專利名稱：薄膜晶體管基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管基板及其制造方法，其可以縮短工藝時間、避免取向膜處 發(fā)生刮傷和提高黑色亮度。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示裝置通過使用電場來控制光透射率以顯示圖像。液晶顯示裝置設(shè) 置有彼此相對的薄膜晶體管基板和濾色器基板，而液晶被置于兩者之間。薄膜晶體管基板具有形成為彼此垂直的柵線和數(shù)據(jù)線、在柵線和數(shù)據(jù)線的每個交 叉部分形成的薄膜晶體管、與每個薄膜晶體管相連的像素電極和涂布于其上用于使液晶取 向的下取向膜。濾色器基板具有用于產(chǎn)生色彩的濾色器、用于避免漏光的黑矩陣、用于與像素電 極一起形成電場的公共電極和涂布于其上的上取向膜。參見圖1，當(dāng)其上卷繞有摩擦布10的摩擦輥12在基板16上的有機聚合物上滾動 以摩擦基板16時，形成相關(guān)技術(shù)的取向膜14。當(dāng)使取向膜14與摩擦布10接觸時，在其接觸部因而產(chǎn)生異物或靜電。如果這些 異物留在取向膜14上，則會在屏幕上出現(xiàn)污點等缺陷，并且靜電可能破壞相鄰的薄膜和薄 膜晶體管。而且，在取向膜14的由摩擦布10形成刮痕的區(qū)域，和摩擦布10與取向膜14因取 向膜14下方的多個薄膜造成的階梯而未接觸的區(qū)域，液晶的取向會變得不均一。因此，發(fā) 生漏光而增加黑色態(tài)的亮度，使得液晶顯示裝置的對比度較差。此外，在大尺寸屏的情形中，難以控制摩擦輥12的均勻旋轉(zhuǎn)，使得難以獲得均一 的液晶取向。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明針對薄膜晶體管基板及其制造方法。本發(fā)明的一個目的是提供薄膜晶體管基板及其制造方法，其可縮短工藝時間、避 免取向膜處發(fā)生刮傷和提高黑色亮度。本公開的其他優(yōu)點、目的和特點部分將在后續(xù)描述中說明，部分將在本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員檢視下文后變得顯而易見或者可以從對本發(fā)明的實踐中學(xué)習(xí)。本發(fā)明的目的和其 他優(yōu)點可以通過在書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中所具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。為了實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點，并且根據(jù)本發(fā)明的用途，如本文所體現(xiàn)和寬泛描 述的那樣，薄膜晶體管基板包含形成于基板上的薄膜晶體管、形成為使所述薄膜晶體管構(gòu)成的階梯平整并具有帶有重復(fù)的凸出圖案和凹陷圖案的不平坦表面的保護膜、形成于所述 保護膜上以維持所述保護膜的不平坦形狀的像素電極、以及形成于保護膜和像素電極兩者 之上以維持保護膜和像素電極的不平坦形狀的取向膜。保護膜由丙烯酸酯類的有機絕緣材料形成。保護膜的厚度為Iym 2μπι，凸出圖案的寬度為IOOnm 200nm，凹陷圖案的寬 度為200nm 400nm且深度為50nm lOOnm，且像素電極和取向膜各自的厚度為50nm IOOnm0在本發(fā)明的另一方面中，薄膜晶體管基板的制造方法包括以下步驟在基板上形 成薄膜晶體管；形成保護膜，所述保護膜使所述薄膜晶體管構(gòu)成的階梯平整并具有帶有重 復(fù)的凸出圖案和凹陷圖案的不平坦表面；在所述保護膜上形成像素電極以維持所述保護膜 的不平坦形狀；和在所述保護膜和所述像素電極兩者之上形成取向膜以維持所述保護膜和 所述像素電極的不平坦形狀。保護膜由丙烯酸酯類的有機絕緣材料形成。保護膜的厚度為Iym 2μπι，凸出圖案的寬度為IOOnm 200nm，凹陷圖案的寬 度為200nm 400nm且深度為50nm lOOnm，且像素電極和取向膜各自的厚度為50nm IOOnm0形成保護膜的步驟包括以下步驟在其上形成有薄膜晶體管的基板上涂布有機絕 緣樹脂，在所述有機絕緣樹脂上排列具有凹陷部和凸出部的納米圖案模具，在所述有機絕 緣樹脂和所述納米圖案模具彼此接觸的狀態(tài)下，通過烘烤所述有機絕緣樹脂來形成具有凸 出圖案和凹陷圖案的保護膜，和將所述納米圖案模具從所述保護膜分離。