的最大負(fù)載是放大晶體管2027b的擴(kuò)散層電容。對(duì)于根據(jù)第一實(shí)施例的像素組GRP2001的布局示例,兩個(gè)像素電路2002a共享放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a,并且,放大晶體管的源電極2211a和垂直信號(hào)線VSGNL與同一信號(hào)線2031連接。于是,兩個(gè)像素電路2002a共享同一垂直信號(hào)線VSGNL,因而,可以減少在信號(hào)讀出時(shí)的垂直信號(hào)線VSGNL的負(fù)載。但是,注意,放大晶體管的源擴(kuò)散層電極2210a在兩個(gè)像素電路2002a之間被共享,所以,共享被限制為在不被同時(shí)訪問(wèn)的像素電路2002a之間的共享。如上所述,根據(jù)第三實(shí)施例,減小了對(duì)連接到每個(gè)像素電路的垂直信號(hào)線的負(fù)載。下面,將描述作為第四實(shí)施例的像素電路的第二布局示例。第四實(shí)施例下面的描述是關(guān)于根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素電路的布局示例。圖13A和圖13B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素電路的一個(gè)布局示例的示意圖。圖13A所示的像素組GRP2002是下述一個(gè)示例,其中,圖9A所示的兩個(gè)像素電路共享放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a,且兩個(gè)像素電路2002a被布置在放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a的對(duì)角線方向上。圖13B是圖13A所示的像素組GRP2002的等效電路圖。圖13B所示的像素組GRP2002是下述一個(gè)示例,其中圖13B所示的兩個(gè)單位等效電路2002b共享信號(hào)輸出端2211b,并被布置在信號(hào)輸出端2211b的對(duì)角線方向上。圖14是其中圖13A所示的像素組GRP2002沿垂直信號(hào)線VSGNL排列成矩陣形狀的示意圖。對(duì)于像素組GRP2002,每個(gè)傳輸門(mén)電極2023都連接到傳輸選擇線TRFL,每個(gè)復(fù)位門(mén)電極2025都連接復(fù)位線RSTL,每個(gè)電源電極2026a都連接到電位線VDDL,并且,每個(gè)選擇門(mén)電極2029都連接到選擇線SELL。像素組GRP2002的放大晶體管的源電極221la通過(guò)在每行移位而與垂直信號(hào)線VSGNL相連接,如圖14所示。在圖14中,如果在設(shè)置放大晶體管的源電極2211a的位置對(duì)行計(jì)數(shù),則第j行的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),第(j+l)行的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)或垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),而第(j+2)行的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l)。箭頭2071表示從放大晶體管的源電極221la到垂直信號(hào)線VSGNL(i)到VSGNL(i+2)的信號(hào)讀出方向。關(guān)于圖14,略去關(guān)于傳輸選擇線TRFL、復(fù)位線RSTL、電位線VDDL和選擇線SELL的描述。對(duì)于根據(jù)第四實(shí)施例的像素組GRP2002,將在光電二極管PD2021a處產(chǎn)生的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)、并將該電壓信號(hào)輸出到垂直信號(hào)電壓VSGNL的過(guò)程與第三實(shí)施例中的該過(guò)程相同,因而略去其描述。但是,應(yīng)當(dāng)注意,上述過(guò)程被限制為在不被同時(shí)訪問(wèn)的像素電路2002a之間共享。附帶地,對(duì)于根據(jù)第四實(shí)施例的像素組GRP2002的布局,放大晶體管的源電極2211a根據(jù)像素陣列單元的奇數(shù)行或偶數(shù)行而連接到不同的垂直信號(hào)線VSGNL。因此,在讀出信號(hào)時(shí),輸出信號(hào)輸出到每個(gè)像素組GRP2002的不同垂直信號(hào)線VSGNL。具體而言,從第j行的信號(hào)組GRP2002輸出的信號(hào)輸出到垂直信號(hào)線(i+l),從第(j+l)行的信號(hào)組GRP2002輸出的信號(hào)輸出到垂直信號(hào)線(i)和垂直信號(hào)線(i+l),從第(j+2)行的信號(hào)組GRP2002輸出的信號(hào)輸出到垂直信號(hào)線(i+l)。因而,例如,垂直信號(hào)線(i+l)由水平掃描電路2012選擇(此時(shí)的時(shí)間設(shè)為時(shí)間點(diǎn)t),在連接到垂直信號(hào)線(i+l)的像素組GRP2002的信號(hào)讀出時(shí)間處,僅讀出來(lái)自第j行和第(j+2)行的信號(hào)組GRP2002的信號(hào),而不讀出來(lái)自第(j+l)行的信號(hào)組GRP2002的信號(hào)。例如,從第(j+l)行的像素組GRP2002讀出信號(hào)的時(shí)間是水平掃描電路2012選擇垂直信號(hào)線VSGNL(i)和垂直信號(hào)線(i+2)的時(shí)間,即,在時(shí)間點(diǎn)t之前或之后At的時(shí)間。此時(shí),可以從第(j+l)行的像素組GRP2002讀出信號(hào)。因而,從像素組GRP2002到垂直信號(hào)線VSGNL的信號(hào)讀出僅移動(dòng)了時(shí)間At,時(shí)間At等價(jià)于其中選擇垂直信號(hào)線VSGNL的一個(gè)列值(col咖nworth)。17如上所述,對(duì)于根據(jù)第四實(shí)施例的成像裝置2001,需要調(diào)節(jié)要讀出數(shù)據(jù)的時(shí)滯。下面,將參照?qǐng)D15,通過(guò)列舉一個(gè)結(jié)構(gòu)示例,來(lái)描述用于在讀出輸出信號(hào)時(shí)調(diào)節(jié)輸出信號(hào)時(shí)滯的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016。圖15是描述根據(jù)第四實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例及其操作的示意圖。像素陣列單元2011經(jīng)垂直信號(hào)線VSGNL(i)連接到水平掃描電路2012。水平掃描電路2012包括列選擇開(kāi)關(guān)組2081,其輸入側(cè)連接到像素陣列單元2011,且輸出側(cè)連接到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015的輸入側(cè)。而且,水平掃描電路2012由列選擇脈沖控制,通過(guò)斷開(kāi)/閉合列選擇開(kāi)關(guān)組2081來(lái)選擇垂直信號(hào)線VSGNL(i),從像素陣列單元2011讀出信號(hào),并將該信號(hào)輸出到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015。對(duì)于模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015,輸入側(cè)連接到水平掃描電路2012的輸出側(cè),輸出側(cè)經(jīng)節(jié)點(diǎn)ND2085連接到定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016的輸入側(cè)。而且,模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015將從水平掃描電路2012輸入的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),并將其輸出到定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016。對(duì)于定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016,輸入側(cè)經(jīng)節(jié)點(diǎn)ND2085連接到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015的輸出下面將將描述根據(jù)第四實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。例如,定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016包括延遲電路2821到2823、行選擇開(kāi)關(guān)SWO、行選擇開(kāi)關(guān)SWE和信號(hào)線28411到28414。對(duì)于延遲電路2821,輸入側(cè)經(jīng)信號(hào)線28411連接到節(jié)點(diǎn)ND2085,而輸出側(cè)經(jīng)信號(hào)線28412連接到行選擇開(kāi)關(guān)SWO的第一端子。對(duì)于延遲電路2822,輸入側(cè)經(jīng)信號(hào)線28413連接到節(jié)點(diǎn)ND2085,而輸出側(cè)連接到延遲電路2823的輸入側(cè)。對(duì)于延遲電路2823,輸入側(cè)連接到延遲電路2822的輸出側(cè),而輸出側(cè)經(jīng)信號(hào)線28414連接到行選擇開(kāi)關(guān)SWE的第一端子。