專利名稱：半透半反式薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半透半反式薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD，ThinFilm Transistor LiquidCrystal Display)領(lǐng)域，平面電場(chǎng)模式的TFT-LCD具有廣視角、低色差、穿透率高等優(yōu)點(diǎn)，得到了越來(lái)越多的使用。
和其它模式的TFT-LCD相同，平面電場(chǎng)模式的TFT-LCD由彩膜基板和陣列基板對(duì)盒形成，彩膜基板和陣列基板之間滴注有液晶。如圖1和圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，平面電場(chǎng)模式半透半反式TFT-IXD陣列基板上設(shè)有柵線203，垂直于柵線203設(shè)有數(shù)據(jù)線204，柵線 203和數(shù)據(jù)線204之間限定有像素單元202，像素單元202內(nèi)設(shè)有反射區(qū)和透射區(qū)，反射區(qū)包括反射電極212和反射區(qū)第二像素電極201、透射區(qū)包括透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201 ‘，反射電極212與反射區(qū)第二像素電極201之間以及透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201之間間隔有第一絕緣層213和第二絕緣層214。
在平面電場(chǎng)模式的TFT-IXD陣列基板的制作過(guò)程中，首先通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成透射區(qū)第一像素電極211，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成柵線203以及和反射電極212，沉積第一絕緣層213后，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成TFT漏極206、TFT源極207和數(shù)據(jù)線204，通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝形成漏極接觸孔208，通過(guò)第五次構(gòu)圖工藝處理形成反射區(qū)第二像素電極201和透射區(qū)第二像素電極201'。
如上所述，在平面電場(chǎng)模式的TFT-LCD陣列基板的整個(gè)制作過(guò)程中，共需進(jìn)行五次構(gòu)圖工藝，因此，制造過(guò)程較為復(fù)雜，制造成本較高。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例的主要目的在于，提供一種半透半反式TFT陣列基板及其制造方法，能夠有效降低制造成本。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半透半反式TFT陣列基板，包括
基板，所述基板上包括第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層之間設(shè)有第一絕緣層，第一金屬層內(nèi)設(shè)有柵線，第二金屬層內(nèi)垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素單元，所述像素單元內(nèi)包括TFT和公共電極，所述像素單元分為反射區(qū)和透射區(qū)；其中
所述反射區(qū)包括反射電極和反射區(qū)第二像素電極，所述透射區(qū)包括透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極；
所述反射區(qū)第二像素電極、所述透射區(qū)第一像素電極、所述透射區(qū)第二像素電極設(shè)置于一個(gè)像素電極層。
一種半透半反式薄膜晶體管陣列基板制造方法，包括
在基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成反射區(qū)反射電極；
在形成有反射區(qū)反射電極的基板上，形成反射區(qū)第二像素電極、透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極，所述反射區(qū)第二像素電極、透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極設(shè)置于一個(gè)像素電極層上。
采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明實(shí)施例提供的平面電場(chǎng)模式半透半反式TFT陣列基板及其制造方法，由于透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電級(jí)位于同一層，即能夠通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理同時(shí)形成，因此，整個(gè)制造過(guò)程中，簡(jiǎn)化了制造工藝流程，有效降低了制造成本，而且，進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中平面電場(chǎng)模式半透半反式TFT-LCD陣列基板的平面示意圖2為圖1中A-A'方向的截面圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種半透半反式TFT陣列基板的平面示意圖4為圖3的B-B ‘位置截面圖5為圖3中B-B'方向的另一種截面圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板制造方法的流程示意圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板制造方法的一種工藝流程示意圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板制造方法的一種工藝流程示意圖。
