專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管、制造方法及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各方面涉及一種薄膜晶體管、其制造方法及具有其的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
背景技術(shù)：
通常，由于具有高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率且適用于高速運(yùn)行電路及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo) 體(CMOS)電路，多晶硅層被廣泛用作薄膜晶體管的半導(dǎo)體層。包括多晶硅層的薄膜晶體管 主要用作有源矩陣液晶顯示器的有源元件和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的開(kāi)關(guān)器件或驅(qū)動(dòng) 元件。將非晶硅結(jié)晶化成多晶硅的方法包括固相結(jié)晶化方法、準(zhǔn)分子激光結(jié)晶化方法、 金屬誘導(dǎo)結(jié)晶化方法和金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶化方法。在固相結(jié)晶化方法中，將非晶硅層在大 約700°C或更低的溫度退火幾小時(shí)至幾十小時(shí)，700°C為用作使用TFT的顯示裝置的基底的 玻璃的變形溫度。在準(zhǔn)分子激光結(jié)晶化方法中，通過(guò)將準(zhǔn)分子激光照射到非晶硅層上很短 的時(shí)間以局部加熱非晶硅層來(lái)實(shí)現(xiàn)結(jié)晶化。在金屬誘導(dǎo)結(jié)晶化方法中，通過(guò)使非晶硅層與 金屬接觸或通過(guò)將金屬注入非晶硅層中，使得由諸如鎳、鈀、金或鋁的金屬誘導(dǎo)從非晶硅層 到多晶硅層的相變。在金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶化方法中，誘導(dǎo)非晶硅層的順序結(jié)晶化，同時(shí)由金 屬和硅之間的反應(yīng)產(chǎn)生的硅化物橫向傳播。然而，固相結(jié)晶化方法需要長(zhǎng)的處理時(shí)間和在高溫下長(zhǎng)的退火時(shí)間，因此基底不 利地易于變形。準(zhǔn)分子激光結(jié)晶化方法需要昂貴的激光設(shè)備且在多晶化的表面上導(dǎo)致瑕 疵，從而提供在半導(dǎo)體層和柵極絕緣層之間的較差的界面。目前，與固相結(jié)晶化方法相比，在使用金屬的非晶硅層的結(jié)晶化方法中，可以以較 低溫度和較短時(shí)間有利地執(zhí)行結(jié)晶化。因此，對(duì)金屬誘導(dǎo)結(jié)晶化方法進(jìn)行了大量研究。使 用金屬的結(jié)晶化方法包括金屬誘導(dǎo)結(jié)晶化(MIC)方法、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶化(MILC)方法和 超級(jí)晶粒硅(SGS)結(jié)晶化方法。薄膜晶體管的決定性特性之一為漏電流。具體地講，在使用金屬催化劑結(jié)晶化的 半導(dǎo)體層中，金屬催化劑會(huì)留在溝道區(qū)中，因此增大漏電流。因此，如果不控制留在溝道區(qū) 中的金屬催化劑的濃度，則薄膜晶體管的漏電流會(huì)增大，導(dǎo)致薄膜晶體管的電學(xué)特性劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各方面提供一種薄膜晶體管、其制造方法及具有其的有機(jī)發(fā)光二極管顯 示裝置，所述薄膜晶體管包括利用金屬催化劑結(jié)晶化的半導(dǎo)體層，在所述半導(dǎo)體層中剩余 有減少的量的殘留金屬催化劑。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供了一種薄膜晶體管，包括基底；硅層，形成在 基底上；擴(kuò)散層，形成在硅層上；利用金屬催化劑結(jié)晶化的半導(dǎo)體層，形成在擴(kuò)散層上；柵 電極，設(shè)置在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上；柵極絕緣層，設(shè)置在柵電極和半導(dǎo)體層之間；源電極和 漏電極，電連接到半導(dǎo)體層的源極區(qū)和漏極區(qū)。