對(duì)于行選擇開(kāi)關(guān)SW0,第一端子經(jīng)信號(hào)線28412連接延遲電路2821的輸出側(cè),第二端子連接到節(jié)點(diǎn)ND2086。對(duì)于行選擇開(kāi)關(guān)SWE,第一端子經(jīng)信號(hào)線28414連接到延遲電路2823的輸出側(cè),而第二端子連接到節(jié)點(diǎn)ND2086。延遲電路2821到2823由定時(shí)發(fā)生器2017產(chǎn)生的時(shí)鐘CLK控制,并延遲時(shí)間At輸出輸入信號(hào)。延遲電路2822和2823被串聯(lián)連接,于是,直到將信號(hào)輸入到延遲電路2S22、并從延遲電路2823輸出為止,信號(hào)總共被延遲了2At。在信號(hào)從被布置在像素陣列單元2011的奇數(shù)行的信號(hào)電路2002(a)(參見(jiàn)圖13A)輸出情況下,導(dǎo)通行選擇掃描開(kāi)關(guān)SWO(導(dǎo)電狀態(tài))。在信號(hào)從被布置在像素陣列單元2011的偶數(shù)行的信號(hào)電路2002(a)(參見(jiàn)圖13A)輸出情況下,導(dǎo)通行選擇掃描開(kāi)關(guān)SWE(導(dǎo)電狀態(tài))。注意,對(duì)于定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016,延遲電路2821和2822被配置為進(jìn)行如消隱時(shí)間等的時(shí)間調(diào)節(jié),并且,例如,在偶數(shù)行關(guān)于奇數(shù)行延遲時(shí)間At的情況下,作為一個(gè)實(shí)施例,可18僅使用包括延遲電路2823的電路結(jié)構(gòu)。下面,將描述第四實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016的操作。在下面的描述中,如圖14所示,不妨假定,在奇數(shù)行上排列的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),而在偶數(shù)行上排列的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)、或垂直信號(hào)線VSGNL(i+2)。〈步驟ST1〉水平掃描電路2012使用列選擇脈沖選擇第i列的選擇開(kāi)關(guān)SW(i),并且,第i列的垂直信號(hào)線VSGNL(i)改變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)?!床襟EST2〉從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)的第(j+l)行放大晶體管的源電極2211a讀出信號(hào),并將該信號(hào)輸入到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015。〈步驟ST3〉定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016關(guān)斷行選擇開(kāi)關(guān)SW0,并導(dǎo)通行選擇開(kāi)關(guān)SWE?!床襟EST4〉從模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015輸出的信號(hào)輸入到延遲電路2821到2823中的每個(gè)?!床襟EST5〉行選擇開(kāi)關(guān)SWE導(dǎo)通,從而,延遲電路2822和2823將輸入信號(hào)延遲時(shí)間2At,并經(jīng)節(jié)點(diǎn)ND2086輸出該信號(hào)。行選擇開(kāi)關(guān)SWO關(guān)斷,從而,輸入到延遲電路2821的信號(hào)不被輸出到節(jié)點(diǎn)ND2086?!床襟EST6〉水平掃描電路2012用列選擇脈沖選擇第(i+l)列的選擇開(kāi)關(guān)SW(i+l),第(i+l)列的垂直信號(hào)線VSGNL(i+l)變?yōu)閷?dǎo)電狀態(tài)?!床襟EST7〉從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l)的第j行和第(j+2)行放大晶體管的源電極2211a讀出信號(hào),并將該信號(hào)輸入到模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015?!床襟EST8〉定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016關(guān)斷行選擇開(kāi)關(guān)SWE,而導(dǎo)通行選擇開(kāi)關(guān)SWO?!床襟EST9〉從模數(shù)轉(zhuǎn)換器2015輸出的信號(hào)輸入到延遲電路2821到2823中的每個(gè)?!床襟ESTIO〉行選擇開(kāi)關(guān)SWE關(guān)斷,從而,輸入到延遲電路2822和2823的信號(hào)不被輸出到節(jié)點(diǎn)ND2086。行選擇開(kāi)關(guān)SWO導(dǎo)通,從而,延遲電路2821將輸入信號(hào)延遲時(shí)間At,并經(jīng)節(jié)點(diǎn)ND2086輸出信號(hào)?!床襟ESTll〉處理回到步驟ST1,其中,執(zhí)行相同的操作。定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016執(zhí)行步驟ST1到步驟STll的上述操作,從而,甚至在放大晶體管的源電極2211a取決于行連接到奇數(shù)行還是偶數(shù)行、而連接到不同垂直信號(hào)線VSGNL的情況下,也可以校正信號(hào)輸出到垂直信號(hào)線19VSGNL的時(shí)間間隔。如上所述,根據(jù)本實(shí)施例,減少了連接到每個(gè)像素電路的垂直信號(hào)線的負(fù)載。下面,將作為根據(jù)本發(fā)明的第五個(gè)實(shí)施例,描述根據(jù)第四實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016的第四個(gè)結(jié)構(gòu)示例。第五實(shí)施例下面,將參照附圖描述本發(fā)明的第五實(shí)施例。圖16是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的成像裝置的主要單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的框圖。本成像裝置2001a包括像素電路2010、像素陣列單元2011、水平掃描電路(HSCN)2012a、放大器2121、垂直掃描電路(VSCN)2013、信號(hào)處理電路2014、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D)2015、定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a、定時(shí)發(fā)生器TG(2017)和透鏡2018。定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a被布置在水平掃描電路2012a的內(nèi)部,將經(jīng)放大器2121從像素陣列單元2011輸入的模擬信號(hào)按照預(yù)定程序而延遲預(yù)定時(shí)間,并將其輸出到信號(hào)處理電路2014。下面將描述定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016的操作。除了定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a的設(shè)置之外,本成像裝置2001a具有與根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例和第四實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu),因而略去其描述。而且,第五實(shí)施例使用了與根據(jù)第二實(shí)施例的像素組GRP2002的布局(參見(jiàn)圖13和14)相同的配置,所以略去關(guān)于像素組GRP2002的布局及其操作的描述。圖17是描述根據(jù)第五實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例及其操作的示意圖。像素陣列單元2011經(jīng)垂直信號(hào)線VSGNL(i)連接到水平掃描電路2012。水平掃描電路2012a包括列選擇開(kāi)關(guān)組2081,其輸入側(cè)連接到像素陣列單元2011,并且,輸出側(cè)經(jīng)輸出緩沖器2091連接到信號(hào)處理電路2014(參見(jiàn)16)的輸入側(cè)。列選擇開(kāi)關(guān)組2081被布置在像素陣列單元2011的輸出側(cè)和定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a的輸入側(cè)。而且,利用列選擇脈沖而被控制的水平掃描電路2012a通過(guò)斷開(kāi)/閉合列選擇開(kāi)關(guān)組2081來(lái)選擇垂直信號(hào)線VSGNL(i),從像素陣列單元2011讀出信號(hào),并將該信號(hào)輸出到信號(hào)處理電路2014。對(duì)于被布置在水平掃描電路2012a內(nèi)部的定時(shí)調(diào)節(jié)電源2016a,輸入側(cè)與定時(shí)發(fā)生器2017的輸出側(cè)相連接(參見(jiàn)圖16),輸出側(cè)與輸出緩沖器2091的輸入終端相連接。下面將描述根據(jù)第五實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。