附圖標(biāo)記
201-反射區(qū)第二像素電極，201'-透射區(qū)第二像素電極，202-像素單元，203-柵線，204-數(shù)據(jù)線，205-公共電極接觸孔，206-TFT漏極，207-TFT源極，208-漏極接觸孔， 211-透射區(qū)第一像素電極，212-反射電極，213-第一絕緣層，214-第二絕緣層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例半透半反式TFT陣列基板及其制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。 基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
如圖3所示，為本發(fā)明提供的半透半反式TFT陣列基板一種實(shí)施例的平面示意圖， 圖4為圖3的B-B'位置截面圖，需要指出的是，圖3只是本實(shí)施例的平面電場(chǎng)模式半透半反式TFT陣列基板的一部分，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解TFT陣列基板包括多個(gè)圖3所示的5部分構(gòu)成，本實(shí)施例中只以此部分為例進(jìn)行說(shuō)明。
結(jié)合圖3和圖4，本實(shí)施例的半透半反式TFT陣列基板，包括基板(圖中未顯示)， 基板上包括第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層之間設(shè)有第一絕緣層213， 第一金屬層內(nèi)設(shè)置有柵線203，第二金屬層內(nèi)垂直于柵線203設(shè)有數(shù)據(jù)線204，柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素單元202，像素單元202內(nèi)包括TFT、公共電極(圖中未顯示)，公共電極設(shè)置于第一金屬層內(nèi)，像素單元202分為反射區(qū)21和透射區(qū)22 ；
反射區(qū)21包括反射電極212和反射區(qū)第二像素電極201，透射區(qū)22包括透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201'；
反射區(qū)第二像素電極201、透射區(qū)第一像素電極211、透射區(qū)第二像素電極201 ‘ 同層，均設(shè)置于像素電極層。
本實(shí)施例中，反射電極212設(shè)置于第一金屬層內(nèi)，即與柵線203及公共電極位于相同層，且與公共電極相連接；所述像素電極層位于所述第二金屬層的上方，與所述第二金屬層之間設(shè)置有第二絕緣層214。
本實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板，由于透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電級(jí)201'位于同一層，即能夠通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理同時(shí)形成，整個(gè)制造過(guò)程中，可進(jìn)行四次構(gòu)圖工藝，具體的，第一次構(gòu)圖工藝形成柵線203、TFT柵極、反射電極212以及公共電極，第二次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線204，TFT漏極206和源極207，第三次構(gòu)圖工藝形成漏極接觸孔208和公共電極接觸孔205，第四次構(gòu)圖工藝形成反射區(qū)第二像素電極201、 透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201'，因此，簡(jiǎn)化了制造工藝流程，有效降低了制造成本，而且，進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率。
其中，反射區(qū)第二像素電極201通過(guò)漏極接觸孔208穿過(guò)第二絕緣層214與TFT 漏極206相連接；透射區(qū)第一像素電極211通過(guò)公共電極接觸孔205穿過(guò)第一絕緣層213 和第二絕緣層214與所述公共電極相連接，透射區(qū)第二像素電極201'和反射區(qū)第二像素電極201相連接。
透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201'間隔排列且彼此絕緣，本實(shí)施例中，兩者呈現(xiàn)錯(cuò)位交叉狀。
其中，透射區(qū)第一像素電極211、透射區(qū)第二像素電極201'及反射區(qū)第二像素電極201均為透明電極，通常為ITOandium TinOxides，銦錫氧化物)。
本實(shí)施例的半透半反式TFT陣列基板，與彩膜基板對(duì)盒形成液晶面板后，在反射區(qū)21，液晶被形成于反射區(qū)第二像素電極201和反射電極212之間的平面電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，環(huán)境光進(jìn)入液晶盒后，先經(jīng)過(guò)液晶層，再被反射電極212反射后再次經(jīng)過(guò)液晶層，經(jīng)過(guò)液晶層兩次位相調(diào)制后，最后從液晶盒射出進(jìn)入觀察者的眼睛。在透射區(qū)22，液晶被形成于透射區(qū)第二像素電極201'和透射區(qū)第一像素電極211之間的另一種平面電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，而且該部分沒(méi)有金屬層遮擋，因此背光源發(fā)出的光線可以經(jīng)過(guò)該區(qū)域進(jìn)入觀察者眼睛。即本實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板，在反射區(qū)，液晶被第二像素電極和第一像素電極之間形成的平面電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，在透射區(qū)域，液晶被透射區(qū)第一像素電極和其相鄰的透射區(qū)第二像素電極之間的另一種平面電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)。由此，可以達(dá)到半透半反的顯示效果。