在本發(fā)明另一示例性實(shí)施例中，提供了一種制造薄膜晶體管的方法，包括如下步驟在基底上形成硅層；在硅層上形成擴(kuò)散層；在擴(kuò)散層上形成非晶硅層；在非晶硅層上形 成金屬催化劑層；將基底退火以將非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?；去除金屬催化劑層；將非?硅層圖案化以形成半導(dǎo)體層；在基底上形成柵極絕緣層；形成面對(duì)半導(dǎo)體層的柵電極；在 基底上形成層間絕緣層；形成連接到半導(dǎo)體層的源電極和漏電極。在本發(fā)明另一示例性實(shí)施例中，提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括基 底；硅層，形成在基底上；擴(kuò)散層，形成在硅層上；利用金屬催化劑結(jié)晶化的半導(dǎo)體層，形成 在擴(kuò)散層上；柵電極，設(shè)置在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上；柵極絕緣層，設(shè)置在柵電極和半導(dǎo)體層 之間；源電極和漏電極，電連接到半導(dǎo)體層；鈍化層，設(shè)置在基底上；第一電極、有機(jī)層和第 二電極，設(shè)置在鈍化層上并電連接到源電極和漏電極之一，有機(jī)層設(shè)置在第一電極和第二 電極之間。本發(fā)明的另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)將部分地在隨后的描述中闡述，部分，將從描述 中是顯而易見(jiàn)的，或可從本發(fā)明的實(shí)踐中獲知。


通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的這些和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn) 將會(huì)變得清楚和更容易理解，附圖中圖IA至圖IF為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的薄膜晶體管的剖視圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖；圖3A為示出當(dāng)在非晶硅層下方設(shè)置有緩沖層時(shí)金屬催化劑的濃度的曲線(xiàn)圖；圖3B是示出當(dāng)在非晶硅層下方設(shè)置有擴(kuò)散層和硅層時(shí)金屬催化劑的濃度的曲線(xiàn) 圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例做具體描述，本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例示出 在附圖中，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。下面通過(guò)參照附圖，描述示例性實(shí)施例 以解釋本發(fā)明的各方面。這里，當(dāng)?shù)谝辉环Q(chēng)為形成或設(shè)置在第二元件“上”時(shí)，第一元件可以直接設(shè)置 在第二元件上，或者可以在第一元件和第二元件之間設(shè)置一個(gè)或更多的其它元件。當(dāng)?shù)谝?元件被稱(chēng)為“直接”形成或設(shè)置在第二元件“上”時(shí)，在第一元件和第二元件之間不存在其 它元件。圖IA至圖IF為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的薄膜晶體管的剖視圖。參照?qǐng)D1A，緩 沖層105形成在玻璃或塑料基底100上。緩沖層105為絕緣層，例如氧化硅層或氮化硅層 或它們的多層。可使用化學(xué)氣相沉積方法或物理氣相沉積方法形成緩沖層105。緩沖層105 防止水分和/或雜質(zhì)從基底100擴(kuò)散，和/或調(diào)整熱傳輸率以幫助非晶硅層的結(jié)晶化。參照?qǐng)D1B，硅層110形成在緩沖層105上。硅層可直接設(shè)置在基底上。利用化學(xué) 氣相沉積方法或物理氣相沉積方法用非晶硅形成硅層110。擴(kuò)散層115形成在硅層110上。擴(kuò)散層115可由氮化硅層形成，在氮化硅中，可通 過(guò)退火工藝使金屬催化劑擴(kuò)散。擴(kuò)散層115可由堆疊的氮化硅和氧化硅層形成。
