專(zhuān)利名稱：一種晶硅太陽(yáng)能電池選擇性發(fā)射極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅太陽(yáng)能電池，尤其涉及一種提高晶硅太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的選 擇性發(fā)射極制作方法。
背景技術(shù)：
目前，典型的晶硅太陽(yáng)能電池選擇性發(fā)射極制作方法為多次擴(kuò)散并在特定區(qū)域制 作掩膜。該過(guò)程雖然效果較好但是存在以下不足1、工藝步驟繁多，并且對(duì)設(shè)備有特殊要求，無(wú)法在現(xiàn)有的生產(chǎn)線上直接實(shí)現(xiàn)。2、高溫處理過(guò)程需要很長(zhǎng)時(shí)間，增加能耗同時(shí)對(duì)生產(chǎn)效率產(chǎn)生不利影響。3、所需掩膜材料需要特殊化學(xué)處理，增加成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種晶硅太陽(yáng)能電池選擇性發(fā)射極的制 作方法。本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下一種晶硅太陽(yáng)能電池選擇性發(fā)射極的 制作方法，包括在晶硅太陽(yáng)能電池受光面上印刷含有磷元素的電極漿料后進(jìn)行燒結(jié)來(lái)形成 柵線電極。本發(fā)明的有益效果是在晶硅太陽(yáng)能電池受光面上印刷含有一定磷元素的電極漿 料后進(jìn)行燒結(jié)，在發(fā)射極電極區(qū)形成高低結(jié)，降低了電極與發(fā)射極之間的接觸電阻，提升轉(zhuǎn) 換效率，并取消了現(xiàn)有技術(shù)中的多次擴(kuò)散并在特定區(qū)域制作掩膜的步驟，簡(jiǎn)化了工序，降低 了成本。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步，所述電極漿料是由金屬銀漿和磷漿混合而成。進(jìn)一步，所述電極漿料中金屬銀漿和磷漿質(zhì)量比在1 1至8 1之間。進(jìn)一步，利用絲網(wǎng)印刷方法將所述電極漿料印刷到晶硅太陽(yáng)能電池受光面上。進(jìn)一步，所述電極柵線寬度在50um-150um之間，電極柵線高度在10um-50um之間。進(jìn)一步，所述電極柵線產(chǎn)生的遮擋面積小于7%。


圖1為本發(fā)明所述的太陽(yáng)能電池橫截面示意圖；圖2為本發(fā)明方法流程圖；附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下1、銀磷金屬柵線正電極；2、氮化硅減反射膜；3、磷擴(kuò)散層；4、P型單晶硅片；5、電 極下方重?fù)诫s層；6、銀背電極；7、鋁背電場(chǎng)。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并 非用于限定本發(fā)明的范圍。如圖1所示，本實(shí)施例以125mmX 125mm準(zhǔn)方電池為例，太陽(yáng)能電池包括P型單晶 硅片4，設(shè)置在P型單晶硅片4下的鋁背電場(chǎng)7和銀背電極6，設(shè)置在P型單晶硅片4上方的 磷擴(kuò)散層3，在磷擴(kuò)散層3上方設(shè)置有氮化硅減反射膜2，以及設(shè)置在氮化硅減反射膜2上 的銀磷金屬柵線正電極1，銀磷金屬柵線正電極1下方有重?fù)诫s層5。其中，電極柵線寬度 在50um-150um之間，電極柵線高度在10um-50um之間，電極柵線產(chǎn)生的遮擋面積小于7%， 在吸收電子的同時(shí)，保證了采光面積。圖2為本發(fā)明方法流程圖，以制作125mmX 125mm準(zhǔn)方電池為例，如圖所示將電阻率0. 2-15 Q cm的P型單晶硅片放入超聲清洗機(jī)中，加入清洗劑清洗20 分鐘，然后用0. 5% -2%的NaOH或K0H溶液加入適量異丙醇和硅酸鈉進(jìn)行絨面腐蝕，然后 清洗，烘干。將已經(jīng)制絨的P型單晶硅片放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行單面磷擴(kuò)散制作N+層，擴(kuò)散后方塊 電阻 R □ = 20-80 Q/ □ ( Q / □即 ohms per square)。等離子刻蝕在等離子刻蝕機(jī)中去除硅片邊緣的導(dǎo)電層。去磷硅玻璃把硅片放入2% -5%的HF酸溶液中浸泡1_3分鐘，去除硅片表面磷 硅玻璃。沉積氮化硅減反射膜使用PECVD在硅片正面沉積氮化硅薄膜，厚度80nm左右。使用絲網(wǎng)印刷機(jī)在硅片背面印刷銀漿和鋁漿，制作背電極和背電場(chǎng)。使用絲網(wǎng)印刷機(jī)在硅片正面印刷銀磷漿，銀磷漿中金屬銀漿和磷漿質(zhì)量比優(yōu)選在 1 1至8 1之間，然后進(jìn)行燒結(jié)。采用該方法制作的電池其串聯(lián)電阻0.005-0. 008歐姆，明顯低于普通電池的 0.012的水平，電池效率提升約0. 2個(gè)百分點(diǎn)。綜上所述，本發(fā)明以含磷漿料代替多次擴(kuò)散，在發(fā)射極電極區(qū)形成高低結(jié)，既降低 了電極與發(fā)射極之間的接觸電阻，提升轉(zhuǎn)換效率，又易于在現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能電池產(chǎn)線上實(shí) 施。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種晶硅太陽(yáng)能電池選擇性發(fā)射極的制作方法，包括在晶硅太陽(yáng)能電池受光面上印刷含有磷元素的電極漿料后進(jìn)行燒結(jié)來(lái)形成柵線電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電極漿料是由金屬銀漿和磷漿混合 而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述電極漿料中金屬銀漿和磷漿質(zhì)量比 在1 1至8 1之間。
4 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用絲網(wǎng)印刷方法將所述電極漿料印刷 到晶硅太陽(yáng)能電池受光面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述電極柵線寬度在50Um-150Um之間，電 極柵線高度在10um-50um之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述電極柵線產(chǎn)生的遮擋面積小于7%。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶硅太陽(yáng)能電池選擇性發(fā)射極的制作方法，包括在晶硅太陽(yáng)能電池受光面上印刷含有一定磷元素的電極漿料后進(jìn)行燒結(jié)來(lái)形成柵線電極，由于在發(fā)射極電極區(qū)形成高低結(jié)，降低了電極與發(fā)射極之間的接觸電阻，提升轉(zhuǎn)換效率，并取消了現(xiàn)有技術(shù)中的多次擴(kuò)散并在特定區(qū)域制作掩膜的步驟，簡(jiǎn)化了工序，降低了成本。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101872808SQ20101019194
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2010年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月4日
發(fā)明者丁孔奇 申請(qǐng)人:珈偉太陽(yáng)能(武漢)有限公司