本實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板，為簡(jiǎn)化工藝流程，和現(xiàn)有技術(shù)相比，省去了圖2中位于211位置處的透射區(qū)第一像素電極的制造過(guò)程，因此需更改透射區(qū)域和反射區(qū)域的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方式，才能達(dá)到顯示的目的。在反射區(qū)域，為達(dá)反射的目的，配置了反射電極212，而反射電極212與公共電極相連接，在反射區(qū)第二像素電極201和反射電極212 之間形成平面電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)液晶轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)行顯示；而本實(shí)施例通過(guò)將圖2中所述201 ‘位置處的第二像素電極進(jìn)行電學(xué)分割，形成所述圖4中的透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’，其中透射區(qū)第一像素電極211通過(guò)公共電極接觸孔205與公共電極連接，透射區(qū)第二像素電極201 ‘與反射區(qū)第二像素電極201連接。由于透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’位于同一層上且交錯(cuò)排列，因此透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’之間形成另一種平面電場(chǎng)，驅(qū)動(dòng)液晶達(dá)到顯示的效果。由此，本實(shí)施例通過(guò)兩種平面電場(chǎng)的巧妙結(jié)合，達(dá)到半透半反的顯示目的，同時(shí)簡(jiǎn)化了工藝流程。
由于透射區(qū)22與反射區(qū)21驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)不同，電場(chǎng)強(qiáng)度也有區(qū)別，為達(dá)到較好的顯示效果，優(yōu)選的，透射區(qū)第一像素電極211與相鄰的透射區(qū)第二像素電極201'之間的間距應(yīng)大于相鄰兩個(gè)反射區(qū)第二像素電極201的間距。這是因?yàn)?，在反射區(qū)域，液晶被形成于反射區(qū)第二像素電極201和反射電極212之間的平面電場(chǎng)所驅(qū)動(dòng)，電場(chǎng)充滿整個(gè)反射區(qū)域，不但相鄰兩個(gè)反射區(qū)第二像素電極201之間的液晶被驅(qū)動(dòng)，位于反射區(qū)第二像素電極 201之上的液晶也可以被驅(qū)動(dòng)，因此，幾乎整個(gè)反射區(qū)域的液晶都可以對(duì)顯示做貢獻(xiàn)。而在透射區(qū)，液晶被形成于透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’之間的另一種平面電場(chǎng)所驅(qū)動(dòng)，電場(chǎng)僅存在于電極之間，僅有位于透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’之間的區(qū)域的液晶對(duì)透過(guò)率有貢獻(xiàn)，而位于透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’之上的液晶由于幾乎不受電場(chǎng)的作用，因而對(duì)穿透率沒(méi)有貢獻(xiàn)。因此透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’之間的間距應(yīng)設(shè)計(jì)的大一些，可以減少透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’所占的面積比例，從而提升透射區(qū)的透過(guò)率。一般地，推薦相鄰兩個(gè)反射區(qū)第二像素電極201之間的距離為3μπι 7μπι 推薦透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201’之間的距離為7 μ m 10 μ m。
本實(shí)施例中，反射電極212設(shè)置于第一金屬層內(nèi)，但本發(fā)明不限于此，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖5所示，反射電極212設(shè)置于第二金屬層內(nèi)，即與數(shù)據(jù)線、TFT源極 207、TFT漏極206同層，通過(guò)穿過(guò)第一絕緣層213的反射電極接觸孔與公共電極相連接。該實(shí)施例的工作原理與前述實(shí)施例相同，這里不在贅述。
另外，根據(jù)前述原理可知，本發(fā)明的陣列基板通過(guò)反射區(qū)第二像素電極201和反射電極212之間形成的電場(chǎng)，以及及透射區(qū)第二像素電極201'和透射區(qū)第一像素電極211 之間形成的電場(chǎng)對(duì)液晶進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因此，為保證這些電極正常的通電及形成電極間電場(chǎng)，各電極的連接方式不限于本實(shí)施例中的連接方式，舉例而言，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，反射電極212及透射區(qū)第一像素電極211與TFT漏極206相連接，反射區(qū)第二金屬電極201 與公共電極連接，透射區(qū)第二像素電極201'和反射區(qū)第二像素電極201相連接，透射區(qū)第一像素電極211和透射區(qū)第二像素電極201'間隔排列且彼此絕緣。該實(shí)施例的工作原理與前述實(shí)施例相同，這里不再贅述。