例如,定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a包括延遲電路2082、延遲電路組2092、行選擇開(kāi)關(guān)SW0、行選擇開(kāi)關(guān)SWE、開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i)和信號(hào)線2041。對(duì)于行選擇開(kāi)關(guān)SWO,第一端子連接到節(jié)點(diǎn)ND2931,而第二端子經(jīng)信號(hào)線2941連接到節(jié)點(diǎn)ND2932。對(duì)于行選擇開(kāi)關(guān)SWE,第一端子連接到節(jié)點(diǎn)ND2931,而第二端子連接到延遲電路2082的輸入側(cè)。對(duì)于延遲電路2082,輸入側(cè)連接到行選擇開(kāi)關(guān)SWE的第二端子,而輸出側(cè)連接到節(jié)點(diǎn)ND2932。延遲電路組2092包括多個(gè)延遲電路2921,并連接在節(jié)點(diǎn)ND2932和節(jié)點(diǎn)ND2093(i)之間。注意,延遲電路組2092執(zhí)行如消隱時(shí)間等的時(shí)間調(diào)節(jié),于是,由任意數(shù)量的延遲電路2921組成。延遲電路2922被布置在節(jié)點(diǎn)ND2093(i)和節(jié)點(diǎn)ND2093(i+l)之間。注意,延遲電路2922執(zhí)行如消隱時(shí)間等的時(shí)間調(diào)節(jié)。開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i)連接在列選擇開(kāi)關(guān)SW(i)和節(jié)點(diǎn)ND2093(i)之間。延遲電路2082將輸入信號(hào)延遲時(shí)間At,并將其輸出。延遲電路2921將輸入信號(hào)延遲時(shí)間Atl,并將其輸出。延遲電路2922將輸入信號(hào)延遲時(shí)間At2,并將其輸出。延遲電路組2092將輸入信號(hào)延遲時(shí)間Atln,并將其輸出。在輸入奇數(shù)列選擇脈沖的情形中,導(dǎo)通其斷開(kāi)/閉合操作由定時(shí)發(fā)生器2017(參見(jiàn)圖16)控制的行選擇開(kāi)關(guān)SWO。在輸入偶數(shù)列選擇脈沖的情形中,導(dǎo)通其斷開(kāi)/閉合操作由定時(shí)發(fā)生器2017(參見(jiàn)圖16)控制的行選擇開(kāi)關(guān)SWE。下面將描述根據(jù)第五實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a的操作。在下面的描述中,不妨假定,排列在奇數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),排列在偶數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)或垂直信號(hào)線VSGNL(i+2)。首先,從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)的放大晶體管的源電極2211a讀出信號(hào)?!床襟EST12>被布置在偶數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i),于是,行掃描開(kāi)關(guān)SWE導(dǎo)通,行掃描開(kāi)關(guān)SWO斷開(kāi)。選擇第i列的列選擇脈沖輸入到時(shí)間調(diào)節(jié)單元2016a?!床襟EST13>行選擇開(kāi)關(guān)SWE導(dǎo)通,所以列脈沖經(jīng)延遲電路2082輸入到延遲電路組2092,經(jīng)過(guò)時(shí)間At+Atln的延遲,然后輸出到節(jié)點(diǎn)ND2093(i)?!床襟EST14>列選擇脈沖被傳播到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i),且列選擇開(kāi)關(guān)SW(i)導(dǎo)通。在此情況下,從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)的偶數(shù)行放大晶體管的源電極2211a讀出信號(hào),并將讀出的信號(hào)輸出到輸出緩沖器2091。之后,從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l)的放大晶體管的源電極2211a讀出?!床襟EST15>被布置在奇數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),于是,行選擇開(kāi)關(guān)SWE關(guān)斷,而行選擇開(kāi)關(guān)SWO導(dǎo)通。選擇第(i+l)列的列選擇脈沖被輸入到定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a?!床襟EST16>行選擇開(kāi)關(guān)SWE導(dǎo)通,于是,將選擇脈沖列經(jīng)節(jié)點(diǎn)ND2932輸入到延遲電路組2092,經(jīng)過(guò)時(shí)間Atln的延遲,然后輸出到節(jié)點(diǎn)ND2093(i)?!床襟EST17>列選擇脈沖在延遲電路2922處延遲了時(shí)間At2,被傳播到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i+l),并導(dǎo)通列選擇開(kāi)關(guān)SW(i+l)。在此情況下,信號(hào)從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l)的奇數(shù)行放大晶體管的源電極2211a讀出,并且,讀出的信號(hào)輸出到輸出緩沖器2091。21定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a執(zhí)行上述步驟ST12到步驟ST17的操作,從而甚至在放大晶體管的源電極2211a根據(jù)連接奇數(shù)行還是偶數(shù)行而連接到不同垂直信號(hào)線VSGNL的情況下,也校正其中信號(hào)輸出到垂直信號(hào)線VSGNL的時(shí)間間隔。如上所述,根據(jù)本實(shí)施例,可以減小連接到每個(gè)像素電路的垂直信號(hào)線的負(fù)載。下面作為根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例,描述根據(jù)第四實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016b的第三結(jié)構(gòu)示例。第六實(shí)施例將參照附圖描述本發(fā)明的第六實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的成像裝置2001a的主要單元與第五實(shí)施例中的相同,所以略去其描述。而且,對(duì)于第六實(shí)施例,像素組GRP2002具有與根據(jù)第四實(shí)施例的布局(參見(jiàn)圖13和14)相同的配置,所以略去關(guān)于像素組2002的操作和布局方法的描述。圖18是描述根據(jù)第六實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例及其操作的示意圖。除了定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016b夕卜,第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與第五實(shí)施例中的相同,所以略去其描述。下面將描述根據(jù)第六實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016b的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。例如,定時(shí)調(diào)節(jié)裝置2016b包括延遲電路2821、行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i)、延遲電路2822和開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i)。延遲電路2822包括多個(gè)延遲電路2821,并被串聯(lián)連接在節(jié)點(diǎn)ND2111和節(jié)點(diǎn)ND2011(i)之間。注意,延遲電路2822執(zhí)行如消隱等的時(shí)間調(diào)節(jié),于是,其由任意數(shù)量的延遲電路2821組成。延遲電路2082(i)連接在節(jié)點(diǎn)ND(i)和節(jié)點(diǎn)ND(i+l)之間。行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i)連接到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i),并改變到節(jié)點(diǎn)ND(i)側(cè)或節(jié)點(diǎn)ND(i+l)偵U。開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i)連接到列選擇開(kāi)關(guān)SW(i)和行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i)。延遲電路2821將輸入信號(hào)延遲時(shí)間At,并將其輸出。延遲電路2822將輸入信號(hào)延遲時(shí)間Atln,并將其輸出。在信號(hào)被延遲時(shí)間At的情況下,由定時(shí)發(fā)生器2017(見(jiàn)圖16)控制其斷開(kāi)/閉合操作的行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i)改變到節(jié)點(diǎn)NDb偵U,而在信號(hào)不延遲時(shí)間△t的情況下改變到節(jié)點(diǎn)NDa側(cè)。