在本發(fā)明的另一方面，薄膜晶體管基板的制造方法包括以下步驟在基板上形成 薄膜晶體管，形成保護膜以使所述薄膜晶體管構(gòu)成的階梯平整，在所述保護膜上形成像素 電極，和形成取向膜，所述取向膜使所述保護膜與所述像素電極之間的階梯平整并且具有 帶有重復(fù)的凸出圖案和凹陷圖案的不平坦表面。形成取向膜的步驟包括以下步驟在其上形成有薄膜晶體管的基板上涂布取向 劑，在取向劑上排列具有凹陷部和凸出部的納米圖案模具，在取向劑和納米圖案模具彼此 接觸的狀態(tài)下，通過烘烤所述取向劑來形成具有凸出圖案和凹陷圖案的取向膜，和將所述 納米圖案模具從取向膜分離。保護膜由丙烯酸酯類的有機絕緣樹脂形成，且取向膜的厚度為Iym 2μπι。應(yīng)該理解，上文的一般性描述和下文對本發(fā)明的詳細描述是示例性和說明性的， 且旨在提供對所要求保護的發(fā)明的進一步說明。


附圖用來提供對本公開內(nèi)容的進一步理解并且并入本申請并構(gòu)成其一部分，附圖 描繪了本公開內(nèi)容的實施方式并且與所述描述一同起著對本公開內(nèi)容的原理進行解釋的 作用。在附圖中圖1描繪了用于描述制造液晶顯示裝置的取向膜的相關(guān)技術(shù)方法的透視圖。圖2描繪了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管的截
圖3A 3E描繪了顯示如圖2所示的薄膜晶體管基板的制造方法的步驟的截面。圖4A和4B分別描繪了圖所示的納米圖案模具的變化形式的透視圖。圖5描繪了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管的截圖6A 6F描繪了顯示如圖5所示的薄膜晶體管基板的制造方法的步驟的截面。圖7描繪了具有圖2或圖5所示的下取向膜的液晶屏的透視圖。
具體實施例方式現(xiàn)將詳細引用本發(fā)明的具體實施方式
，其實例如附圖所示。在整個附圖中盡可能 地使用相同的附圖標(biāo)記來指代相同或相似的部件。圖2描繪了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管的截參見圖2，薄膜晶體管基板包含與柵線和數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管、形成為覆蓋 薄膜晶體管的保護膜118、與薄膜晶體管130相連的像素電極122和形成于保護膜118和像 素電極122上的取向膜124。薄膜晶體管響應(yīng)于來自柵線的柵極信號而選擇性地將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號提 供給像素電極122。為此，薄膜晶體管具有與柵線相連的柵電極106、與數(shù)據(jù)線相連的源電 極108、與像素電極相連的漏電極110、與柵電極106重疊的有源層114(兩者之間設(shè)置有柵 絕緣膜112以在源電極108和漏電極110之間形成溝道)以及歐姆接觸層116(用于在有 源層114與源電極108和漏電極110之間產(chǎn)生歐姆接觸)。保護膜118具有帶有重復(fù)的凹陷圖案118b和凸出圖案118a的不平坦表面。保護 膜118的凹陷圖案11 的深度D為50nm lOOnm，且寬度Wl為200nm 400nm，而凸出圖 案118a的寬度W2為IOOnm 200nm。凹陷圖案118b和凸出圖案118a沿液晶的取向方向 形成。保護膜118由如丙烯酸酯或光亞克力(photo-acryl)等有機絕緣材料形成，以使 具有薄膜晶體管構(gòu)成的階梯S的下基板101平整。無機絕緣材料構(gòu)成的保護膜118形成與 薄膜晶體管的階梯S相一致的階梯，從而導(dǎo)致形成待用于使保護膜118圖案化的納米圖案 模具和保護膜不能彼此形成共形接觸(conformal contact)的區(qū)域。與此相反，本發(fā)明的 有機絕緣材料構(gòu)成的保護膜118使薄膜晶體管的階梯S平整，從而使得待用于使保護膜118 圖案化的納米圖案模具和保護膜118在整個區(qū)域中形成共形接觸。像素電極122與經(jīng)像素接觸孔120露出的漏電極110接觸。