非晶硅層120a形成在擴(kuò)散層115上?？赏ㄟ^(guò)化學(xué)氣相沉積方法或物理氣相沉積方法形成非晶硅層120a。此外，可在形成非晶硅層120a的過(guò)程中或形成非晶硅層120a之 后執(zhí)行脫氫處理以減少非晶硅層120a中的氫的濃度。利用金屬催化劑結(jié)晶化方法將非晶硅層120a結(jié)晶化為多晶硅層(未示出)。所述 方法可為例如金屬誘導(dǎo)結(jié)晶化(MIC)方法、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶化(MILC)方法或超級(jí)晶粒硅 (SGS)結(jié)晶化方法。以下，將詳細(xì)描述SGS結(jié)晶化方法。SGS結(jié)晶化方法可減小擴(kuò)散到非晶硅層中的金 屬催化劑的濃度，從而調(diào)整產(chǎn)生的晶粒尺寸為從幾ym至幾百μπι。為減小非晶硅層中金屬 催化劑的濃度，可在擴(kuò)散層上形成金屬催化劑層，然后進(jìn)行退火處理以使金屬催化劑層擴(kuò) 散。也可以在不包括擴(kuò)散層的情況下，通過(guò)以低的濃度直接在非晶硅層上形成金屬催化劑 層來(lái)減小金屬催化劑的濃度。參照?qǐng)D1C，覆蓋層125形成在非晶硅層120a上。覆蓋層125可為氮化硅層或者 可包括堆疊的氮化硅層和氧化硅層，在覆蓋層125中，可通過(guò)退火來(lái)使金屬催化劑擴(kuò)散。可 通過(guò)化學(xué)氣相沉積方法或物理氣相沉積方法來(lái)形成覆蓋層125。覆蓋層125可具有從大約 1至2000A的厚度。當(dāng)覆蓋層125的厚度小于大約IA時(shí)，會(huì)難以減小擴(kuò)散到覆蓋層125中 的金屬催化劑的量。當(dāng)覆蓋層125的厚度大于大約2000A時(shí)，因?yàn)閿U(kuò)散到非晶硅層120a中 的金屬催化劑的量少，所以會(huì)難以將非晶硅層120a結(jié)晶化成多晶硅層。金屬催化劑層130沉積在覆蓋層125上。金屬催化劑層130可由從由Ni、Pd、Ag、 AU、Al、Sn、Sb、CU、Ti和Cd組成的組中選擇的金屬催化劑形成。通常，金屬催化劑層130形 成為具有從大約IO11至IO15原子/cm2的面密度。當(dāng)金屬催化劑層130的面密度小于大約 IO11原子/cm2時(shí)，因?yàn)榻Y(jié)晶化種子的量少，所以會(huì)難以通過(guò)SGS結(jié)晶化來(lái)使非晶硅層120a 結(jié)晶化。當(dāng)金屬催化劑層130的面密度大于大約IO15原子/cm2時(shí)，擴(kuò)散到非晶硅層120a中 的金屬催化劑的量增加，減少了從非晶硅層120a形成的多晶硅層的晶粒尺寸。此外，結(jié)晶 化后剩余的金屬催化劑的量增加，這會(huì)使通過(guò)圖案化多晶硅層而形成的半導(dǎo)體層的特性劣 化。將形成有緩沖層105、硅層110、擴(kuò)散層115、非晶硅層120a、覆蓋層125和金屬催 化劑層130的基底100退火以使金屬催化劑層130的一些金屬催化劑擴(kuò)散到非晶硅層120a 的表面中。即，覆蓋層125起到阻止金屬催化劑擴(kuò)散到非晶硅層120a的表面中的作用。因此，擴(kuò)散到非晶硅層120a中的金屬催化劑的量由擴(kuò)散層115的擴(kuò)散特性和覆蓋 層125的擴(kuò)散特性決定，覆蓋層125的擴(kuò)散特性與覆蓋層125的厚度厚度密切相關(guān)。即，覆 蓋層125的厚度的增加減少了擴(kuò)散并增加所得多晶硅層的晶粒尺寸，覆蓋層125的厚度的 減小增加了擴(kuò)散并減小多晶硅層的晶粒尺寸。參照?qǐng)D1D，隨著退火的繼續(xù)，由于擴(kuò)散層115和硅層110形成在非晶硅層120a下 面，到達(dá)非晶硅層120a的金屬催化劑擴(kuò)散到擴(kuò)散層115和硅層110中。因此，減少了非晶 硅層120a中的金屬催化劑的量，從而提供吸除效果(getter)。圖3A是示出當(dāng)只有緩沖層設(shè)置在非晶硅層下面時(shí)金屬催化劑濃度的曲線(xiàn)圖，圖 3B是示出當(dāng)擴(kuò)散層和硅層設(shè)置在非晶硅層下面時(shí)金屬催化劑的濃度的曲線(xiàn)圖。參照?qǐng)D3A 和圖3B，當(dāng)緩沖層設(shè)置在由圖3A中的金屬催化劑結(jié)晶化的多晶硅層下面時(shí)，金屬催化劑以 低的濃度擴(kuò)散到緩沖層中。然而，參照?qǐng)D3B，應(yīng)該理解的是，當(dāng)擴(kuò)散層和硅層形成在由金屬催化劑結(jié)晶化的多晶硅層下面時(shí)，在多晶硅層中的催化劑的濃度低于圖3A中的多晶硅層中金屬催化劑的濃度。擴(kuò)散層和硅層中金屬催化劑的濃度高于緩沖層中金屬催化劑的濃 度。因此，應(yīng)該理解的是，當(dāng)擴(kuò)散層和硅層形成在多晶硅層下面時(shí)，金屬催化劑的擴(kuò)散和吸 除效果更好。參照?qǐng)D1D，到達(dá)硅層110的金屬催化劑用于以與將非晶硅層120a結(jié)晶化為多晶硅 層的方式相同的方式使硅層110結(jié)晶化。