下面,將描述根據(jù)第六實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a的操作。在下面的描述中,不妨假定,排列在奇數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),排列在偶數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到直信號(hào)線VSGNL(i)或垂直信號(hào)線VSGNL(i+2)。首先,從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)的放大晶體管的源電極2211a讀出信號(hào)?!床襟EST18>被布置在偶數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i),于是,行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i)改變到節(jié)點(diǎn)NDa側(cè)。選擇第i列的列選擇脈沖被輸入到定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016b?!床襟EST19>行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i)連接到點(diǎn)NDa側(cè),于是,列選擇脈沖經(jīng)節(jié)點(diǎn)ND2111輸入到延遲電路2822,經(jīng)過(guò)時(shí)間Atln的延遲,然后輸出到節(jié)點(diǎn)ND2011(i)?!床襟EST20>列選擇脈沖傳播到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i),并且,列選擇開(kāi)關(guān)SW(i)導(dǎo)通。在此情況下,從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)的偶數(shù)行放大晶體管的源電極2211a讀出信號(hào),且讀出的信號(hào)被輸出到輸出緩沖器2091。之后,從連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l)的放大晶體管的源電極2211a讀出信號(hào)?!床襟EST21>被布置在奇數(shù)行上的放大晶體管的源電極2211a連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),于是,行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i)改變到節(jié)點(diǎn)NDb側(cè),并且,行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i+l)改變到節(jié)點(diǎn)NDc側(cè)。選擇第(i+l)列的列選擇脈沖輸入到定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016b?!床襟EST22>行選擇開(kāi)關(guān)SWR(i)連接到節(jié)點(diǎn)NDb偵U,于是,列選擇脈沖輸入到延遲電路2082(i),經(jīng)過(guò)時(shí)間At的延遲,然后被輸出到節(jié)點(diǎn)ND2011(i+l)?!床襟EST23>列選擇脈沖傳播到開(kāi)關(guān)控制信號(hào)線SWL(i+l),且列選擇開(kāi)關(guān)SW(i+l)導(dǎo)通。此時(shí),從連接垂到直信號(hào)線VSGNL(i+l)的奇數(shù)行的放大晶體管的源電極2211a讀出信號(hào),并將讀出的信號(hào)輸出到輸出緩沖器2091。定時(shí)調(diào)節(jié)電源2016b執(zhí)行上述步驟ST18到步驟ST23的操作,從而,甚至在放大晶體管的源電極221la根據(jù)其連接到奇數(shù)行還是偶數(shù)行而連接到不同的垂直信號(hào)線VSGNL的情況下,也校正其中信號(hào)輸出到垂直信號(hào)線VSGNL的時(shí)間間隔。如上所述,根據(jù)本實(shí)施例,可以減小連接到每個(gè)像素電路的垂直信號(hào)線的負(fù)載。而且,甚至在其中一個(gè)放大晶體管由多個(gè)光學(xué)元件或像素電路等共享、且放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a由多個(gè)像素塊共享的配置的情況下,也可減小垂直信號(hào)線VSGNL的負(fù)載。下面將描述與此有關(guān)的根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例。第七實(shí)施例下面參照附圖描述本發(fā)明的第七實(shí)施例。圖19是說(shuō)明根據(jù)第七實(shí)施例的像素塊的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的示意圖。圖19作為一個(gè)例子說(shuō)明了CMOS成像裝置。圖19所示的像素塊2120包括包含光電二極管PD2021b和傳輸晶體管TTR2022b的光電二極管單元21201到21204、復(fù)位晶體管RTR2024b、選擇晶體管STR2028b、放大晶體管ATR2027b和信號(hào)輸出端2211b。光電二極管單元21201到21204各自連接到節(jié)點(diǎn)ND2212。對(duì)于放大晶體管2027b,漏極連接到選擇晶體管2028b的源極,源極連接到電位線VDDL,而柵極連接到節(jié)點(diǎn)ND2212。對(duì)于選擇晶體管2028b,漏極連接到電位線VDDL,源極連接到放大晶體管2027b的漏極,而柵極連接到選擇線SELL。信號(hào)輸出端2211b連接到放大晶體管2027b的源極和垂直信號(hào)線VSGNL。對(duì)于本發(fā)明的第七實(shí)施例,光電二極管單元21201到21204連接到節(jié)點(diǎn)ND2212。注意,根據(jù)第七實(shí)施例的像素塊2120的操作與圖9A所示的像素電路2002a的等效電路232002b相同,所以略去其描述。下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的像素塊2120的布局示例。圖20A和圖20B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的像素電路的布局示例的示意圖。圖20A所示的像素塊組GRPa下述一個(gè)示例,其中圖19所示的兩個(gè)像素塊2120共享信號(hào)輸出端2211b,且將兩個(gè)像素塊2120關(guān)于信號(hào)輸出端2211b相反地布置。圖20B是其中圖20A所示的像素塊組GRPa沿垂直信號(hào)線VSGNL排列成矩陣形狀的布局。每個(gè)傳輸晶體管TRT2022b的柵極連接到傳輸選擇線TRFL,每個(gè)復(fù)位晶體管RTR2024b的柵極連接到復(fù)位線RSTL,每個(gè)復(fù)位晶體管RTR2024b的漏極和選擇晶體管STR2028b的漏極連接到電位線VDDL,每個(gè)選擇晶體管STR2028b的柵極連接到選擇線SELL,并且,信號(hào)輸出端221lb和垂直信號(hào)線VSGNL連接到信號(hào)線2031。關(guān)于圖20A和圖20B,略去傳輸選擇線TRFL、復(fù)位線RSTL、電位線VDDL和選擇線SELL的描述。同樣,以與根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例相同的方式,關(guān)于根據(jù)第七實(shí)施例的像素塊組GRPa的布局,單個(gè)放大晶體管的源擴(kuò)散層2120a可以由多個(gè)像素塊共享,并可以獲得相同的優(yōu)點(diǎn)。其詳細(xì)描述與第三實(shí)施例的相同,因而將被省略。但是,注意,兩個(gè)像素塊2120共享同一放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a,于是,共享被限制為不被同時(shí)訪問(wèn)的像素塊2120之間的共享。如上所述,根據(jù)本實(shí)施例,可以減小連接到每個(gè)像素塊的垂直信號(hào)線的負(fù)載。下面作為第八實(shí)施例,將描述像素塊2120的第二布局示例。第八實(shí)施例圖21A和圖21B是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例的像素電路的一個(gè)布局示例的示意圖。圖21A所示的像素塊組GRPb是下述一個(gè)示例,其中圖20A所示的兩個(gè)像素塊2120共享信號(hào)輸出端2211b,且兩個(gè)像素塊2120關(guān)于像素輸出端2211b沿對(duì)角線方向而被相對(duì)地設(shè)置。圖21B是其中圖21A所示的像素塊組GRPb沿垂直信號(hào)線VSGNL排列成矩陣形狀的布局。每個(gè)傳輸晶體管TRT2022b的柵極連接到傳輸選擇線TRFL,每個(gè)復(fù)位晶體管RTR2024b的柵極連接到復(fù)位線RSTL,每個(gè)復(fù)位晶體管RTR2024b的漏極和每個(gè)選擇晶體管STR2028b的漏極連接到電位線VDDL,每個(gè)選擇晶體管STR2028b的柵極連接到選擇線SELL,并且,信號(hào)輸出端221lb和垂直信號(hào)線VSGNL連接到信號(hào)線2031。關(guān)于圖21A和圖21B,略去傳輸選擇線TRFL、復(fù)位線RSTL、電位線VDDL和選擇線SELL的描述。信號(hào)輸出端2211b通過(guò)在每行移位而連接到垂直信號(hào)線VSGNL,如圖21B所示。