在通過薄膜晶體管 將視頻信號供給至像素電極122后，薄膜晶體管與施加有公共電壓的公共電極形成垂直電 場，從而導(dǎo)致液晶分子在薄膜晶體管基板和濾色器基板之間沿垂直方向排列，進而因介電 各向異性而旋轉(zhuǎn)。并且，液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度改變透射穿過像素區(qū)的光的透光率，以產(chǎn)生梯度。此外，像素電極122形成于保護膜118上，其厚度足以維持保護膜118的不平坦形 狀而不會使保護膜118的不平坦形狀平整。例如，像素電極122形成為具有50nm IOOnm
的厚度。取向膜IM形成于保護膜118和像素電極122兩者之上，其厚度足以維持保護膜118的不平坦形狀而不會使保護膜118的不平坦形狀平整。因此，具有與保護膜118相一致 的不平坦表面的取向膜1 能夠在沒有任何其他液晶取向過程的情況下使液晶取向。艮口， 液晶沿取向膜124中的凹陷圖案118b的長度方向取向。圖3A 3E描繪了顯示薄膜晶體管基板的制造方法的步驟的截面。參見圖3A，在下基板101上依次形成柵電極106、具有有源層114和歐姆接觸層 116的半導(dǎo)體圖案、源電極108和漏電極110。具體而言，通過沉積(如濺射)而在下基板101上形成柵金屬層。柵金屬層可以 為單層金屬，如Mo、Ti、Cu、AlNd, Al、Cr、Mo合金、Cu合金和Al合金，或者兩層或多于兩層 的上述金屬的堆疊。然后，通過利用光刻法和蝕刻來使柵金屬層圖案化，在基板上形成柵電 極 106。在其上形成有柵電極106的下基板101上依次形成SiNx或SiOx構(gòu)成的柵絕緣膜 112(無定形硅層)和摻雜有雜質(zhì)(η+或ρ+)的無定形硅層。然后，對所述無定形硅層和摻 雜有雜質(zhì)的無定形硅層通過光刻法和蝕刻進行圖案化，以形成具有有源層114和歐姆接觸 層116的半導(dǎo)體圖案。在其上形成有半導(dǎo)體圖案的下基板101上形成數(shù)據(jù)金屬層。數(shù)據(jù)金屬層可以為單 層金屬，如Mo、Ti、Cu、AlNd, Al、Cr、Mo合金、Cu合金和Al合金，或者兩層或多于兩層的上 述金屬的堆疊。然后，對數(shù)據(jù)金屬層通過光刻法和蝕刻進行圖案化，以形成源電極108和漏 電極110。然后，從源電極108與漏電極110之間移除歐姆接觸層116，以使有源層114露出。如上所述，由于需要單獨的掩模來形成柵極電極、半導(dǎo)體圖案以及源電極和漏電 極，因而需要三個掩模來形成上述元件。此外，為減少掩模數(shù)量，可以通過一次掩模工藝形 成半導(dǎo)體圖案以及源電極和漏電極，即通過使用折射掩模或半透明掩模而一次形成。參見圖:3Β，在其上形成有源電極108和漏電極110的柵絕緣膜112上通過旋涂等 形成液態(tài)有機絕緣樹脂162。有機絕緣樹脂162的厚度為1 μ m 2 μ m。如果有機絕緣樹 脂162的厚度低于1 μ m,則有機絕緣樹脂162無法使下基板101上的薄膜晶體管的階梯S 平整。在其上形成有有機絕緣樹脂162的基板111上排列納米圖案模具164。納米圖案 模具164具有第一凸出部16 和第二凸出部164b以及凹陷部16如。納米圖案模具164的 第一凸出部16 與待形成像素接觸孔120的區(qū)域匹配，第二凸出部164b的高度高于第一 凸出部164a，并且與待形成保護膜118的凹陷圖案11 的區(qū)域匹配，而凹陷部16 與待形 成保護膜118的凸出圖案118a的區(qū)域匹配。納米圖案模具164的第一凸出部16 和第二 凸出部164b以及凹陷部16 可以形成為具有如圖4B所示的具有矩形截面的矩形波形狀， 或如圖4A所示的具有曲截面的正弦波形狀。納米圖案模具164由具有橡膠特征的聚合物形成，具體而言，聚二甲基硅氧烷 PDMS，其可有效吸收有機絕緣樹脂162的溶劑。如圖3C所示，納米圖案模具164與有機絕 緣樹脂162形成共形接觸，使得隨著溶劑從有機絕緣樹脂162被吸收至納米圖案模具164 的表面，有機絕緣樹脂162通過納米圖案模具164與下基板101之間的壓力產(chǎn)生的毛細管 作用移動到納米圖案模具164的凹陷部16 內(nèi)。在此情形中，將紫外光束導(dǎo)向下基板101 的整個表面來烘烤有機絕緣樹脂162，以形成如圖3C所示的保護膜118。