硅層110的晶粒為由從非晶硅層120a擴(kuò)散的金 屬催化劑結(jié)晶化的二次晶粒。硅層110的晶粒比非晶硅層120a中的晶粒大，硅層110的晶 粒具有模糊(indistinct)的晶界，因此，不同于非晶硅層120a的晶粒。在從大約200至900°C的溫度執(zhí)行退火，具體地講，從大約350至500°C執(zhí)行退火 幾秒至幾小時(shí)以使金屬催化劑擴(kuò)散。當(dāng)在上述范圍內(nèi)執(zhí)行退火時(shí)，可防止基底100的變形， 降低制造成本并提高良率。退火可為爐工藝、快速熱退火(RTA)工藝、紫外(UV)工藝和激 光工藝中的一種。參照?qǐng)D1E，去除金屬催化劑層。圖案化以上述方式形成的多晶硅層以形成半導(dǎo)體 層120。在半導(dǎo)體層120和擴(kuò)散層115上形成柵極絕緣層140。柵極絕緣層140也可直接 形成在半導(dǎo)體層120和擴(kuò)散層115的一部分上。柵電極150形成在柵極絕緣層140上，鄰 近半導(dǎo)體層120。柵極絕緣層140可包括氧化硅層、氮化硅層或它們的堆疊層。然后，在柵極絕緣層140上形成金屬層(未示出)。金屬層可為鋁(Al)或諸如 鋁-釹(Al-Nd)的鋁合金的單層或多層，在所述多層中，鋁合金沉積在鉻(Cr)或鉬(Mo)合 金上。通過(guò)光刻工藝蝕刻金屬層以形成柵電極150，柵電極150面對(duì)半導(dǎo)體層120的一部 分。參照?qǐng)D1F，層間絕緣層160形成在柵極絕緣層140和柵電極150上。層間絕緣層 160也可直接設(shè)置在柵極絕緣層140的一部分上。層間絕緣層160可為氮化硅層、氧化硅層 或它們的堆疊層。蝕刻層間絕緣層160和柵極絕緣層140以形成用于暴露半導(dǎo)體層120的一部分的 接觸孔。源電極170a和漏電極170b形成在層間絕緣層160，并通過(guò)接觸孔連接到源極區(qū)和 漏極區(qū)，完成薄膜晶體管。源電極170a和漏電極170b可由從鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉬 鎢(MoW)、鋁(Al)、鋁釹(Al-Nd)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、銅(Cu)、鉬(Mo)合金、鋁(Al)合 金和銅(Cu)合金中選擇的一種形成。圖2是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的剖視圖。發(fā)光 二極管顯示裝置包括圖IF中的薄膜晶體管，因此，省略了相似元件的描述。參照?qǐng)D2，在源 電極170a、漏電極170b和層間絕緣層160上形成鈍化層175。鈍化層175可為諸如氧化硅層、氮化硅層或玻璃上硅(SOG)層的無(wú)機(jī)層?？蛇x擇 地，鈍化層175可為諸如聚酰亞胺(polyimide)層、苯環(huán)丁烯系樹(shù)脂(benzocyclobutene series resin)層或丙烯酸酯(acrylate)層的有機(jī)層。鈍化層175可為無(wú)機(jī)層和有機(jī)層形 成的堆疊。蝕刻鈍化層175以形成暴露漏電極170b的孔。第一電極通過(guò)所述孔連接到漏電極 170b。第一電極180可稱(chēng)為陽(yáng)極或陰極。當(dāng)?shù)谝浑姌O180為陽(yáng)極時(shí)，陽(yáng)極可為由從氧化銦 錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO)中選擇的一種形成的透明導(dǎo)電層。當(dāng)?shù)谝?電極180為陰極時(shí)，陰極可由Mg、Ca、Al、Ag、Ba或它們的合金形成。可選擇地，鈍化層175中的孔可暴露源電極170a，第一電極180可經(jīng)所述孔連接到源電極170a。具有暴露第一電極180的開(kāi)口的像素限定層185形成在第一電極180和鈍化層 175上。有機(jī)層190形成在暴露的第一電極180上。有機(jī)層190包括發(fā)射層，且可包括從空 穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子阻擋層、電子注入層和電子傳輸層中選擇的至少 一層。第二電極195形成在有機(jī)層190上。結(jié)果，完成了有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置。