在圖21B中,如果在設(shè)置有信號(hào)輸出端2211b的位置對(duì)行計(jì)數(shù),則第j行的信號(hào)輸出端2211b連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),第(j+l)行的信號(hào)輸出端2211b連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i)或垂直信號(hào)線VSGNL(i+l),并且,第(j+2)行的信號(hào)輸出端2211b連接到垂直信號(hào)線VSGNL(i+l)。箭頭2071表示從信號(hào)輸出端221lb到垂直信號(hào)線VSGNL(i)到VSGNL(i+2)的信號(hào)24讀出方向,其中在光電二極管PD2021b產(chǎn)生的信號(hào)電荷被傳輸?shù)椒糯缶w管ATR2027b。同樣,關(guān)于根據(jù)第八實(shí)施例的像素塊組GRPb的布局,單個(gè)放大晶體管可以與根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例相同的方式由多個(gè)像素塊共享,并可獲得相同的優(yōu)點(diǎn)。但應(yīng)注意,對(duì)于本發(fā)明的第八實(shí)施例,兩個(gè)像素塊2120共享同一垂直信號(hào)線VSGNL,于是,共享被限制為不被同時(shí)訪問(wèn)的兩個(gè)像素塊2120之間的共享。而且,本實(shí)施例使從像素陣列單元2011輸出信號(hào)的時(shí)滯與第四實(shí)施例一樣。因此,對(duì)于本實(shí)施例,設(shè)置定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016。其結(jié)構(gòu)和操作與第四實(shí)施例的相同,將略去定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016的描述。如上所述,根據(jù)本實(shí)施例,可以減小連接到每個(gè)像素塊的垂直信號(hào)線的負(fù)載。第九實(shí)施例本實(shí)施例是通過(guò)用根據(jù)第五實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a代替根據(jù)第八實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016獲得的。于是,對(duì)于本實(shí)施例,能夠獲得與第五實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn),因而可以減小連接到每個(gè)像素塊的垂直信號(hào)線的負(fù)載。第十實(shí)施例本實(shí)施例是通過(guò)用根據(jù)第六實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016a代替根據(jù)第八實(shí)施例的定時(shí)調(diào)節(jié)單元2016獲得的。于是,對(duì)于本實(shí)施例,能夠獲得與第六實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn),因而可以減小連接到每個(gè)像素塊的垂直信號(hào)線的負(fù)載。注意,關(guān)于根據(jù)第七到第十實(shí)施例的像素塊,可以通過(guò)使用任意的電路結(jié)構(gòu)獲得與本發(fā)明這些實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn),只要該結(jié)構(gòu)共享放大晶體管的源擴(kuò)散層2210a即可。而且,對(duì)于像素電路或像素塊的布局方法,例如,甚至在使用蜂窩式像素陣列等的情況下,也可以與獲得本發(fā)明這些實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。如上所述,對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例到第十實(shí)施例,該成像裝置在不被同時(shí)訪問(wèn)的像素電路或像素塊之間共享放大晶體管的源極。因此,利用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,可以減小連接到每個(gè)像素電路或每個(gè)像素塊的垂直信號(hào)線的負(fù)載。而且,能夠獲得高速驅(qū)動(dòng)的成像裝置,從而減少讀出信號(hào)的傳輸時(shí)間,增加操作像素的數(shù)量。并且,可減小組成像素電路的放大晶體管的擴(kuò)散層的電容,從而抑制與成像裝置的板耦合的信號(hào),防止成像裝置的圖像劣化。注意,參考標(biāo)記2002a表示像素電路,2021a和2021b表示光電二極管PD,2022a表示傳輸門(mén)TRFG,2023表示傳輸門(mén)電極,2024a表示復(fù)位門(mén)RSTG,2025表示復(fù)位門(mén)電極,2026a表示電源電極,2027a表示放大柵AMPG,2028a表示選擇門(mén)SELG,2029表示選擇門(mén)電極,2210a表示放大源擴(kuò)散層,2211a和22lib表示信號(hào)輸出端,2022b表示傳輸晶體管TTR,2024b表示復(fù)位晶體管RTR,VDDL表示電位線,VDD表示電源電壓,2027b表示放大晶體管ATR,2028b表示選擇晶體管STR,VSGNL表示垂直信號(hào)線,TRFL表示傳輸選擇線,RSTL表示復(fù)位線,VDDL表示電源電位線,SELL表示選擇線,2120表示像素塊,2011表示像素陣列單元,2012表示水平掃描電路HSCN,2121表示放大器,2013表示垂直掃描電路VSCN,2014表示信號(hào)處理電路,2014表示信號(hào)處理電路,2015表示模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D),2016表示定時(shí)調(diào)節(jié)單元,并且,2017表示定時(shí)發(fā)生器(TG)。圖22是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第十一實(shí)施例的成像裝置的主要單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的框圖。圖22所示的成像裝置3010由以下部分組成像素電路(PIXEL)3011、像素陣列單元(對(duì)應(yīng)上述的成像區(qū)域)3012、水平掃描電路(HSCN)3013、模數(shù)轉(zhuǎn)換器(AD)3131、垂直掃描電路(VSCN)3014、模擬前端單元3015、輸出緩沖器3016和定時(shí)發(fā)生器(TG)3017。對(duì)于像素陣列單元3012,例如,包含光電轉(zhuǎn)換單元的像素電路3011以預(yù)定陣列模式排列成矩陣形狀,垂直掃描電路3014和每行像素陣列分別與復(fù)位線RSTL、傳輸選擇線TRFL和選擇線SELL相連接,并且,垂直信號(hào)線VSGNL被布置在每列像素陣列中。像素陣列單元3012的每個(gè)像素電路3011都由垂直掃描電路3014控制。而且,像素電路3011中包括的光電轉(zhuǎn)換單元(未顯示)將入射光根據(jù)其光量轉(zhuǎn)換為電信號(hào),并將該電信號(hào)經(jīng)垂直信號(hào)線VSGNL輸出到水平掃描電路3013。垂直掃描電路3014通過(guò)復(fù)位線RSTL、傳輸選擇線TRFL和選擇線SELL與像素陣列單元3012的每個(gè)像素電路3011相連接,并還與被布置在垂直掃描電路3014外部的定時(shí)發(fā)生器3017相連接。垂直掃描電路3014分別與來(lái)自定時(shí)發(fā)生器3017的預(yù)定時(shí)鐘同步地將復(fù)位信號(hào)、傳輸信號(hào)和選擇信號(hào)傳播到復(fù)位線RSTL、傳輸選擇線TRFL和選擇線SELL,從而控制像素電路3011。而且,水平掃描電路3013包括連接到每條垂直信號(hào)線VSGNL的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(簡(jiǎn)稱為AD轉(zhuǎn)換器)3131,其通過(guò)水平信號(hào)線HSCNL連接到模擬前端單元3015,并還與定時(shí)發(fā)生器3017連接。水平掃描電路3013與來(lái)自定時(shí)發(fā)生器3017的預(yù)定時(shí)鐘同步地將輸入電信號(hào)在AD轉(zhuǎn)換器3131處轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),并將該數(shù)字信號(hào)經(jīng)水平信號(hào)線HSCNL輸出到模擬前端單元3015。注意,根據(jù)成像裝置的結(jié)構(gòu),可以使用放大器代替AD轉(zhuǎn)換器3131。對(duì)于模擬前端單元3015,輸入側(cè)經(jīng)水平信號(hào)線HSCNL連接到水平掃描電路3013,而輸出側(cè)連接到輸出緩沖器3016。而且,模擬前端單元3015與定時(shí)發(fā)生器3017相連接。模擬前端單元3015與定時(shí)發(fā)生器3017的預(yù)定時(shí)鐘同步地調(diào)節(jié)從水平掃描電路3013輸入的數(shù)字信號(hào)的信號(hào)電平等,以將其輸出到輸出緩沖器3016。注意,可以根據(jù)成像裝置的結(jié)構(gòu),用放大器或模數(shù)轉(zhuǎn)換器等代替模擬前端單元3015。對(duì)于輸出緩沖器3016,分別地,輸入側(cè)連接到模擬前端單元3015,而輸出側(cè)例如連接到信號(hào)處理電路。輸出緩沖器3016將輸入的數(shù)字信號(hào)輸出到該信號(hào)處理電路。注意,定時(shí)發(fā)生器3017產(chǎn)生預(yù)定時(shí)鐘,并控制水平掃描電路3013、垂直掃描電路3014和模擬前端電路3015。