相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種上述半透半反式TFT陣列基板的制造方法，如圖6所示，包括
步驟11，在基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成反射區(qū)反射電極；
步驟12，在形成反射區(qū)反射電極的基板上，形成反射區(qū)第二像素電極、透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極；
其中，所述反射區(qū)第二像素電極、透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極設(shè)置于一個(gè)像素電極層上。
本發(fā)明實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板的制造方法，由于透射區(qū)第一像素電極和第二像素電級(jí)位于同一層，即能夠通過(guò)一次構(gòu)圖工藝處理同時(shí)形成，整個(gè)制造過(guò)程中，簡(jiǎn)化了制造工藝流程，有效降低了制造成本，而且，進(jìn)一步提高了生產(chǎn)效率。
下面以圖4所示的半透半反式TFT陣列基板的制作過(guò)程為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，如圖7所示，本實(shí)施例包括
步驟20，在基板上沉積第一金屬薄膜，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝，形成包括柵線、柵極、 公共電極、反射區(qū)反射電極的第一金屬層；
其中，所述反射區(qū)反射電極與所述公共電極連接；
步驟21，在第一金屬層上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層(第一絕緣層)。
步驟22，在形成有第一金屬層、柵絕緣層的基板上，形成漏極接觸孔和公共電極接觸孔。
具體的，本步驟包括
步驟220，在形成有第一金屬層、柵絕緣層的基板上沉積第二金屬薄膜，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝，形成包括數(shù)據(jù)線、TFT源極和TFT漏極的第二金屬層。
步驟221，在第二金屬層上，沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層(第二絕緣層)，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成漏極接觸孔和公共電極接觸孔。
步驟23，在形成有漏極接觸孔和公共電極接觸孔的基板上沉積像素電極薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成反射區(qū)第二像素電極、透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極；
其中，所述反射區(qū)第二像素電極與所述透射區(qū)第二像素電極連接，所述反射區(qū)第二像素電極通過(guò)所述漏極接觸孔與TFT的漏極連接，所述透射區(qū)第二像素電極與透射區(qū)第一像素電極間隔排列且彼此絕緣，所述透射區(qū)第一像素電極通過(guò)所述公共電極接觸孔與所述公共電極連接。
下面以圖5所示的半透半反式TFT陣列基板的制作過(guò)程為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的半透半反式TFT陣列基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，如圖8所示，本實(shí)施例包括
步驟30，在基板上形成反射電極。
具體的，本步驟包括
步驟301，在基板上沉積第一金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括柵線、柵極、公共電極的第一金屬層。
步驟302，在第一金屬層上沉積柵絕緣薄膜，形成柵絕緣層(第一絕緣層)。
步驟303，在形成有第一金屬層、柵絕緣層的基板上沉積第二金屬薄膜，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝，形成包括數(shù)據(jù)線、TFT源極、TFT漏極和反射電極的第二金屬層。
步驟32，在第二金屬層上，沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層(第二絕緣層)，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成反射電極接觸孔、漏極接觸孔和公共電極接觸孔。
步驟33，在形成有漏極接觸孔和公共電極接觸孔的基板上沉積像素電極薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成反射區(qū)第二像素電極、透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極。
其中，所述反射區(qū)第二像素電極與所述透射區(qū)第二像素電極連接，所述反射區(qū)第8二像素電極通過(guò)所述漏極接觸孔與TFT漏極連接，所述透射區(qū)第二像素電極與透射區(qū)第一像素電極間隔排列且彼此絕緣，所述透射區(qū)第一像素電極通過(guò)所述公共電極接觸孔與所述公共電極連接，所述反射電極和公共電極通過(guò)反射電極接觸孔和公共電極接觸孔進(jìn)行連接。
在實(shí)際生產(chǎn)中，各個(gè)膜層的順序可以調(diào)換，只要可以正常驅(qū)動(dòng)TFT即可。比如柵線和數(shù)據(jù)線所在的金屬層可以上下調(diào)換等。反射電極可以用鋁、鋁合金制作，或者在鋁的表面做表面處理形成氮化鋁層，反射效果更好。