盡管已經(jīng)參照具有頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置描述了本 發(fā)明，但本發(fā)明可應(yīng)用于具有底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管及具有其的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝 置，所述薄膜晶體管包括基底；柵電極，設(shè)置在基底上；柵極絕緣層，設(shè)置在基底上；硅層， 設(shè)置在基底上；擴(kuò)散層，設(shè)置在硅層上；半導(dǎo)體層，設(shè)置在擴(kuò)散層上；源電極和漏電極，用于 開(kāi)放半導(dǎo)體層的一部分，源電極和漏電極連接到半導(dǎo)體層。本發(fā)明的各方面提供了一種具有半導(dǎo)體層的薄膜晶體管、其制造方法及具有其的 有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，利用金屬催化劑將所述半導(dǎo)體層結(jié)晶化。所述半導(dǎo)體層與傳統(tǒng) 的半導(dǎo)體層相比具有較大的晶粒尺寸和較少量的殘留金屬。因此，薄膜晶體管具有改善的 閾值電壓和截止電流(off current)特性。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明的各方面，但本領(lǐng)域技術(shù) 人員應(yīng)該理解的是，在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況 下，可以對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例作出各種修改和改變。
權(quán)利要求
一種薄膜晶體管，包括基底；硅層，設(shè)置在基底上；擴(kuò)散層，設(shè)置在硅層上；利用金屬催化劑結(jié)晶化的半導(dǎo)體層，設(shè)置在擴(kuò)散層上；柵電極，設(shè)置在基底上，面對(duì)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)；柵極絕緣層，設(shè)置在柵電極和半導(dǎo)體層之間；源電極和漏電極，分別電連接到半導(dǎo)體層的源極區(qū)和漏極區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其中，硅層和半導(dǎo)體層由多晶硅形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其中，硅層和半導(dǎo)體層具有不同的晶粒尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其中，硅層、半導(dǎo)體層和擴(kuò)散層包含金屬催化劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的薄膜晶體管，其中，金屬催化劑由從由Ni、Pd、Ag、Au、Al、Sn、Sb、 Cu、Ti和Cd組成的組中選擇的一種形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管還包括直接設(shè)置在柵電極上的層間 絕緣層，其中硅層直接設(shè)置在基底上；擴(kuò)散層直接設(shè)置在硅層上；半導(dǎo)體層直接設(shè)置在擴(kuò)散層上；柵極絕緣層直接設(shè)置在半導(dǎo)體層上；柵電極直接設(shè)置在柵極絕緣層上；層間絕緣層直接設(shè)置在柵極絕緣層的一部分上；源電極和漏電極通過(guò)層間絕緣層與柵電極絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其中 柵電極設(shè)置在半導(dǎo)體層上；柵極絕緣層直接設(shè)置在半導(dǎo)體層和擴(kuò)散層的一部分上； 硅層直接設(shè)置在基底上； 擴(kuò)散層直接設(shè)置在硅層上； 半導(dǎo)體層直接設(shè)置在擴(kuò)散層上；源電極和漏電極經(jīng)形成在柵極絕緣層中的開(kāi)口連接到半導(dǎo)體層。