保護膜118包含具有納米圖案模具164的凹陷部16 的反轉(zhuǎn)印形狀的凸出圖案118a，具有納米圖案模具 164的第二凸出部164b的反轉(zhuǎn)印形狀的凹陷圖案118b，以及具有納米圖案模具164的第一 凸出部16 的反轉(zhuǎn)印形狀的像素接觸孔120。由納米圖案模具164所形成的保護膜118的 凹陷圖案118b的深度D為50nm lOOnm，寬度Wl為200nm 400nm，且凸出圖案118a的 寬度W2為IOOnm 200nm。由此將具有其中形成有凸出圖案118a、凹陷圖案118b和像素 接觸孔120的保護膜118的下基板101與納米圖案模具164分離。參見圖3D，在其上形成有保護膜118的下基板101上形成像素電極122。具體而 言，在其上形成有保護膜118的下基板101上通過如濺射等沉積形成透明導(dǎo)電膜。透明導(dǎo) 電膜由ITO (氧化銦錫)、TO (氧化錫)、IZO (氧化銦鋅)、SnO2和無定形ITO等形成。在此 情形中，透明導(dǎo)電膜以約50nm IOOnm的厚度形成于保護膜118上，該厚度足以維持保護 膜118的凸出圖案118a和凹陷圖案118b。然后，通過光刻法和蝕刻將透明導(dǎo)電膜圖案化， 以形成像素電極122。參見圖3E，將如聚酰亞胺等取向劑涂布于其上形成有像素電極122的下基板101 上并將其烘烤，以形成取向膜124。在此情形中，取向膜IM在保護膜118和像素電極122 兩者之上形成為具有約50nm IOOnm的厚度，該厚度足以維持保護膜118和像素電極122 的凸出圖案和凹陷圖案。同時，采用如下實例對本發(fā)明的薄膜晶體管基板的制造方法進行描述通過使用 納米圖案模具164在形成保護膜118的凹陷圖案118b和凸出圖案118a的同時形成像素接 觸孔120，此外，可以在通過使用納米圖案模具164形成保護膜118的凹陷圖案118b和凸出 圖案118a以后通過光刻法和蝕刻來形成像素接觸孔120。圖5描繪了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的液晶顯示裝置的薄膜晶體管的截 面。與圖2所示的薄膜晶體管基板相比，由于圖5所示的薄膜晶體管基板具有與其相 同的元件(使保護膜118的表面平整除外)，將略去對相同元件的具體描述。為了使具有薄膜晶體管構(gòu)成的階梯的下基板平整，保護膜118由有機絕緣材料形 成，如丙烯酸酯或光亞克力。無機絕緣材料構(gòu)成的保護膜118形成與薄膜晶體管的階梯S 相一致的階梯，從而導(dǎo)致形成待用于使保護膜118圖案化的納米圖案模具和保護膜不能彼 此形成共形接觸的區(qū)域。與此相反，本發(fā)明的有機絕緣材料構(gòu)成的保護膜118使薄膜晶體 管的階梯S平整，從而使得待用于使保護膜118圖案化的納米圖案模具和保護膜在整個區(qū) 域中形成共形接觸。取向膜124形成為具有1 μ m 2 μ m的厚度，該厚度足以使像素電極122與保護 膜118之間的階梯平整。取向膜IM具有帶有重復(fù)的凹陷圖案12 和凸出圖案124b的不 平坦表面。因此，取向膜IM能夠在無任何其他液晶取向過程的情況下使液晶取向。即，取 向膜124上的液晶沿著凹陷圖案的長度方向取向。圖6A 6F描繪了顯示本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的薄膜晶體管基板的制造方法 的步驟的截面。參見圖6A，在下基板101上依次形成柵電極106、具有有源層114和歐姆接觸層 116的半導(dǎo)體圖案、源電極108和漏電極110。由于參照圖3A描述了形成柵電極、半導(dǎo)體圖 案以及源電極和漏電極的方法，將略去對其的具體描述。