下面,將參照電路圖描述根據(jù)第十一實(shí)施例的成像裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例。注意在下面的描述中,示出CMOS成像裝置作為例子。圖23是說(shuō)明根據(jù)第十一實(shí)施例的成像裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)示例的等效電路圖。如圖23所示,根據(jù)第十一實(shí)施例的成像裝置3010的像素陣列單元3012包括共享塊BLK3010,并且,該共享塊BLK3010由以下部件組成光電轉(zhuǎn)換單元(PD)3111;由傳輸晶體管(TTR)3112、復(fù)位晶體管(RTR)3121、放大晶體管(ATR)3122及選擇晶體管(STR)3123組成的四個(gè)像素電路3011;以及節(jié)點(diǎn)ND3121。下文中,該結(jié)構(gòu)稱為共享塊。注意,對(duì)于光電轉(zhuǎn)換單元3111,例如,使用光電二極管(在圖23中,光電二極管的標(biāo)記被用于光電轉(zhuǎn)換單元3111,并且,下文中將此描述為光電二極管)。如圖23所示,對(duì)于像素電路3011的光電轉(zhuǎn)換單元(光電二極管)3111,陽(yáng)極接地,而陰極連接到傳輸晶體管3112的源極。對(duì)于傳輸晶體管3112,分別地,源極連接到光電轉(zhuǎn)換單元3111的陰極,漏極共同連接到節(jié)點(diǎn)ND3121,而柵極連接到傳輸選擇線TRFL。對(duì)于復(fù)位晶體管3121,分別地,源極連接到節(jié)點(diǎn)ND3121,漏極連接到電源電位VDD,而柵極連接到復(fù)位線RSTL。而且,放大晶體管3122和選擇晶體管3123在源極和源極之間被串聯(lián)連接。對(duì)于放大晶體管3122,分別地,漏極連接到電源電位VDD,而柵極連接到節(jié)點(diǎn)ND3121。而且,對(duì)于選擇晶體管3123,分別地,源極連接到垂直信號(hào)線VSGNL,而柵極連接到選擇線SELL。對(duì)于上述結(jié)構(gòu)示例,光電轉(zhuǎn)換單元3111通過(guò)光電轉(zhuǎn)換,根據(jù)入射光的光量產(chǎn)生信號(hào)電荷,并將其存儲(chǔ)。而且,例如,當(dāng)復(fù)位線RSTL的狀態(tài)從低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí),復(fù)位晶體管3121導(dǎo)通(導(dǎo)電狀態(tài)),并且,節(jié)點(diǎn)ND3121的電位復(fù)位到電源電位VDD。而且,當(dāng)傳輸選擇線TRFL的狀態(tài)變?yōu)楦唠娖綍r(shí),傳輸晶體管3112導(dǎo)通,并且,光電轉(zhuǎn)換單元3111中存儲(chǔ)的信號(hào)電荷被傳輸?shù)焦?jié)點(diǎn)ND3121。在傳輸晶體管3112導(dǎo)通期間,放大晶體管3122放大節(jié)點(diǎn)ND3121的電位。而且,當(dāng)選擇線SELL變?yōu)楦唠娖綍r(shí),選擇晶體管3123導(dǎo)通,并且,信號(hào)電荷被輸出到垂直信號(hào)線VSGNL。如上所述,每個(gè)像素電路3011中的傳輸晶體管3112的漏極共同地連接到節(jié)點(diǎn)ND3121,并且,四組像素電路3011共享復(fù)位晶體管3121、放大晶體管3122和選擇晶體管3123。本實(shí)施例通過(guò)使用具有這種結(jié)構(gòu)的成像裝置,減小了元件數(shù)量和像素電路中的配線數(shù)量,進(jìn)行了像素的微型制造,并提高了成像裝置的速度。第一位置布局示例下面將描述其中圖23所示的等效電路的每個(gè)部件被布局到半導(dǎo)體板上的第一位置布局示例。圖24是說(shuō)明根據(jù)第十一實(shí)施例的第一位置布局示例的示意圖。對(duì)于根據(jù)第十一實(shí)施例的成像裝置,具有圖23所示的結(jié)構(gòu)的等效電路被布局在半導(dǎo)體板上。具體而言,共享塊BLK3010由光電轉(zhuǎn)換單元3111、傳輸晶體管3112、電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121、配線SGNL和晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002組成。而且,傳輸晶體管3112包括傳輸門(mén)31121。晶體管區(qū)域TRGN3001被形成在復(fù)位晶體管3121處,并且,其柵極長(zhǎng)度方向上的寬度是L3001。注意,復(fù)位晶體管3121包括源極31212及其復(fù)位門(mén)31211。并且,晶體管區(qū)域TRGN3002形成在放大晶體管3122和選擇晶體管3123處,并且,其柵極長(zhǎng)度方向上的寬度是L3002。注意,放大晶體管3122包括放大門(mén)31221,選擇晶體管3123包括選擇門(mén)31231。對(duì)于根據(jù)第十一實(shí)施例的第一位置布局,由光電轉(zhuǎn)換單元3111和傳輸晶體管3112組成的兩個(gè)像素電路3011共享電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121,并且,兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元3111沿對(duì)角線方向設(shè)置,從而夾置(sandwich)電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121。并且,在單個(gè)共享塊BLK3010內(nèi),兩個(gè)電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121每個(gè)都與配線SGNL相連接,從而使得其電極FD3121E、放大門(mén)31221的柵電極31221E和復(fù)位晶體管3121的源電極31212E共享以分布方式設(shè)置的晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002。因此,單個(gè)共享塊BLK3010包括四個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元3111。而且,如圖24所示,對(duì)于當(dāng)前的第一位置布局,多個(gè)共享塊BLK3010被交替設(shè)置,并且,沿柵極方向?qū)挾炔煌木w管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002以相互不同的方式被設(shè)置。此時(shí),晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002沿柵極長(zhǎng)度方向占據(jù)的總尺寸(Ll+L2)是恒定的。下面,參照時(shí)序圖描述使用第十一實(shí)施例的成像裝置3010的操作。注意,為了簡(jiǎn)化圖23所示的像素電路描述,將描述單個(gè)像素電路3011。圖25是描繪根據(jù)第十一實(shí)施例的等效電路操作的時(shí)序圖。在圖25中,(a)是傳播到選擇線SELL的選擇信號(hào)SEL的時(shí)序圖,圖25中的(b)是傳播到復(fù)位線RSTL的復(fù)位信號(hào)RST的時(shí)序圖,而圖25中的(c)是傳播到傳輸選擇線TRFL的傳輸選擇信號(hào)TRF的時(shí)序圖。在時(shí)間點(diǎn)tl處,入射光進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換單元3111。此時(shí),傳輸晶體管3112,復(fù)位晶體管3121和選擇晶體管3123處于關(guān)斷狀態(tài)(非導(dǎo)電狀態(tài))。在時(shí)間點(diǎn)tl到時(shí)間點(diǎn)t2處,光電轉(zhuǎn)換單元3111由于光電效應(yīng)而將入射光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷。隨后,光電轉(zhuǎn)換單元3111存儲(chǔ)信號(hào)電荷,直到復(fù)位晶體管3121導(dǎo)通的時(shí)間點(diǎn)t2為止。從時(shí)間點(diǎn)tl到時(shí)間點(diǎn)t2的周期是信號(hào)電荷的存儲(chǔ)時(shí)間。在時(shí)間點(diǎn)t2處,來(lái)自垂直掃描電路3014的高電平選擇信號(hào)SEL被傳播到選擇線SELL,從而導(dǎo)通選擇晶體管3123。在時(shí)間點(diǎn)t2到時(shí)間t10處,選擇晶體管3123保持導(dǎo)通狀態(tài)。而且,在時(shí)間點(diǎn)t2處,節(jié)點(diǎn)ND3121的電壓被復(fù)位。具體而言,將高電平復(fù)位信號(hào)RST從垂直掃描電路3014傳播到復(fù)位線RSTL,從而導(dǎo)通復(fù)位晶體管3121,并且,節(jié)點(diǎn)ND3121的電位被復(fù)位到電源電位VDD。在時(shí)間點(diǎn)t3處,來(lái)自垂直掃描電路3014的低電平復(fù)位信號(hào)RST被傳播到復(fù)位線RSTL,從而關(guān)斷復(fù)位晶體管3121,并且,完成節(jié)點(diǎn)ND3121的電壓復(fù)位。在時(shí)間點(diǎn)t4到時(shí)間點(diǎn)t5處,讀出節(jié)點(diǎn)ND3121的電位,作為參考信號(hào)。將電位的讀出周期稱為Read3001。在時(shí)間點(diǎn)t6處,將高電平傳輸選擇信號(hào)TRT從垂直掃描電路3014傳播到傳輸選擇線TRFL,從而導(dǎo)通傳輸晶體管3112,并且,將光電轉(zhuǎn)換單元3111中存儲(chǔ)的信號(hào)電荷傳輸?shù)焦?jié)點(diǎn)ND3121。