8.—種制造薄膜晶體管的方法，所述方法包括如下步驟 在基底上形成硅層；在硅層上形成擴(kuò)散層；在擴(kuò)散層上形成非晶硅層；在非晶硅層上形成金屬催化劑層；將基底退火以將非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?；去除金屬催化劑層；將多晶硅層圖案化以形成半導(dǎo)體層；在基底上形成柵極絕緣層；在基底上形成面對(duì)半導(dǎo)體層的柵電極；在基底上形成層間絕緣層；形成連接到半導(dǎo)體層的源電極和漏電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中，在非晶硅層和金屬催化劑層之間形成覆蓋層之后執(zhí) 行退火步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中，在從350°C至500°C的溫度執(zhí)行退火步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中，金屬催化劑層由從由Ni、Pd、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、 Ti和Cd組成的組中選擇的一種形成。
12.—種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括 基底；硅層，設(shè)置在基底上； 擴(kuò)散層，設(shè)置在硅層上；利用金屬催化劑結(jié)晶化的半導(dǎo)體層，設(shè)置在擴(kuò)散層上； 柵電極，設(shè)置在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上； 柵極絕緣層，設(shè)置在柵電極和半導(dǎo)體層之間； 源電極和漏電極，電連接到半導(dǎo)體層； 鈍化層，設(shè)置在基底上；第一電極、有機(jī)層和第二電極，設(shè)置在鈍化層上并電連接到源電極和漏電極之一上，有 機(jī)層設(shè)置在第一電極和第二電極之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，硅層和半導(dǎo)體層由多晶硅形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，硅層和半導(dǎo)體層具有不同的 晶粒尺寸。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，硅層、半導(dǎo)體層和擴(kuò)散層包含 金屬催化劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中，金屬催化劑由從由Ni、Pd、Ag、 Au、Al、Sn、Sb、Cu、Ti和Cd組成的組中選擇的一種形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中 硅層直接設(shè)置在基底上；擴(kuò)散層直接設(shè)置在硅層上；半導(dǎo)體層直接設(shè)置在擴(kuò)散層上；柵極絕緣層直接設(shè)置在半導(dǎo)體層和擴(kuò)散層的一部分上；柵電極直接設(shè)置在柵極絕緣層上；層間絕緣層直接設(shè)置在柵電極和柵極絕緣層的一部分上；源電極和漏電極通過(guò)層間絕緣層與柵電極絕緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求12的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其中 柵電極直接設(shè)置在半導(dǎo)體層上；柵極絕緣層直接設(shè)置在半導(dǎo)體層和擴(kuò)散層的一部分上； 硅層直接設(shè)置在基底上； 擴(kuò)散層直接設(shè)置在硅層上；半導(dǎo)體層直接設(shè)置在擴(kuò)散層上；源電極和漏電極經(jīng)形成在柵極絕緣層中的開(kāi)口連接到半導(dǎo)體層.
全文摘要
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管、其制造方法及具有其的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，所述薄膜晶體管包括基底；硅層，形成在基底上；擴(kuò)散層，形成在硅層上；利用金屬催化劑結(jié)晶化的半導(dǎo)體層，形成在擴(kuò)散層上；柵電極，設(shè)置在擴(kuò)散層上，面對(duì)半導(dǎo)體層的溝道區(qū)；柵極絕緣層，設(shè)置在柵電極和半導(dǎo)體層之間；源電極和漏電極，分別電連接到半導(dǎo)體層的源極區(qū)和漏極區(qū)。
文檔編號(hào)H01L29/786GK101826555SQ20101012224
公開(kāi)日2010年9月8日 申請(qǐng)日期2010年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月3日
發(fā)明者徐晉旭, 樸炳建, 李東炫, 李吉遠(yuǎn), 李基龍, 梁泰勛, 鄭在琓, 馬克西姆·莉薩契克 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社