參見圖6B，在其上形成有源電極108和漏電極110的柵絕緣膜112上形成具有像 素接觸孔120的保護膜118。具體而言，在其上形成有源電極108和漏電極110的柵絕緣膜 112上通過如旋涂等方法涂布液體有機絕緣樹脂時，形成保護膜118。保護膜118的厚度為 1 μ m 2 μ m。在此情形中，厚度低于1 μ m的保護膜118無法使下基板上的薄膜晶體管的 階梯平整。通過光刻法和蝕刻將保護膜118圖案化，以形成使漏電極110露出的像素接觸 孔 120。參見圖6C，在其上形成有保護膜118的下基板101上形成像素電極122。具體而 言，在其上形成有保護膜118的下基板101上通過如濺射等沉積形成透明導(dǎo)電膜。透明導(dǎo) 電膜由ITO (氧化銦錫)、Τ0(氧化錫)、IZO (氧化銦鋅)、Sr^2和無定形ITO等形成。然后， 通過光刻法和蝕刻將透明導(dǎo)電膜圖案化，以形成像素電極122。參見圖6D，將如聚酰亞胺等取向劑1 涂布于其上形成有像素電極122的下基板 101上。取向劑1 形成為1 μ m 2 μ m的厚度。在其上形成有取向劑126的基板101上排列納米圖案模具140。納米圖案模具140 具有凸出部140a和凹陷部140b。納米圖案模具140的凸出部140a與取向膜124的待分別 形成取向膜124的凹陷圖案12 的區(qū)域匹配，而納米圖案模具140的凹陷部140b與取向 膜124的待分別形成取向膜124的凸出圖案124b的區(qū)域匹配。納米圖案模具140的凸出 部140a和凹陷部140b可以形成為具有如圖4B所示的具有矩形截面的矩形波形狀，或如圖 4A所示的具有曲截面的正弦波形狀。納米圖案模具140由具有橡膠特征的聚合物形成，具體而言，聚二甲基硅氧烷 PDMS，其可吸收取向劑126的溶劑。如圖6E所示，納米圖案模具140與取向劑1 形成共 形接觸，使得隨著溶劑從取向劑126被吸收至納米圖案模具140的表面，取向劑1 通過納 米圖案模具140與下基板101之間的壓力產(chǎn)生的毛細管作用移動到納米圖案模具140的凹 陷部140b內(nèi)。在此情形中，將紫外光束導(dǎo)向下基板101的整個表面來烘烤取向劑126以形 成如圖6E所示的取向膜124。取向膜IM包含具有納米圖案模具140的凹陷部140b的反 轉(zhuǎn)印形狀的凸出圖案1Mb，和具有納米圖案模具140的凸出部140a的反轉(zhuǎn)印形狀的凹陷 圖案12如。如圖6F所示，將具有其上形成有凸出圖案12 和凹陷圖案124b的取向膜IM 的下基板101與納米圖案模具140分離。同時，將本發(fā)明的取向膜應(yīng)用于圖7所示的液晶屏。具體而言，液晶屏具有彼此相 對接合的薄膜晶體管基板150和濾色器基板170，兩者之間設(shè)置有液晶層160。濾色器基板170包含形成于上基板172上用于避免漏光的黑矩陣174，產(chǎn)生 色彩的濾色器176，與像素電極一起形成電場的公共電極178，保持單元間隔的柱間隔器 (column spacer，未顯示)，和覆蓋于其上的上取向膜182。薄膜晶體管基板150包含形成于下基板上的彼此垂直的柵線156和數(shù)據(jù)線154、 與柵線156和數(shù)據(jù)線IM的每個交叉部分相鄰的薄膜晶體管158、形成于每個由柵線156和 數(shù)據(jù)線154的交叉結(jié)構(gòu)界定的像素區(qū)上的像素電極148、以及覆蓋于其上的下取向膜184。液晶屏的濾色器176、黑矩陣174、柱間隔器(未顯示)、薄膜晶體管158、柵線156、 數(shù)據(jù)線巧4和像素電極148可以通過用具有與上述元件的圖案相一致的凹陷的納米圖案模 具來分別進行圖案化。而且，本發(fā)明的采用納米圖案模具120圖案化的取向膜140不僅可用于如圖7所示的像素電極148和公共電極178形成于彼此不同的基板上的TN模式型液晶屏，而且可用 于像素電極148和公共電極178形成于相同基板上的IPS模式型液晶屏。此外，本發(fā)明的 用納米圖案模具164或140圖案化的取向膜IM可用于所有需要摩擦的液晶屏。如上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管基板及其制造方法具有以下優(yōu)點。由于取向膜形成為具有與用納米圖案模具圖案化的保護膜相一致的不平坦形狀， 可以避免由相關(guān)技術(shù)的摩擦布所造成的取向膜表面上的刮痕的形成。最終，可以增加來自 液晶取向的單軸取向特征的黑色亮度，以提高對比度。而且，在平整化的保護膜上形成取向 膜使得能夠進行由薄膜晶體管的階梯造成的缺陷性取向，由此避免漏光。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可以在不背離本發(fā)明的主旨或范圍的情況下 進行各種修改和變化。