而且,在時(shí)間點(diǎn)t6到時(shí)間點(diǎn)t7處,傳輸晶體管3112保持在導(dǎo)通狀態(tài)。在時(shí)間點(diǎn)t7處,低電平傳輸選擇信號(hào)TRF從垂直掃描電路3014傳播到傳輸選擇線TRFL,從而關(guān)斷傳輸晶體管3112。從時(shí)間點(diǎn)t8到時(shí)間點(diǎn)t9處,由于從節(jié)點(diǎn)ND3121傳輸?shù)男盘?hào)電荷,節(jié)點(diǎn)ND3121的電壓和在讀出周期Read3001過(guò)程中讀出的參考信號(hào)SGLB之間的電壓差被讀出作為一個(gè)信號(hào)。將該信號(hào)讀出周期命名為Read3002。而且,在讀出該信號(hào)時(shí),放大晶體管ATR3122導(dǎo)通,節(jié)點(diǎn)ND3121的電位被放大,并且,放大的電壓信號(hào)經(jīng)信號(hào)輸出端3211b而被輸出到垂直信號(hào)線VSGNL。在時(shí)間點(diǎn)t10處,將低電平選擇信號(hào)SEL從垂直掃描電路3014傳播到選擇信號(hào)線SELL,從而關(guān)斷選擇晶體管STR3123,并完成電壓信號(hào)輸出到水平掃描電路3013。對(duì)于第十一實(shí)施例,通過(guò)使用這種布局,減小了光電轉(zhuǎn)換單元3111等周?chē)目瞻讌^(qū)域,并且,可有效地利用半導(dǎo)體板表面。因此,通過(guò)本實(shí)施例,不需要減小部件的使用區(qū)域,如晶體管區(qū)域等。而且,通過(guò)本實(shí)施例,可增加晶體管的柵極長(zhǎng)度,從而能夠減小相同工序產(chǎn)生的最小像素尺寸。并且,通過(guò)第十一實(shí)施例,增加了放大晶體管的柵極長(zhǎng)度,從而增大了柵極面積,并減小了隨機(jī)噪聲。第二位置布局示例下面將描述其中圖23所示的等效電路的每個(gè)部件被布置在半導(dǎo)體基板上的第二位置布局示例。圖26是說(shuō)明根據(jù)第十一實(shí)施例的第二位置布局示例的示意圖。如圖26所示,本位置布局示例包括具有與第一位置布局示例相同的結(jié)構(gòu)的共享塊BLK3010。并且,多個(gè)共享塊BLK3010被交替地設(shè)置,并且,在柵極方向上的寬度不同的晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002以相互不同的方式設(shè)置,但是光電轉(zhuǎn)換單元3111的布置模式不同于第一位置布局示例。具體而言,如圖26所示,兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元3111垂直于配線SGNL設(shè)置,從而夾置電荷電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121。如圖26所示,第二位置布局這樣配置,即在柵極方向上的寬度不同的晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002彼此相鄰地組合。此時(shí),晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002在柵極長(zhǎng)度方向上占據(jù)的總尺寸(L3001+L3002)是恒定的。同樣,對(duì)于該第二位置布局示例,能有效利用半導(dǎo)體板表面,并增加晶體管的柵極長(zhǎng)度,從而獲得與根據(jù)第十一實(shí)施例的第一位置布局示例相同的優(yōu)點(diǎn)。第三位置布局示例下面,將描述其中圖23所示的等效電路的每個(gè)部件被布置在半導(dǎo)體基板上的第三位置布局示例。圖27是說(shuō)明根據(jù)第十一實(shí)施例的第三位置布局示例的示意圖。如圖27所示,本位置布局示例包括共享塊BLK3010,其中光電轉(zhuǎn)換單元3111的布置模式與第一位置布局示例相同,但是多個(gè)共享塊BLK3010的布置模式不同于第一位置布局示例。具體而言,如圖27所示,共享塊BLK3010按逐列移位而設(shè)置。對(duì)于本位置布局示例,共享塊BLK3010在每列處都移位,并如此設(shè)置,即晶體管區(qū)域TRGN3001和TRGN3002在柵極長(zhǎng)度方向上占據(jù)的總尺寸(L3001+L3002)是恒定的。但是,注意,如圖27所示,共享塊BLK3010通過(guò)在每列移位而被布局,于是,共享塊BLK3010所屬的行在相鄰列之間不同。下面,將參照?qǐng)D28描述共享塊BLK3010所屬行的移位。圖28是說(shuō)明共享塊BLK3010所屬行的移位的示意圖。在圖28中,共享i央BLK3010的VSL表示光電轉(zhuǎn)換單元3111,TRF3001到TRF3004表示第一到第四傳輸晶體管柵極31121,RST表示復(fù)位門(mén)31211,SEL表示選擇門(mén)31231。對(duì)于圖28所示的單個(gè)共享塊BLK3010,共享電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元FD3121的兩個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元3111與配線SGNL相連接。因此,單個(gè)共享塊BLK3010共享四個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元3111。具有這種結(jié)構(gòu)的共享塊BLK3010布置成在每行移位,從而相同列的晶體管區(qū)域29TRGN3001和TRGN3002在柵極長(zhǎng)度方向上的總寬度是恒定的。具體而言,相同一行的復(fù)位門(mén)31211—般與復(fù)位線RSTL相連接,相同一行的選擇門(mén)31231—般與選擇線SELL相連接。但是,復(fù)位門(mén)31211和選擇門(mén)31231每個(gè)都根據(jù)列而與不同的復(fù)位線RSTL和選擇線SELL相連接。例如,如圖27所示,如果假定復(fù)位線RSTL或選擇線SELL位于一行上,則i行j列和i行(j+2)列的復(fù)位門(mén)31211和選擇門(mén)31231通常相連,(i+1)行(j+1)列和(i+1)行(j+3)列的復(fù)位門(mén)31211和選擇門(mén)31231通常相連。而且,同一行的第一傳輸門(mén)31121(TRF3001)和第三傳輸門(mén)31121(TRF3003)一般與傳輸選擇線TRFL相連,而同一行的第二傳輸門(mén)31121(TRF3002)和第四傳輸門(mén)31121(TRF3004)—般與傳輸選擇線TRFL相連。如圖28所示,相同一行方向的第一到第四傳輸門(mén)31121與傳輸選擇線TRFL共同相連,從而在每行處都控制第一到第四傳輸門(mén)31121。但是,每列的復(fù)位門(mén)31211和選擇門(mén)31231通過(guò)移動(dòng)一行值(rowworth)而連接到不同的復(fù)位線RSTL和選擇線SELL。因此,按照列,垂直掃描電路3014(參見(jiàn)圖22)通過(guò)將行移動(dòng)一行值,而將分別控制復(fù)位門(mén)31211和選擇門(mén)31232的復(fù)位信號(hào)和掃描信號(hào)傳播到復(fù)位線RSTL和選擇線SELL。同樣,對(duì)于本位置布局示例,能有效利用半導(dǎo)體板表面,增加晶體管的柵極長(zhǎng)度,從而獲得與根據(jù)本實(shí)施例的第一或第二位置布局示例相同的優(yōu)點(diǎn)。注意,本位置布局示例使用的光電轉(zhuǎn)換單元3111的布置模式與第一位置布局示例的相同,但是也可以使用與第二位置布局示例相同的布置模式。對(duì)此,同樣可以獲得與根據(jù)本實(shí)施例的第一,第二或第三位置布局示例相同的優(yōu)點(diǎn)。下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第十一實(shí)施例的相機(jī)。圖29是說(shuō)明根據(jù)第十一實(shí)施例的相機(jī)總體結(jié)構(gòu)的框圖。相機(jī)3020被配置為包括成像裝置3010;被配置為將入射光導(dǎo)向成像裝置3010的像素陣列單元3012的光學(xué)系統(tǒng);例如用于將入射光(圖像光)在成像表面形成圖像的透鏡3021;用于處理成像裝置3010輸出信號(hào)的信號(hào)處理電路3022等。關(guān)于相機(jī)3020,對(duì)于成像裝置3010,使用了根據(jù)上述實(shí)施例的成像裝置。信號(hào)處理電路3022對(duì)來(lái)自成像裝置3010的輸出緩沖器3016的輸出信號(hào)Vout進(jìn)行各種類(lèi)型的信號(hào)處理,并輸出畫(huà)面信號(hào)。根據(jù)本相機(jī)3020,通過(guò)使用根據(jù)上述實(shí)施例的成像裝置3010,可以獲得對(duì)應(yīng)像素?cái)?shù)量增加的高質(zhì)量拍攝圖像。注意,成像裝置3010可以是形成為一個(gè)芯片的成像裝置,或是形成為多芯片組件的模塊型成像裝置??梢酝ㄟ^(guò)分別形成用于成像的傳感器芯片和用于進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理的信號(hào)處理芯片來(lái)形成多芯片組件的成像裝置,有時(shí)還包括光學(xué)系統(tǒng)。如上所述,本實(shí)施例包括由復(fù)位晶體管群成的晶體管區(qū)域,和由選擇晶體管和放大晶體管群成的晶體管區(qū)域,并且形成了其中由多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元共享這些晶體管區(qū)域的共享塊。該共享塊如此布置,即在晶體管區(qū)域中在柵極長(zhǎng)度方向上占據(jù)的總尺寸恒定,且各晶體管區(qū)域彼此相鄰地組合。