以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半透半反式薄膜晶體管陣列基板，包括基板，所述基板上包括第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層之間設(shè)有第一絕緣層，第一金屬層內(nèi)設(shè)有柵線，第二金屬層內(nèi)垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素單元，所述像素單元內(nèi)包括TFT和公共電極，所述像素單元分為反射區(qū)和透射區(qū)，其特征在于，包括所述反射區(qū)包括反射電極和反射區(qū)第二像素電極，所述透射區(qū)包括透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極；所述反射區(qū)第二像素電極、所述透射區(qū)第一像素電極、所述透射區(qū)第二像素電極設(shè)置于一個(gè)像素電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述反射電極設(shè)置于所述第一金屬層或第二金屬層中，所述像素電極層位于所述第二金屬層的上方，與所述第二金屬層之間設(shè)置有第二絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述反射電極及所述透射區(qū)第一像素電極與所述公共電極相連接，所述反射區(qū)第二金屬電極與所述TFT漏極連接，所述透射區(qū)第二像素電極和所述反射區(qū)第二像素電極相連接，所述透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極間隔排列且彼此絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述透射區(qū)第一像素電極與相鄰的所述透射區(qū)第二像素電極之間的間距大于相鄰兩個(gè)所述反射區(qū)第二像素電極的間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述相鄰兩個(gè)所述反射區(qū)第二像素電極之間的距離為3至7微米，所述透射區(qū)第一像素電極和相鄰的所述透射區(qū)第二像素電極之間的距離為7至10微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述反射電極及所述透射區(qū)第一像素電極與所述TFT漏極相連接，所述反射區(qū)第二金屬電極與所述公共電極連接，所述透射區(qū)第二像素電極和所述反射區(qū)第二像素電極相連接，所述透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極間隔排列且彼此絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透射區(qū)第一像素電極、透射區(qū)第二像素電極及反射區(qū)第二像素電極均為透明電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述反射電極的材料是氮化鋁。
9.一種半透半反式薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，包括在基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成反射區(qū)反射電極；在形成有反射區(qū)反射電極的基板上，形成反射區(qū)第二像素電極、透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極，所述反射區(qū)第二像素電極、透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極設(shè)置于一個(gè)像素電極層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成反射區(qū)反射電極包括在基板上沉積第一金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括柵線、柵極、公共電極、反射區(qū)反射電極的第一金屬層；或者在基板上沉積第一金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括柵線、柵極、公共電極的第一金屬層；在形成有所述第一金屬層的基板上沉積絕緣薄膜、形成第一絕緣層； 在形成有第一金屬層、第一絕緣層的基板上沉積第二金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和反射區(qū)反射電極的第二金屬層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半透半反式薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，為有效降低制造成本而發(fā)明。所述薄膜晶體管陣列基板，包括基板，所述基板上包括第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層內(nèi)設(shè)有柵線，第二金屬層內(nèi)設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線之間限定有像素單元，所述像素單元內(nèi)包括TFT和公共電極、所述像素單元分為反射區(qū)和透射區(qū)，所述反射區(qū)包括反射電極和反射區(qū)第二像素電極，所述透射區(qū)包括透射區(qū)第一像素電極和透射區(qū)第二像素電極；所述反射區(qū)第二像素電極、所述透射區(qū)第一像素電極、所述透射區(qū)第二像素電極設(shè)置于一個(gè)像素電極層。本發(fā)明可用于進(jìn)行液晶顯示。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102544025SQ20101062009
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月31日
發(fā)明者孫榮閣, 朱修劍, 田廣彥 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司