因此，本發(fā)明涵蓋了本發(fā)明的修改和變化形式，只要其屬于所附權(quán)利 要求及其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，所述薄膜晶體管基板包含 形成于基板上的薄膜晶體管；保護膜，所述保護膜形成為使所述薄膜晶體管構(gòu)成的階梯平整并具有帶有重復(fù)的凸出 圖案和凹陷圖案的不平坦表面；像素電極，所述像素電極形成于所述保護膜上以維持所述保護膜的不平坦形狀；和 取向膜，所述取向膜形成于所述保護膜和所述像素電極兩者之上以維持所述保護膜和 所述像素電極的不平坦形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述保護膜由丙烯酸酯類的有機絕緣 材料形成。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中，所述保護膜的厚度為Ιμπι 2μπι， 所述凸出圖案的寬度為IOOnm 200nm，所述凹陷圖案的寬度為200nm 400nm且深度為 50nm lOOnm，且所述像素電極和所述取向膜各自的厚度為50nm lOOnm。
4.一種薄膜晶體管基板的制造方法，所述方法包括以下步驟 在基板上形成薄膜晶體管；形成保護膜，所述保護膜使所述薄膜晶體管構(gòu)成的階梯平整并具有帶有重復(fù)的凸出圖 案和凹陷圖案的不平坦表面；在所述保護膜上形成像素電極以維持所述保護膜的不平坦形狀；和 在所述保護膜和所述像素電極兩者之上形成取向膜以維持所述保護膜和所述像素電 極的不平坦形狀。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述保護膜由丙烯酸酯類的有機絕緣材料形成。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述保護膜的厚度為1μ m 2 μ m，所述凸出圖案 的寬度為IOOnm 200nm，所述凹陷圖案的寬度為200nm 400nm且深度為50nm lOOnm， 且所述像素電極和所述取向膜各自的厚度為50nm lOOnm。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成保護膜的所述步驟包括以下步驟 在其上形成有所述薄膜晶體管的所述基板上涂布有機絕緣樹脂，在所述有機絕緣樹脂上排列具有凹陷部和凸出部的納米圖案模具， 在所述有機絕緣樹脂和所述納米圖案模具彼此接觸的狀態(tài)下，通過烘烤所述有機絕緣 樹脂來形成具有所述凸出圖案和所述凹陷圖案的保護膜，和 將所述納米圖案模具從所述保護膜分離。
8.一種薄膜晶體管基板的制造方法，所述方法包括以下步驟 在基板上形成薄膜晶體管；形成保護膜，以使所述薄膜晶體管構(gòu)成的階梯平整； 在所述保護膜上形成像素電極；和形成取向膜，所述取向膜使所述保護膜與所述像素電極之間的階梯平整并且具有帶有 重復(fù)的凸出圖案和凹陷圖案的不平坦表面。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成取向膜的所述步驟包括以下步驟 在其上形成有所述薄膜晶體管的所述基板上涂布取向劑，在所述取向劑上排列具有凹陷部和凸出部的納米圖案模具，在所述取向劑和所述納米圖案模具彼此接觸的狀態(tài)下，通過烘烤所述取向劑來形成具有所述凸出圖案和所述凹陷圖案的取向膜，和 將所述納米圖案模具從所述取向膜分離。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述保護膜由丙烯酸酯類的有機絕緣樹脂形成， 且所述取向膜的厚度為1 μ m 2 μ m。
全文摘要
本發(fā)明涉及薄膜晶體管基板及其制造方法，其可縮短工藝時間、避免取向膜處發(fā)生刮傷和提高黑色亮度。所述薄膜晶體管基板包含形成于基板上的薄膜晶體管、形成為使所述薄膜晶體管構(gòu)成的階梯平整并具有帶有重復(fù)的凸出圖案和凹陷圖案的不平坦表面的保護膜、形成于所述保護膜上以維持所述保護膜的不平坦形狀的像素電極、以及形成于所述保護膜和像素電極兩者之上以維持所述保護膜和像素電極的不平坦形狀的取向膜。
文檔編號H01L21/77GK102104050SQ20101057252
公開日2011年6月22日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月22日
發(fā)明者安漢鎮(zhèn), 樸修賢 申請人:樂金顯示有限公司