因此,減小了光電轉(zhuǎn)換單元等周?chē)目瞻讌^(qū)域,有效利用了半導(dǎo)體板表面。而且,增加了放大晶體管的柵極長(zhǎng)度,從而獲得了增加?xùn)艠O面積的優(yōu)點(diǎn),這可防止放大晶體管容易受噪聲影響。注意,本實(shí)施例包括由復(fù)位晶體管群成的晶體管區(qū)域,和由選擇晶體管和放大晶體管群成的晶體管區(qū)域。組成晶體管區(qū)域的組件的組合沒(méi)有限制,只要使用了其中在多個(gè)位置設(shè)置共享部件的布局就行。而且,用于本實(shí)施例的部件的晶體管可以是n溝道型或p溝道型。注意,參考標(biāo)記3011表示像素電路(PIXEL),3012表示像素陣列單元,3013表示水平掃描電路(HSCN),3131表示AD轉(zhuǎn)換器,3014表示垂直掃描電路(VSCN),3015表示模擬前端電路,3016表示輸出緩沖器,3017表示定時(shí)發(fā)生器(TG),BLK3010表示共享塊,3111表示光電轉(zhuǎn)換單元(PD),3112表示傳輸晶體管(TTR),3121表示復(fù)位晶體管(RTR),3122表示放大晶體管(ATR),3123表示選擇晶體管(STR),F(xiàn)D3121表示電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元,TRGN3001和TRGN3002表示晶體管區(qū)域,31121表示傳輸門(mén),31212表示復(fù)位晶體管的源極,31211表示復(fù)位門(mén),31221表示放大門(mén),31231表示選擇門(mén),Ll和L2表示沿柵極方向的寬度,SGNL表示配線,RSTL表示復(fù)位線,TRFL表示傳輸選擇線,SELL表示選擇線,VSGNL表示垂直信號(hào)線,并且,HSCNL表示水平信號(hào)線。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解到,根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其他因素可以進(jìn)行各種修改,組合,再組合或替換改變,它們都在后附權(quán)利要求或其等價(jià)物的范圍內(nèi)。3權(quán)利要求一種成像裝置,其中,排列有多個(gè)像素電路,所述像素電路至少包括被配置為將通過(guò)成像獲得的信號(hào)電荷輸出到信號(hào)線的輸出晶體管;并且,其中,在不被同時(shí)訪問(wèn)的多個(gè)像素電路之間共享與所述信號(hào)線連接的所述輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置,其中,在與所述信號(hào)線的配線方向相鄰的兩個(gè)像素電路之間共享連接到所述信號(hào)線的所述輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層;并且,其中,所述兩個(gè)像素電路在不同時(shí)刻被訪問(wèn)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置,其中,所述兩個(gè)像素電路包括多個(gè)晶體管;并且,其中,所述多個(gè)晶體管被形成為在所述兩個(gè)像素電路之間具有相反的陣列方向性。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像裝置,其中,輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層在與所述像素電路陣列地對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)像素電路之間共享;其中,所述兩個(gè)像素電路在不同時(shí)間被訪問(wèn)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成像裝置,其中,所述兩個(gè)像素電路包括在垂直于所述信號(hào)線配線方向的方向上排列的多個(gè)晶體管,且所述多個(gè)晶體管被形成為在所述兩個(gè)像素電路之間具有相反的陣列方向性。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像裝置,其中,所述像素電路包括多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元;并且,其中,所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元共享所述輸出晶體管,從而形成像素塊。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成像裝置,其中,所述像素電路包括多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元;其中,所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換單元共享所述輸出晶體管,從而形成像素塊。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像裝置,其中,所述多個(gè)像素電路排列成矩陣形狀;并且,其中,所述輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層連接到取決于奇數(shù)行和偶數(shù)行而有所不同的所述信號(hào)線,且所述成像裝置讀出來(lái)自每行的所述輸出晶體管的輸出信號(hào)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像裝置,其中,所述多個(gè)像素電路排列成矩陣形狀,所述輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層連接到取決于奇數(shù)行和偶數(shù)行而有所不同的所述信號(hào)線,且所述成像裝置讀出來(lái)自每行的所述輸出晶體管的輸出信號(hào)。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的成像裝置,還包括定時(shí)調(diào)節(jié)單元,其被配置為調(diào)節(jié)所述輸出信號(hào)的讀出定時(shí),以在讀出所述輸出信號(hào)的時(shí)刻,將所述輸出信號(hào)輸出到在每行都不同的所述信號(hào)線。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像裝置,還包括定時(shí)調(diào)節(jié)單元,其被配置為調(diào)節(jié)所述輸出信號(hào)的讀出定時(shí),以在讀出所述輸出信號(hào)的時(shí)刻,將所述輸出信號(hào)輸出到在每行都不同的所述信號(hào)線。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成像裝置,所述定時(shí)調(diào)節(jié)單元包括選擇開(kāi)關(guān),其被配置為取決于從奇數(shù)行或偶數(shù)行中的哪行輸出所述輸出信號(hào),來(lái)選擇所述輸出信號(hào);以及延遲電路,其被配置為在所述奇數(shù)行的輸出信號(hào)和所述偶數(shù)行的輸出信號(hào)之間提供延遲,其中,所述延遲電路選擇性地輸出被提供所述延遲的信號(hào)。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的成像裝置,其中,所述定時(shí)調(diào)節(jié)單元包括選擇開(kāi)關(guān),其被配置為取決于從奇數(shù)行或偶數(shù)行中的哪行輸出所述輸出信號(hào),來(lái)選擇所述輸出信號(hào);以及延遲電路,其被配置為在所述奇數(shù)行的輸出信號(hào)和所述偶數(shù)行的輸出信號(hào)之間提供延遲,其中,所述延遲電路選擇性地輸出被提供所述延遲的信號(hào)。14.一種相機(jī),包括成像裝置;以及光學(xué)系統(tǒng),用于將入射光導(dǎo)向所述成像裝置的成像區(qū)域;其中,對(duì)于所述成像裝置,排列有多個(gè)像素電路,所述像素電路至少包括被配置為將通過(guò)成像獲得的信號(hào)電荷輸出到信號(hào)線的輸出晶體管;并且,其中,在不被同時(shí)訪問(wèn)的多個(gè)像素電路之間共享與所述信號(hào)線連接的所述輸出晶體管的輸出側(cè)擴(kuò)散層。全文摘要一種固態(tài)成像器件,包括組成向掃描方向傾斜的斜柵格陣列的多個(gè)像素,其包括用于將入射光量轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的光電轉(zhuǎn)換單元;以及用于將從所述光電轉(zhuǎn)換單元讀出的信號(hào)電荷轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷旱碾姾傻诫妷恨D(zhuǎn)換單元,所述光電轉(zhuǎn)換單元被布置在所述多個(gè)像素的沿對(duì)角線方向彼此相鄰的兩個(gè)像素之間;其中,所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元由所述兩個(gè)像素共享;其中,一組晶體管群被布置在共享塊中,該共享塊由以下結(jié)構(gòu)構(gòu)成由沿對(duì)角線彼此相鄰的兩個(gè)像素組成的像素對(duì),和與該像素對(duì)相鄰的像素對(duì),包括與每個(gè)像素對(duì)的所述電荷到電壓轉(zhuǎn)換單元連接的配線。文檔編號(hào)H01L27/146GK101777566SQ20101011833公開(kāi)日2010年7月14日申請(qǐng)日期2007年10月15日優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日發(fā)明者工藤義治申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社